一种锁相式光电纠偏传感器的制造方法
【技术领域】
[0001]本实用新型涉及一种光电传感器，具体是指一种锁相式光电纠偏传感器。
【背景技术】
[0002]光电纠偏传感器是指应用于各种纠偏设备中的一种光电传感器，其能够检测目标的边沿或标志线，输出反映边沿或标志线的标准模拟信号提供给收集控制器，通过纠偏驱动器的机械运动实现纠偏。目前光电纠偏传感器的各种开收卷设备中不可缺少的组成部分。然而，传统的光电纠偏传感器其输出的信号误差大，并不能满足目前生产的高精度需求。
【实用新型内容】
[0003]本实用新型的目的在于克服传统的光电纠偏传感器其输出的信号误差大的缺陷，提供一种不仅结构简单，而且精度高的锁相式光电纠偏传感器。
[0004]本实用新型的目的通过下述技术方案实现:一种锁相式光电纠偏传感器，其由主控芯片K，与该主控芯片K相连接的信号采集电路，与该主控芯片K相连接的纠偏电路组成，为了达到本发明的目的，本发明在主控芯片K与纠偏电路之间还设置有锁相电路。
[0005]进一步的，所述的锁相电路由场效应管M0S1，三极管Q2，三极管Q3，N极与该主控芯片K的OUT管脚相连接、P极则与场效应管MOSl的栅极相连接的二极管Dl，一端与二极管Dl的N极相连接、另一端则与三极管Q3的集电极相连接的电阻R9，一端与三极管Q3的基极相连接、另一端接地的电阻R11，一端与场效应管MOSl的漏极相连接、另一端则与三极管Q2的集电极相连接的电阻R10，负极与三极管Q2的集电极相连接、正极则接地的电容C7，以及负极与场效应管MOSl的源极相连接、正极则与三极管Q2的基极相连接的电容C6组成；所述的场效应管MOSl的栅极与纠偏电路相连接、其漏极则与三极管Q3的发射极相连接；所述三极管Q3的集电极接地，三极管Q2的发射极则与纠偏电路相连接。
[0006]所述的信号采集电路包括电阻Rl，电阻R2以及电容Cl ;所述电容Cl的正极与该主控芯片K的IN管脚相连接、其负极接地；电阻Rl的一端与外部电源相连接、其另一端则经电阻R2后与电容Cl的负极相连接；所述主控芯片K的IN管脚则还与纠偏电路相连接。
[0007]所述的纠偏电路由纠偏芯片M，三极管Ql，一端与纠偏芯片M的RESET管脚相连接、另一端与三极管Ql的基极相连接的电阻R5，一端与三极管Ql的发射极相连接、另一端经电容C4后与纠偏芯片M的PFO管脚相连接的电阻R6，一端与电容C4和电阻R6的连接点相连接、另一端经电阻R8后接地的电阻R7，与电阻R8并联的电容C5，反相端与纠偏芯片M的WDI管脚相连接、同相端则与场效应管MOSl的栅极相连接的差分放大器U2，串接在差分放大器U2的同相端与输出端之间的电容C2，反相端与纠偏芯片M的WDO管脚相连接、同相端则与主控芯片K的IN管脚相连接的差分放大器Ul，正极与差分放大器U2的输出端相连接、负极则与三极管Q2的发射极相连接的电容C3，以及一端与差分放大器Ul的输出端相连接、另一端则经电阻R4后与差分放大器U2的输出端相连接的电阻R3组成；所述三极管Ql的集电极接地。
[0008]所述主控芯片K为具有低功耗特性的单片微型计算机。
[0009]所述纠偏芯片M为SGM706集成电路。
[0010]本实用新型较现有技术相比具有以下优点及有益效果:
[0011](I)本实用新型整体结构非常简单，能在不增加电子温度计结构复杂程序和防水难度的情况下，实现温度计的低功耗性能。
[0012](2)本实用新型设有纠偏电路，能及时的对信号采集电路所采集温度信号进行纠偏，彻底除去外部因素的干扰，从而使得测量温度值与实际温度值之间差距不± 1°C。
[0013](3)本实用新型设置有锁相电路，其可以对所采集到的信号进行锁相处理，避免信号因相位波动而影响本实用新型的精确度。
【附图说明】
[0014]图1为本实用新型的整体结构示意图。
【具体实施方式】
[0015]下面结合实施例对本实用新型作进一步地详细说明，但本实用新型的实施方式不限于此。
[0016]实施例
[0017]如图1所示，本实用新型由主控芯片K，与该主控芯片K相连接的信号采集电路，与该主控芯片K相连接的纠偏电路组成，为了达到本发明的目的，本发明在主控芯片K与纠偏电路之间还设置有锁相电路。
[0018]其中，该锁相电路为本实用新型的重点，由场效应管M0S1，三极管Q2，三极管Q3，电阻R9，电阻R10，电阻R11，电容C6，电容C7以及二极管Dl组成。
[0019]连接时，该二极管Dl的N极与该主控芯片K的OUT管脚相连接、其P极则与场效应管MOSl的栅极相连接，电阻R9的一端与二极管Dl的N极相连接、其另一端则与三极管Q3的集电极相连接，电阻Rll的一端与三极管Q3的基极相连接、其另一端接地，电阻RlO的一端与场效应管MOSl的漏极相连接、其另一端则与三极管Q2的集电极相连接，电容C7的负极与三极管Q2的集电极相连接、其正极则接地，电容C6的负极与场效应管MOSl的源极相连接、其正极则与三极管Q2的基极相连接。
[0020]同时，所述的场效应管MOSl的栅极与纠偏电路相连接、其漏极则与三极管Q3的发射极相连接。所述三极管Q3的集电极接地，三极管Q2的发射极则与纠偏电路相连接。
[0021]其中，场效应管MOSl，电容C6以及三极管Q2构成一个锁相器，当信号输送进来后，该锁相器可以对信号频率进行锁定，使其频率与原始信号的频率相同，避免因频率波动而降低本发明的精确度。
[0022]所述的信号采集电路包括电阻R1，电阻R2以及电容Cl。连接时，所述电容Cl的正极与该主控芯片K的IN管脚相连接、其负极接地；电阻Rl的一端与外部电源相连接、其另一端则经电阻R2后与电容Cl的负极相连接。所述主控芯片K的IN管脚则还与纠偏电路相连接。
[0023]所述的纠偏电路由纠偏芯片M，三极管Q1，一端与纠偏芯片M的RESET管脚相连接、另一端与三极管Ql的基极相连接的电阻R5，一端与三极管Ql的发射极相连接、另一端经电容C4后与纠偏芯片M的PFO管脚相连接的电阻R6，一端与电容C4和电阻R6的连接点相连接、另一端经电阻R8后接地的电阻R7，与电阻R8并联的电容C5，反相端与纠偏芯片M的WDI管脚相连接、同相端则与场效应管MOSl的栅极相连接的差分放大器U2，串接在差分放大器U2的同相端与输出端之间的电容C2，反相端与纠偏芯片M的WDO管脚相连接、同相端则与主控芯片K的IN管脚相连接的差分放大器Ul，正极与差分放大器U2的输出端相连接、负极则与三极管Q2的发射极相连接的电容C3，以及一端与差分放大器Ul的输出端相连接、另一端则经电阻R4后与差分放大器U2的输出端相连接的电阻R3组成；所述三极管Ql的集电极接地。为了更好的实施本实用新型，该纠偏芯片M优先采用SGM706集成电路，而主控芯片K则优选为具有低功耗特性的单片微型计算机来实现。
[0024]如上所述，便可以很好的实现本实用新型。
【主权项】
1.一种锁相式光电纠偏传感器，其由主控芯片K，与该主控芯片K相连接的信号采集电路，与该主控芯片K相连接的纠偏电路组成；其特征在于:在主控芯片K与纠偏电路之间还设置有锁相电路；所述的锁相电路由场效应管M0S1，三极管Q2，三极管Q3，N极与该主控芯片K的OUT管脚相连接、P极则与场效应管MOSl的栅极相连接的二极管Dl，一端与二极管Dl的N极相连接、另一端则与三极管Q3的集电极相连接的电阻R9，一端与三极管Q3的基极相连接、另一端接地的电阻R11，一端与场效应管MOSl的漏极相连接、另一端则与三极管Q2的集电极相连接的电阻R10，负极与三极管Q2的集电极相连接、正极则接地的电容C7，以及负极与场效应管MOSl的源极相连接、正极则与三极管Q2的基极相连接的电容C6组成；所述的场效应管MOSl的栅极与纠偏电路相连接、其漏极则与三极管Q3的发射极相连接；所述三极管Q3的集电极接地，三极管Q2的发射极则与纠偏电路相连接。2.根据权利要求1所述的一种锁相式光电纠偏传感器，其特征在于，所述的信号采集电路包括电阻Rl，电阻R2以及电容Cl ;所述电容Cl的正极与该主控芯片K的IN管脚相连接、其负极接地；电阻Rl的一端与外部电源相连接、其另一端则经电阻R2后与电容Cl的负极相连接；所述主控芯片K的IN管脚则还与纠偏电路相连接。3.根据权利要求2所述的一种锁相式光电纠偏传感器，其特征在于，所述的纠偏电路由纠偏芯片M，三极管Ql，一端与纠偏芯片M的RESET管脚相连接、另一端与三极管Ql的基极相连接的电阻R5，一端与三极管Ql的发射极相连接、另一端经电容C4后与纠偏芯片M的PFO管脚相连接的电阻R6，一端与电容C4和电阻R6的连接点相连接、另一端经电阻R8后接地的电阻R7，与电阻R8并联的电容C5，反相端与纠偏芯片M的WDI管脚相连接、同相端则与场效应管MOSl的栅极相连接的差分放大器U2，串接在差分放大器U2的同相端与输出端之间的电容C2，反相端与纠偏芯片M的WDO管脚相连接、同相端则与主控芯片K的IN管脚相连接的差分放大器U1，正极与差分放大器U2的输出端相连接、负极则与三极管Q2的发射极相连接的电容C3，以及一端与差分放大器Ul的输出端相连接、另一端则经电阻R4后与差分放大器U2的输出端相连接的电阻R3组成；所述三极管Ql的集电极接地。4.根据权利要求3所述的一种锁相式光电纠偏传感器，其特征在于，所述主控芯片K为具有低功耗特性的单片微型计算机。5.根据权利要求3所述的一种锁相式光电纠偏传感器，其特征在于，所述纠偏芯片M为SGM706集成电路。
【专利摘要】本实用新型公开了一种锁相式光电纠偏传感器，其由主控芯片K，与该主控芯片K相连接的信号采集电路，与该主控芯片K相连接的纠偏电路组成；其特征在于：在主控芯片K与纠偏电路之间还设置有锁相电路；本实用新型整体结构非常简单，能在不增加电子温度计结构复杂程序和防水难度的情况下，实现温度计的低功耗性能。同时，本实用新型设置有锁相电路，其可以对所采集到的信号进行锁相处理，避免信号因相位波动而影响本实用新型的精确度。
【IPC分类】G01B11/02, H03L7/08
【公开号】CN204944438
【申请号】CN201520365633
【发明人】刘霖, 张树民, 方晶敏
【申请人】宁波摩米创新工场电子科技有限公司
【公开日】2016年1月6日
【申请日】2015年5月30日