具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及触控面板，特别是指一种具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法。
【背景技术】
[0002]一般触控面板(Touch panel)在结构设计上都至少包含一基板、一设于该基板的图案化电极，为降低该触控面板的透明电极图案明显度并提升光透射率，会在该图案化电极上设置一光学匹配层；然而，该光学匹配层于制程上仍具有下述须立即改善的缺陷:
[0003]其一、目前该光学匹配层主要是由铌氧化物(NbOx)层结合硅氧化物(S1x)层为主，因此，该光学匹配层在成形时所使用的镀膜机台，其上必须同时架设铌(Nb)靶材(或铌氧化物(NbOx)靶材)及硅(Si)靶材，以通入反应气体形成该光学匹配层，然而，在进行硅氧化物(S1x)层制程时，架设铌(Nb)靶材(或铌氧化物(NbOx)靶材)位置无法使用，造成作业硅氧化物(S1x)层制程产能下降，同样的，在进行铌氧化物(NbOx)层制程时，架设硅(Si)靶材位置无法使用，造成作业铌氧化物(NbOx)层制程产能下降，藉以凸显出该光学匹配层在制程产能不足的缺陷。
[0004]其二、铌(Nb)靶材或铌氧化物(NbOx)靶材的材料成本比硅(Si)靶材的材料成本高，造成该触控面板(Touch panel)在成形该光学匹配层的成本增加，且必须同时管控两种靶材(即铌(Nb)靶材(或铌氧化物(NbOx)靶材)及硅(Si)靶材)，造成原物料的管控较为不易。
[0005]其三、该光学匹配层中的铌氧化物(NbOx)层光学折射率(η )值较高，通常是大于2，而膜厚对该光学匹配层的搭配影响甚巨，故机台膜厚均匀性需控制在小于5%或3%，制程范围过小稳定性控制不易，凸显出良率较低的缺陷。
[0006]因此，需要开发出一种具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法。
【发明内容】
[0007]本发明所要解决的技术问题在于提供一种具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法，主要提升该光学匹配层的制程产能。
[0008]本发明所要解决的另一技术问题在于提供一种具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法，主要降低该光学匹配层的材料成本及原物料管控成本。
[0009]本发明还要解决的技术问题在于提供一种具光学匹配层结构的触控面板及该光学匹配层的成形方法，主要提升该光学匹配层的良率。
[0010]为解决上述问题，本发明提供一种具光学匹配层结构的触控面板，包含:一基板；一图案化电极，设置于该基板上；以及一光学匹配层结构，设置于该基板与该图案化电极之间，其中该光学匹配层包含:一第一薄膜层，成形在该基板，并具有一成形在该基板表面的第一表面、及一反向于该第一表面的第二表面；一第二薄膜层，成形在该第一薄膜层，并具有一成形在该第二表面的第三表面、及一反向于该第三表面且供该图案化电极成形的第四表面。
[0011]较佳地，更包含一保护层，设置于该图案化电极上且至少部份覆盖该图案化电极。
[0012]较佳地，该图案化电极具有多个第一轴向电极及与该些第一轴向电极绝缘的多个第二轴向电极。
[0013]较佳地，各该第一轴向电极包含多个电极部、及电性连接相邻电极部且对应各该第二轴向电极的桥接部，该桥接部与各该第二轴向电极之间设有一绝缘层。
[0014]较佳地，更包含多个导线及多个外围走线位于该图案化电极的至少一侧，其中各该导线与各该外围走线电性连接，且各该第一轴向电极与各该第二轴向电极分别经由各该导线与各该外围走线电性连接。
[0015]较佳地，更包含一保护层，设置于该第二薄膜层的第四表面并覆盖该图案化电极、该导线与该外围走线，其中该保护层具有至少一接触开口且该接触开口至少暴露部分该外围走线。
[0016]较佳地，更包含一装饰层，设置于该第一薄膜层的第一表面与该基板的表面之间，该装饰层位于该触控面板周边的至少一侧并至少对应该导线及该外围走线配置。
[0017]较佳地，该图案化电极与该外围走线为相同导电材料。
[0018]较佳地，该导线与该外围走线为相同导电材料。
[0019]较佳地，该图案化电极、该导线与该外围走线为相同导电材料。
[0020]较佳地，该第一薄膜层的折射率大于该第二薄膜层的折射率。
[0021]较佳地，该第一薄膜层为一氮化硅(SiNx)层，该第二薄膜层为一硅氧化物(S1x)层，且该氮化硅(SiNx)层的折射率(η )值介于1.75至1.95之间，该硅氧化物(S1x)层的折射率(η )值介于1.55至1.42之间。
[0022]其次，为解决上述问题，本发明提供一种具光学匹配层结构的触控面板，包含:一基板；一图案化电极，设置于该基板上；以及一光学匹配层结构，设置于该基板，且该图案化电极位于该光学匹配层结构与该基板之间，其中该光学匹配层包含:一第一薄膜层，成形在该基板且包覆该图案化电极，并具有一成形在该基板表面的第一表面、一反向于该第一表面的第二表面、及一连接该第一表面并成形在该图案化电极表面的第三表面；一第二薄膜层，成形在该第一薄膜层，并具有一成形在该第二表面的第四表面、及一反向于该第四表面的第五表面。
[0023]较佳地，该图案化电极具有多个第一轴向电极及与该些第一轴向电极绝缘的多个第二轴向电极。
[0024]较佳地，各该第一轴向电极包含多个电极部、及电性连接相邻电极部且对应各该第二轴向电极的桥接部，该桥接部与各该第二轴向电极之间设有一绝缘层。
[0025]较佳地，更包含一保护层，设置于该第二薄膜层的第五表面且至少对应该绝缘层。
[0026]较佳地，更包含多个导线及多个外围走线位于该图案化电极的至少一侧，其中各该导线与各该外围走线电性连接，且各该第一轴向电极与各该第二轴向电极分别经由各该导线与各该外围走线电性连接。
[0027]较佳地，该第一薄膜层与该第二薄膜层覆盖该基板，该第一薄膜层与该第二薄膜层各具有至少一开口，且该开口至少暴露部分该外围走线。
[0028]较佳地，更包含一保护层，设置于该第二薄膜层的第五表面并覆盖该基板，该保护层具有至少一接触开口，且该接触开口至少暴露部分该外围走线。
[0029]较佳地，更包含一装饰层，设置于该第一薄膜层的第一表面与该基板的表面之间，该装饰层位于该触控面板周边的至少一侧并至少对应该导线及该外围走线配置。
[0030]较佳地，该图案化电极部分覆盖该装饰层。
[0031]较佳地，该绝缘层至少配置于图案化电极与该装饰层之间。
[0032]较佳地，该图案化电极与该外围走线为相同导电材料。
[0033]较佳地，该导线与该外围走线为相同导电材料。
[0034]较佳地，该图案化电极、该导线与该外围走线为相同导电材料。
[0035]较佳地，该第一薄膜层的折射率小于该第二薄膜层的折射率。
[0036]较佳地,该第一薄膜层为一娃氧化物(S1x)层,该第二薄膜层为一氮化娃(SiNx)层，且该氮化硅(SiNx)层的折射率(η )值介于1.75至1.95之间，该硅氧化物(S1x)层的折射率(η )值介于1.55至1.42之间。
[0037]最后，为解决上述问题，本发明提供一种触控面板的光学匹配层的成形方法，包含在一镀膜腔体内设置硅(Si)靶材、硅-铝(S1-Al)靶材、或硅-硼(S1-B)靶材，并配合通入氩(Ar)气体及氧(02)气体，藉以反应形成一硅氧化物(S1x)层，通入通入氩(Ar)气体及氮(Ν2)气体，藉以反应形成一与该硅氧化物(S1x)层结合的氮化硅(SiNx)层。
[0038]较佳地，控制该氧(02)气体的流量介于50至300之间，使该硅氧化物(S1x)层的折射率(η )值介于1.85至1.42之间。
[0039]较佳地，控制该硅氧化物(S1x)层的折射率(η )值介于1.55至1.42之间。
[0040]较佳地，控制该氮(Ν2)气体的流量介于150至480之间，使该氮化硅(SiNx)层的折射率(η )值介于