一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路的制作方法
【专利摘要】本发明公开了一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路，其特征在于，主要由信号接收电路，与信号接收电路相连接的非线性运算放大电路，均与非线性运算放大电路相连接的低频信号处理电路和高频信号处理电路，以及串接在低频信号处理电路与高频信号处理电路之间的信号输出电路组成。本发明具有较强的抗干扰能力，能对输入的信号进行准确的分析处理，同时能输出稳定的信号，能有效的提高温度控制器对枳壳的烘干温度的调节，本发明对信号的处理的准确度比现有的信号处理电路提高了45％以上，同时本发明能使枳壳的烘干质量提高25％以上，从而本发明确保了烘干系统对枳壳的烘干质量。
【专利说明】
一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路
技术领域
[0001]本发明涉及电子节能领域，具体的说，是一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路。
【背景技术】
[0002]枳壳是一种药材，其具有理气宽中、行滞消胀等功效，其在中药和西药中被广泛使用，而无能是在中药或西药中使用，都会对枳壳进行烘干。而枳壳在烘干的时候对温度的要求很高，枳壳烘干时需采用均匀的低温进行烘干，以便使枳壳的药质和药理性保护良好。
[0003]目前，对枳壳烘干的烘干系统为了对烘干温度进行准确的控制，便采用了温度控制器来对烘烤室内的温度进行采集并调节。然而，现有的温度控制器的信号处理电路在对信号进行处理时存在抗干扰能力差，信号处理不准确，输出信号不稳定的缺陷。
[0004]因此，提供一种即能提高抗干扰能力，又能确保信号处理的准确性，信号输出的确定性的信号处理电路便是当务之急。
【发明内容】
[0005]本发明的目的在于克服现有技术中的温度控制器的信号处理电路存在抗干扰能力差，信号处理不准确，输出信号不稳定的缺陷，提供的一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路。
[0006]本发明通过以下技术方案来实现:一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路，主要由信号接收电路，与信号接收电路相连接的非线性运算放大电路，均与非线性运算放大电路相连接的低频信号处理电路和高频信号处理电路，以及串接在低频信号处理电路与高频信号处理电路之间的信号输出电路组成。
[0007]所述非线性运算放大电路由放大器P4，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极经电阻R16后与三极管VT4的基极相连接、负极与放大器P4的正极输入端共同形成非线性运算放大电路的输入端并与信号接收电路相连接的极性电容C7，N极经电阻R18后与三极管VT2的集电极相连接、P极与三极管VT4的发射极相连接的二极管D6，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电阻R19，负极顺次经电阻R26和电阻R22后与三极管VT2的发射极相连接、正极顺次经电阻R27和电阻R23后与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C8，P极与极性电容C8的正极相连接、N极与三极管VT5的发射极相连接的二极管D8，负极与三极管VT5的集电极相连接、正极经电感L后与三极管VT2的基极相连接的极性电容C9，负极经电阻R24后与三极管VT3的基极相连接、正极经电阻R21后与放大器P4的输出端相连接的极性电容Cl O，一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端与极性电容ClO的负极相连接的可调电阻R25，以及N极与三极管VT2的基极相连接、P极顺次经电阻R20和电阻R17后与放大器P4的正极输入端相连接的二极管D7组成;所述三极管VT4的集电极接地;所述三极管VT5的发射极接地;所述放大器P4的负极输入端接地;所述二极管D8的P极作为非线性运算放大电路的其中一个输出端并与高频信号处理电路相连接;所述三极管VT5的基极作为非线性运算放大电路的另一个输出端并与低频信号处理电路相连接。
[0008]所述信号接收电路由放大器Pl，正极与放大器Pl的正极输入端相连接、负极作为信号接收电路的输入端并与感温头相连接的极性电容Cl，正极与放大器Pl的正极输入端相连接、负极与放大器Pl的输出端相连接的极性电容C2，p极经电阻Rl后与放大器Pl的正极输入端相连接、N极与放大器Pl的输出端相连接的二极管Dl，以及正极与放大器Pl的输出端相连接、负极经电阻R2后与放大器P的负极输入端相连接的极性电容C3组成;所述二极管Dl的N极作为信号接收电路的其中一个输出端并与极性电容C7的负极相连接;所述极性电容C3的负极作为信号接收电路的另一个输出端并与放大器P4的正极输入端相连接;所述放大器Pl的负极输入端接地。
[0009]所述高频信号处理电路由处理芯片Ul，与非门1C，P极与处理芯片Ul的Q管脚相连接、N极与与非门IC的正极相连接的二极管D3，负极顺次经电阻R7和电阻R5后与与非门IC的负极相连接、正极经电阻R6后与与非门IC的输出端相连接的极性电容C5，以及N极顺次经电阻R4和电阻R3后与处理芯片Ul的J管脚相连接、P极经电阻R8后与极性电容C5的正极相连接的二极管D2组成;所述处理芯片Ul的CLK管脚与二极管D8的P极相连接，其GND管脚接地，其CLR管脚与极性电容C5的正极共同形成高频信号处理电路的输出端并与信号输出电路相连接。
[0010]所述低频信号处理电路由处理芯片U2，三极管VTl，P极顺次经电阻RlO和电阻R9后与处理芯片U2的J管脚相连接、N极经电阻R12后与三极管VTl的发射极相连接的二极管D4，负极经电阻R13后与三极管VTl的基极相连接、正极经电阻Rll后与处理芯片U2的CLK管脚相连接的极性电容C6，以及一端与处理芯片U2的CLR管脚相连接、另一端与三极管VTl的发射极相连接的电阻R14组成;所述处理芯片U2的CLK管脚与三极管VT5的基极相连接，其GND管脚接地，其K管脚与三极管VTl的集电极相连接;所述三极管VTl的发射极与处理芯片U2的Q管脚共同形成低频信号处理电路的输出端并与信号输出电路相连接。
[0011 ]所述信号输出电路由放大器P2，放大器P3，负极与放大器P2的正极输入端相连接、正极与处理芯片Ul的CLR管脚相连接的极性电容C4，一端与放大器P3的正极输入端相连接、另一端与放大器P2的负极输入端相连接的电阻R15，以及P极与放大器P3的正极输入端相连接、N极与三极管VTl的发射极相连接的二极管D5组成;所述放大器P2的负极输入端与处理芯片U2的Q管脚相连接，该放大器P2的输出端与放大器P3的正极相连接;所述放大器P3的负极输入端接地，其输出端与极性电容C5的正极相连接并作为信号输出电路的输出端。
[0012]为了本发明的实际使用效果，所述处理芯片Ul和处理芯片U2则均采用了 74LS112集成芯片来实现。
[0013]本发明与现有技术相比，具有以下优点及有益效果:
[0014](I)本发明具有较强的抗干扰能力，能对输入的信号进行准确的分析处理，同时能输出稳定的信号，能有效的提高温度控制器对枳壳的烘干温度的调节。
[0015](2)本发明能将输入的信号波放大3倍以上，从而有效的确保了烘干系统的温度控制器能接收到准确的信号。
[0016](3)本发明对信号的处理的准确度比现有的信号处理电路提高了45%以上，同时本发明能使枳壳的烘干质量提高25%以上。
【附图说明】
[0017]图1为本发明的双极信号处理电路的电路结构示意图。
[0018]图2为本发明的非线性运算放大电路的电路结构示意图。
【具体实施方式】
[0019]下面结合实施例及其附图对本发明作进一步地详细说明，但本发明的实施方式不限于此。
[0020]实施例
[0021]如图1所示，本发明主要由非线性运算放大电路，信号接收电路，低频信号处理电路，高频信号处理电路，以及信号输出电路组成。所述信号接收电路由放大器Pl，电阻R1，电阻R2，极性电容Cl，极性电容C2，极性电容C3，以及二极管Dl组成。
[0022]连接时，极性电容Cl的正极与放大器Pl的正极输入端相连接、负极作为信号接收电路的输入端并与感温头相连接。极性电容C2的正极与放大器Pl的正极输入端相连接、负极与放大器Pl的输出端相连接。
[0023]其中，二极管Dl的P极经电阻Rl后与放大器Pl的正极输入端相连接、N极与放大器Pl的输出端相连接。极性电容C3的正极与放大器Pl的输出端相连接、负极经电阻R2后与放大器P的负极输入端相连接。
[0024]所述二极管Dl的N极作为信号接收电路的其中一个输出端并与极性电容C7的负极相连接;所述极性电容C3的负极作为信号接收电路的另一个输出端并与放大器P4的正极输入端相连接;所述放大器Pl的负极输入端接地。
[0025]同时，所述高频信号处理电路由处理芯片Ul，与非门IC，电阻R3，电阻R4，电阻R5，电阻R6，电阻R7，电阻R8，极性电容C5，二极管D2，以及二极管D3组成。
[0026]连接时，二极管D3的P极与处理芯片Ul的Q管脚相连接、N极与与非门IC的正极相连接。极性电容C5的负极顺次经电阻R7和电阻R5后与与非门IC的负极相连接、正极经电阻R6后与与非门IC的输出端相连接。二极管D2的N极顺次经电阻R4和电阻R3后与处理芯片Ul的J管脚相连接、P极经电阻R8后与极性电容C5的正极相连接。
[0027]所述处理芯片Ul的CLK管脚与二极管D8的P极相连接，其GND管脚接地，其CLR管脚与极性电容C5的正极共同形成高频信号处理电路的输出端并与信号输出电路相连接。
[0028]进一步地，所述低频信号处理电路由处理芯片U2，三极管VTl，电阻R9，电阻RlO，电阻R11，电阻R12，电阻R13，电阻1?14，极性电容06，以及二极管04组成。
[0029]连接时，二极管D4的P极顺次经电阻RlO和电阻R9后与处理芯片U2的J管脚相连接、N极经电阻R12后与三极管VTl的发射极相连接。极性电容C6的负极经电阻R13后与三极管VTl的基极相连接、正极经电阻Rll后与处理芯片U2的CLK管脚相连接。电阻R14的一端与处理芯片U2的CLR管脚相连接、另一端与三极管VTl的发射极相连接。
[0030]所述处理芯片U2的CLK管脚与三极管VT5的基极相连接，其GND管脚接地，其K管脚与三极管VTl的集电极相连接;所述三极管VTl的发射极与处理芯片U2的Q管脚共同形成低频信号处理电路的输出端并与信号输出电路相连接。
[0031]同时，所述信号输出电路由放大器P2，放大器P3，电阻R15，极性电容C4，以及二极管D5组成。
[0032]连接时，极性电容C4的负极与放大器P2的正极输入端相连接、正极与处理芯片Ul的CLR管脚相连接。电阻Rl 5的一端与放大器P3的正极输入端相连接、另一端与放大器P2的负极输入端相连接。二极管D5的P极与放大器P3的正极输入端相连接、N极与三极管VTl的发射极相连接。
[0033]所述放大器P2的负极输入端与处理芯片U2的Q管脚相连接，该放大器P2的输出端与放大器P3的正极相连接;所述放大器P3的负极输入端接地，其输出端与极性电容C5的正极相连接并作为信号输出电路的输出端。
[0034]如图2所示，所述非线性运算放大电路由放大器P4，三极管VT2，三极管VT3，三极管￥丁4，三极管￥了5，电阻1?16，电阻1?17，电阻1?18，电阻1?19，电阻1?20，电阻1?21，电阻1?22，电阻R23，电阻R24，可调电阻R25，电阻R26，电阻R27，极性电容C7，极性电容C8，极性电容C9，极性电容ClO，二极管D6，二极管D7，二极管D8，以及电感L组成。
[0035]连接时，极性电容C7的正极经电阻R16后与三极管VT4的基极相连接、负极与放大器P4的正极输入端共同形成非线性运算放大电路的输入端并与信号接收电路相连接。二极管D6的N极经电阻R18后与三极管VT2的集电极相连接、P极与三极管VT4的发射极相连接。电阻R19的一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接。
[0036]其中，极性电容C8的负极顺次经电阻R26和电阻R22后与三极管VT2的发射极相连接、正极顺次经电阻R27和电阻R23后与三极管VT3的集电极相连接。二极管D8的P极与极性电容C8的正极相连接、N极与三极管VT5的发射极相连接。极性电容C9的负极与三极管VT5的集电极相连接、正极经电感L后与三极管VT2的基极相连接。
[0037]同时，极性电容ClO的负极经电阻R24后与三极管VT3的基极相连接、正极经电阻R21后与放大器P4的输出端相连接。可调电阻R25的一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端与极性电容ClO的负极相连接。二极管07的~极与三极管VT2的基极相连接、P极顺次经电阻R20和电阻R17后与放大器P4的正极输入端相连接。
[0038]所述三极管VT4的集电极接地;所述三极管VT5的发射极接地;所述放大器P4的负极输入端接地;所述二极管D8的P极作为非线性运算放大电路的其中一个输出端并与高频信号处理电路相连接;所述三极管VT5的基极作为非线性运算放大电路的另一个输出端并与低频信号处理电路相连接。
[0039]运行时，本发明具有较强的抗干扰能力，能对输入的信号进行准确的分析处理，能将输入的信号波放大3倍以上。同时能输出稳定的信号，能有效的提高温度控制器对枳壳的烘干温度的调节，从而确保了烘干系统对枳壳的烘干质量，有效的保护了枳壳的药质和药理性。本发明对信号的处理的准确度比现有的信号处理电路提高了45%以上，同时本发明能使枳壳的烘干质量提高25%以上。为了本发明的实际使用效果，所述处理芯片Ul和处理芯片U2则均采用了 74LS112集成芯片来实现。
[0040]按照上述实施例，即可很好的实现本发明。
【主权项】
1.一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路，其特征在于，主要由信号接收电路，与信号接收电路相连接的非线性运算放大电路，均与非线性运算放大电路相连接的低频信号处理电路和高频信号处理电路，以及串接在低频信号处理电路与高频信号处理电路之间的信号输出电路组成。2.根据权利要求1所述的一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路，其特征在于，所述非线性运算放大电路由放大器P4，三极管VT2，三极管VT3，三极管VT4，三极管VT5，正极经电阻R16后与三极管VT4的基极相连接、负极与放大器P4的正极输入端共同形成非线性运算放大电路的输入端并与信号接收电路相连接的极性电容C7，N极经电阻R18后与三极管VT2的集电极相连接、P极与三极管VT4的发射极相连接的二极管D6，一端与三极管VT4的发射极相连接、另一端与三极管VT3的发射极相连接的电阻R19，负极顺次经电阻R26和电阻R22后与三极管VT2的发射极相连接、正极顺次经电阻R27和电阻R23后与三极管VT3的集电极相连接的极性电容C8，P极与极性电容C8的正极相连接、N极与三极管VT5的发射极相连接的二极管D8，负极与三极管VT5的集电极相连接、正极经电感L后与三极管VT2的基极相连接的极性电容C9，负极经电阻R24后与三极管VT3的基极相连接、正极经电阻R21后与放大器P4的输出端相连接的极性电容ClO，一端与三极管VT5的发射极相连接、另一端与极性电容ClO的负极相连接的可调电阻R25，以及N极与三极管VT2的基极相连接、P极顺次经电阻R20和电阻R17后与放大器P4的正极输入端相连接的二极管D7组成;所述三极管VT4的集电极接地;所述三极管VT5的发射极接地;所述放大器P4的负极输入端接地;所述二极管D8的P极作为非线性运算放大电路的其中一个输出端并与高频信号处理电路相连接;所述三极管VT5的基极作为非线性运算放大电路的另一个输出端并与低频信号处理电路相连接。3.根据权利要求2所述的一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路，其特征在于，所述信号接收电路由放大器Pl，正极与放大器Pl的正极输入端相连接、负极作为信号接收电路的输入端并与感温头相连接的极性电容Cl，正极与放大器Pl的正极输入端相连接、负极与放大器Pl的输出端相连接的极性电容C2，P极经电阻Rl后与放大器Pl的正极输入端相连接、N极与放大器Pl的输出端相连接的二极管Dl，以及正极与放大器Pl的输出端相连接、负极经电阻R2后与放大器P的负极输入端相连接的极性电容C3组成;所述二极管Dl的N极作为信号接收电路的其中一个输出端并与极性电容C7的负极相连接;所述极性电容C3的负极作为信号接收电路的另一个输出端并与放大器P4的正极输入端相连接;所述放大器Pl的负极输入端接地。4.根据权利要求3所述的一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路，其特征在于，所述高频信号处理电路由处理芯片U1，与非门IC，P极与处理芯片Ul的Q管脚相连接、N极与与非门IC的正极相连接的二极管D3，负极顺次经电阻R7和电阻R5后与与非门IC的负极相连接、正极经电阻R6后与与非门IC的输出端相连接的极性电容C5，以及N极顺次经电阻R4和电阻R3后与处理芯片Ul的J管脚相连接、P极经电阻R8后与极性电容C5的正极相连接的二极管D2组成;所述处理芯片Ul的CLK管脚与二极管D8的P极相连接，其GND管脚接地，其CLR管脚与极性电容C5的正极共同形成高频信号处理电路的输出端并与信号输出电路相连接。5.根据权利要求4所述的一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路，其特征在于，所述低频信号处理电路由处理芯片U2，三极管VTl，P极顺次经电阻RlO和电阻R9后与处理芯片U2的J管脚相连接、N极经电阻R12后与三极管VTl的发射极相连接的二极管D4，负极经电阻R13后与三极管VTl的基极相连接、正极经电阻Rll后与处理芯片U2的CLK管脚相连接的极性电容C6，以及一端与处理芯片U2的CLR管脚相连接、另一端与三极管VTl的发射极相连接的电阻R14组成；所述处理芯片U2的CLK管脚与三极管VT5的基极相连接，其GND管脚接地，其K管脚与三极管VTl的集电极相连接;所述三极管VTl的发射极与处理芯片U2的Q管脚共同形成低频信号处理电路的输出端并与信号输出电路相连接。6.根据权利要求5所述的一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路，其特征在于，所述信号输出电路由放大器P2，放大器P3，负极与放大器P2的正极输入端相连接、正极与处理芯片Ul的CLR管脚相连接的极性电容C4，一端与放大器P3的正极输入端相连接、另一端与放大器P2的负极输入端相连接的电阻R15，以及P极与放大器P3的正极输入端相连接、N极与三极管VTl的发射极相连接的二极管D5组成;所述放大器P2的负极输入端与处理芯片U2的Q管脚相连接，该放大器P2的输出端与放大器P3的正极相连接;所述放大器P3的负极输入端接地，其输出端与极性电容C5的正极相连接并作为信号输出电路的输出端。7.根据权利要求6所述的一种枳壳烘干温度控制器用非线性运算放大信号处理电路，其特征在于，所述处理芯片Ul和处理芯片U2均为74LS112集成芯片。
【文档编号】G05D23/19GK105938376SQ201610343966
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2016年5月23日
【发明人】柯友财
【申请人】四川蓉幸实业有限公司