薄膜晶体管的耐受静电电压的确定方法及设备与流程

本发明涉及显示面板制造领域，特别涉及一种薄膜晶体管的耐受静电电压的确定方法及设备。

背景技术：

薄膜晶体管(英文：thinfilmtransistor；简称：tft)是显示面板制造过程中比较重要的器件，随着tft制备技术的快速发展，对制备工艺和器件性能的要求不断提升。tft在投入量产之前，需要进行性能测试，尤其要检测tft的耐受静电电压，该耐受静电电压指的是tft所能够承受的最大的静电释放(英文：electro-staticdischarge；简称：esd)电压，超过该esd电压tft会产生不可逆的损伤。

传统的性能测试过程，是采用设计好的参数制作出tft样品，然后对该tft样品加载逐渐增大的esd电压直至该tft样品被击穿，然后将该tft样品击穿时的esd电压作为耐受静电电压。

但是，传统的性能测试过程需要进行tft样品的制造和实体测试，整个过程复杂，测试效率较低。

技术实现要素：

为了解决传统的性能测试过程复杂，测试效率较低的问题，本发明实施例提高了一种薄膜晶体管的耐受静电电压的确定方法及设备。所述技术方案如下：

第一方面，提供一种薄膜晶体管的耐受静电电压的确定方法，所述方法包括：

建立薄膜晶体管的器件模型；

在工艺参数为目标参数值时，确定所述薄膜晶体管的器件特性参数的参数阈值；

模拟对所述薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压，并检测所述加载静电释放电压的过程中，所述薄膜晶体管内部的器件特性参数的参数值；

当所述参数值达到所述参数阈值时，将当前加载的静电释放电压确定为所述薄膜晶体管在所述工艺参数为目标参数值时的耐受静电电压。

可选的，所述器件特性参数，包括：器件内部电压，所述器件内部电压的参数阈值为器件内部击穿电压值；

或者，所述器件特性参数，包括：器件内部场强，所述器件内部场强的参数阈值为器件内部击穿场强值；

或者，所述器件特性参数，包括：器件内部温度，所述器件内部温度的参数阈值为所述薄膜晶体管中指定材料的熔点。

可选的，所述工艺参数包括：栅绝缘层介电常数、栅绝缘层厚度、有源层厚度、源漏极图形的厚度、制造材料，栅极厚度、栅极绝缘层的刻蚀坡度角、有源层的刻蚀坡度角和源漏极图形的刻蚀坡度角中的至少一种。

可选的，所述模拟对所述薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压，并检测所述加载静电释放电压的过程中，所述薄膜晶体管内部的器件特性参数的参数值，包括：

通过半导体仿真工具软件模拟对所述薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压，并检测所述加载静电释放电压的过程中，所述薄膜晶体管内部的器件特性参数的参数值。

可选的，在所述将当前加载的静电释放电压确定为所述薄膜晶体管在所述工艺参数为目标参数值时的耐受静电电压后，所述方法还包括：

记录所述工艺参数的目标参数值与所述耐受静电电压的对应关系。

第二方面，提供一种薄膜晶体管的耐受静电电压的确定设备，包括：

建立模块，用于建立薄膜晶体管的器件模型；

第一确定模块，用于在工艺参数为目标参数值时，确定所述薄膜晶体管的器件特性参数的参数阈值；

模拟模块，用于模拟对所述薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压，并检测所述加载静电释放电压的过程中，所述薄膜晶体管内部的器件特性参数的参数值；

第二确定模块，用于当所述参数值达到所述参数阈值时，将当前加载的静电释放电压确定为所述薄膜晶体管在所述工艺参数为目标参数值时的耐受静电电压。

可选的，所述器件特性参数所述器件特性参数，包括：器件内部电压，所述器件内部电压的参数阈值为器件内部击穿电压值；

或者，所述器件特性参数，包括：器件内部场强，所述器件内部场强的参数阈值为器件内部击穿场强值；

或者，所述器件特性参数，包括：器件内部温度，所述器件内部温度的参数阈值为所述薄膜晶体管中指定材料的熔点。

可选的，所述模拟模块，用于：

通过半导体仿真工具软件模拟对所述薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压，并检测所述加载静电释放电压的过程中，所述薄膜晶体管内部的器件特性参数的参数值。

第三方面，提供一种计算机设备，所述设备包括：

处理器和存储器；所述存储器用于存储计算机执行指令，当所述计算机设备运行时，所述处理器执行所述存储器存储的所述计算机执行指令，以使所述装置执行第一方面任一所述的方法。

第四方面，提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现第一方面任一所述的方法的步骤。

本发明实施例提供的技术方案带来的有益效果是：

本发明实施例提供的薄膜晶体管的耐受静电电压的确定方法及设备，通过软件模拟的方式确定薄膜晶体管的耐受静电电压，无需生成薄膜晶体管样品并进行实体测试，减少了测试步骤，降低了测试复杂度，从而提高了测试效率。

附图说明

为了更清楚地说明本发明实施例中的技术方案，下面将对实施例描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。

图1是本发明实施例提供一种薄膜晶体管的耐受静电电压的确定方法的流程图；

图2-1是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的耐受静电电压的测试方法流程图；

图2-2是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的设计结构的俯视图；

图2-3是图2-2中a-a截面的仿真结构图；

图2-4是本发明实施例提供的一种模拟得到薄膜晶体管的内部电压分布曲线图；

图2-5是本发明实施例提供的另一种模拟得到薄膜晶体管的内部电压分布曲线图；

图2-6是本发明实施例提供的再一种模拟得到薄膜晶体管的内部电压分布曲线图；

图2-7是本发明实施例提供的一种模拟对薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压后，薄膜晶体管的内部电压分布图；

图3-1是本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管的耐受静电电压的测试方法流程图；

图3-2是本发明实施例提供的一种模拟对薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放场强后，薄膜晶体管的内部场强分布图；

图4-1是本发明实施例提供的又一种薄膜晶体管的耐受静电电压的测试方法流程图；

图4-2是模拟对薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放温度后，薄膜晶体管的内部温度分布图；

图5-1是本发明实施例提供的一种薄膜晶体管的耐受静电电压的确定设备的结构示意图；

图5-2是本发明实施例提供的另一种薄膜晶体管的耐受静电电压的确定设备的结构示意图。

具体实施方式

为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本发明实施方式作进一步地详细描述。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管的耐受静电电压的确定方法，如图1所示，该方法包括：

步骤101、建立薄膜晶体管的器件模型。

在本发明实施例中，可以采用半导体仿真工具软件建立薄膜晶体管的器件模型。示例的，该半导体仿真工具软件可以为半导体工艺模拟以及器件模拟工具软件，也称计算机辅助设计(英文：technologycomputeraideddesign；简称：tcad)软件。该tcad可以为sivalco公司的tcad或者新创建的tcad软件。

例如，可以通过调用sivalco公司的tcad中的athena工具来建立薄膜晶体管的器件模型。需要说明的是，薄膜晶体管的器件模型通常包括：衬底基板以及设置在衬底基板上的栅极、栅绝缘层、半导体有源层和源漏极金属层等。

步骤102、在工艺参数为目标参数值时，确定薄膜晶体管的器件特性参数的参数阈值。

可选的，上述工艺参数可以包括：栅绝缘层介电常数(英文：gateinsulator；简称：giε)、栅绝缘层厚度(英文：gateinsulatorthickness；简称：githk)、有源层厚度、源漏极图形的厚度、制造材料，栅极厚度、栅极绝缘层的刻蚀坡度角、有源层的刻蚀坡度角和源漏极图形的刻蚀坡度角中的至少一种。

上述器件特性参数可以为器件内部电压、器件内部场强或器件内部温度等等。上述器件特性参数中，有的是在不同的场景下会产生变化，例如在工艺参数变化时随之变化，则可以通过软件模拟来实现参数阈值的确定。示例的，可以通过调用sivalco公司的tcad中的atlas工具来模拟得到薄膜晶体管的器件特性参数的参数阈值。上述器件特性参数中，有的是器件的固有性能参数，因此可以直接获取该器件特性参数的参数阈值，例如通过接收人工输入参数阈值来获取，或者在预设的参数数据库中查询得到参数阈值。

步骤103、模拟对薄膜晶体管加载不断增大的静电释放电压，并检测加载静电释放电压的过程中，薄膜晶体管内部的器件特性参数的参数值。

可选的，可以通过半导体仿真工具软件，如tcad，模拟对薄膜晶体管加载不断增大的静电释放电压，并检测加载静电释放电压的过程中，薄膜晶体管内部的器件特性参数的参数值。

示例的，可以通过调用sivalco公司的tcad中的atlas工具来仿真模拟对薄膜晶体管加载不断增大的静电释放电压的过程，直至薄膜晶体管内部的器件特性参数的参数值达到参数阈值。

步骤104、当参数值达到参数阈值时，将当前加载的静电释放电压确定为薄膜晶体管在工艺参数为目标参数值时的耐受静电电压。

综上所述，本发明实施例提供的薄膜晶体管的耐受静电电压的确定方法，通过软件模拟的方式确定薄膜晶体管的耐受静电电压，无需生成薄膜晶体管样品并进行实体测试，减少了测试步骤，降低了测试复杂度，从而提高了测试效率。

在本发明实施例中，器件特性参数不同，器件内部电压的参数阈值也不同，相应的薄膜晶体管的耐受静电电压的测试过程也不同，本发明以以下三种可实现方式为例进行说明：

第一种可实现方式，器件特性参数包括：器件内部电压，器件内部电压的参数阈值为器件内部击穿电压值，当薄膜晶体管的器件内部电压达到该器件内部击穿电压值时，薄膜晶体管器件内部被击穿，薄膜晶体管会产生不可逆的损伤。则如图2-1所示，薄膜晶体管的耐受静电电压的测试过程包括：

步骤201、建立薄膜晶体管的器件模型。

步骤201的具体过程可以参考上述步骤101，本发明实施例对此不再赘述。

如图2-2所示，图2-2是一薄膜晶体管的设计结构的俯视图。该设计结构是在还没有投入生产的设计阶段，由工作人员设计的。如图2-3所示，图2-3是图2-2中a-a截面的仿真结构图，该仿真结构图对应图2-2所示的薄膜晶体管的器件模型。图2-3中横轴表示长度，单位为microns(中文：微米)，简称um，纵轴表示厚度，单位为um，图2-3中假设在衬底基板001上依次设置有栅极002、栅绝缘层003、半导体有源层004和源漏极金属层005，该源漏极金属层005包括源极和漏极。其中衬底基板001的材质为sio2(中文：二氧化硅)，栅极002的材质为alnd(中文：铝钕)和molybdenum(中文：钼)，栅绝缘层003的材质为si3n4(中文：氮化硅)，半导体有源层004的材质为silicon(中文：非晶硅)，源漏极金属层005的材质为n+silicon(中文：n+非晶硅)。

步骤202、在工艺参数为目标参数值时，确定薄膜晶体管的器件内部击穿电压值。

可选的，上述工艺参数可以包括：栅绝缘层介电常数、栅绝缘层厚度、有源层厚度、源漏极图形的厚度、制造材料，栅极厚度、栅极绝缘层的刻蚀坡度角、有源层的刻蚀坡度角和源漏极图形的刻蚀坡度角中的至少一种。

本发明实施例可以通过半导体仿真工具软件模拟得到薄膜晶体管的器件内部击穿电压值，示例的，假设工艺参数包括栅绝缘层介电常数，giε＝6.5，如图2-4所示，可以通过调用sivalco公司的tcad中的atlas工具来模拟得到薄膜晶体管的内部电压分布曲线。其中图2-4中横坐标表示漏极偏压，单位为v(伏)，纵坐标表示漏极电流的log值，单位为a/um(安每微米)，图2-4中的曲线的拐点的电压值即为器件内部击穿电压值vb，图2-4器件内部击穿电压值vb为器件内部漏极的击穿电压值。

需要说明的是，工艺参数不同，确定的薄膜晶体管的器件内部击穿电压值也不同，在具体测试过程中，可以将工艺参数设置为预先设计的目标参数值来确定薄膜晶体管的器件内部击穿电压值。

如图2-5所示，图2-5是giε为不同参数时，通过调用sivalco公司的tcad中的atlas工具来模拟得到的薄膜晶体管的内部电压分布曲线。图2-5中，曲线a为giε＝6.5时，薄膜晶体管的内部电压分布曲线，曲线b为giε＝7时，薄膜晶体管的内部电压分布曲线，曲线c为giε＝7.5时，薄膜晶体管的内部电压分布曲线，曲线d为giε＝8时，薄膜晶体管的内部电压分布曲线。每个曲线的拐点的电压值即为该曲线所对应的器件内部击穿电压值。由图2-5可以看出，在其他类型的工艺参数不变的前提下，giε越大，器件内部击穿电压值越小，也即是giε与器件内部击穿电压值成反比。

如图2-6所示，图2-6是thk为不同参数值时，通过调用sivalco公司的tcad中的atlas工具来模拟得到的薄膜晶体管的内部电压分布曲线。图2-6中，曲线e为thk＝0.2um时，薄膜晶体管的内部电压分布曲线，曲线f为thk＝0.3um时，薄膜晶体管的内部电压分布曲线，曲线g为thk＝0.4um时，薄膜晶体管的内部电压分布曲线，曲线h为thk＝0.5um时，薄膜晶体管的内部电压分布曲线，曲线i为thk＝0.6um时，薄膜晶体管的内部电压分布曲线。每个曲线的拐点的电压值即为该曲线所对应的器件内部击穿电压值。由图2-6可以看出，在其他类型的工艺参数不变的前提下，thk越大，器件内部击穿电压值越大，也即是thk与器件内部击穿电压值成正比。

步骤203、模拟对薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压，并检测加载静电释放电压的过程中，薄膜晶体管的器件内部电压的电压值。

步骤203的具体过程可以参考上述步骤103，本发明实施例对此不再赘述。

如图2-7所示，图2-7是模拟对薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压后，薄膜晶体管的内部电压分布图。其中图2-7中横坐标表示长度，单位为um，纵坐标表示厚度，单位为um。图2-7中右下角标示设置有薄膜晶体管的衬底基板的材料，该材料的介绍可以参考图2-3中薄膜晶体管的材料的介绍。图2-7中左下角标示薄膜晶体管的内部电压分布，薄膜晶体管内部的电压的大小按照左下角的颜色的排布从2.8v到0.279v逐渐减小，需要说明的是，左下角的-0.000377v是衬底基板的电压。

步骤204、当器件内部电压的电压值达到器件内部击穿电压值时，将当前加载的静电释放电压确定为薄膜晶体管在工艺参数为目标参数值时的耐受静电电压。

由于步骤202中已经确定了薄膜晶体管的器件内部击穿电压值，因此，在步骤206模拟对薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压的过程中，需要通过不断观察如上述图2-7所示薄膜晶体管的内部电压分布图，来判断薄膜晶体管的器件内部电压的电压值是否达到器件内部击穿电压值。当器件内部电压的电压值达到器件内部击穿电压值时，将当前加载的静电释放电压确定为薄膜晶体管在工艺参数为目标参数值时的耐受静电电压。

示例的，假设giε＝7，thk＝0.4um，器件内部击穿电压值为12v，在步骤206模拟对薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压的过程中，当加载的静电释放电压为30v时，薄膜晶体管的器件内部某一处的电压值达到12v，则将30v作为薄膜晶体管在giε＝7，thk＝0.4um时的耐受静电电压。

步骤205、记录工艺参数的目标参数值与耐受静电电压的对应关系。

记录工艺参数的目标参数值与耐受静电电压的对应关系后，当后续再次设计或生产薄膜晶体管可以参考该对应关系，无需再次进行薄膜晶体管的耐受静电电压的确定，简化了后续设计或生产流程。

需要说明的是，由于上述过程中的薄膜晶体管实际上是一未投入生产的设计结构，在设计阶段，根据具体情况还需要对其工艺参数进行进一步调整或改进，因此，在实际应用中，可以更新工艺参数的目标参数值，重复执行上述步骤202至205，直至获取了符合制造要求的目标耐受静电电压，然后采用该目标耐受静电电压所对应的工艺参数的目标参数值来进行薄膜晶体管的生成。或者，可以更新工艺参数的目标参数值，重复执行上述步骤202至205，获取多组工艺参数的目标参数值与耐受静电电压的对应关系，在后续生成过程中，可以参考该多组对应关系，以采用合适的工艺参数的参数值来进行薄膜晶体管的生产。其中，更新工艺参数的目标参数值指的是改变工艺参数的目标参数值的信息或者数值，例如，工艺参数为栅绝缘层介电常数时，更新工艺参数的目标参数值指的是更新栅绝缘层介电常数的数值；工艺参数为制造材料时，更新工艺参数的目标参数值指的是变更制造材料。

第二种可实现方式，器件特性参数包括：器件内部场强，器件内部场强的参数阈值为器件内部击穿场强值，当薄膜晶体管的器件内部场强达到该器件内部击穿场强值时，薄膜晶体管器件内部被击穿，薄膜晶体管会产生不可逆的损伤。则如图3-1所示，则薄膜晶体管的耐受静电电压的测试过程包括：

步骤301、建立薄膜晶体管的器件模型。

步骤301的具体过程可以参考上述步骤101或步骤201，本发明实施例对此不再赘述。

步骤302、在工艺参数为目标参数值时，确定薄膜晶体管的器件内部击穿场强值。

本发明实施例可以通过半导体仿真工具软件模拟得到薄膜晶体管的器件内部击穿场强值，示例的，可以通过调用sivalco公司的tcad中的atlas工具来模拟得到薄膜晶体管的内部场强分布曲线。通过该曲线确定器件内部击穿场强值。内部击穿场强值指的是该薄膜晶体管中任一材料的内部击穿场强值，例如n+silicon：3e+5v/cm，sio2：1019v/cm(该sio2可以是衬底基板的材质，也可以是绝缘层的材质)或si3n4：3.8e+6v/cm。

步骤302的具体过程可以参考上述步骤102或步骤202，本发明实施例对此不再赘述。

步骤303、模拟对薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压，并检测加载静电释放电压的过程中，薄膜晶体管的器件内部场强的场强值。

步骤303的具体过程可以参考上述步骤103或步骤203，本发明实施例对此不再赘述。

如图3-2所示，图3-2是模拟对薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放场强后，薄膜晶体管的内部场强分布图。其中图3-2中横坐标表示长度，单位为um，纵坐标表示厚度，单位为um。图3-2中右下角标示设置有薄膜晶体管的衬底基板的材料，该材料的介绍可以参考图2-3中薄膜晶体管的材料的介绍。图3-2中左下角标示薄膜晶体管的内部场强分布，薄膜晶体管内部的场强的大小按照左下角的颜色的排布从：1.82e+5(即1.82*10⁵)v/cm到1.82e+4(即1.82*10⁴)v/cm逐渐减小，需要说明的是，左下角的0表示衬底基板的场强。

步骤304、当场强值达到器件内部击穿场强值时，将当前加载的静电释放电压确定为薄膜晶体管在工艺参数为目标参数值时的耐受静电电压。

步骤305、记录工艺参数的目标参数值与耐受静电电压的对应关系。

记录工艺参数的目标参数值与耐受静电电压的对应关系后，当后续再次设计或生产薄膜晶体管可以参考该对应关系，无需再次进行薄膜晶体管的耐受静电电压的确定，简化了后续设计或生产流程。

需要说明的是，由于上述过程中的薄膜晶体管实际上是一未投入生产的设计结构，在设计阶段，根据具体情况还需要对其工艺参数进行进一步调整或改进，因此，在实际应用中，可以更新工艺参数的目标值，重复执行上述步骤302至305，直至获取了符合制造要求的目标耐受静电电压，然后采用该目标耐受静电电压所对应的工艺参数的目标参数值来进行薄膜晶体管的生成。或者，可以更新工艺参数的目标值，重复执行上述步骤302至305，获取多组工艺参数的目标参数值与耐受静电电压的对应关系，在后续生成过程中，可以参考该多组对应关系，以采用合适的工艺参数的参数值来进行薄膜晶体管的生产。其中，更新工艺参数的目标参数值指的是改变工艺参数的目标参数值的信息或者数值，例如，工艺参数为栅极绝缘层的刻蚀坡度角时，更新工艺参数的目标参数值指的是更新栅极绝缘层的刻蚀坡度角的坡度值。

第三种可实现方式，器件特性参数包括：器件内部温度，器件内部温度的参数阈值为薄膜晶体管中指定材料的熔点，当薄膜晶体管的器件内部温度达到该指定材料的熔点时，薄膜晶体管器件内部的指定材料会熔融，薄膜晶体管会产生不可逆的损伤。在本发明实施例中，指定材料可以为该薄膜晶体管中任一材料或者熔点最低的材料或者源漏极金属层的材料，例如该薄膜晶体管中的sio2、si3n4或者n+silicon，实际应用中，只要达到该器件内部的熔点最低的材料的熔点，该薄膜晶体管器件内部的熔点最低的材料便会熔融，因此，该指定材料通常可以指该薄膜晶体管中熔点最低的材料的熔点。进一步的，当源漏极金属层熔融时，薄膜晶体管的损伤最大，因此，该指定材料也可以为源漏极金属层的材料，如n+silicon。

则如图4-1所示，则薄膜晶体管的耐受静电电压的测试过程包括：

步骤401、建立薄膜晶体管的器件模型。

步骤401的具体过程可以参考上述步骤101或201，本发明实施例对此不再赘述。

步骤402、在工艺参数为目标参数值时，确定薄膜晶体管中指定材料的熔点。

由于材料熔点为材料的固有性能参数，因此可以基于指定材料来确定其熔点。例如，指定材料为n+silicon时，其熔点为1688k(中文：开尔文)。该熔点可以通过接收人工输入参数阈值来获取，或者在预设的参数数据库中查询得到。

步骤401的具体过程可以参考上述步骤101，本发明实施例对此不再赘述。

步骤403、模拟对薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压，并检测加载静电释放电压的过程中，薄膜晶体管内部的器件内部温度的温度值。

步骤403的具体过程可以参考上述步骤103或203，本发明实施例对此不再赘述。

如图4-2所示，图4-2是模拟对薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放温度后，薄膜晶体管的内部温度分布图。其中图4-2中横坐标表示长度，单位为un，纵坐标表示厚度，单位为um。图4-2中右下角标示设置有薄膜晶体管的衬底基板的材料，该材料的介绍可以参考图2-3中薄膜晶体管的材料的介绍。图4-2中左下角标示薄膜晶体管的内部温度分布，薄膜晶体管内部的温度的大小按照左下角的颜色的排布从：330k到300k逐渐减小。

步骤404、当温度值达到指定材料的熔点时，将当前加载的静电释放电压确定为薄膜晶体管在工艺参数为目标参数值时的耐受静电电压。

步骤405、记录工艺参数的目标参数值与耐受静电电压的对应关系。

记录工艺参数的目标参数值与耐受静电电压的对应关系后，当后续再次设计或生产薄膜晶体管可以参考该对应关系，无需再次进行薄膜晶体管的耐受静电电压的确定，简化了后续设计或生产流程。

需要说明的是，由于上述过程中的薄膜晶体管实际上是一未投入生产的设计结构，在设计阶段，根据具体情况还需要对其工艺参数进行进一步调整或改进，因此，在实际应用中，可以更新工艺参数的目标值，重复执行上述步骤402至405，直至获取了符合制造要求的目标耐受静电电压，然后采用该目标耐受静电电压所对应的工艺参数的目标参数值来进行薄膜晶体管的生成。或者，可以更新工艺参数的目标值，重复执行上述步骤402至405，获取多组工艺参数的目标参数值与耐受静电电压的对应关系，在后续生成过程中，可以参考该多组对应关系，以采用合适的工艺参数的参数值来进行薄膜晶体管的生产。其中，更新工艺参数的目标参数值指的是改变工艺参数的目标参数值的信息或者数值，例如，工艺参数为源漏极图形的厚度时，更新工艺参数的目标参数值指的是更新源漏极图形的厚度的数值。

综上所述，本发明实施例提供的薄膜晶体管的耐受静电电压的确定方法，通过软件模拟的方式确定薄膜晶体管的耐受静电电压，无需生成薄膜晶体管样品并进行实体测试，减少了测试步骤，降低了测试复杂度，从而提高了测试效率。

本发明实施例提供一种薄膜晶体管的耐受静电电压的确定设备50，如图5-1所示，包括：

建立模块501，用于建立薄膜晶体管的器件模型；

第一确定模块502，用于在工艺参数为目标参数值时，确定所述薄膜晶体管的器件特性参数的参数阈值；

模拟模块503，用于模拟对所述薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压，并检测所述加载静电释放电压的过程中，所述薄膜晶体管内部的器件特性参数的参数值；

第二确定模块504，用于当所述参数值达到所述参数阈值时，将当前加载的静电释放电压确定为所述薄膜晶体管在所述工艺参数为目标参数值时的耐受静电电压。

综上所述，本发明实施例提供的薄膜晶体管的耐受静电电压的确定设备，通过软件模拟的方式确定薄膜晶体管的耐受静电电压，无需生成tft样品并进行实体测试，减少了测试步骤，降低了测试复杂度，从而提高了测试效率。

可选的，所述器件特性参数所述器件特性参数，包括：器件内部电压，所述器件内部电压的参数阈值为器件内部击穿电压值；或者，所述器件特性参数，包括：器件内部场强，所述器件内部场强的参数阈值为器件内部击穿场强值；或者，所述器件特性参数，包括：器件内部温度，所述器件内部温度的参数阈值为所述薄膜晶体管中指定材料的熔点。

可选的，所述模拟模块503，用于：

通过半导体仿真工具软件模拟对所述薄膜晶体管的加载不断增大的静电释放电压，并检测所述加载静电释放电压的过程中，所述薄膜晶体管内部的器件特性参数的参数值。

可选的，所述工艺参数包括：栅绝缘层介电常数和/或栅绝缘层厚度。

可选的，如图5-2所示，所述设备还包括：

记录模块505，用于记录所述工艺参数的目标参数值与所述耐受静电电压的对应关系。

综上所述，本发明实施例提供的薄膜晶体管的耐受静电电压的确定设备，通过软件模拟的方式确定薄膜晶体管的耐受静电电压，无需生成tft样品并进行实体测试，减少了测试步骤，降低了测试复杂度，从而提高了测试效率。

本发明实施例提供一种计算机设备，该设备包括：

处理器和存储器；所述存储器用于存储计算机执行指令，当所述计算机设备运行时，所述处理器执行所述存储器存储的所述计算机执行指令，以使所述装置执行上述实施例提供的所述的薄膜晶体管的耐受静电电压的确定方法。

本发明实施例提供一种计算机可读存储介质，其上存储有计算机程序，其特征在于，该程序被处理器执行时实现上述实施例提供的薄膜晶体管的耐受静电电压的确定方法的步骤。

本领域普通技术人员可以理解实现上述实施例的全部或部分步骤可以通过硬件来完成，也可以通过程序来指令相关的硬件完成，所述的程序可以存储于一种计算机可读存储介质中，上述提到的存储介质可以是只读存储器，磁盘或光盘等。

以上所述仅为本发明的较佳实施例，并不用以限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内，所作的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围之内。