感测翻盖的方法
【专利摘要】本发明提供了一种用于感测翻盖的方法和设备，其包括确定翻盖的角度。霍尔传感器可以包含于移动终端（或显示终端）中，并且可以包括用于收集从翻盖的磁体产生的磁场强度的至少一个霍尔元件。
【专利说明】感测翻盖的方法
[0001] 相关申请的交叉引用
[0002] 本申请根据35USC119 (a)主张2013年8月22日提交至韩国知识产权局的韩国 专利申请第10-2013-0099947号的权利，在此引入其全部公开内容作为参考以用于所有目 的。
【技术领域】
[0003] 以下描述涉及一种感测翻盖或感测覆盖移动终端的翻盖的角度变化的方法。
【背景技术】
[0004] 韩国实用新型注册号20-0167871涉及一种感测翻转式无绳电话的翻盖是打开还 是关闭的设备，并且公开了包括PCB(印刷电路板)、磁传感器和翻盖的构思。PCB被安装在 机身内并且可以通过选择按钮来到达。磁传感器检测PCB底部的磁功率来控制该设备的电 源。因此，相关技术在其检测翻盖运动的能力方面是受限的。例如，相关技术没有描述感测 翻盖离开终端设备表面的水平滑动是否发生。
【发明内容】
[0005] 本
【发明内容】
被提供用来以简化形式介绍构思的选择，该构思在下面的具体实施方 式中会进一步描述。本
【发明内容】
不旨在识别所要求保护的主题的关键特征或本质特征，也 不旨在用于帮助确定所要求保护的主题的范围。
[0006] 在一个一般方面中，一种感测翻盖的方法包括：收集从翻盖的磁体产生的磁场强 度；以及确定翻盖的角度。
[0007] 可以通过使用霍尔传感器来执行该方法，该霍尔传感器包括至少一个霍尔元件并 且包含于被配置成由翻盖覆盖的终端中；收集磁场强度可以包括通过使用所述至少一个霍 尔元件来收集所述磁场强度；以及确定翻盖的角度可以包括基于所收集的磁场强度来确定 所述翻盖的角度。
[0008] 收集磁场强度还可以包括从所述至少一个霍尔元件中的每一个收集所述磁体的 磁场方向。
[0009] 所述角度可以基于所收集的磁场强度的算术平均值而被计算。
[0010] 确定翻盖的角度可以包括：计算所收集的磁场强度的算术平均值；基于该算术平 均值来计算角度权重；以及基于所计算的角度权重来确定角度。
[0011] 所述角度权重可以响应于翻盖角度增加而从最大磁场强度开始减小以。
[0012] 所述角度可以通过使用对数函数而获得。
[0013] 所述对数函数的底数可以基于所述角度权重而被计算。
[0014] 所述对数函数的底数可以基于log(X)/90而被计算，并且X可以是最小的角度权 重。
[0015] 所述角度可以如下确定：
[0016] Y=loga(Intensity_N)
[0017] a=Exp[{Ln(Intensity_90) }/90],
[0018] 其中，Y表示翻盖的角度；Intensity_N表示N度时的角度权重；a表示对数函数的 底数；Exp表示指数函数；以及Ln表示自然对数函数。
[0019] 所述角度可以基于根据离磁体的距离而被分类的第一和第二霍尔元件群中的每 一个的磁场强度的算术平均值而被计算。
[0020] 所述角度可以基于根据离磁体的距离而被分类的第一、第二和第三霍尔元件群中 的每一个的磁场强度的算术平均值而被计算。
[0021] 该方法还可以包括基于所计算的角度来确定打开和关闭阈值。
[0022] 打开和关闭阈值可以基于与离磁体的距离相关的打开和关闭数据而被确定。
[0023] 在另一一般方面中，包含于终端中的霍尔传感器包括至少一个霍尔元件；以及角 度确定单元被配置成确定翻盖的角度，所述翻盖被配置成覆盖终端。
[0024] 所述翻盖可以包括磁体；所述至少一个霍尔元件可以被配置成收集从所述磁体产 生的磁场强度；以及所述角度确定单元可以被配置成基于所收集的磁场强度来确定所述翻 盖的角度。
[0025] 在另一一般方面中，被配置成由翻盖覆盖的终端包括霍尔传感器，其中该霍尔传 感器包括至少一个霍尔元件；以及该霍尔传感器被配置成确定所述翻盖的角度。
[0026] 所述翻盖可以包括磁体；所述至少一个霍尔元件可以被配置成收集从所述磁体产 生的磁场强度；以及所述霍尔传感器可以被配置成基于所收集的磁场强度来确定所述翻盖 的角度。
[0027] 所确定的角度可以被用于改变终端的n(用户界面)。
【专利附图】
【附图说明】
[0028] 图1示出了移动终端(或显示终端）和翻盖的示例；
[0029] 图2示出了图1的霍尔传感器的示例；
[0030] 图3示出了霍尔传感器中至少一个霍尔元件的示例；
[0031] 图4示出了翻盖的打开角度和磁场强度之间的关系的示例；
[0032] 图5示出了根据确定霍尔元件群的确定来确定角度的方法的示例；
[0033] 图6示出了根据对翻盖的感测来确定打开或关闭阈值的示例。
[0034] 在整个附图和详细描述中，除非另有说明或提供，相同的附图参考号码应当被认 为是指相同的元素、特征和结构。为了清楚、说明和方便，附图可能未按比例，并且可能夸大 了附图中的元素的相对大小、比例和描述。
【具体实施方式】
[0035] 提供以下详细描述以帮助读者获得对本文所述的方法、设备和/或系统的全面理 解。然而，本文所述的系统、设备和/或方法的各种改变、修改和等同物对于本领域的普通 技术人员而言是显而易见的。所描述的处理步骤和/或操作的进展是示例性的；然而，处理 步骤和/或操作的顺序不限于本文阐述的顺序，而是可以如现有技术中已知那样被改变， 除非步骤和/或操作必须以特定顺序进行。同样，对本领域的普通技术人员已知的功能和 结构的描述可以省略以增强清晰性和简洁性。
[0036] 本文所描述的特征可以以不同形式来体现，并且不应当被认为受限于本文所描述 的示例。相反，提供了本文所描述的示例以使得本公开全面和完整，并且将本公开的全部范 围传达给本领域的普通技术人员。
[0037] 图1示出了移动终端(或显示终端）和翻盖的示例。
[0038] 参照图1，移动终端(或显示终端）100包括霍尔传感器110和机身120,并且翻盖 200包括磁体210和覆盖单元220。移动终端(或显示终端）100和翻盖200只以每个功能 来命名，并且在其他示例中，可以整体地实现移动终端(或显示终端）100和翻盖200。换句 话说，翻盖200可以直接耦接到移动终端(或显示终端)100或移动终端(或显示终端)100的 背面电池盖。
[0039] 移动终端(或显示终端）100可以与无线通信设备相对应，例如蜂窝电话、智能电 话、双向无线电和其他通信设备。移动终端(或显示终端）100包括霍尔传感器110和机身 120。
[0040] 霍尔传感器测量或感测从翻盖200中的磁体210产生的磁场强度或磁通密度。例 如，霍尔传感器110可以与数字罗盘相对应。霍尔传感器可以被实现为矩形芯片，并且可以 在每个角处包括至少一个霍尔元件。图2示出了霍尔传感器110的例子。
[0041] 机身120可以包括显示设备和无线收发器。
[0042] 翻盖200对应于能够保护移动终端(或显示终端）100的显示器和外观并且尤其保 护移动终端(或显示终端)1〇〇免遭划痕或因掉落造成的损害的设备。翻盖200包括用于产 生磁场的磁体210和覆盖移动终端（或显示终端）100前面的覆盖单元220。翻盖200的打 开和关闭产生霍尔传感器110周围的磁场变化，而该变化由移动终端（或显示终端）100的 霍尔传感器110来感测。
[0043] 磁体210产生霍尔传感器110周围的磁场。磁体210附接于覆盖单元220以根据 覆盖单元220的移动而移动。因此，霍尔传感器110周围的磁场根据覆盖单元220的移动 程度而改变。
[0044] 覆盖单元220保护移动终端(或显示终端）100的前面，并且可以在内部或在外部 包括磁体210。
[0045] 图2是示出了图1的霍尔传感器的示例的框图。
[0046] 参照图2,霍尔传感器110包括至少一个霍尔元件111、角度确定单元112、阈值确 定单元113和控制单元114。
[0047] 至少一个霍尔元件111收集与从翻盖200的磁体210产生的磁场强度相关的信 息。磁场强度信息可以包括与磁场方向和磁场强度相关的信息。至少一个霍尔兀件111使 用霍尔效应来感测磁场方向和磁场强度。霍尔效应是横跨电导体的电势差(霍尔电势)的产 物，该电势差横断于导体中的电流和垂直于该电流的磁场。霍尔电压与电流量和磁场强度 成比例。此外，当电流量恒定时，霍尔电压与磁场强度成比例。图3示出了至少一个霍尔元 件111的示例。
[0048] 角度确定单元112基于收集的磁场强度来确定翻盖200的角度。在一个示例中， 角度确定单元112可以基于由至少一个霍尔元件111或集合多个霍尔元件111的霍尔元件 群所收集的磁场强度来确定翻盖200的角度。角度信息可以包括与翻盖200的打开角度相 关的信息，并且可以被用于确定翻盖200的打开或关闭阈值。同样，翻盖200的角度可以被 用于发起移动终端(或显示终端）100或移动游戏的用户界面（UI)的改变。图5示出了角 度确定单元112的示例。
[0049] 阈值确定单元113确定翻盖200的打开或关闭阈值。例如，翻盖200的打开或关闭 阈值与生成移动终端(或显示终端）100的打开（0N)或关闭（OFF)信号的角度阈值相对应。 移动终端的打开或关闭信号可以响应于满足打开或关闭阈值的翻盖200的角度而被生成。 可以确定翻盖200的打开或关闭阈值以使隶属于翻盖200的瞬时移动的感测误差最小。通 过角度确定单元112确定的角度，打开或关闭阈值可以关于每个不同值而被确定。图6示 出了阈值确定单元113的示例。
[0050] 控制单元114控制至少一个霍尔元件111、角度确定单元112和阈值确定单元113 的操作和数据流。
[0051] 图3示出了霍尔传感器中的至少一个霍尔元件的示例。
[0052] 至少一个霍尔元件111可以被安排在霍尔传感器110内部，并且可以收集与从翻 盖200的磁体210产生的磁场强度相关的信息。所收集的磁场强度信息可以包括磁场方向 和磁场强度。
[0053] 参照图3a，霍尔传感器110可以包括单个霍尔元件，并且相应的霍尔元件111可以 被安排在霍尔传感器110的一个角处。
[0054] 参照图3b，霍尔传感器可以包括不止一个霍尔元件，并且霍尔元件111可以分别 被安排在霍尔传感器110的每个角处(即111a至llld)。每个霍尔元件llla-llld可以基 于其离翻盖200的磁体210的距离来感测不同的磁场强度。所收集的磁场强度可以用于翻 盖200的角度确定。
[0055] 图4示出了翻盖的打开角度和磁场强度之间关系的示例。
[0056] 参照图4a和4b，翻盖200的打开角度与由至少一个霍尔元件111感测的磁场强度 成反比例。当翻盖200的角度减小时，通过至少一个霍尔元件111而被感测的磁场强度呈 指数增加。
[0057] 在一个示例中，磁场强度可以被转换为用于有效计算翻盖200的打开角度的分离 因子，并且可以被用于指出磁场平均因子和角度权重因子。
[0058] 磁场平均因子可以与匹配值相对应，所述匹配值将根据打开角度变化(例如，从 0°到90° )的磁场强度变化程度与特定范围值(例如，从值99到值1)进行匹配。当存在 多个霍尔元件111时，可以基于从该多个霍尔元件111中的每一个所收集的磁场强度的算 术平均值来计算磁场平均因子。磁场平均值与磁场强度成比例。
[0059] 角度权重因子是基于0度的打开角度，并且与应用于根据磁场强度的角度计算的 权重相对应。可以根据数学方程1来计算角度权重因子，并且该角度权重因子与翻盖200 和霍尔传感器110之间的相离程度成反比。换句话说，当翻盖200的角度增加时，角度权重 减小。
[0060] [数学方程1]
[0061] Intensity_N=N度时的磁场平均值/0度时的磁场平均值
[0062] 此处，Intensity_N:N度时的角度权重
[0063] 例如，磁场平均因子和角度权重因子可以根据翻盖200的打开角度而如下表1改 变。
[0064] [表 1]
[0065]
【权利要求】
1. 一种感测翻盖的方法，包括： 收集从所述翻盖的磁体产生的磁场强度；以及 确定所述翻盖的角度。
2. 如权利要求1所述的感测翻盖的方法，其中， 通过使用霍尔传感器来执行所述方法，所述霍尔传感器包括至少一个霍尔元件并且包 括在被配置成由所述翻盖覆盖的终端中； 收集所述磁场强度包括通过使用所述至少一个霍尔元件来收集磁场强度；以及 确定所述翻盖的角度包括基于所收集的磁场强度来确定所述翻盖的角度。
3. 如权利要求2所述的感测翻盖的方法，其中，收集所述磁场强度还包括从所述至少 一个霍尔兀件中的每一个收集所述磁体的磁场方向。
4. 如权利要求1所述的感测翻盖的方法，其中，所述角度是基于所收集的磁场强度的 算术平均值而被计算的。
5. 如权利要求1所述的感测翻盖的方法，其中，确定所述翻盖角度包括： 计算所收集的磁场强度的算术平均值； 基于所述算术平均值来计算角度权重；以及 基于所计算的角度权重来确定角度。
6. 如权利要求5所述的感测翻盖的方法，其中，所述角度权重响应于所述翻盖的角度 增加而从最大磁场强度开始减小。
7. 如权利要求5所述的感测翻盖的方法，其中，所述角度是通过使用对数函数来获得 的。
8. 如权利要求7所述的感测翻盖的方法，其中，所述对数函数的底数是基于所述角度 权重而被计算的。
9. 如权利要求8所述的感测翻盖的方法，其中，所述对数函数的底数是基于log (X) /90而被计算的，并且X是最小角度权重。
10. 如权利要求9所述的感测翻盖的方法，其中，所述角度是如下确定的： Y=log a (Intensity-N) a=Exp[{Ln (Intensity-90)}/90]， 其中，Y表示所述翻盖的角度； Intensity_N表示N度时的角度权重； a表示所述对数函数的底数； Exp表示指数函数；以及 Ln表示自然对数函数。
11. 如权利要求1所述的感测翻盖的方法，其中，所述角度是基于根据离所述磁体的距 离而被分类的第一和第二霍尔元件群中的每一个的磁场强度的算术平均值而被计算的。
12. 如权利要求1所述的感测翻盖的方法，其中，所述角度是基于根据离所述磁体的距 离而被分类的第一、第二和第三霍尔元件群中的每一个的磁场强度的算术平均值而被计算 的。
13. 如权利要求1所述的感测翻盖的方法，还包括： 基于所计算的角度来确定打开和关闭阈值。
14. 如权利要求13所述的感测翻盖的方法，其中，所述打开和关闭阈值是基于与所述 离磁体的距离相关的打开和关闭数据而被确定的。
15. -种包括在终端中的霍尔传感器，所述霍尔传感器包括： 至少一个霍尔元件；以及 角度确定单元，其被配置成确定翻盖的角度，所述翻盖被配置成覆盖所述终端。
16. 如权利要求15所述的霍尔传感器，其中， 所述翻盖包括磁体； 所述至少一个霍尔元件被配置成收集从所述磁体产生的磁场强度；以及 所述角度确定单元被配置成基于所收集的磁场强度来确定所述翻盖的角度。
17. -种被配置成由翻盖覆盖的终端，所述终端包括： 霍尔传感器， 其中，所述霍尔传感器包括至少一个霍尔元件；以及 所述霍尔传感器被配置成确定所述翻盖的角度。
18. 如权利要求17所述的终端，其中， 所述翻盖包括磁体； 所述至少一个霍尔元件被配置成收集从所述磁体产生的磁场强度；以及 所述霍尔传感器被配置成基于所收集的磁场强度来确定所述翻盖的角度。
19. 如权利要求17所述的终端，其中，所确定的角度被用于改变所述终端的用户界面 (UI)。
【文档编号】G06F3/0346GK104423630SQ201410119952
【公开日】2015年3月18日 申请日期:2014年3月27日 优先权日:2013年8月22日
【发明者】朴承焕, 陈炯男 申请人:美格纳半导体有限公司