专利名称：一种电压稳定器电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及模拟电源技术领域，具体为一种电压稳定器电路。
背景技术：
在一般的开环电压稳定电路中，经常采用PMOS管作为驱动电路，如图1所示，在驱动相同电流的情况下，其电路面积是NMOS管的2.5倍以上，同时在超过12V以上的高压应用中，必然需要使用后栅样的器件和工艺，从而导致面积的进一步增加和工件更加复杂化，同时，采用PMOS管时，电路中还需要包含有基准电压源和误差放大器，整个电路面积大，结构复杂，制作成本高。
发明内容
为了解决上述问题，本发明提供了一种电压稳定器电路，其电路结构简单，面积小，成本大大降低。其技术方案是这样的:一种电压稳定器电路，其包括电源VDD，电阻R1，其特征在于，其还包括第一钳位电路、第二钳位电路、第一 NMOS管，所述第一钳位电路包括第二 NMOS管和电阻R2，所述第二 NMOS管的漏端分别连接第一 NMOS管的栅端和所述电阻R2 —端、栅端分别连接所述电阻R2另一端和所述电阻Rl —端，所述电阻Rl另一端分别连接所述电源VDD和所述第一 NMOS管的漏端，所述第一 NMOS管的源端连接电压输出端，所述第二钳位电路包括栅端与漏端相连的NMOS管，所述第二 NMOS管的源端连接所述NMOS管的漏端，所述NMOS管的源端接地。其进一步特征在于，所述 第二钳位电路的NMOS管和所述第一钳位电路的第二NMOS管之间还包括PMOS管，所述PMOS管的栅端和漏端相连，所述PMOS管的源端与所述第二 NMOS管的源端相连、漏端与所述第二钳位电路中的NMOS管的漏端相连，所述NMOS管的源端接地；所述第二钳位电路中可以包括多个所述PMOS管串联；所述第二钳位电路中可以包括多个所述NMOS管串联；所述第二钳位电路包括两个串联的第三、第四PMOS管，四个串联的第五、第六、第七、第八NMOS管，所述第三PMOS管的源端与所述第二 NMOS管的源端相连，所述第四PMOS管的漏端与所述第五NMOS管的漏端相连，所述第八NMOS管的源端接地；所述第二钳位电路的NMOS管、PMOS管分别最多为十个串联。采用本发明的结构后，电路中只包括第一 NMOS管、第一钳位电路和第二钳位电路，采用NMOS管后无需基准电压源和误差放大器，减小了电路的面积，同时本发明电路可以在一个较宽的电压范围内应用，在超过12V的高压应用时，克服了现有技术中需要使用后栅样的器件和工艺的缺陷，进一步减小了面积同时简化了电路结构，成本大大降低。
图1为现有技术电路 图2为本发明第一实施例电路图；图3为本发明第二实施例电路图。
具体实施例方式见图2所示，一种电压稳定器电路，其包括电源VDD，电阻Rl，其还包括第一钳位电路、第二钳位电路、第一 NMOS管丽I，第一钳位电路包括第二 NMOS管丽2和电阻R2，第二NMOS管丽2的漏端分别连接第一 NMOS管丽I的栅端和电阻R2 —端、栅端分别连接电阻R2另一端和电阻Rl —端，电阻Rl另一端分别连接电源VDD和第一 NMOS管丽I的漏端，第一NMOS管MNl的源端连接电压输出端Vout，第二钳位电路包括栅端与漏端相连的第五NMOS管MN5，第二 NMOS管MN2的源端连接第五NMOS管MN5的漏端，第五NMOS管MN5的源端接地GND。第二钳位电路的第五NMOS管丽5和第一钳位电路的第二 NMOS管丽2之间还包括PMOS管，PMOS管的栅端和漏端相连，PMOS管的源端与第二 NMOS管MN2的源端相连、漏端与第二钳位电路中的第五NMOS管丽5的漏端相连，第二钳位电路中可以包括多个PMOS管串联，第二钳位电路中可以包括多个NMOS管串联。见图3所示，第二钳位电路的第五NMOS管丽5和第一钳位电路的第二 NMOS管丽2之间还包括串联连接的第三、第四PMOS管MP3、MP4，第三、第四PMOS管MP3、MP4的栅端和漏端相连，第三PMOS管MP3的源端与第二 NMOS管丽2的源端相连，第四PMOS管MP4的漏端与第五NMOS管丽5的漏端相连，第五NMOS管MN5的漏端串联依 次串联连接第六、第七、第八NMOS管MN6、MN7、MN8，第八NMOS管MN8的源端接地GND，此时可以得到较稳定的输出电压；第二钳位电路的NMOS管、PMOS管分别最多为十个串联，第二钳位电路中串联多个NMOS管或PMOS管，可以增加电路的稳定性，但串联过多时容易使电路面积过大，电路结构复杂化。
权利要求
1.一种电压稳定器电路,其包括电源VDD,电阻Rl,其特征在于,其还包括第一钳位电路、第二钳位电路、第一 NMOS管，所述第一钳位电路包括第二 NMOS管和电阻R2，所述第二NMOS管的漏端分别连接第一 NMOS管的栅端和所述电阻R2 —端、栅端分别连接所述电阻R2另一端和所述电阻Rl —端，所述电阻Rl另一端分别连接所述电源VDD和所述第一 NMOS管的漏端，所述第一 NMOS管的源端连接电压输出端，所述第二钳位电路包括栅端与漏端相连的NMOS管，所述第二 NMOS管的源端连接所述NMOS管的漏端，所述NMOS管的源端接地。
2.根据权利要求1所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，所述第二钳位电路的NMOS管和所述第一钳位电路的第二 NMOS管之间还包括PMOS管，所述PMOS管的栅端和漏端相连，所述PMOS管的源端与所述第二 NMOS管的源端相连、漏端与所述第二钳位电路中的NMOS管的漏端相连，所述NMOS管的源端接地。
3.根据权利要求2所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，所述第二钳位电路中可以包括多个所述PMOS管串联。
4.根据权利要求3所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，所述第二钳位电路中可以包括多个所述NMOS管串联。
5.根据权利要求4所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，所述第二钳位电路包括两个串联的第三、第四PMOS管，四个串联的第五、第六、第七、第八NMOS管，所述第三PMOS管的源端与所述第二 NMOS管的源端相连，所述第四PMOS管的漏端与所述第五NMOS管的漏端相连，所述第八NMOS管的源端接地。
6.根据权利要 求4所述的一种电压稳定器电路，其特征在于，所述第二钳位电路的NMOS管、PMOS管分别最多为十个串联。
全文摘要
本发明涉及模拟电源技术领域，具体为一种电压稳定器电路，其电路结构简单，面积小，成本大大降低，其包括电源VDD，电阻R1，其特征在于，其还包括第一钳位电路、第二钳位电路、第一NMOS管，第一钳位电路包括第二NMOS管和电阻R2，第二NMOS管的漏端分别连接第一NMOS管的栅端和电阻R2一端、栅端分别连接电阻R2另一端和电阻R1一端，电阻R1另一端分别连接电源VDD和第一NMOS管的漏端，第一NMOS管的源端连接电压输出端，第二钳位电路包括栅端与漏端相连的NMOS管，第二NMOS管的源端连接NMOS管的漏端，NMOS管的源端接地。
文档编号G05F3/24GK103235631SQ20131012907
公开日2013年8月7日 申请日期2013年4月15日 优先权日2013年4月15日
发明者李兆桂 申请人:无锡普雅半导体有限公司