通过导通的二极管结构流向给第一节点A，由于第一驱动晶体管DTl的阈值电压Vthl为该预设阈值电压，因此此时第一节点A的电压为数据信号端的信号的电压与预设阈值电压之和。
[0071]以上仅是举例说明内嵌式触摸显示屏中写入补偿模块的具体结构，在具体实施时，写入补偿模块的具体结构不限于本发明实施例提供的上述结构，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，在此不做限定。
[0072]较佳地，在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸显示屏中，如图4所示，驱动控制模块05，具体可以包括:第二驱动晶体管DT2 ;其中，
[0073]第二驱动晶体管DT2，其栅极为驱动控制模块05的控制端，漏极为驱动控制模块05的输入端，源极为驱动控制模块05的输出端。
[0074]进一步地，在具体实施时，在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸显示屏中，第一驱动晶体管DTl的类型与第二驱动晶体管DT2的类型相同，一般均为N型晶体管。由于N型晶体管的阈值电压一般为正值，对应的第一参考信号的电压一般为正电压，阴极层的接收的第三参考信号的电压一般接地或为负值。
[0075]较佳地，在本发明实施例提供的上述子像素电路中，为了使第一驱动晶体管的阈值电压能够接近第二驱动晶体管的阈值电压，第一驱动晶体管的尺寸和形状均与第二驱动晶体管的相同，且第一驱动晶体管的位置接近第二驱动晶体管的位置。
[0076]以上仅是举例说明内嵌式触摸显示屏中驱动控制模块的具体结构，在具体实施时，驱动控制模块的具体结构不限于本发明实施例提供的上述结构，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，在此不做限定。
[0077]较佳地，在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸显示屏中，如图4所示，复位控制模块03，具体可以包括:第二开关晶体管T2;其中，
[0078]第二开关晶体管T2，其栅极为复位控制模块03的控制端，源极为复位控制模块03的输入端，漏极为复位控制模块03的输出端。
[0079]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸显示屏中，第二开关晶体管可以为N型晶体管，也可以为P型晶体管，在此不作限定。
[0080]在具体实施时，当第二开关晶体管T2在复位控制信号端Scanl的控制下处于导通状态时，导通的第二开关晶体管T2使第一节点A与第二节点B导通。
[0081]以上仅是举例说明内嵌式触摸显示屏中复位控制模块的具体结构，在具体实施时，复位控制模块的具体结构不限于本发明实施例提供的上述结构，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，在此不做限定。
[0082]较佳地，在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸显示屏中，如图4所示，稳压模块02，具体可以包括:电容Cl ;其中，
[0083]电容Cl的一端为稳压模块02的第一端，电容Cl的另一端为稳压模块02的第二端。
[0084]在具体实施时，当第一节点A的电位高于上一时间段时的电位时，电容Cl开始充电，当第一节点A的电位低于上一时间段时的电位时，电容Cl开始放电，当第一节点Cl处于浮接(Floating)状态时，即写入补偿模块01和复位控制模块03均不向第一节点A输出信号时，电容Cl两端保持固定的电压差。
[0085]以上仅是举例说明内嵌式触摸显示屏中稳压模块的具体结构，在具体实施时，稳压模块的具体结构不限于本发明实施例提供的上述结构，还可以是本领域技术人员可知的其他结构，在此不做限定。
[0086]进一步地，在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸显示屏中，在第一阶段至第三阶段第二参考信号端的电压可以与阴极层的电压相同，在此不作限定。
[0087]较佳地，在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸显示屏中，如图4所示，发光控制模块04，具体可以包括:第三开关晶体管T3 ;其中，
[0088]第三开关晶体管T3，其栅极为发光控制模块04的控制端，源极为发光控制模块04的输入端，漏极为发光控制模块04的输出端。
[0089]在具体实施时，在本发明实施例提供的上述内嵌式触摸显示屏中，第三开关晶体管可以为N型晶体管，也可以为P型晶体管，在此不作限定。
[0090]在具体实施时，当第三开关晶体管T3在发光控制信号端EM的控制下处于导通状态时，第一参考信号端VDD的信号通过导通的第三开关晶体管T3传输至第二节点B。
[0091]需要说明的是本发明上述实施例中提到的驱动晶体管和开关晶体管可以是薄膜晶体管(TFT，Thin Film Transistor)，也可以是金属氧化物半导体场效应管(MOS，MetalOxide Semiconductor)，在此不做限定。
[0092]较佳地，为了简化制作工艺，在本发明实施例提供的上述子像素电路中，所有开关晶体管均为N型晶体管，或者所有开关晶体管均为P型晶体管，在此不作限定。
[0093]较佳地，在本发明实施例提供的上述子像素电路中，由于第一驱动晶体管和第二驱动晶体管为N型晶体管，因此所有开关晶体管也采用N型晶体管设计，即所有晶体管均为N型晶体管，这样可以简化子像素电路的制作工艺流程。
[0094]下面分别以图4所示的子像素电路为例对本发明实施例提供的子像素电路的工作过程作以描述，对应的输入时序图如图3所示。其中，在图4中，所有驱动晶体管(DTl和DTl)和所有开关晶体管(T1、T2和T3)均为N型晶体管，N型晶体管在其栅极电位为高电位时处于导通状态，在其栅极电位为低电位时，处于截止状态。为了便于说明，下述描述中以I表示高电位信号，O表示低电位信号。其中，假设在第一阶段至第三阶段，驱动芯片向第一参考信号端VDD输出的第一参考信号的电位为Vdd，向第二参考信号端Vint输出的第二参考信号的电位为Vss，向阴极层213输出的第三参考信号的电位为Vss，在第四阶段，所叠加的触控扫描信号的幅值为I ΛV|。
[0095]实施例一:
[0096]在第一阶段Tl (复位充电阶段)，Scanl = 1，Scan2 = 0，EM = I。
[0097]如图5a所示，第二开关晶体管T2和第三开关晶体管T3处于导通状态，第一开关晶体管Tl、第一驱动晶体管DTl和第二驱动晶体管DT2处于截止状态；第一参考信号端VDD的第一参考信号通过导通的第三开关晶体管T3传输给第二节点B，使第二节点B的电位为第一参考信号的电位Vdd，第二节点B的信号通过导通的第二开关晶体管T2传输给第一节点A，因此第一节点A的电位也为第一参考信号的电位Vdd，第二参考信号端Vint的电位为第二参考信号的电位Vss，电容Cl开始充电。
[0098]在第二阶段T2(写入补偿阶段)，Scanl = 0，Scan2 = 1，EM = O。
[0099]如图5b所示，第一开关晶体管Tl和第一驱动晶体管DTl处于导通状态，第二开关晶体管T2、第三开关晶体管T3和第二驱动晶体管DT2处于截止状态；数据信号端Data的数据信号通过导通的第一开关晶体管Tl传输至第一驱动晶体管DTl的源极，因此第一驱动晶体管DTl的源极的电位为数据线号的电位Vdata，然后第一驱动晶体管DTl的源极的信号通过二极管结构的第一驱动晶体管DTl后传输至第一节点A，电容Cl开始放电，当第一节点A的电位为变为Vdata+Vthl (Vthl为第一驱动晶体管DTl的阈值电压)时，电容Cl停止放电。
[0100]在第三阶段T3(发光显示阶段)，Scanl = 0，Scan2 = O, EM = 1
[0101]如图5c所示，第三开关晶体管T3和第二驱动晶体管DT2处于导通状态，第一开关晶体管Tl、第二开关晶体管T2和第一驱动晶体管DTl处于截止状态；第一节点A处于浮接(Floating)状态，第一参考信号端VDD的第一参考信号通过导通的第三开关晶体管T3传输给第二节点B，第二节点B的电位为第一参考信号的电位Vdd，由于第一节点A处于Floating状态，电容Cl使第一节点A的电位仍保持为上一阶段时的电位Vdata+Vthl。在此阶段中，第二驱动晶体管DT2工作处于饱和状态，根据饱和状态电流特性可知，流过第二驱动晶体管DT2且用于驱动有机发光器件21发光的工作电流Imd满足公式:I OLED= K(Vcs-Vth2)2 =K[Vdata+Vthl-Voled-Vth2]2= K (V ^a-UVthl -vth2)2，其中 K 为结构参数，相同结构中此数值相对稳定，可以算作常量，Vth2为第二驱动晶体管DT2的阈值电压，V Ad为有机发光器件21阳极层的电压。由于第一驱动晶体管DTl的阈值电压Vthl与第二驱动晶体管DT2的阈值电压Vth2之间的差异较小，可以看出V thl - Vth2对I _的影响相对较小，因此可以通过第一驱动晶体管DTl来补偿第一驱动晶体管DTl的阈值电压的漂移。进一步地，假设第一驱动晶体管DTl的阈值电压Vthl与第二驱动晶体管DT2的阈值电压V th2之间的差异可以忽略不计时，即Vthl - Vth2相对V data - Vtjled近似等于0，I _= K (V data - V0lJ2o从而可以看出有机发光器件21的工作电流Imd已经不受第二驱动晶体管DT2的阈值电压V th2的影响，主要由与数据信号决定，彻底解决了由于工艺制程以及长时间的操作造成的驱动晶体管的阈值电压漂移对有机发光器件的工作电流造成的影响，从而改善了面板显示的显示不均匀性。
[0102]在第四阶段T4(触控显示阶段)，Scanl = 0，Scan2 = 0，EM = I
[0103]由于子像素电路的各信号端以及阴极层213的信号是在第三阶段T3各自信号的基础上叠加了一个相同的触控扫描信号，而在该阶段，子像素电路各模块的工作状态状与在第三阶段时相同，即各模块的控制端的信号的电位状态仍与第三阶段时相同，因此在该阶段Scanl仍为低位信号，Scan2仍为低位信号，EM仍为高位信号。
[0104]因此，如图5d所示，第三开关晶体管T3和第二驱动晶体管DT2处于导通状态，第一开关晶体管Tl、第二开关晶体管T2和第一驱动晶体管DTl处于截止状态；第一节点A处于浮接(Floating)状态，第一参考信号端VDD的信号通过导通的第三开关晶体管T2传输给第二节点B，第二节点B的电位由第三阶段T3的Vdd变为Vdd+1 Δ V|，且有机发光器件21的阴极层的电位也由第三阶段T3的Vss变为V ss+| Δν|，因此，相应地有机发