触摸屏及显示装置的制作方法

本发明涉及显示领域，尤其涉及一种触摸屏及显示装置。

背景技术：

随着显示技术的飞速发展，触摸屏已经逐渐深入到人们的生活当中，目前的触控技术主要包括On-cell/In-cell/OGS，三种主流技术平分秋色，OGS在大尺寸上占据优势，on-cell/In-cell在小尺寸产品上有成本优势。

用户体验是触控追求的目标，触控灵敏性成为用户体验的关键因素之一。对于目前的On-cell/In-cell/OGS触控技术，主要采用电容式触控原理，采用ITO(氧化铟锡)作为Tx(触控驱动电极)/Rx(触控感应电极)的信号传输通道，但是用户要求更好的触控灵敏性及支持主被动笔时，高方阻的触控电极层(ITO Pattern)不能满足触控驱动IC的需求。因此，低方阻的ITO Pattern就呼之欲出，但是目前的低方阻ITO Pattern存在膜层较厚的问题，尤其在OGS工艺上，容易使低方阻ITO Pattern在爬坡的位置上出现脱落(Peeling)，严重影响产品的信赖性及良率，严重阻碍了触控性能的提高。

技术实现要素：

(一)要解决的技术问题

本发明要解决的技术问题是：如何解决现有触摸屏中触控电极层在爬坡时出现的脱落(Peeling)问题。

(二)技术方案

为解决上述技术问题，本发明的技术方案提供了一种触摸屏，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的触控电极层，所述触控电极层包括层叠设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层相接触，所述第一导电层包括金属材料，所述第二导电层包括透明导电材料，所述金属材料的电阻率小于所述透明导电材料的电阻率。

优选地，所述触控电极层包括第一区域和第二区域，所述触控电极层的第一区域的上表面高度低于所述触控电极层的第二区域的上表面高度，所述触控电极层还包括设置在所述第一区域与所述第二区域之间的爬坡部，所述触控电极层的第一区域与所述触控电极层的第二区域通过所述爬坡部相连接。

优选地，所述第二导电层设置在所述第一导电层远离所述衬底基板的一侧。

优选地，所述触控电极层远离所述衬底基板的一侧设置有氮氧化硅层。

优选地，所述第一导电层的厚度为1纳米～10纳米。

优选地，所述第二导电层的厚度为100埃米～450埃米。

优选地，所述金属材料包括铝、铜、银中的至少一种。

优选地，所述透明导电材料包括氧化铟锡。

优选地，还包括设置在所述衬底基板上的黑矩阵以及依次设置在所述触控电极层上的绝缘层、架桥层。

优选地，还包括设置在所述衬底基板上的黑矩阵、架桥层，所述架桥层上设置有绝缘层，所述触控电极层设置在所述绝缘层上。

为解决上述技术问题，本发明还提供了一种显示装置，包括上述的触摸屏。

(三)有益效果

本发明提供的触摸屏，其中的触控电极层包括由金属材料形成的第一导电层以及由透明导电材料形成的第二导电层，相比现有技术中仅由ITO制作的触控电极层，在相同的电阻下能够有效减小触控电极层的厚度，从而可以避免触控电极层在爬坡的位置上出现脱落(Peeling)的问题。

附图说明

图1是本发明实施方式提供的一种触摸屏的示意图；

图2是本发明实施方式提供的另一种触摸屏的示意图。

具体实施方式

下面结合附图和实施例，对本发明的具体实施方式作进一步详细描述。以下实施例用于说明本发明，但不用来限制本发明的范围。

本发明实施方式提供了一种触摸屏，包括衬底基板以及设置在所述衬底基板上的触控电极层，所述触控电极层包括层叠设置的第一导电层和第二导电层，所述第一导电层与所述第二导电层相接触，所述第一导电层包括金属材料，所述第二导电层包括透明导电材料，所述金属材料的电阻率小于所述透明导电材料的电阻率。

本发明实施方式提供的触摸屏，其中的触控电极层包括由金属材料形成的第一导电层以及由透明导电材料形成的第二导电层，相比现有技术中仅由ITO制作的触控电极层，在相同的电阻下能够有效减小触控电极层的厚度，从而可以避免触控电极层在爬坡的位置上出现脱落(Peeling)的问题。

例如，第一导电层的金属材料可以包括铝、铜、银中的至少一种，第二导电层的透明导电材料可以包括氧化铟锡(ITO)。

为减小金属材料对触控电极层透光性的影响，可以通过控制第一导电层的厚度从而使第一导电层具备较好的透光性，当由金属材料形成的第一导电层厚度较小时，第一导电层可以具备较好的透光性，例如，第一导电层的厚度可以小于10纳米(nm)，优选地，第一导电层的厚度可以为1纳米～10纳米，例如可以为3纳米、6纳米等，所述第二导电层的厚度可以为100埃米(A)～450埃米(A)，例如可以为300埃米、400埃米等。

由于金属材料易被氧化，优选地，所述第二导电层可以设置在所述第一导电层远离所述衬底基板的一侧，从而还可以使第二导电层起到对第一导电层保护的作用，防止第一导电层中的金属材料被氧化。

优选地，还可以在触控电极层远离所述衬底基板的一侧设置氮氧化硅层(SiNxOy)，从而达到改善消影及增透的目的。

在本发明中，触摸屏的触控电极层包括若干个触控电极，其中，每一个触控电极均包括第一导电层和第二导电层；

其中，触控电极层包括第一区域和第二区域，所述触控电极层的第一区域的上表面高度低于所述触控电极层的第二区域的上表面高度，所述触控电极层还包括设置在所述第一区域与所述第二区域之间的爬坡部，所述触控电极层的第一区域与所述触控电极层的第二区域通过所述爬坡部相连接。在本发明中，由于其中的触控电极层包括由金属材料形成的第一导电层以及由透明导电材料形成的第二导电层，相比现有技术中仅由ITO制作的触控电极层，在相同的电阻下能够有效减小触控电极层的厚度，从而可以避免触控电极层在爬坡的位置(即爬坡部)出现脱落(Peeling)的问题。

例如，对于目前5Mask工艺制作的OGS触摸屏(即采用金属架桥结构的OGS触摸屏)，其可采用上述结构的触控电极层，参见图1，图1是本发明实施方式提供的一种触摸屏的示意图，该触摸屏包括衬底基板110以及设置在衬底基板110上的黑矩阵120(BM)、触控电极层、以及依次设置在触控电极层上的绝缘层(OC1)140、架桥层151；

其中，所述触控电极层包括层叠设置的第一导电层131和第二导电层132，第一导电层131和第二导电层132相接触，且两者的图案可以相同(即第一导电层131在衬底基板上的投影与第二导电层132在衬底基板上的投影完全重叠)，第二导电层132为透明导电材料，例如，可以为ITO，第一导电层131为电阻率小于该透明导电材料的金属材料，例如，可以为纯铝、纯铜、纯银等，另外，由于第二导电层132设置在第一导电层131远离衬底基板110的一侧，从而还可以使第二导电层132起到对第一导电层131保护的作用，防止第一导电层131中的金属材料被氧化；

如图1所示，触控电极层包括第一区域13a和第二区域13b，所述触控电极层的第一区域13a的上表面高度低于所述触控电极层的第二区域13b的上表面高度，所述触控电极层还包括设置在所述第一区域13a与所述第二区域13b之间的爬坡部13c(爬BM的位置)，所述触控电极层的第一区域13a与所述触控电极层的第二区域13b通过所述爬坡部13c相连接，由于本发明在相同的电阻下能够有效减小触控电极层的厚度，从而可以避免触控电极层的爬坡部出现脱落(Peeling)的问题。

其中，第一导电层131的厚度可以为1纳米～10纳米，例如可以为3纳米、6纳米等，所述第二导电层132的厚度可以为100埃米(A)～450埃米(A)，例如可以为300埃米、400埃米等。

另外，架桥层151为金属材料，其与触摸屏周边的信号线152在一次构图工艺中同时形成；

在本实施方式中，触摸屏的触控电极层包括若干个触控电极，其中，每一个触控电极均包括第一导电层和第二导电层；

优选地，还可以在第二导电层132上设置氮氧化硅层(SiNxOy)，从而达到改善消影及增透的目的，例如可以在刻蚀形成触控电极层之后在其上增加氮氧化硅层。

本发明实施方式提供的触摸屏，其中的触控电极层包括由金属材料形成的第一导电层以及由透明导电材料形成的第二导电层，相比现有技术中的5Mask工艺的触摸屏，在相同的电阻下能够有效减小触控电极层的厚度，从而可以避免触控电极层在爬坡的位置(如爬BM的位置)上出现脱落(Peeling)的问题，有效改善采用低方阻ITO Pattern的触摸屏的性能。

例如，对于目前6Mask工艺制作的OGS触摸屏(即采用透明架桥结构的OGS触摸屏)，其可采用上述结构的触控电极层，参见图2，图2是本发明实施方式提供的一种触摸屏的示意图，该触摸屏包括衬底基板210以及设置在衬底基板210上的黑矩阵220(BM)、架桥层230，架桥层230上设置有绝缘层240(OC1)，绝缘层240上设置有触控电极层，触摸屏周边还设置有信号线260；

其中，所述触控电极层包括层叠设置的第一导电层251和第二导电层252，第一导电层251和第二导电层252相接触，且两者的图案可以相同(即第一导电层251在衬底基板上的投影与第二导电层252在衬底基板上的投影完全重叠)，第二导电层252为透明导电材料，例如，可以为ITO，第一导电层251为电阻率小于该透明导电材料的金属材料，例如，可以为纯铝、纯铜、纯银等，另外，由于第二导电层252设置在第一导电层251远离衬底基板210的一侧，从而还可以使第二导电层252起到对第一导电层251保护的作用，防止第一导电层251中的金属材料被氧化；

如图2所示，触控电极层包括第一区域25a和第二区域25b，所述触控电极层的第一区域25a的上表面高度低于所述触控电极层的第二区域25b的上表面高度，所述触控电极层还包括设置在所述第一区域25a与所述第二区域25b之间的爬坡部25c(爬OC1的位置)，所述触控电极层的第一区域25a与所述触控电极层的第二区域25b通过所述爬坡部25c相连接，由于本发明在相同的电阻下能够有效减小触控电极层的厚度，从而可以避免触控电极层的爬坡部出现脱落(Peeling)的问题。

其中，第一导电层251的厚度可以为1纳米～10纳米，例如可以为3纳米、6纳米等，所述第二导电层252的厚度可以为100埃米(A)～450埃米(A)，例如可以为300埃米、400埃米等。

另外，架桥层251为透明导电材料，例如可以为ITO；

在本实施方式中，触摸屏的触控电极层包括若干个触控电极，其中，每一个触控电极均包括第一导电层和第二导电层；

优选地，还可以在第二导电层252上设置氮氧化硅层(SiNxOy)，从而达到改善消影及增透的目的，例如可以在刻蚀形成触控电极层之后在其上增加氮氧化硅层。

本发明实施方式提供的触摸屏，其中的触控电极层包括由金属材料形成的第一导电层以及由透明导电材料形成的第二导电层，相比现有技术中的6Mask工艺的触摸屏，在相同的电阻下能够有效减小触控电极层的厚度，从而可以避免触控电极层在爬坡的位置(如爬OC1的位置)上出现桥点钻刻，防止在爬BM的位置上发生脱落(Peeling)，有效改善采用低方阻ITO Pattern的触摸屏的性能。

此外，本发明不仅适用于OGS结构的触摸屏，还适用于其他结构(如On-cell或In-cell结构)的触摸屏，由于其中的触控电极层包括由金属材料形成的第一导电层以及由透明导电材料形成的第二导电层，相比现有技术中仅由ITO制作的触控电极层，在相同的电阻下能够有效减小触控电极层的厚度，例如，随着目前On-cell上主被动笔及2in1产品(PC平板二合一产品)的诞生，要求触控电极层的方阻在10欧姆或者更低，若采用现有的制作工艺，采用低温ITO直接镀膜实现低方阻，其膜厚在4000A以上，不但影响刻蚀效果，还容易使触控电极层在爬坡的位置上出现脱落(Peeling)的问题，而采用本发明中的技术方案在相同的方阻下能够有效减小触控电极层的厚度，避免触控电极层在爬坡的位置上出现脱落(Peeling)的问题，实现高性能触摸屏的触控要求。

此外，本发明实施方式还提供了一种显示装置，包括上述的触摸屏。其中，本发明实施方式提供的显示装置可以是笔记本电脑显示屏、显示器、电视、数码相框、手机、平板电脑等任何具有显示功能的产品或部件。

以上实施方式仅用于说明本发明，而并非对本发明的限制，有关技术领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围的情况下，还可以做出各种变化和变型，因此所有等同的技术方案也属于本发明的范畴，本发明的专利保护范围应由权利要求限定。