整合式触控结构的制作方法

文档序号:6588042阅读:192来源:国知局
专利名称:整合式触控结构的制作方法
技术领域
本实用新型是关于一种触控装置的设计,特别是关于一种可操作于电容式触控位置感测模式或电阻式触控位置感测模式的整合式触控结构。
背景技术
电阻式触控面板由ITO(氧化铟锡)薄膜和ITO玻璃所组成,中间由多个绝缘隔点 所隔开,通过一触控物件(例如触控笔)去触压ITO薄膜形成下压凹陷,使其与下层的ITO 玻璃接触而产生电压的变化,再将模拟信号转为数字信号,再经由微处理器的运算处理取 得受触压点的操作位置。电容式触控面板基本上是利用透明电极与导电体之间的电容耦合所产生的电容 耦合变化,从所产生的诱导电流来检测受触压点的操作位置。电容式触控面板的结构中,最 外层为一透明基材,第二层为ITO层,当一触控物件(例如手指)接触到透明基材的表面 时,触控物件就会与外侧导电层上的电场产生电容耦合,而产生微小的电流的变化,再由微 处理器计算出手指触控的操作位置。
实用新型内容本实用新型所欲解决的技术问题电阻式触控板与电容式触控板在操作上有其限制条件及缺点。其中电阻式触控板 具有价格较低的优点,但在触控时需使上下两导电层接触,故需施加一定程度触压力,较容 易使导电层损坏,且其敏感度也较低。而电容式触控板虽敏感度较高,但因其作用原理的关 系,在触控物件的选用上必须是一导电体,例如手指或是接有地线的触头,以便传导电流, 若是以一绝缘体作为触控物件则触控板无法进行感测。本实用新型的目的是提供一种可感测使用者触控操作方式而可对应操作于电容 式或电阻式触控位置感测模式的整合式触控结构,当使用者轻触所述整合式触控结构的触 控操作面时,整合式触控结构会操作于电容式触控位置感测模式,而当使用者触压所述整 合式触控结构的触控操作面、或以笔写输入操作所述整合式触控结构的触控操作面时,整 合式触控结构会操作于电阻式触控位置感测模式。本实用新型解决问题的技术手段本实用新型为解决已知技术的问题所采用的技术手段是提供一种一种整合式触 控结构,用于感测触控物件在所述整合式触控结构上的触点位置,所述整合式触控结构包 括一第一基材以及一相隔且对应于所述第一基材的第二基材,所述第一基材的底面具有一 第一电极图型,所述第二基材的顶面设有一相对应于所述第一电极图型的第二电极图型, 其特征在于,所述触控物件轻触所述第一基材,在所述第一电极图型与所述触控物件之间 产生一电容耦合变化,所述触控物件触压所述第一基材,在所述触压处所述第一电极图型 与第二电极图型相互接触产生一电压变化,所述整合式触控结构还包括一微处理器,用于 接收所述电容耦合变化或所述电压变化,以计算触点位置。当使用者轻触触控装置的触控操作面时,所述触控装置操作于电容式触控位置感测模式,所述触控物件与所述第一电极图型之间的电容耦合变化由所述微处理器接收,据以计算出所述触控物件位在所述第一基材的触控操作面的至少一操作位置。当使用者触压所述触控装置的触控操作面、或以笔写输入操作所述触控装置的触 控操作面时,位在所述操作位置处的第一基材因受压,使所述第一电极图型与所述第二电 极图型接触,所述触控装置操作于电阻式触控位置感测模式,所述微处理器即依据所述第 二电极图型的电压变化,计算出所述触控物件位在所述第一基材的触控操作面的至少一操 作位置。本实用新型对照背景技术的功效经由本实用新型所采用的技术手段,仅需搭配本实用新型的整合式触控结构与简 易的电路构造,配合简易的扫描感测,即可兼具电容式及电阻式触控板的触控操作模式。故 不需受限于已知电阻式触控板或电容式触控板的触控物件限制,可使得使用者的触控操作 更为简便,在不同的操作方式下较佳的触控感应模式,并兼具两种模式的触控板的优点。本实用新型的设计也特别适合应用在需要作笔写输入的触控应用领域中,可有效 解决一般电容式触控板所存在的书写操作不顺畅、感应不良的问题。
图1是显示本实用新型第一实施例的系统方块图;图2是显示图1中主要构件的立体分解图;图3是显示图1中第一基材与第二基材在结合后,第一电极图型及第二电极图型 的相对位置关系;图4是显示图3的4-4断面的剖视图;图5是显示本实用新型的整合式触控结构以手指操作的示意图;图6是显示图5中的触控位置与对应的电容值表;图7是显示本实用新型第一实施例以触控物件操作的示意图;图8是显示第二实施例的系统方块图;图9是显示第二实施例的整合式触控结构上触压操作的电路示意图;图10是显示图9的等效电路图;图11是显示本实用新型第二实施例的整合式触控结构以触控物件操作的示意 图。附图标号IOOUOOa整合式触控结构Ula第一基材IlUla第一电极结合面12、12a触控操作面13、13a第一电极图型2第二基材21第二电极结合面22第二电极图型3微处理器4第一扫描电路5第二扫描电路[0038]6绝缘隔点7、7a触控物件Cl电容值d预定间距P1、P2、P3操作位置R1、R2、R3、R4电阻值S1、S2扫描感测信号V驱动电压Vsl、Vs2、Vs3、Vs4驱动电压sll、sl2、sl3、sl4、sl5、sl6条状电极sll'、sl2'、sl3'、sl4'、sl5'、sl6'条状电极X第一轴向Y第二轴向I触压方向具体实施方式
参阅图1 图2,是显示本实用新型第一实施例的系统方块图,图2是显示图1中主要构件的立体分解图。如图所示,本实用新型的整合式触控结构100包括一第一基材1, 是为一绝缘薄层(film),例如PET薄膜,实施时可选用透明的材料。所述第一基材1具有一 第一电极结合面11及一触控操作面12。第一基材1的第一电极结合面11形成有一第一电 极图型13,所述第一电极图型13包括有多个条状电极sll、s12、s13、s14、sl5及sl6,彼此 之间互相平行且保持一分隔距离,并沿着第一轴向X延伸。第一电极图型13主要为导电材 料所组成,当所述导电材料为ITO(氧化铟锡)时,可组成一层透明的导电层。各个条状电极sll、s12、s13、s14、sl5及sl6是经由一第一扫描电路4连接至一微 处理器3,以受到所述微处理器3控制并供应各个条状电极sll、sl2、sl3、sl4、sl5及sl6 一预定的驱动电压,或经由第一扫描电路4扫描并感测各个条状电极sll、sl2、sl3、sl4、 sl5及sl6的感应电容耦合变化,以将测得的扫描感测信号Sl送往微处理器3进行处理。一第二基材2具有一相对应于所述第一基材1的第一电极结合面11的第二电极 结合面21,并与第一基材1之间的距离被定义为一预定间距d(如图4所示)。在第二基材 2的第二电极结合面21上形成有一第二电极图型22,所述第二电极图型22包括有多个条 状电极sll' ,sl2' ,sl3' ,sl4' ,sl5'及sl6',彼此间互相平行且保持一分隔距离,并 沿着第二轴向Y延伸。所述第二基材2是相对应地对齐配置在第一基材1的相对位置,并 使第二电极图型22相对应于第一电极图型13。各个条状电极sll'、sl2'、sl3'、sl4'、sl5'及sl6'经由一第二扫描电路5 连接于微处理器3,以扫描感测各个条状电极sll' ,sl2' ,sl3' ,sl4'、sl5'及sl6'的 电压变化,并将测得的扫描感测信号S2送往微处理器3进行处理。实施时,各个条状电极 sll' ,sl2' ,sl3' ,sl4' ,sl5'及sl6'可单端或双端连接于第二扫描电路5。第一电极图型13的各个条状电极811、812、813、814、815及816是相互平行且彼 此间隔地形成在第一基材1的第一电极结合面11。在第一电极图型13与第二基材2的第 二电极结合面21上未布设条状电极sll'、sl2'、sl3'、sl4'、sl5'及sl6'之处,各别设置至少一绝缘隔点6。通过各个绝缘隔点6,可避免第一电极图型13与第二电极图型22 直接接触。参阅图3,其是显示第一基材1与第二基材2在结合后,第一电极图型13及第二电极图型22的相对位置关系。在本实施例中,第一电极图型13及第二电极图型22是以六个 条状电极为例,但条状电极的数目不受此限制,亦可以布设更多或较少条状电极。本实用新 型较佳实施例中,第一电极图型13的各个条状电极sll、sl2、sl3、sl4、sl5及sl6是分别 与第二电极图型22的各个条状电极sll'、sl2'、sl3'、sl4'、sl5'及sl6'呈垂直交 迭的对应关系。参阅图4所示,第一基材1与第二基材2之间设置有多个绝缘隔点6,以使第一基 材1与第二基材2结合后保持一预定间距d,以避免第一基材1的第一电极图型13与第二 基材2的第二电极图型22直接接触。同时参阅图5及图6,图5是显示本实用新型以手指操作的示意图,图6是显示图 5中的触控位置与对应的电容值表。如图所示,本应用例用以说明本实用新型是用以感测一 触控物件7在整合式触控结构100上的触控操作动作。首先在本应用例中将第一电极图型13的条状电极sl3与第二电极图型22的条状 电极sl2'交迭的操作位置定义为操作位置PI。本应用例中用以操作整合式触控结构100 的触控物件7是可为例如手指、导电物或其它操作物件。当以触控物件7轻触至第一基材1的触控操作面12的一受触压位置,但第一电极 图型13与第二电极图型22之间并未接触时(如图5所示的操作位置Pl),此时整合式触 控结构100会操作于电容式触控位置感测模式,触控物件7与第一电极图型13的条状电极 sl3之间由于电容耦合效应而感应一电容值Cl (如图6所示)。第一扫描电路4通过扫描 感测第一基材1的各个条状电极sll、sl2、sl3、sl4、sl5及sl6而可感测触控物件7与第 一电极图型13的条状电极sl3间的电容耦合变化,并送出第一感应信号Sl至微处理器3。图7是显示本实用新型第一实施例以触控物件操作的示意图。如图所示,本实施 例中的触控物件7a是可为导电或非导电触控物件(例如触控笔或其它任何物件)。当触控 物件7a触压第一基材1的触控操作面12时,位在操作位置处的第一基材1因受压而使第 一电极图型13的条状电极sl3与第二电极图型22的条状电极sl3'接触(预定间距d = 0)。此时,整合式触控结构100会操作于电阻式触控位置感测模式,并施加一驱动电压至条 状电极sl3',整合式触控结构100可依据第二电极图型22的条状电极sl3'的电压变化, 计算出触控物件7a位在第一基材1的触控操作面12的操作位置。参阅图8,其是显示第二实施例的系统方块图。如图所示,本实施例的主要元件与 第一实施例相同,相同元件以相同的图号标示。其主要不同的处在于本实施例的第一基材 Ia具有一第一电极结合面11a,在所述第一电极结合面Ila上结合有一第一电极图型13a, 其是为一平面连续结构的ITO透明导电层,在第一电极图型13a的四个角落分别连接于第 一扫描电路4,以分别提供一驱动电压进而在第一电极图型13a形成一电压梯度。参阅图9及图10,其是显示第二实施例的整合式触控结构IOOa上触压操作的电路 示意图及其等效电路图。如图9所示,当在整合式触控结构IOOa上按压一操作位置P2时, 操作位置P2与各角落端分别产生一对应的电阻值R1、R2、R3及R4。如图9所示,由提供的 驱动电压Vsl、Vs2、Vs3、Vs4以及各个对应的电阻值Rl、R2、R3及R4,分别可产生一对应的电流I1、I2、I3及14,依据各电流I1、I2、I3及14的比例即可计算出操作位置P2在所述触控板IOOa的所在位置。参阅图11,其是显示本实用新型第二实施例的整合式触控结构以触控物件操作的示意图。如图所示,首先将本应用例中第一电极图型13a与第二电极图型22的条状电极 sl3'交迭的位置定义为操作位置P3。而本应用例中用以操作整合式触控结构IOOa的触控 物件7a是可为导电或非导电触控物件(例如触控笔或其它任何物件)。同时参阅图8。当使用者以触控物件7a以一预定触压方向I触压第一基材la,位在操作位置P3处的第一基材1因受压而使第一电极图型13a与第二电极图型22的条状电 极sl3'接触(预定间距d = 0),此时整合式触控结构IOOa会操作于电阻式触控位置感测 模式,经由第一扫描电路4送出驱动电压至第一电极图型13的条状电极,故驱动电压由第 一电极图型13a施加至第二电极图型22的条状电极sl3'上,并经由第二扫描电路5扫描 感测后,输出一扫描感测信号S2送至微处理器3。微处理器3依据第二电极图型22的条状 电极sl3'产生的电压变化,计算出触控物件7a位在第一基材Ia的触控位置。由以上的实施例可知,本实用新型所提供的整合式触控结构确具产业上的利用价 值,故本实用新型已符合于专利的要件。惟以上的叙述仅为本实用新型的较佳实施例说明, 凡熟悉本领域的技术人员当可依据上述的说明而作其它种种的改良,惟这些改变仍属于本 实用新型的发明精神及所界定的权利要求范围中。
权利要求一种整合式触控结构,用于感测触控物件在所述整合式触控结构上的触点位置,所述整合式触控结构包括一第一基材以及一相隔且相对应于所述第一基材的第二基材,其特征在于,所述第一基材的底面具有一第一电极图型,所述第二基材的顶面设有一相对应于所述第一电极图型的第二电极图型,所述触控物件轻触所述第一基材,在所述第一电极图型与所述触控物件之间产生一电容耦合变化,所述触控物件触压所述第一基材,在所述触压处所述第一电极图型与第二电极图型相互接触产生一电压变化,所述整合式触控结构还包括一微处理器,用于接收所述电容耦合变化或所述电压变化,以计算触点位置。
2.如权利要求1所述的整合式触控结构,其特征在于,所述第一电极图型与所述第二 电极图型分别包括有多个相互平行且彼此间隔的条状电极。
3.如权利要求2所述的整合式触控结构,其特征在于,所述第一电极图型与所述第二 电极图型之间是以多个绝缘隔点予以隔开。
4.如权利要求1所述的整合式触控结构,其特征在于,所述第一电极图型是为一平面 连续结构的ITO透明导电层,而所述第二电极图型是包括有多个相互平行且彼此间隔的条 状电极。
专利摘要一种整合式触控结构,是在一触控装置中包括一第一基材以及一相隔且相对应于所述第一基材的第二基材,第一基材的底面具有一第一电极图型,所述第二基材的顶面设有一相对应于所述第一电极图型的第二电极图型。当使用者轻触所述触控装置的触控操作面时,触控装置操作于电容式触控位置感测模式;当使用者触压所述触控装置的触控操作面、或以笔写输入操作所述触控装置的触控操作面时,触控装置操作于电阻式触控位置感测模式。
文档编号G06F3/041GK201556183SQ200920006280
公开日2010年8月18日 申请日期2009年3月3日 优先权日2009年3月3日
发明者刘振宇, 王净亦 申请人:宸鸿光电科技股份有限公司
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