，使银薄膜的宽度(即WAg)比铬薄膜的宽度(即W&)宽。如果银薄膜的电阻值自身变小，则一对端子8之间的电阻值的变动变小。另外，图1、图13、图19中的装置也有与该实施例中相同的效果。在本文中，在使用了透明的绝缘基板3的情况下，能够根据通过基板侧检查的腐蚀区域的长度来推测腐蚀的程度。另外，第一金属薄膜2和第二金属薄膜11也可以形成为之字形电极，例如图36、37的情况。
[0094]接下来，图34、35是示出用于监控腐蚀环境的装置的另一实施例的示意图。图34是装置的俯视图，而图35是装置的侧视图。在用于监控腐蚀环境的装置I中，有包括设置于绝缘基板3上的两层的金属薄膜的传感器部。该传感器部被安装成具有分别在通路构造4的左右两侧的两个开口部5的通路构造4的一部分侧壁。该两层的金属薄膜包括在通路构造4内露出的第一金属薄膜2、和在通路构造4内露出的第一金属薄膜2的下表面上设置的第二金属薄膜11。第二金属薄膜11由在对象环境下不腐蚀的金属材料(例如包括钛、铬、金、钯、银钯合金)构成。如以上提到的，在通路构造4的左右两侧的开口部5的布置使得能够评价腐蚀性气体所致的周围腐蚀环境的空气流动的影响。
[0095]本发明的用于监控腐蚀环境的装置也可以单独具有测量系统。另外，用于监控腐蚀环境的装置可以配置为通过将测量系统安装到印刷电路板上而使用预先形成在印刷电路板上的测量系统。通过将测量系统安装到印刷电路板上，使电子装置能够进行自诊断。
[0096]此前，说明了包括具有金属薄膜的传感器部的用于监控腐蚀环境的装置。S卩，在这些实施例中，对象环境中存在的腐蚀性气体从外部侵入到气体导入通路(即通路构造)，并从装置的开口侧依次腐蚀金属薄膜。腐蚀性气体所致的金属薄膜的腐蚀区域依赖于时间而依次扩展。在这种情况下，用于监控腐蚀环境的装置测定金属薄膜的电阻值，其中该电阻值与金属薄膜的腐蚀区域的增大对应地增大。传感器部的电阻值的测定量化地确定对象环境的腐蚀程度。
[0097]这里，应当注意，由于从外部侵入到气体导入通路的腐蚀性气体而使金属薄膜从开口侧依次腐蚀的方法还可以应用于晶体振子微量天平分析。另外，为了抑制温度变动所致的一对端子8之间的电阻值的变动，在用于监控腐蚀环境的装置中布置温度补偿用的传感器部是有效的。
[0098]在本发明中，用于监控腐蚀环境的装置无需包括诸如在恒定流速环境下进行测定的使用吸引栗的气体导入部的大型构造。从而，本发明的用于监控腐蚀环境的装置成为功耗小、且能够简便地监控腐蚀环境的结构。另外，本发明的用于监控腐蚀环境的装置被配置为包括在通路构造的一部分中的开口部，和被通路构造覆盖的金属薄膜。从而，构成为使得用于监控腐蚀环境的装置能够正确地判断从开口部腐蚀开去的金属薄膜的腐蚀的量，并能够抑制传感器部的局部腐蚀或抑制依赖于金属的膜厚而变化的腐蚀的量的变动。在本文中，以上描述的传感器部的局部腐蚀表示尘埃、盐类的附着所致的其附着部周边的腐蚀。
【主权项】
1.一种用于监控腐蚀环境的装置，具备: 传感器部； 至少一个通路构造，所述至少一个通路构造的每个与所述传感器部一起形成，以便控制空气中的腐蚀性物质的侵入；以及 金属薄膜，包括在所述传感器部中，并设置于所述至少一个通路构造内，其中， 所述金属薄膜的电阻值根据从所述通路构造的开口部侵入的所述腐蚀性物质所致的金属薄膜的腐蚀区域的扩展而变化；以及 所述用于监控腐蚀环境的装置被配置为测定所述金属薄膜的电阻值。2.根据权利要求1所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 所述通路构造具有一个所述开口部、和设置于绝缘基板上并且位于所述通路构造内的所述金属薄膜；以及 所述金属薄膜的腐蚀区域在从所述开口部侵入到所述通路构造中的所述腐蚀性物质的扩散方向上扩展；以及 所述用于监控腐蚀环境的装置被配置为测定根据所述腐蚀区域的扩展而增大的电阻值。3.根据权利要求1所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 所述金属薄膜具有在空气中露出的露出部、和在空气中未露出的非露出部； 所述非露出部与所述露出部电连接；以及 所述用于监控腐蚀环境的装置被配置为通过将所述露出部的电阻值以及所述非露出部的电阻值相加来测定电阻值之和。4.根据权利要求3所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 根据所述腐蚀区域的扩展，所述非露出部的电阻值增大。5.根据权利要求3所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 所述非露出部包括通过涂覆所述金属薄膜的一部分而形成的涂覆部分，使得所述涂覆部分在空气中不露出。6.根据权利要求2所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 所述金属薄膜具有:由空气中的所述腐蚀性物质而腐蚀的第一金属薄膜，以及不会由空气中的所述腐蚀性物质而腐蚀的第二金属薄膜，其中， 所述用于监控腐蚀环境的装置被配置为通过将所述第一金属薄膜的电阻值以及所述第二金属薄膜的电阻值相加来测定电阻值之和。7.根据权利要求6所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 根据所述腐蚀区域的扩展，所述第二金属薄膜的电阻值增大。8.根据权利要求1所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 所述通路构造具有:所述至少一个开口部，以及包括第一金属薄膜和第二金属薄膜的所述金属薄膜， 不会由空气中的所述腐蚀性物质而腐蚀的所述第二金属薄膜形成包括一列或多列的之字形，设置于绝缘基板上，并且位于所述通路构造内，以及所述第一金属薄膜被附设到所述第二金属薄膜上；以及 所述用于监控腐蚀环境的装置被配置为测定所述第一金属薄膜以及所述第二金属薄膜的电阻值， 所述电阻值根据从所述通路构造的开口部侵入的所述腐蚀性物质所致的所述第一金属薄膜的腐蚀区域的扩展而变化。9.根据权利要求6所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 所述第二金属薄膜的材料从钛、铬、金、钯和银钯合金中的至少一个中选择。10.根据权利要求1?9中的任一项所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 所述金属薄膜的材料从钛、络、金、钯和银钯合金中的至少一个中选择。11.根据权利要求1?9中的任一项所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 使用透明基板作为所述绝缘基板。12.根据权利要求6所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 在所述第一金属薄膜中，在所述腐蚀性物质扩散到的所述第一金属薄膜的纵向上形成有狭缝。13.根据权利要求12所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 根据所述腐蚀区域的扩展，所述第二金属薄膜的电阻值增大。14.根据权利要求6所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 所述传感器部被安装为所述通路构造的侧壁； 在所述传感器部中，所述第二金属薄膜设置于在所述通路构造内露出的所述第一金属薄膜的下表面上；以及 在所述传感器部中，所述第一金属薄膜比所述第二金属薄膜的宽度宽。15.根据权利要求14所述的用于监控腐蚀环境的装置，其中， 所述第一金属薄膜的材料是银，而所述第二金属薄膜的材料是铬。16.根据权利要求14所述的用于监控腐蚀环境的装置，还包括: 温度补偿用的传感器部。17.一种用于监控腐蚀环境的方法，根据设置于至少一个通路构造内的金属薄膜的腐蚀程度来监控腐蚀环境，所述至少一个通路构造被配置为控制空气中的腐蚀性物质到所述至少一个通路构造的侵入， 所述方法包括如下步骤: 测定所述金属薄膜的电阻值，其中所述电阻值根据从所述通路构造的开口部侵入的所述腐蚀性物质所致的金属薄膜的腐蚀区域的扩展而变化；以及根据测定出的所述电阻值，对环境的腐蚀程度进行定量化。
【专利摘要】本发明涉及一种用于监控腐蚀环境的装置以及方法。提供一种用于监控腐蚀环境的装置，包括：至少一个通路构造，具有开口部，并且被配置为控制空气中的腐蚀性物质的侵入；以及传感器部，具有设置于通路构造内的金属薄膜。通路构造内的金属薄膜由于从开口部侵入到通路构造的腐蚀性物质而腐蚀。在监控期间，金属薄膜的电阻值根据金属薄膜的腐蚀区域的扩展而变化。从而，用于监控腐蚀环境的装置测定金属薄膜的电阻值，抑制测定出的值的变动。这使得能够长期且高精度地评价电气电子装置的设置环境的腐蚀程度。
【IPC分类】G01N17/00
【公开号】CN105092456
【申请号】CN201510246813
【发明人】南谷林太郎, 串田则行, 出野彻哉
【申请人】株式会社日立制作所
【公开日】2015年11月25日
【申请日】2015年5月15日
【公告号】US20150330889