本发明涉及触控技术领域，尤其涉及一种阵列基板及显示面板。
背景技术
随着显示技术的飞速发展，触控屏(touchpanel，简称tp)的诞生使人们的生活更加便捷。如今，内嵌电容式触控技术已经被广泛应用于显示领域。
技术实现要素：
本发明的实施例提供一种阵列基板及显示面板，在数据线采用列翻转驱动方式时，使触控电极走线所穿过的亚像素中像素电极两侧的寄生电容相互抵消，从而改善画面异常现象。
为达到上述目的，本发明的实施例采用如下技术方案：
一方面，提供一种阵列基板，包括设置于衬底上的多根触控电极走线；每根所述触控电极走线均包括多个第一走线段和多个第二走线段，所述第一走线段和所述第二走线段间隔设置，任意相邻的所述第一走线段和所述第二走线段通过一个第三走线段连接；每根所述触控电极走线在由显示区向所述显示区一侧的非显示区延伸的过程中，均穿过连续的位于同一列的多个亚像素；对于所述触控电极走线穿过的任一个亚像素，所述第一走线段位于与该亚像素连接的第一数据线和该亚像素中的像素电极之间，所述第二走线段位于与所述第一数据线相邻的第二数据线和该亚像素中的像素电极之间。
在一些实施例中，对于所述触控电极走线穿过的任一个亚像素，该亚像素中的所述像素电极包括沿所述第一数据线方向分布的至少一个第一部分和至少一个第二部分，所述第一部分和所述第二部分交替设置；且在该亚像素中，所述第一走线段位于所述第一数据线与所述第一部分之间，所述第二走线段位于所述第二数据线与所述第二部分之间；所述第一部分和所述第二部分在栅线方向上错开一定距离。
在一些实施例中，对于所述触控电极走线穿过的任一个亚像素，该亚像素中的所述像素电极包括一个所述第一部分和一个所述第二部分。
在一些实施例中，所述第一走线段与所述第二部分靠近所述第一数据线的边齐平，所述第二走线段与所述第一部分靠近所述第二数据线的边齐平。
在一些实施例中，所述第一部分靠近所述第二数据线的边的长度等于所述第二部分靠近所述第一数据线的边的长度；所述第一部分与所述第二数据线之间的间距等于所述第二部分与所述第一数据线之间的间距。
在一些实施例中，所述第一走线段与所述第二部分靠近所述第一数据线的边齐平，所述第二走线段与所述第一部分靠近所述第二数据线的边齐平。在此基础上，所述第一走线段与所述第一数据线的间距等于所述第二走线段与所述第二数据线的间距；所述第一走线段与所述第一部分的间距等于所述第二走线段与所述第二部分的间距。
在此基础上，在一些实施例中，所述第一部分靠近所述第一走线段的边的长度等于所述第二部分靠近所述第二走线段的边的长度。
在一些实施例中，所述第一走线段和所述第二走线段、以及包括所述第一数据线和所述第二数据线在内的所有数据线均平行设置；所述第三走线段与所述栅线平行设置。
在一些实施例中，所述触控电极走线、以及包括所述第一数据线和所述第二数据线在内的所有数据线同层设置。
另一方面，提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
本发明的实施例提供一种阵列基板及显示面板，在每根触控电极走线所穿过的每一亚像素中，通过使触控电极走线的第一走线段位于与该亚像素连接的第一数据线和该亚像素中的像素电极之间，第二走线段位于与第一数据线相邻的第二数据线和该亚像素中的像素电极之间(即，使第一走线段和第二走线段分别位于该亚像素中像素电极的左右两侧)，可使第二数据线的部分线段与像素电极直接相邻，从而通过合理设置第二数据线中与像素电极直接相邻的线段的长度以及该线段与像素电极之间的间距，可在包括第一数据线和第二数据线在内的所有数据线采用列翻转驱动方式时，使像素电极沿栅线方向两侧的寄生电容相互抵消，从而改善画面异常现象。
附图说明
为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案，下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍，显而易见地，下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例，对于本领域普通技术人员来讲，在不付出创造性劳动的前提下，还可以根据这些附图获得其他的附图。
图1为相关技术提供的一种触控电极与触控电极走线连接的示意图；
图2为相关技术提供的一种触控电极走线在显示区中延伸的示意图；
图3为本发明的一些实施例提供的一种阵列基板的示意图；
图4为本发明的一些实施例提供的另一种阵列基板的示意图。
附图标记：
1-显示区；2-非显示区；10-触控电极；11-触控电极走线；12-亚像素；15-第一亚像素；16-第一像素电极；20-数据线；21-第一数据线；22-第二数据线；30-栅线；40-像素电极；111-第一走线段；112-第二走线段；113-第三走线段；401-第一部分；402-第二部分。
具体实施方式
下面将结合本发明实施例中的附图，对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本发明保护的范围。
对于内嵌自容式触控技术，如图1所示，通常使多个触控电极10呈阵列排布，且每个触控电极10通过触控电极走线11连接至位于显示区1一侧非显示区2中的触控驱动芯片(touchdriveric，tic)。其中，在显示区1中，与每个触控电极10电连接的触控电极走线11均从起始点开始在显示区1中沿某一方向(例如竖直方向)延伸，直至延伸至显示区1靠近设置tic的非显示区2的边缘，并延伸至非显示区2。需要说明的是，对于任意一根触控电极走线11，其起始点即为：该触控电极走线11与对应的触控电极10电连接的点。
如图2所示，对于任意一根触控电极走线11，其在由起始点向显示区1的边缘延伸的过程中，从一列亚像素的连续的至少部分亚像素(图2中以该亚像素为第一亚像素15进行示意)中穿过。基于触控电极走线11这样的设置方式，导致与第一亚像素15中的第一像素电极16相邻且非电连接的数据线20与第一亚像素15中的第一像素电极16的间距变宽，从而当数据线20驱动为列翻转方式，即，一帧画面中相邻的数据线20电压分别“+”和“-”时，使得第一亚像素15中的第一像素电极16沿栅线30方向两侧的寄生电容不能相互抵消。从而在栅线30逐行扫描的过程中，第一亚像素15中的第一像素电极16会被数据线20电压拉的更高或是更低，造成画面显示异常。
基于此，本发明的一些实施例提供一种阵列基板，包括设置于衬底上的多根触控电极走线11；如图3所示，每根触控电极走线11均包括多个第一走线段111和多个第二走线段112，第一走线段111和第二走线段112间隔设置，任意相邻的第一走线段111和第二走线段112通过一个第三走线段113连接。即，每根触控电极走线11的形状均类似于蛇形。
在一些实施例中，多根触控电极走线11平行设置。
可以理解的是，第一走线段111和第二走线段112间隔设置，即，对于任意一根触控电极走线11而言，从与对应的触控电极的电连接的起始点开始，在其向非显示区2的延伸过程中，第一走线段111、第二走线段112依次交替设置。
每根触控电极走线11在由显示区1向显示区1一侧的非显示区2延伸的过程中，均穿过连续的位于同一列的多个亚像素12；对于触控电极走线11穿过的任一个亚像素12，第一走线段111位于与该亚像素12连接的第一数据线21和该亚像素12中的像素电极40之间，第二走线段112位于与第一数据线21相邻的第二数据线22和该亚像素12中的像素电极40之间。
需要说明的是，对于描述“与该亚像素12连接的第一数据线21”，本领域技术人员明白，第一数据线21实际是与该亚像素12中的tft(thinfilmtransistor，薄膜晶体管)连接。
此外，由上述对第一走线段111和第二走线段112的描述可知，对于触控电极走线11穿过的任一个亚像素12，第一走线段111和第二走线段112分别位于该亚像素12中像素电极40的左右两侧。
本发明的实施例提供一种阵列基板，在每根触控电极走线11所穿过的每一亚像素12中，通过使触控电极走线11的第一走线段111位于与该亚像素12连接的第一数据线21和该亚像素12中的像素电极40之间，第二走线段112位于与第一数据线21相邻的第二数据线22和该亚像素12中的像素电极40之间(即，使第一走线段111和第二走线段112分别位于该亚像素12中像素电极40的左右两侧)，可使第二数据线22的部分线段与像素电极40直接相邻，从而通过合理设置第二数据线22中与像素电极40直接相邻的线段的长度以及该线段与像素电极40之间的间距，可在包括第一数据线21和第二数据线22在内的所有数据线采用列翻转驱动方式时，使像素电极40沿栅线30方向两侧的寄生电容相互抵消，从而改善画面异常现象。
需要说明的是，上述的“直接相邻”是指，直接相邻的二者之间没有其他导电线或导电电极。
在一些实施例中，如图4所示，对于触控电极走线11穿过的任一个亚像素12，该亚像素12中的像素电极40包括沿第一数据线21方向分布的至少一个第一部分401和至少一个第二部分402，第一部分401和第二部分402交替设置。在该亚像素12中，第一走线段111位于第一数据线21与第一部分401之间，第二走线段112位于第二数据线22与第二部分402之间；第一部分401和第二部分402在栅线30方向上错开一定距离。
通过使像素电极40包括至少一个第一部分401和至少一个第二部分402，且使第一部分401和第二部分402交替设置，在能保证像素电极40两侧的寄生电容相互抵消的情况下，可使第二数据线22沿直线延伸。从而在工艺上更简单。
在此基础上，在一些实施例中，第一部分401和第二部分402在栅线30方向上错开一定距离，可以是：相对第二部分402靠近第一数据线21的边，第一部分401靠近第一数据线21的边向靠近第二数据线22一侧缩进。这样在满足工艺间距的情况下，可使该像素电极40所在的亚像素12的尺寸在满足设计要求的基础上尽量小。
在此基础上，在一些实施例中，对于触控电极走线11穿过的任一个亚像素，如图4所示，该亚像素中的像素电极40包括一个第一部分401和一个第二部分402。这样可避免像素电极40的制备工艺过于复杂。
在一些实施例中，第一走线段111与第二部分402靠近第一数据线21的边齐平，第二走线段112与第一部分401靠近第二数据线22的边齐平。这样，可使像素电极40所在的亚像素12的尺寸在满足设计要求的基础上更小。
在一些实施例中，如图4所示，第一部分401靠近第二数据线22的边的长度等于第二部分402靠近第一数据线21的边的长度。第一部分401与第二数据线22之间的间距等于第二部分402与第一数据线21之间的间距。
基于此，可使像素电极40两侧的寄生电容相等，从而在列翻转驱动方式下，使像素电极40两侧的寄生电容相互抵消。
在第一走线段111与第二部分402靠近第一数据线21的边齐平，第二走线段112与第一部分401靠近第二数据线22的边齐平的基础上，在一些实施例中，如图4所示，第一走线段111与第一数据线21的间距等于第二走线段112与第二数据线22的间距；第一走线段111与第一部分401的间距等于第二走线段112与第二部分402的间距。即使第一数据线21和第二数据线22分别通过第一走线段111和第二走线段112对像素电极40产生耦合电容，也由于这样的设置方式，使得像素电极40两侧的耦合电容能相互抵消。
在一些实施例中，第一部分401靠近第一走线段111的边的长度等于第二部分402靠近第二走线段112的边的长度。
在一些实施例中，第一走线段111和第二走线段112、以及包括第一数据线21和第二数据线22在内的所有数据线平行；第三走线段113与栅线30平行。使得制备触控电极走线11的工艺更简单。
在一些实施例中，触控电极走线11、以及包括第一数据线21和第二数据线22在内的所有数据线同层设置。这样可避免构图工艺次数的增加。
在一些实施例中，所述阵列基板还包括多个呈阵列排布的触控电极，触控电极与触控电极走线11一一对应且电连接。在一些实施例中，触控电极与公共电极共用。在另一些实施例中，触控电极与阴极共用。
本发明实施例还提供一种显示面板，包括上述的阵列基板。
该显示面板可以是液晶显示面板，也可以是oled(organiclightemittingdiode，有机电致发光二极管)显示面板。
以上所述，仅为本发明的具体实施方式，但本发明的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本发明揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本发明的保护范围之内。因此，本发明的保护范围应以所述权利要求的保护范围为准。