光刻胶未保留区域的光 刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻 胶未保留区域的栅金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成栅线、像素薄膜晶体管的栅电极和感 光薄膜晶体管的栅电极的图形。
[0108] 步骤c2:在经过步骤cl的衬底基板上形成栅绝缘层和像素薄膜晶体管的有源层、 感光薄膜晶体管的有源层和读取薄膜晶体管的有源层的图形；
[0109] 具体地，可以采用等离子体增强化学气相沉积（PECVD)方法，在经过步骤cl的衬 底基板上沉积厚度约为2000-6000A的栅绝缘层，其中，栅绝缘层材料可以选用氧化物、氮 化物或者氮氧化物，栅绝缘层可以为单层、双层或多层结构。具体地，栅绝缘层可以采用SiNx，SiOx或Si(0N)x。
[0110] 在栅绝缘层上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法沉积一层厚度约为 20-1000A的透明金属氧化物有源层，透明金属氧化物有源层可以选用非晶IGZO、HIZ0、 InZnO、ZnO、Ti02、SnO、CdSnO或其他金属氧化物半导体材料。在透明金属氧化物有源层上 涂覆光刻胶，进行曝光、显影，刻蚀透明金属氧化物有源层，并剥离光刻胶，形成由透明金属 氧化物半导体组成的像素薄膜晶体管的有源层、感光薄膜晶体管的有源层和读取薄膜晶体 管的有源层的图形。
[0111] 步骤c3 :在经过步骤c2的衬底基板上形成刻蚀阻挡层的图形；
[0112] 具体地，可以在经过步骤c2的衬底基板上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它 成膜方法沉积厚度为400-5000A的刻蚀阻挡层材料，其中，刻蚀阻挡层材料可以选用氧化 物、氮化物或氮氧化物，具体地，可以采用SiNx，SiOx或Si(0N)X。刻蚀阻挡层可以是单层 结构，也可以是采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构，具体地，刻蚀阻挡层可以为厚度为 3000A的SiNx。
[0113] 在刻蚀阻挡层上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成 光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于刻蚀阻挡层的图形所 在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域 的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉 光刻胶未保留区域的刻蚀阻挡层，剥离剩余的光刻胶，形成包括过孔的刻蚀阻挡层的图形。
[0114] 步骤c4 :在经过步骤c3的衬底基板上形成像素薄膜晶体管的源电极和漏电极、读 取薄膜晶体管的源电极和漏电极、感光薄膜晶体管的源电极和漏电极、数据线的图形；
[0115] 具体地，可以在经过步骤c3的衬底基板上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法 沉积一层厚度约为2000-6000A的源漏金属层，源漏金属层可以是Cu，Al，Ag，Mo,Cr，Nd，Ni，Mn，Ti，Ta，W等金属以及这些金属的合金。源漏金属层可以是单层结构或者多层结构， 多层结构比如Cu\Mo,Ti\Cu\Ti，Mo\Al\Mo等。具体地，源漏金属层可以为厚度为500A的 Ti、厚度为2000A的A1、厚度为500A的Ti组成的三层结构。
[0116] 在源漏金属层上涂覆一层光刻胶，采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成 光刻胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于像素薄膜晶体管的源 电极和漏电极、读取薄膜晶体管的源电极和漏电极、感光薄膜晶体管的源电极和漏电极、数 据线的图形所在区域，光刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻 胶未保留区域的光刻胶被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工 艺完全刻蚀掉光刻胶未保留区域的源漏金属薄膜，剥离剩余的光刻胶，形成像素薄膜晶体 管的源电极和漏电极、读取薄膜晶体管的源电极和漏电极、感光薄膜晶体管的源电极和漏 电极、数据线的图形。
[0117] 步骤c5 :在经过步骤c4的衬底基板上形成钝化层的图形；
[0118] 具体地，可以在经过步骤c4的衬底基板上采用磁控溅射、热蒸发、PECVD或其它成 膜方法沉积厚度为400-5000A的钝化层材料，其中，钝化层材料可以选用氧化物、氮化物 或氮氧化物，具体地，可以采用SiNx，SiOx或Si(0N)x。钝化层可以是单层结构，也可以是 采用氮化硅和氧化硅构成的两层结构，具体地，钝化层可以为厚度为3000A的SiNx。
[0119] 在钝化层上涂敷一层光刻胶；采用掩膜板对光刻胶进行曝光，使光刻胶形成光刻 胶未保留区域和光刻胶保留区域，其中，光刻胶保留区域对应于钝化层的图形所在区域，光 刻胶未保留区域对应于上述图形以外的区域；进行显影处理，光刻胶未保留区域的光刻胶 被完全去除，光刻胶保留区域的光刻胶厚度保持不变；通过刻蚀工艺完全刻蚀掉光刻胶未 保留区域的钝化层，剥离剩余的光刻胶，形成包括过孔的钝化层的图形。
[0120] 步骤c6 :在经过步骤c5的衬底基板上形成读取薄膜晶体管的栅电极和像素电极 的图形。
[0121] 具体地，可以在经过步骤c5的衬底基板上采用磁控溅射、热蒸发或其它成膜方法 沉积一层厚度约为20-1000A的导电层，导电层可以选用Ti和ITO组成的双层结构。在导 电层上涂覆光刻胶，进行曝光、显影，刻蚀导电层，并剥离光刻胶，形成由导电层组成的读取 薄膜晶体管的栅电极和像素电极的图形，像素电极通过钝化层的过孔与像素薄膜晶体管的 漏电极连接。
[0122] 本实施例中，读取薄膜晶体管的栅电极能够遮挡读取薄膜晶体管的有源层、防止 外界光照射到有源层上，这样就利用读取薄膜晶体管自身的栅电极就可以遮挡读取薄膜晶 体管的有源层，不需要再额外制作黑矩阵来遮挡读取薄膜晶体管的有源层。
[0123] 以上所述是本发明的优选实施方式，应当指出，对于本技术领域的普通技术人员 来说，在不脱离本发明所述原理的前提下，还可以作出若干改进和润饰，这些改进和润饰也 应视为本发明的保护范围。
【主权项】
1. 一种光学传感单元的制作方法，所述光学传感单元包括感光薄膜晶体管、存储所述 感光薄膜晶体管的漏电流的存储电容和读取所述存储电容中储存的电讯号的读取薄膜晶 体管，其特征在于，所述制作方法包括： 形成能够遮挡所述读取薄膜晶体管的有源层、防止外界光照射到所述有源层上的所述 读取薄膜晶体管的栅电极。
2. 根据权利要求1所述的光学传感单元的制作方法，其特征在于，形成所述栅电极包 括： 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的源电极、漏电极和所述读取薄膜晶体 管的栅电极。
3. 根据权利要求1或2所述的光学传感单元的制作方法，其特征在于，所述制作方法还 包括： 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的有源层和所述读取薄膜晶体管的有 源层讯/或 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的栅电极和所述读取薄膜晶体管的源 电极、漏电极。
4. 一种光学传感单元，其特征在于，为采用如权利要求1-3中任一项所述的制作方法 制作得到，所述读取薄膜晶体管的栅电极能够遮挡所述读取薄膜晶体管的有源层，防止外 界光照射到所述有源层上。
5. -种触摸面板的制作方法，其特征在于，包括：采用如权利要求1-3中任一项所述的 制作方法在衬底基板上形成所述光学传感单元。
6. 根据权利要求5所述的触摸面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法还包括：在 所述衬底基板上形成像素薄膜晶体管。
7. 根据权利要求6所述的触摸面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的源电极、所述感光薄膜晶体管的漏电 极、所述像素薄膜晶体管的源电极、所述像素薄膜晶体管的漏电极和所述读取薄膜晶体管 的栅电极。
8. 根据权利要求6或7所述的触摸面板的制作方法，其特征在于，所述制作方法包括： 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的有源层、所述像素薄膜晶体管的有源 层和所述读取薄膜晶体管的有源层；和/或 通过同一次构图工艺形成所述感光薄膜晶体管的栅电极、所述像素薄膜晶体管的栅电 极和所述读取薄膜晶体管的源电极、漏电极。
9. 一种触摸面板，其特征在于，为采用如权利要求5-8中任一项所述的制作方法制作 得到。
10. -种显示装置，其特征在于，包括如权利要求9所述的触摸面板。
【专利摘要】本发明提供了一种光学传感单元、触摸面板及其制作方法、显示装置，属于触摸技术领域。其中，所述光学传感单元包括感光薄膜晶体管、存储所述感光薄膜晶体管的漏电流的存储电容和读取所述存储电容中储存的电讯号的读取薄膜晶体管，所述制作方法包括：形成能够遮挡所述读取薄膜晶体管的有源层、防止外界光照射到所述有源层上的所述读取薄膜晶体管的栅电极。本发明的技术方案能够利用读取薄膜晶体管的栅电极来遮挡读取薄膜晶体管的有源层，不需要再额外制作黑矩阵来遮挡读取薄膜晶体管的有源层。
【IPC分类】G06F3-042
【公开号】CN104679356
【申请号】CN201510128580
【发明人】吴俊纬, 李重君, 王延峰, 徐晓光
【申请人】京东方科技集团股份有限公司
【公开日】2015年6月3日
【申请日】2015年3月23日