非可逆电路元件以及使用其的通信装置的制造方法
【专利摘要】提供即使在中心导体的搭载位置偏移的情况下也能够抑制高频特性的变化的非可逆电路元件，具备：基板(14)，包含具有圆形面(SA)的磁性体基板(14A)及具有圆环面(SB)的电介质环(14B)；中心导体(15)，配置于基板(14)；永久磁铁(12,18)，将磁场施加于中心导体(15)。中心导体(15)包含延伸成放射状的主导体部(41～43)及分支导体部(51～53)。分支导体部(51～53)包含配置于圆形面(SA)上的宽幅部分(W)、以宽度窄于宽幅部分(W)并横跨圆形面(SA)与圆环面(SB)的边界的方式配置的窄幅部分(N)。根据本发明，由窄幅部分(N)横跨圆形面(SA)与圆环面(SB)的边界，所以能够抑制中心导体(15)的搭载位置偏移的情况下的高频特性的变化。
【专利说明】
非可逆电路元件以及使用其的通信装置
技术领域
[0001] 本发明涉及非可逆电路元件以及使用该非可逆电路元件的通信装置，特别是涉及 分布常数型的非可逆电路元件以及使用其的通信装置。
【背景技术】
[0002] 隔离器（isolator)或循环器(circulator)等的非可逆电路元件例如被编入使用 于手机那样的移动体通信设备或在基地台被使用的通信装置等。对于非可逆电路元件来说 有分布常数型或集中常数型等的类型，其中尤其是分布常数型的非可逆电路元件适合于基 地台等要求高输出的用途。
[0003] 分布常数型的非可逆电路元件的结构例如被记载于专利文献1。专利文献1所记载 的非可逆电路元件具备具有以相互成120°的角度延伸成放射状的3个导体枝(主导体部)和 从主导体部的根基部分以相互成120°的角度延伸成放射状的3个分支电极部(分支导体部） 的中心导体，并且具有该中心导体被载置于基板的结构。基板为电介质环被配置于圆盘状 的铁氧体的外周的一体化基板。然后，3个主导体部的前端分别被连接于输入输出端子或者 终端电阻器，由此进行信号的输入输出或者终端。3个分支导体部为了获得作为目的的高频 特性(例如电容)而适当设计其形状或面积。
[0004] 现有技术文献
[0005] 专利文献
[0006] 专利文献1:日本专利申请公开平9-121104号公报
[0007] 在专利文献1所记载的非可逆电路元件中，主导体部的前端向周向被扩大，该扩大 部分覆盖电介质环。在此，扩大部分的径向上的宽度基本上与电介质环的径向上的宽度相 一致。因此，在偏移发生于中心导体的搭载位置的情况下，高频特性的变化会变得非常大。
[0008] 即，如果中心导体的搭载位置发生偏移的话，则在3个主导体部中，对于某个主导 体部，扩大部分与圆盘状的铁氧体相重叠，另一方面，对于其它的主导体部，扩大部分不与 圆盘状的铁氧体相重叠等，会在主导体部之间产生条件差。其结果，如果中心导体的搭载位 置发生偏移的话，则会有高频特性大幅变化等的问题。
【发明内容】
[0009] 因此，本发明的目的在于，提供一种即使是在中心导体的搭载位置发生偏移的情 况下，也能够抑制高频特性的变化的非可逆电路元件以及使用该非可逆电路元件的通信装 置。
[0010] 本发明的非可逆电路元件，其特征在于，具备:基板，包含具有圆形面的磁性体基 板和具有构成与所述圆形面相同的平面的圆环面的电介质环；中心导体，被配置于所述基 板上;永久磁铁，将磁场施加于所述中心导体;所述中心导体包含位于连结所述圆形面的中 心和所述圆环面的外周的直线上的主导体部、与所述主导体部一体地设置并且从所述圆形 面的所述中心向所述基板的径向进行延伸的分支导体部，所述分支导体部包含被配置于所 述圆形面上的宽幅部分、以宽度窄于所述宽幅部分并且横跨所述圆形面与所述圆环面的边 界的方式被配置的窄幅部分。
[0011] 另外，本发明的通信装置，其特征在于，具备上述的非可逆电路元件。
[0012] 根据本发明，因为由窄幅部分横跨圆形面与圆环面的边界，所以即使是在中心导 体的搭载位置发生偏移的情况下，被中心导体覆盖的磁性体基板的面积或被中心导体覆盖 的电介质环的面积的变化也较小。因此，可以抑制在中心导体的搭载位置发生偏移的情况 下的尚频特性的变化。
[0013] 在本发明中，优选，所述窄幅部分以从所述宽幅部分的径向上的端面向所述径向 突出的方式被设置。由此，即使分支导体部的搭载位置在径向上发生偏移也能够将其影响 控制到最低限度。
[0014] 在此情况下，优选，所述分支导体部进一步包含被配置于所述圆环面上并且被连 接于所述窄幅部分的连接部分。由此，由连接部分能够获得所希望的电容并且即使分支导 体部的搭载位置在径向上发生偏移，连接部分也不会与磁性体基板相重叠，并且可以正确 地位于电介质环上。
[0015] 在此情况下，所述连接部分的周向上的宽度即使大于所述宽幅部分的所述周向上 的宽度也没有关系。由此，由连接部分能够获得更大的电容。
[0016] 在本发明中，优选，所述宽幅部分的所述端面具有所述基板的周向上的第1以及第 2端部，所述窄幅部分包含以从所述宽幅部分的所述第1以及第2端部分别向所述径向突出 的方式被设置的第1以及第2部分。由此，能够抑制由搭载位置的偏移引起的高频特性的变 化且能够获得与由宽幅部分横跨边界的情况相近的特性。
[0017] 在此情况下，优选，所述主导体部由从所述圆形面的中心以相互成120°的角度延 伸成放射状的第1、第2以及第3主导体部构成，所述宽幅部分由从所述圆形面的中心以相互 成120°的角度延伸成放射状并且与所述第1、第2或者第3主导体部所成的角度为60°的第1、 第2以及第3宽幅部分构成，所述窄幅部分的所述第1以及第2部分以从所述第1、第2以及第3 宽幅部分的所述第1以及第2端部分别向所述径向突出的方式被设置。由此，可以提供一种 具有3个输入输出端子的非可逆电路元件。
[0018] 根据本发明，能够提供一种即使是在中心导体的搭载位置发生偏移的情况下，也 抑制高频特性的变化的非可逆电路元件以及使用该非可逆电路元件的通信装置。
【附图说明】
[0019] 图1是表示本发明的优选的实施方式的非可逆电路元件的结构的分解立体图。
[0020] 图2是用于说明第1实施方式的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系的 平面图。
[0021] 图3是用于说明比较例的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系的平面 图。
[0022] 图4是表示在使用了图2所表示的第1实施方式的中心导体15的情况下的隔离器的 输入回波损耗(return loss)的图表。
[0023] 图5是表示在使用了图3所表示的比较例的中心导体15的情况下的隔离器的输入 回波损耗的图表。
[0024]图6是用于说明对直和jX值的史密斯圆图（Smith chart)。
[0025]图7是用于说明第2实施方式的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系的 平面图。
[0026]图8是用于说明第3实施方式的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系的 平面图。
[0027]图9是用于说明比较例的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系的平面 图。
[0028]图10是用于说明第4实施方式的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系 的平面图。
[0029]图11是表示使用了本发明的优选的实施方式的非可逆电路元件的通信装置80的 结构的方块图。
【具体实施方式】
[0030] 以下，参照附图，对本发明的优选的实施方式进行详细的说明。
[0031] 图1是表示本发明的优选的实施方式的非可逆电路元件的结构的分解立体图。
[0032] 图1所表示的非可逆电路元件为分布常数型隔离器，并且被编入使用于如手机那 样的移动体通信设备和在基地台被使用的通信装置等。虽然没有特别的限定，但是本实施 方式的非可逆电路元件优选被用于在基地台进行使用的高输出的通信装置。但是，将本发 明的非可逆电路元件作为隔离器来使用不是必须的，也可以作为循环器来使用。
[0033] 如图1所示，本实施方式的非可逆电路元件包含磁转子装配体10、容纳其的壳体部 20、用于闭塞壳体部20的盖部30。
[0034]磁转子装配体10具有第1永久磁铁12、屏蔽板13、第1基板14、中心导体15、第2基板 16、第1非磁性薄片17、第2永久磁铁18以及第2非磁性薄片19按该顺序被皇积起来的结构， 并且由没有图示的导电性接合剂而被一体化。
[0035]第1永久磁铁12以及第2永久磁铁18为板面的直径为数十mm的圆板状体，并且起到 将磁场施加于由第1基板14、中心导体15以及第2基板16构成的磁转子的作用。第2永久磁铁 18被第1以及第2非磁性薄片17,19夹持。
[0036] 屏蔽板13是对板面的直径为数十_、厚度为0.1~0.2_左右的铜板或者铁板进行 冲压后的圆盘状的导体板，并且为了接地电极的强化以及稳定化而被使用。
[0037] 第1基板14由圆盘状的磁性体基板14A、被嵌入到其外周的电介质环14B构成。作为 磁性体基板14A的材料，优选使用纪/铁/石植石(garnet )(YIG)等的软磁性材料。作为电介 质环14B的材料，优选使用具有所希望的介电常数的陶瓷。磁性体基板14A的主面即圆形面 SA和电介质环14B的主面即圆环面SB构成彼此相同的平面。因此，磁性体基板14A的厚度和 电介质环14B的厚度实质上相同，例如为1.0mm左右。另外，第1基板14的直径为数十mm。
[0038] 关于第2基板16,也与上述的第1基板14相同，由圆盘状的磁性体基板16A和被嵌入 到其外周的电介质环16B构成。
[0039] 中心导体15是对厚度为0.1~1.0mm左右的铜板加工后的导体板，并具备第1~第3 主导体部41~43、第1~第3分支导体部51~53。主导体部41~43为分别被连接于对应的端 子的导体部分，并从中心以相互成120°的角度延伸成放射状。在本实施方式中，第1主导体 部41的前端被连接于终端电阻器29,第2主导体部42被连接于销端子P2,第3主导体部43被 连接于销端子P3。销端子P2，P3分别构成隔离器的输入输出端子。还有，在将本实施方式的 非可逆电路元件作为循环器来使用的情况下，替代将第1主导体部41连接于终端电阻器29 而可以将第1主导体部41连接于别的销端子。
[0040] 第1~第3分支导体部51~53与主导体部41~43-体地设置，从圆形面SA的中心以 相互成120°的角度延伸成放射状。于是，在主导体部41~43和分支导体部51~53中，在周向 上相互邻接的2个所成的角均为60°。关于中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系， 在后面进行详述。
[0041] 磁转子装配体10被容纳于壳体部20。壳体部20为有底的大致筒状体或者大致容器 状体，并具有用于将磁转子装配体10容纳于其内部的空间即容纳部20A。壳体部20的内部形 状作为整体而为大致圆筒形。壳体部20优选通过由铁等的磁性金属材料构成从而起到作为 相对于被容纳于容纳部20A的磁转子装配体10的磁辄(yoke)的功能。
[0042]壳体部20的容纳部20A由3个侧壁21~23、构成底面部分的底部24来进行划定。侧 壁21~23分别从底部24的周缘彼此隔开规定的间隔并在相同的圆周上竖起，在竖起两端面 的一方具有沿着圆周方向切割开的凹部21A~23A。
[0043] 在所邻接的侧壁21~23的端缘相互相对的部分形成有开口部25~27。从开口部25 ~27,将第1~第3主导体部41~43的前端部分导出至外部。
[0044] 盖部30,成为其主要部的盖面部30A作为整体而为圆板状，并且与壳体部20相组合 而作为闭塞容纳部20A的盖子来使用。即，盖部30的形状，根据其本来用途，对应于壳体部20 的内部形状来决定，所以在本实施方式中，使用大致圆筒形状的壳体部20,也就是被形成为 圆板状。盖部30优选通过由铁等的磁性金属材料构成，从而能够与壳体部20-起起到作为 相对于磁转子装配体1 〇的磁辄(yoke)的功能。
[0045]盖部30的盖面部30A具有能够嵌入到壳体部20的开放端面的直径尺寸以及轮廓形 状。简单地说，盖面部30A具有比开放端面的内径缩小一些的形状。如果根据该结构的话，则 通过使盖面部30A嵌入到壳体部20的开放端面，从而能够谋求与盖面部30A的厚度相应的非 可逆电路元件的薄型化。优选盖面部30A的上面侧构成与壳体部20的上端面大致相同的平 面。
[0046]盖面部30A，其外周形状为圆形状，并且在其圆形状外周面上突出设置有凸部31~ 33。凸部31~33被嵌合于壳体部20的凹部21A~23A，具有对应于凹部21A~23A的间隔以及 宽度(厚度)来进行形成。凸部31~33具有使盖面部30A的外周面单单向径向突出的单纯的 形状。
[0047] 于是，通过将凸部31~33的前端部插入到凹部21A~23A并使盖部30或者壳体部20 相对地旋转，从而能够在壳体部20与盖部30之间形成凹凸嵌合。
[0048]另外，构成壳体部20的底部24具有经由开口部25向径向突出的突出部28。将用于 吸收反射波的终端电阻器29设置于突出部28,由此，能够将本实施方式的非可逆电路元件 作为隔离器来使用。
[0049]图2是用于说明第1实施方式的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系的 平面图。
[0050] 如图2所示，中心导体15具备第1~第3主导体部41~43和第1~第3分支导体部51 ~53，这些各部分均位于由磁性体基板14A构成的圆形面SA或者由电介质环14B构成的圆环 面SB上。
[00511第1主导体部41具有直线地连结圆形面SA的中心和圆环面SB的外周的直线部41A、 从直线部41A进行分支并延伸成L字型的2个突起部61，62。第2主导体部42具有直线地连结 圆形面SA的中心和圆环面SB的外周的直线部42A、从直线部42A进行分支并延伸成L字型的2 个突起部63，64。第3主导体部43具有直线地连结圆形面SA的中心和圆环面SB的外周的直线 部43A、从直线部43A进行分支并延伸成L字型的2个突起部65,66。
[0052] 然后，直线部41A~43A以横跨圆形面SA和圆环面SB的方式在径向上进行延伸设 置，另一方面，突起部61~66在圆环面SB上在周向上进行分支而设置，进一步进行弯曲并在 径向上进行延伸设置。突起部61~66中，在径向上进行延伸的部分以横跨由电介质环14B构 成的圆环面SB与由磁性体基板14A构成的圆形面SA的边界的方式被配置。
[0053]第1分支导体部51位于直线部41A与直线部42A之间，并且具有从圆形面SA的中心 朝着径向进行延伸的形状。第2分支导体部52位于直线部42A与直线部43A之间，并且具有从 圆形面SA的中心朝着径向进行延伸的形状。第3分支导体部53位于直线部43A与直线部41A 之间，并且具有从圆形面SA的中心朝着径向进行延伸的形状。
[0054] 在本实施方式中。分支导体部51~53均由宽幅部分W、窄幅部分N以及连接部分C构 成。如图2所示，宽幅部分W为周向上的宽度大的部分，并且位于由磁性基板14A构成的圆形 面SA上。窄幅部分N为周向上的宽度小的部分，并且以横跨圆形面SA与圆环面SB的边界的方 式从宽幅部分W向径向突出来进行设置。连接部分C为周向上的宽度大的部分且位于由电介 质环14B构成的圆环面SB上，并且经由窄幅部分N而被连接于宽幅部分W。
[0055]如果更加具体地说明的话，则宽幅部分W的径向上的端面被设置于圆形面SA与圆 环面SB的边界附近，也就是说被设置于偏向（offset)于圆形面SA侧的位置。另外，连接部分 C的径向上的内周侧的端面被设置于圆形面SA与圆环面SB的边界附近，也就是说被设置于 偏向于圆环面SB上侧的位置。因此，圆形面SA与圆环面SB的边界位于宽幅部分W的端面与连 接部分C的端面之间。于是，由以横跨该边界的方式被设置的窄幅部分N来连结宽幅部分W和 连接部分C。虽然并没有特别的限定，但是，在本实施方式中，连接部分C的周向上的宽度大 于宽幅部分W的周向上的宽度，由此确保了大的电容。
[0056]在图2所表示的第1实施方式中，在分支导体部51~53的每个上设置有2个窄幅部 分N，它们被配置于宽幅部分W的端面的周向上的两端。因此，分支导体部51~53成为位于圆 形面SA与圆环面SB的边界的部分被镗削(bore)成岛状的形状。
[0057]这样，在本实施方式中，因为宽度小的窄幅部分N横跨圆形面SA与圆环面SB的边 界，所以即使是在将中心导体15重叠于第1基板14的时候发生位置偏移的情况下，被中心导 体15覆盖的磁性体基板14A(以及磁性体基板16A)的面积或被中心导体15覆盖的电介质环 14B(以及电介质环16B)的面积的变化也较小。由此，可以抑制由位置偏移引起的高频特性 的变化。换言之，窄幅部分N的长度作为相对于位置偏移的盈余(margin)进行工作。因此，如 果考虑在装配时有可能发生的位置偏移量来设计窄幅部分N的长度的话则可以可靠地抑制 由位置偏移引起的高频特性的变化。
[0058]而且，分支导体部51~53具有位于圆形面SA与圆环面SB的边界的部分被镗削成岛 状的形状，宽幅部分W的宽度和连结2个窄幅部分N的宽度大致相同。因此，作为高频特性，能 够获得与使用了图3所表示的参考例的形状的情况大致相同等的特性。这是因为，在高频区 域的电感较大程度地依赖于导体宽度，并且这是因为，即使是中央部被镗削的情况下，其给 予电感的影响也小。
[0059] 还有，如果使用图3所表示的参考例的形状的话，则在位置偏移发生于中心导体15 的情况下，被中心导体15覆盖的磁性体基板14A(以及磁性体基板16A)的面积或被中心导体 15覆盖的电介质环14B(以及电介质环16B)的面积的变化会非常大并且高频特性会发生大 幅变化。相对于此，根据图2所表示的第1实施方式的形状，如以上所述，即使是发生位置偏 移的情况下，也可以抑制高频特性的变化。
[0060] 图4是表示在使用了图2所表示的第1实施方式的中心导体15的情况下的隔离器的 输入回波损耗的图表。图5是表示在使用了图3所表示的比较例的中心导体15的情况下的隔 离器的输入回波损耗的图表。在图4以及图5中，（a)表示图6所表示的史密斯圆图（Smith chart)上的R值与位置偏移量的关系，（b)表示图6所表示的史密斯圆图上的jX值与位置偏 移量的关系。
[0061 ]图4以及图5所表示的值是将输入信号的频率设为860ΜΗζ、865ΜΗζ、870ΜΗζ的情况 下的输入回波损耗，分别以?标记、标记、▲标记、X标记来进行描述。另外，根据各个描 述划出近似直线，将横轴设为X、将纵轴设为y并以方程式表示近似直线。因此，方程式中的X 的乘数表示近似直线的倾斜度。
[0062] 如果对图4和图5进行比较的话，则可以了解到图4所表示的图线的倾斜度小于图5 所表示的图线的倾斜度。即，使用了图2所表示的第1实施方式的中心导体15,相对于位置偏 移的R值以及jX值的变化小于使用了图3所表示的比较例的中心导体15的情况。特别是可以 了解到图4(a)所表示的R值的倾斜度被显著改善，相对于位置偏移的特性的变化被有效地 抑制。
[0063] 图7是用于说明第2实施方式的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系的 平面图。
[0064] 第2实施方式的中心导体15与图2所表不的中心导体15的不同在于，在每个分支导 体部51~53上仅设置有1个窄幅部分N，并且其被配置于宽幅部分W的端面的周向上的中央 部。对于其他方面，与图2所表示的中心导体15相同，所以将相同的符号标注于相同的结构 并省略重复的说明。
[0065] 即使是在这样的结构中，也与第1实施方式相同，可以抑制在发生位置偏移的情况 下的高频特性的变化。而且，在本实施方式中，因为横跨圆形面SA与圆环面SB的边界的窄幅 部分N在每个分支导体部51~53上仅1个，所以在位置偏移发生于中心导体15的情况下的中 心导体15所覆盖的磁性体基板14A (以及磁性体基板16A)的面积或中心导体15所覆盖的电 介质环14B(以及电介质环16B)的面积的变化小于第1实施方式。
[0066] 但是，在本实施方式中，因为宽幅部分W的端面的周向上的两端被解放，所以作为 高频特性，如表1所示，与使用了图2所表示的形状的情况相比有着很大的差异。具体来说， 使用了图2所表示的形状，其插入损耗、输入回波损耗、输出回波损耗以及隔离度，与使用了 图7所表示的形状的情况相比较，能够获得良好的值。这是因为，如以上所述，因为在高频区 域的电感较大程度地依赖于导体宽度，所以在图7所表示的结构的情况下，电感在窄幅部分 N发生较大的变化。还有，插入损耗更接近于零的为良好的值，输入回波损耗、输出回波损耗 以及隔离度，其值小的为良好的值。
[0067] [表1]
[0068]
[0069」 图8是用t说明弟3买施万式的中心导体15的形状以及与弟1基攸14的位置天糸的 平面图。
[0070]即使是在本实施方式中，中心导体15也具备第1~第3主导体部41~43和第1~第3 分支导体部51~53,这些各部分均位于由磁性体基板14A构成的圆形面SA或者由电介质环 14B构成的圆环面SB上。
[0071]第1主导体部41具有直线地连结圆形面SA的中心和圆环面SB的外周的直线部41A、 从直线部41A分支并在周向上进行延伸的2个突起部61，62。第2主导体部42具有直线地连结 圆形面SA的中心和圆环面SB的外周的直线部42A、从直线部42A分支并在周向上进行延伸的 2个突起部63，64。第3主导体部43具有直线地连结圆形面SA的中心和圆环面SB的外周的直 线部43A、从直线部43A分支并在周向上进行延伸的2个突起部65,66。
[0072] 于是，直线部41A~43A以横跨圆形面SA和圆环面SB的方式在径向上延伸设置，另 一方面，突起部61~66在圆环面SB上在周向上延伸设置。于是，突起部61~66的宽度(径向 上的宽度)细于直线部41A~43A的宽度(周向上的宽度）。
[0073]这样，因为从主导体部41~43分支并设置的突起部61~66在由电介质环14B构成 的圆环面SB上在周向上细长地延伸，所以能够抑制覆盖电介质环14B的面积且能够遍布更 宽范围来覆盖电介质环14B。
[0074]第1分支导体部51位于直线部41A与直线部42A之间，并且具有从圆形面SA的中心 朝着径向进行延伸的形状。第2分支导体部52位于直线部42A与直线部43A之间，并且具有从 圆形面SA的中心朝着径向进行延伸的形状。第3分支导体部53位于直线部43A与直线部41A 之间，并且具有从圆形面SA的中心朝着径向进行延伸的形状。
[0075]在此，分支导体部51~53的宽幅部分W的宽度（周向上的宽度）大于直线部41A~ 43A的宽度（周向上的宽度）。分支导体部51~53的宽幅部分W位于由磁性体基板14A构成的 圆形面SA上，但是，从宽幅部分W突出的窄幅部分N即突起部71~76位于由电介质环14B构成 的圆环面SB上。
[0076]如果具体地进行说明的话，则分支导体部51~53的宽幅部分W的端面51A~53A被 设置于圆形面SA与圆环面SB的边界附近，也就是说被设置于偏向于圆形面SA侧的位置。于 是，端面51A具有周向上的第1端部51Ai和第2端部51A 2并且以从这2个端部51A151A2向径向 突出的方式设置有窄幅部分N即2个突起部71，72。端面52A具有周向上的第1端部52Ai和第2 端部52A2并且以从这2个端部52A152A2向径向突出的方式设置有窄幅部分N即2个突起部 73,74。端面534具有周向上的第1端部534 1和第2端部53六2并且以从这2个端部5341，53八2向 径向突出的方式设置有窄幅部分N即2个突起部75，76。
[0077]窄幅部分N即突起部71~76横跨圆形面SA与圆环面SB的边界并进行延伸，其大部 分位于由电介质环14B构成的圆环面SB上。于是，突起部71~76的宽度(周向上的宽度)细于 直线部41A~43A的宽度(周向上的宽度）。
[0078] 这样，因为被设置于分支导体部51~53的突起部71~76在由电介质环14B构成的 圆环面SB上在径向上细长地延伸，所以能够抑制覆盖电介质环14B的面积且能够遍布更宽 范围来覆盖电介质环14B。
[0079] 如以上所说明的那样，在本实施方式中，因为在周向上进行延伸的细长的突起部 61~66和在径向上进行延伸的细长的突起部71~76被配置于由电介质环14B构成的圆环面 SB上，所以能够抑制覆盖电介质环14B的中心导体15的面积且能够由中心导体15来宽范围 地覆盖电介质环14B。
[0080] 由此，在夹着中心导体15重叠第1基板14和第2基板16的时候，因为施加于电介质 环14B(以及电介质环16B)的应力被分散并且局部的应力难以施加到特定的地方，所以可以 防止装配时的基板的破损。而且，因为突起部61~66，71~76具有细长的形状，所以对于覆 盖电介质环14B(以及电介质环16B)的面积，能够充分地抑制。由此，因为能够减小突起部61 ~66,71~76给予高频特性的影响，所以可以正确地获得作为目的的高频特性。
[0081] 再有，在本实施方式中，因为宽度细的突起部71~76横跨圆形面SA与圆环面SB的 边界，所以即使是在将中心导体15重叠于第1基板14的时候发生位置偏移的情况下，被中心 导体15覆盖的磁性体基板14A (以及磁性体基板16A)的面积或被中心导体15覆盖的电介质 环14B(以及电介质环16B)的面积的变化也较小。由此，与上述的各个实施方式相同，可以抑 制由位置偏移引起的高频特性的变化。
[0082] 图9是用于说明比较例的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系的平面 图。
[0083]在图9所表示的比较例中，突起部61~66的宽度大于第3实施方式，并且分支导体 部51~53的端面51A~53A向前突出到由电介质环14B构成的圆环面SB上。不设置窄幅部分N 即突起部71~76,分支导体部51~53仅由宽幅部分W构成。虽然具有这样的形状的不同，但 是，被中心导体15覆盖的磁性体基板14A的面积或被中心导体15覆盖的电介质环14B的面积 与图8所表示的第3实施方式大致相同，因此，对于所获得的高频特性，没有大的变化。
[0084] 然而，在图9所表示的比较例中，因为突起部61~66的宽度大，所以其周向上的长 度必然变短。另外，在分支导体部51~53上不设置突起部71~76。由此，因为成为由电介质 环14B构成的圆环面SB遍布宽范围从中心导体15露出的状态，所以在夹着中心导体15重叠 第1基板14和第2基板16的时候局部的应力施加于电介质环14B的特定地方，从而会产生基 板发生破损的担忧。特别是如果强的应力施加于分支导体部51~53的端面51A~53A的附近 的话，则容易破损的电介质环14B的内周附近被强力推压，从而容易发生破损。
[0085] 相对于此，根据上述的第3实施方式的结构，这样的问题会被解除，并且可以有效 地防止装配时的基板的破损。
[0086] 另外，在图9所表示的比较例中，因为分支导体部51~53的宽幅部分W横跨圆形面 SA与圆环面SB的边界，所以在将中心导体部15重叠于第1基板14的时候发生位置偏移的情 况下，被中心导体15覆盖的磁性体基板14A的面积或被中心导体15覆盖的电介质环14B的面 积会大幅变化。
[0087] 相对于此，根据上述的第3实施方式的结构，这样的问题会被解除，并且可以抑制 由位置偏移引起的高频特性的变化。
[0088] 图10是用于说明第4实施方式的中心导体15的形状以及与第1基板14的位置关系 的平面图。
[0089]第4实施方式的中心导体15在连接部分C即突起部77~79被追加的方面与图8所表 示的中心导体15不同。对于其他方面，与图8所表示的中心导体15相同，所以将相同的符号 标注于相同的结构并省略重复的说明。
[0090] 连接部分C即突起部77为第1分支导体部51的一部分，并且以相互连接窄幅部分N 即突起部71，72的方式在圆环面SB上在周向上延伸设置。连接部分C即突起部78为第2分支 导体部52的一部分，并且以相互连接窄幅部分N即突起部73,74的方式在圆环面SB上在周向 上延伸设置。连接部分C即突起部79为第3分支导体部53的一部分，并且以相互连接窄幅部 分N即突起部75，76的方式在圆环面SB上在周向上延伸设置。
[0091] 于是，突起部77~79的径向上的宽度与突起部71~76大致相同，因此，细于直线部 41A~43A的周向上的宽度。
[0092] 这样的结构，在比图8所表示的第3实施方式大的电容为必要的情况下是适宜的。 根据第4实施方式，能够获得比第3实施方式大的电容并且相较于第3实施方式能够由中心 导体15更宽范围地覆盖电介质环14B，所以可以更进一步有效地防止装配时的基板的破损。 [0093]图11是表示使用了本实施方式的非可逆电路元件的通信装置80的结构的方块图。 [0094]图11所表示的通信装置80例如是一种移动体通信系统中的被配备于基地台的通 信装置，并且包含信号接收电路部80R和信号发送电路部80T，它们被连接于收发信号用的 天线ANT。信号接收电路部80R包含信号接收用放大电路81、处理被接收的信号的信号接收 电路82。信号发送电路部80T包含生成声音信号、映像信号等的信号发送电路83、功率放大 电路84。
[0095]在具有这样的结构的通信装置80中，本实施方式的非可逆电路元件91，92被用于 从天线ANT到信号接收电路部80R的路径或从信号发送电路部80T到天线ANT的路径。非可逆 电路元件91起到作为循环器的功能，非可逆电路元件92起到作为具有终端电阻器R0的隔离 器的功能。
[0096]以上，对本发明的优选的实施方式进行了说明，但是，本发明并不限定于上述的实 施方式，在不脱离本发明的主旨的范围内可以进行各种变更，不用说它们也包含于本发明 的范围内。
[0097]符号的说明 [0098] 10磁转子装配体
[0099] 12,18永久磁铁
[0100] 13屏蔽板
[0101] 14第1基板
[0102] 14A，16A磁性体基板
[0103] 14B，16B 电介质环
[0104] 15中心导体
[0105] 16第2基板
[0106] 17,19非磁性薄片
[0107] 20壳体部
[0108] 20A容纳部
[0109] 21 ~23 侧壁
[0110] 21A ~23A 凹部
[0111] 24 底部
[0112] 25 ~27 开口部
[0113] 28 突出部
[0114] 29终端电阻器
[0115] 30 盖部
[0116] 30A盖面部
[0117] 31 ~33 凸部
[0118] 41~43主导体部
[0119] 41A~43A直线部
[0120] 51~53分支导体部
[0121] 51A ~53A 端面
[0122] 51Ai, 51A2,52Αι, 52A2,53Αι, 53A2 端部
[0123] 61~66,71~79 突起部
[0124] 80通信装置
[0125] 80R信号接收电路部
[0126] 80T信号发送电路部
[0127] 81信号接收用放大电路
[0128] 82信号接收电路
[0129] 83信号发送电路
[0130] 84功率放大电路
[0131] 91，92非可逆电路元件
[0132] ANT 天线
[0133] C连接部分
[0134] N窄幅部分
[0135] P2，P3 销端子
[0136] R0终端电阻器
[0137] SA圆形面
[0138] SB圆环面
[0139] W宽幅部分
【主权项】
1. 一种非可逆电路元件，其特征在于： 具备： 基板，包含具有圆形面的磁性体基板和具有构成与所述圆形面相同的平面的圆环面的 电介质环； 中心导体，被配置于所述基板上；以及 永久磁铁，将磁场施加于所述中心导体， 所述中心导体包含位于连结所述圆形面的中心和所述圆环面的外周的直线上的主导 体部、以及与所述主导体部一体地设置并且从所述圆形面的所述中心向所述基板的径向进 行延伸的分支导体部， 所述分支导体部包含被配置于所述圆形面上的宽幅部分、以及以宽度窄于所述宽幅部 分并且横跨所述圆形面与所述圆环面的边界的方式被配置的窄幅部分。2. 如权利要求1所述的非可逆电路元件，其特征在于： 所述窄幅部分以从所述宽幅部分的径向上的端面向所述径向突出的方式被设置。3. 如权利要求2所述的非可逆电路元件，其特征在于： 所述分支导体部进一步包含被配置于所述圆环面上并且被连接于所述窄幅部分的连 接部分。4. 如权利要求3所述的非可逆电路元件，其特征在于： 所述连接部分的周向上的宽度大于所述宽幅部分的所述周向上的宽度。5. 如权利要求2所述的非可逆电路元件，其特征在于： 所述宽幅部分的所述端面具有所述基板的周向上的第1以及第2端部， 所述窄幅部分包含以从所述宽幅部分的所述第1以及第2端部分别向所述径向突出的 方式被设置的第1以及第2部分。6. 如权利要求5所述的非可逆电路元件，其特征在于： 所述主导体部由从所述圆形面的中心以相互成120°的角度延伸成放射状的第1、第2以 及第3主导体部构成， 所述宽幅部分由从所述圆形面的中心以相互成120°的角度延伸成放射状并且与所述 第1、第2或者第3主导体部所成的角度为60°的第1、第2以及第3宽幅部分构成， 所述窄幅部分的所述第1以及第2部分以从所述第1、第2以及第3宽幅部分的所述第1以 及第2端部分别向所述径向突出的方式被设置。7. -种通信装置，其特征在于： 具备权利要求相1~6中的任意一项所述的非可逆电路元件。
【文档编号】H01P1/36GK105932384SQ201610108582
【公开日】2016年9月7日
【申请日】2016年2月26日
【发明人】佐佐木英行, 酒井稔
【申请人】Tdk株式会社