一种基于蒙特卡洛模拟碳/碳复合材料织构的方法

文档序号:8259241阅读:515来源:国知局
一种基于蒙特卡洛模拟碳/碳复合材料织构的方法
【技术领域】
[0001] 本本发明涉及一种碳/碳(C/C)复合材中料热解碳织构形成机制的研究方法, 特别是涉及了一种C/C复合材料热解碳沉积工艺的预测方法,还涉及了一种基于Monte Carlo随机模拟研究分析的方法。该发明应用于建立了工艺参数数据库和分析CVI工艺参 数对热解碳沉积过程影响的技术领域,对C/C复合材料工业生产有较好的技术指导意义。
【背景技术】
[0002] C/C复合材料即碳纤维增强碳基复合材料,是一种耐高温高性能结构材料,具有高 比强度、高比模量、耐磨以及良好的韧性,被广泛应用于航空航天领域。按照制备工艺的不 同,C/C复合材料的碳基体可分为:浙青碳、树脂碳和热解碳。其中以热解碳为基体的C/ c复合材料综合性能最佳。因在偏光显微镜的消光角的不同,C/C复合材料又分为高织构 (HT)、中织构(MT)和低织构(LT),其中以高织构应用范围最广。
[0003] 目前,CVI是制备热解碳最普遍的工艺,采用气相烃类为前驱气体,经过复杂的气 相反应和表面沉积反应得到不同织构的热解碳基体,这种方法制备的热解碳基体微观结构 变化大,存在许多内部亚界面,直接影响到材料宏观力学性能。长期以来人们一直希望能通 过控制CVI工艺参数来控制沉积的热解碳基体的微观结构,得到满足不同服役条件的C/C 复合材料。因此探索C/C复合材料中热解碳基体微观结构界面的形成机制,将有助于深入 理解热解碳沉积过程的关键控制因素,有助于实现C/C复合材料热解碳基体相微观结构的 预测,并能为碳/碳复合材料可控制备提供理论支持。
[0004] Monte Carlo (MC)方法即随机模拟方法,利用随机数对模拟体系进行模拟,以产生 数值形式的概率分布而得名,其不仅能用于求解确定性的数学问题,更加善于解决随机性 问题,尤其可对一些物理、化学学科中的实际问题进行直接模拟。因此能够利用MC方法对 CVI过程中热解碳在基体表面的沉积过程进行模拟,还能够真实的反映积表面相关参数对 于整体表面反应的影响。本发明采用MC方法,建立一个能够描述热解碳基体微观结构中界 面形成的非均相反应动力学机理,并基于该机理模拟出热解碳基体相的连续沉积中微观结 构的转变过程。

【发明内容】

[0005] 为了解决现有技术问题,本发明克服热解碳沉积工艺存在的耗时长、费用高和废 气处理困难等众多不足,提供了一种基于MC方法模拟C/C复合材料热解碳织构形成机制的 方法。MC方法,善于解决随机性的问题,而热解碳的沉积过程正是一个随机吸附沉积的过 程。因此可以利用MC方法建立六边形模型对CVI过程中热解碳在基体表面的沉积过程进 行模拟,还能够真实的反映积表面相关参数对于整体表面反应的影响。
[0006] 为达到上述发明创造目的,本发明采用下述技术方案:一种基于Monte Carlo模 拟研究碳/碳复合材料织构形成机制的方法,包括如下步骤: A.热解碳沉积化学动力学建模:CVI过程中热解碳基体生长是一个由非均相反应控 制的生长过程,在本发明中简化为7中组分和9个反应,包含小分子芳香烃类C6(记为P)和 线性小分子烃类C2 (记为F)两种主要的气相组分,按照L-H理论将沉积成碳的过程分为组 分吸附、表面组分脱附和表面脱氢反应三个过程。基于P-F模型将MT和HT热解碳作为碳 的两种亚稳相,以气相中的两种主要组分作为热解碳沉积的前驱体(线性小分子烃C 2和小 分子芳香烃C6),假设基体表面单分子沉积形成MT热解碳和表面双分子反应形成HT热解碳 的过程,建立热解碳沉积的化学反应动力学模型(如图1所示)。
[0007] 基于此化学反应动力学模型,我们提出以下假设,(1)在反应器入口处已完全转化 为小分子A即1^=0 ; (2)不考虑(:2和C 6之间的转化;(3)不考虑C 2在C 6的加成。基于这些 假设,此化学动力学模型包含以下7个反应:
【主权项】
1. 在一种基于蒙特卡洛模拟碳/碳复合材料织构的方法,其特征在于包括以下步骤: A. 热解碳沉积化学动力学建模:CVI过程中热解碳基体生长是一个由非均相反应控 制的生长过程,涉及7中组分和9个反应,包含小分子芳香烃类C6和小分子线性烃类C2两 种主要的气相组分,其中,C6记为P,C2记为F;按照L-H理论将沉积成碳的过程分为组分吸 附、表面组分脱附和表面脱氢反应这三个过程,基于P-F模型将MT和HT热解碳作为碳的两 种亚稳相,以气相中的两种主要组分线性小分子烃C2和小分子芳香烃(:6作为热解碳沉积的 前驱体,假设基体表面单分子沉积形成MT热解炭和表面双分子反应形成HT热解炭的过程, 建立热解碳沉积的化学动力学模型; B. 热解碳MC算法:热解碳沉积的化学动力学模型中,热解碳基体的表面用一个由 六边形格子组成的50*50的二维平面表示,线性小分子C2的吸附、脱附和沉积反应发生 在相邻的两个格点上,大分子芳香烃(: 6的吸附、脱附和沉积反应发生在能形成六元环的 格点上,表面双分子反应发生在一个(:6吸附位和与之相邻的一个(: 2吸附位上,事件i发 生的概率Pi是第i个反应的反应速率占所有反应速率总和的比例;相关的反应概率为:
其中Pi为第i个反应发生的概率; C. 编写C++程序,根据输入不同的气相组分配比,即线性小分子C2的浓度a和小分子 芳香烃C6的浓度b,计算在一次MCS内各个反应进行的反应数,并由此作出各个反应数随 MCS增加而变化的图形,步长设定为20000MCS。
2. 根据权利要求1所述基于蒙特卡洛模拟碳/碳复合材料织构的方法,其特征在于: 上述步骤a中,热解碳基体生长过程中,涉及7中组分和9个反应,其中,原料气在反应器入 口处已完全转化为小分子,即kQ=0 ;且不考虑(:2与C6之间的转化,即k8=0。
3. 根据权利要求1所述基于蒙特卡洛模拟碳/碳复合材料织构的方法,其特征在于: 上述步骤a中,所述的化学动力学模型中,假设基体表面单分子沉积形成MT热解碳和表面 双分子反应形成HT热解碳。
4. 根据权利要求1所述基于蒙特卡洛模拟碳/碳复合材料织构的方法,其特征在于: 上述步骤b中,所述的化学动力学模型,是一个由六边形格子组成的50*50的二维平面,这 与实际反应中热解碳沉积机制是一致的。
5. 根据权利要求1所述基于蒙特卡洛模拟碳/碳复合材料织构的方法,其特征在于: 上述步骤b中,具体MC模拟的算法流程如下: (1) 初始化基体表面,认为初始表面全为活性位覆盖,即设定二维数组为二维〇数组; (2) 扫描整个二维数组,分别计算每一个事件i(i=l,2,…,7)对应的发生的概率 Pi (3) 生成一个分布于(0,1)的均匀随机数r,如果
那么第k 个反应将发生(k=l,2,…,7); (4) 如果k=l,则发生C2吸附,那么在整个2D六边形网格中随机选择一个空位,再选择 一个与之相邻的空位进行吸附,线性小分子C2吸附数nax+1,并更新这两格点数组值为-1 ; 如果与该空位相连的格点上不存在空位,即尝试失败,返回步骤(2)进行新一轮循环; 如果1^=2,则(:2*在基体表面脱附,从表面已被C2占据的格点位置中随机选择一个位置, 与(:2吸附类似,再选择一个与之相邻的(:2吸附点进行脱附,线性小分子C2脱附数nat+1,并 更新这两格点数组值为0,如果与该位置相连的格点中都没有被(:2*占据,则尝试失败,返回 步骤(2)进行下一次循环; 如果k=3,则C6吸附,那么在整个2D六边形网格中随机选择一个空位,若该空位周围的 空位能与之组成正六边形的六元环则发生C6吸附,小分子芳香烃的吸附数nbx+1,并更新数 组值为nbx,如果该空位与周围的空位不能组成至少一个正六边形的六元环,则尝试失败, 返回步骤(2)进行新一轮循环; 如果k=4,则C6*在基体表面脱附,那么在整个2D六边形网格中随机选择一个C6*吸附 位,确定此吸附位数组值,扫描整个平面,更新表面,将数组值为此值的吸附位的格点的数 组值更新为〇,同时,小分子芳香烃C6*的脱附数nbt+1 ;如果不存在,则尝试失败,返回步骤 (2)进行下一次循环; 如果k=5,则C2*在基体表面沉积,从表面已被C2占据的格点位置中随机选择一个位置, 与(:2脱附类似,再选择一个与之相邻的C2吸附点进行沉积,线性小分子C2沉积数na+1,并 更新这两格点数组值为0,如果与该位置相连的格点中都没有被(:2*占据,则尝试失败,返回 步骤(2)进行下一次循环; 如果k=6,则C6*在基体表面沉积,那么在整个2D六边形网格中随机选择一个C6*吸附 位,确定此吸附位的数组值,扫描整个平面,更新表面,将数组值与此值相同的格点的数组 值更新为〇,同时,小分子芳香烃(: 6的沉积数nbd+1,如果不存在,则尝试失败,返回步骤(2) 进行下一次循环; 如果k=7,则C2*与C6*在基体表面发生双分子反应,那么在整个2D六边形网格中随机 选择一个已被C2*占据的位置,如果该点满足双分子反应的条件,则进行双分子反应,双分 子反应数nab+1,同时更新参与反应的格点的数组值为0,如果与此C2*相连的格点中不存 在C2*吸附点或者与这2个C2*相邻的格点中不存在C6*的六元环吸附点,则尝试失败,返 回步骤(2)进行下一次循环; (5) 对步骤2-4进行循环运算直到需要的模拟步长。
【专利摘要】本发明公开了基于蒙特卡洛模拟碳/碳复合材料织构的方法,包括:热解碳基体沉积化学动力学建模;热解碳沉积过程的Monte?Carlo建模;编写模拟热解碳沉积过程的C++程序;把程序设定为20000?MCS,1MCS=50*50次循环。对模拟结果进行作图。本发明成功利用了蒙特卡洛模拟随机性的特点,对CVI过程中热解碳在基体表面的沉积过程进行模拟,真实的反应了CVI工艺参数对于整个反应过程的影响,对工业生产有较好的技术指导意义。
【IPC分类】G06F19-00
【公开号】CN104573370
【申请号】CN201510022415
【发明人】刘柄林, 马骁, 汤哲鹏, 邵勤思, 孙晋良, 任慕苏, 李爱军
【申请人】上海大学
【公开日】2015年4月29日
【申请日】2015年1月16日
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