流二极管Dl整流，极性滤波电容E2滤波后，给MCU供电，最后电流回到零线端AC-N。在市电的负半周，电流从零线端AC-N，经稳压二极管DW2，再经降压电阻Rl (或降压电容C2)回到火线端AC-L。
[0033]在单向可控硅SCRl没有导通前，市电不经过稳压管DWl的两端没有电压，不能为负载即继电器RLl不能吸合工作。
[0034]当MCU的I/O 口变为高电平(如5V)，通过电阻R3，触发单向可控硅SCRl单向导通，此时，在市电的正半周里，电流从降压电阻Rl，经过降压电容Cl，降压电容Cl充电，再经过稳压管DWl稳压，极性电容El滤波，然后经单向可控硅SCRl流回零线端AC-N。在市电的负半周，电流从零线端AC-N流出，经二极管D2 (单向可控硅SCRl此时反向截止)，再经降压电容Cl，降压电容Cl进行放电，然后经过降压电阻Rl回到火线端AC-L。当极性电容El的两端电压达到继电器RLl的吸合电压时，继电器开始工作。如果设置满足条件(如设置时间)后，MCU的I/O端变为低电平(如0V)，单向可控硅SCRl截止，市电无法给极性电容El充电，极性电容El两端的电压很快下降下来，继电器RLl将断开，负载将不工作了。
[0035]本实施例中，二极管D2在输入的市电为负半周时，把降压电容Cl在输入市电为正半周所充的电放完，以便下个正半周的市电到来时，降压电容Cl又能充电。
[0036]市电的火线端AC-L经降压电阻Rl、降压电容Cl组成的阻容降压后，二极管D2半波整流后，经稳压管DW1、极性电容El稳压滤波，再经单向可控硅SCRl流向市电零线端AC-N。单向可控硅SCRl是否导通，决定了负载如继电器RLl能否工作。当需要负载如继电器RLl工作时，控制芯片如MCU给单向可控硅SCRl触发信号(即MCU的I/O端输出高电平)，负载供电电路开始工作，控制负载工作。当不需要负载工作时，控制芯片撤去给的单向可控硅SCRl的触发信号后(即MCU的I/O端输出低电平)，负载供电电路停止工作，控制负载的电流消失，负载不进行工作。
[0037]一般待机功耗即指只接通电源，负载还没有工作时的功耗，要求符合欧盟EUP标准(小于0.5W)。本申请的供电电路，在接通电源时，只有待机电路在工作，因单向可控硅SCRl没有导通，不工作，不消耗功率。若控制芯片的工作电流为2mA或小于2mA，本实施例中采用2mA进行计算说明，此时由于降压电阻Rl很大，降压电阻R4的电阻阻值相对降压电阻Rl设置很小(计算时可忽略)，由于流过的电流要求在2mA左右，此时的待机功率为电阻Rl消耗的功率220VX 2m A=0.44W再加上DWl上消耗的功率5V*2m A =0.0lff,总共小于0.51
[0038]如果控制芯片所需电流大于2mA，采用降压电阻Rl、降压电容C2组成待机降压电路。如控制芯片所需电流采用5mA电流进行说明，如采用降压电阻Rl很大，降压电阻R4进行降压，则仅降压电阻Rl上消耗220VX5mA=l.1W的功率，超过了 0.5W。故控制芯片所需电流大于2mA，采用降压电阻R1、降压电容C2组成待机降压电路。降压电容C2在理想情况下是不消耗功率的(电容实际上其消耗的功耗极小，通常不计)，在交流情况下，由于降压电容C2有阻抗存在，就可以实现降压，降压电容C2的值取合适的电容值(如0.33u F)，这时降压电阻Rl可以取得很小，如取100欧，这时的功耗主要是电阻Rl有消耗了，电容Cl基本上不消耗功耗。这时的实际功耗可算出，降压电阻Rl消耗的功率为5mAX5mA Χ100Ω=0.25W,再加稳压二极管DW2上的功耗较小0.0lff,总功率小于0.5W,从而实现待机功耗低的要求。
[0039]由于负载供电电路的供电电源是电源可控即通过控制芯片如MCU输出高低电平控制单向可控硅SCRl的导通，可控制负载供电电路在待机时不工作，只有在需要时才工作，这样就可实现待机功耗低的要求。若负载供电电路的供电电源不可控的，接通电后，负载供电电路也在工作，负载供电电路的供电电源是供驱动负载用的，所需电流较大，如40mA,这时通过计算，总的待机功率大于0.5W。
【主权项】
1.一种供电电路，其特征在于，包括:控制芯片、与所述控制芯片连接供电给控制芯片的待机电路、及与所述控制芯片连接的负载供电电路，所述负载供电电路包括:与所述控制芯片的I/o端连接并根据设置进行导通的开关电路、及负载降压电路、负载稳压电路、负载启动电路；所述开关电路包括高电平单向导通的单向可控硅SCRl，所述负载稳压电路包括并联在负载两端的稳压管DW1，所述负载启动电路包括并联在负载两端的极性电容E1，所述负载降压电路包括串联在市电火线上的负载降压电阻、降压电容Cl及与极性电容El并联的二极管D2，所述负载降压电阻输入端接入到市电的火线端、其输出端接入到降压电容Cl的一端；所述二极管D2负极接入降压电容Cl的另一端及极性电容El的正极中，二极管D2的正极接入到单向可控硅SCRl的阴极、及市电的零线端与接地端的公共端；单向可控硅SCRl的控制极接入到控制芯片的I/O端，单向可控硅SCRl的阳极接入到极性电容El的负极。
2.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于:所述负载降压电阻包括降压电阻Rl0
3.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于:所述单向可控硅SCRl的控制极与控制芯片之间还设置有电阻R3。
4.根据权利要求1所述的供电电路，其特征在于:所述负载供电电路还包括与降压电容Cl两端并联的放电电阻R2。
5.根据权利要求1至4任意一项所述的供电电路，其特征在于:所述待机电路包括:待机降压电路、待机稳压电路、待机整流电路、及待机滤波电路；所述待机滤波电路滤波后供电给控制芯片，所述待机稳压电路包括稳压二极管DW2，所述待机整流电路包括整流二极管Dl，所述滤波电路包括极性滤波电容E2，所述待机降压电路的输入端接入到市电的火线端、其输出端接入到稳压二极管DW2负极及整流二极管Dl正极，所述稳压二极管DW2的正极接入到市电的零线与地线的公共端、及极性滤波电容E2的负极，同时稳压二极管DW2与极性滤波电容E2并联后接入到控制芯片中，所述极性滤波电容E2的正极与所述稳压二极管DW2的负极连接、其负极接入到所述稳压二极管DW2的正极及控制芯片的备用电源端，所述整流二极管Dl负极与极性滤波电容E2正极的公共端接入到控制芯片的电源输入端。
6.根据权利要求5所述的供电电路，其特征在于:所述降压电路为降压电阻，所述降压电阻的输入端接入到市电的火线端、其输出端接入到整流二极管Dl正极。
7.根据权利要求6所述的供电电路，其特征在于:所述控制芯片所需电流小于2mA;所述降压电阻包括串联连接的降压电阻Rl与降压电阻R4。
8.根据权利要求5所述的供电电路，其特征在于:所述降压电路包括串联在市电火线端的降压电阻R1、降压电容C2，所述降压电阻Rl的输入端接入到市电的火线端、其输出端与降压电容C2的一端连接；降压电容C2的另一端接入到稳压二极管的负极。
9.根据权利要求1至4任意一项所述的供电电路，其特征在于:所述控制芯片为MCU。
10.根据权利要求1至4任意一项所述的供电电路，其特征在于:所述负载为继电器RLl0
【专利摘要】一种供电电路，包括：控制芯片、与控制芯片连接供电给控制芯片的待机电路、及与控制芯片连接的负载供电电路，负载供电电路包括与可控电源连接并根据设置进行导通的开关电路、及负载降压电路、负载稳压电路、负载启动电路，开关电路包括高电平单向导通的单向可控硅SCR1，负载稳压电路包括并联在负载两端的稳压管DW1，负载启动电路包括并联在负载两端的极性电容E1，负载降压电路包括串联在市电火线上的负载降压电阻、降压电容C1及与极性电容E1并联的二极管D2；上述的负载供电电路的供电电源是电源可控，通过控制单向可控硅SCR1的导通，可控制负载供电电路在待机时不工作，只有在需要时才工作，可实现降低待机功耗低的要求。
【IPC分类】G05B19-042
【公开号】CN104730998
【申请号】CN201510135738
【发明人】沈兆英
【申请人】沈兆英
【公开日】2015年6月24日
【申请日】2015年3月26日