电容屏及其制造方法
【技术领域】
[0001] 本发明涉及触控面板制造技术领域，特别涉及一种电容屏及其制造方法。
【背景技术】
[0002] 随着近年来电子设备的快速发展，通过触控方式进行交互的电容屏已得到广泛应 用，如在手机、MP3、数码相机、平板电脑、导航仪、显示器等各中产品中得到广泛应用。
[0003] 目前，电容屏的制造工艺主要为黄光工艺，通过对ITO层进行刻蚀形成特定的 图案层，然后再ITO层四周的上放制备一层导电层，用于导电。然而，现有的电容屏，其 导电层通常采用钼铝钼或者铜等制成，而且是直接铺设在ITO层的上方，如申请号为 201110252586. 7的发明专利以及申请号为201210227470. 2的发明专利中，均是在ITO层上 设置一层铜导电层；在申请号为201320532354. 1的实用新型专利中，则是在ITO层上设置 一层钼铝钼导电层。不论采用钼铝钼还是采用铜作为导电层，通常为了增强电容屏表面的 抗氧化能力，需要在导电层上方额外设置一层保护层，否则电容屏表面的抗氧化能力将非 常低。而一旦增加一层保护层，则无疑将导致电容屏的厚度增加，制造工艺更加复杂；在如 今电子产品不断追求超薄的环境趋势下，对电容屏厚度的要求无疑是越薄越好，因此，每减 少一定厚度的电容屏，将获得巨大的市场。
【发明内容】
[0004] 本发明解决的技术问题是提供一种表面抗氧化能力强，且厚度更薄的电容屏及其 制造方法。
[0005] 本发明解决其技术问题所采用的技术方案是：电容屏，包括基板，在基板的上表面 和/或下表面的中部区域设置有ITO图案层；在ITO图案层的外围的基板上设置有金属导 电层，所述金属导电层包括多条彼此独立的金属导线，每条金属导线与ITO图案层内对应 的ITO图案连通；在每条金属导线的上方还设置有与金属导线形状对应的ITO保护层。
[0006] 进一步的是：所述ITO图案层和ITO保护层由同一次真空镀作业形成的一体结构。
[0007] 进一步的是：所述金属导电层为铜。
[0008] 进一步的是：所述金属导电层的厚度为200 A~400 Aa
[0009] 进一步的是：所述基板为玻璃或者PET。
[0010] 另外，本发明还提供一种制造上述电容屏的方法，包括如下步骤：
[0011] A)通过真空镀方法，在基板的上表面和/或下表面获得金属导电层；
[0012] B)通过金属蚀刻方法，将金属导电层上的中部区域去除，同时露出相应基板的表 面，留下边框结构的金属导电层；
[0013] C)通过真空镀方法，在边框结构的金属导电层的表面以及金属层中部区域的基板 表面获得ITO层；
[0014] D)通过ITO蚀刻方法，将边框结构的金属导电层上的ITO层蚀刻成ITO保护层，将 金属导电层中部区域的ITO层蚀刻成ITO图案层；
[0015] E)通过金属蚀刻方法，将边框结构的金属导电层中未被上层ITO保护层覆盖的区 域去除，形成多条彼此独立的金属导线。
[0016] 进一步的是：步骤B)中的金属蚀刻方法，包括如下步骤：
[0017] BI)第一次压膜，在金属导电层上压制一层干膜层；
[0018] B2)第一次曝光，在干膜层上铺设底片，然后进行曝光；
[0019] B3)第一次显影，曝光后干膜层的中部区域被去除，留下边框结构的干膜层；
[0020] B4)第一次蚀刻金属，使用金属蚀刻药水，将未被边框结构的干膜层覆盖的金属去 除，并暴露出相应基板的表面，留下边框结构的金属导电层；
[0021] B5)第一次脱膜，将边框结构的干膜层去除。
[0022] 进一步的是：步骤D)中的ITO蚀刻方法与步骤E)中的金属蚀刻方法连续进行，包 括如下步骤：
[0023] Dl)第二次压膜，在ITO层上压制一层干膜层；
[0024] D2)第二次曝光，在干膜层上铺设底片，然后进行曝光；
[0025] D3)第二次显影，曝光后形成相应图案结构的干膜层；
[0026] D4)第一次蚀刻ΙΤ0,使用ITO蚀刻药水，将未被图案结构的干膜层覆盖的ITO去 除，将边框结构的金属导电层上的ITO层蚀刻成ITO保护层，将金属层中部区域的ITO层蚀 刻成ITO图案层；
[0027] El)第二次蚀刻金属，使用金属蚀刻药水，将未被图案结构的干膜层以及对应ITO 保护层覆盖的金属去除，并暴露出相应基板的表面，形成多条彼此独立的金属导线；
[0028] E2)第二次脱膜，将图案结构的干膜层去除。
[0029] 本发明的有益效果是：通过将金属导电层直接设置在ITO层的下方，由ITO层起 到对金属导电层的抗氧化保护，保证了电容屏的表面抗氧化能力，因此可无需再设置专门 用于导电层抗氧化的保护层结构，这样即可使电容屏做的更薄。另外，本发明所述的制造方 法，采用目前成熟的真空镀以及黄光工艺，通过适当的加工顺序，即可得到本发明所述的电 容屏，其制造过程成熟、简单，可提高电容屏的制造效率。另外，通过采用金属铜作为金属导 电层，可制得导线边沿整齐，导电性能稳定的额金属导电层。
【附图说明】
[0030] 图1至12为制备本发明所述的电容屏的各个阶段的结构示意图，并且每个图中由 上方的主视图和下方的俯视图构成；
[0031] 图中标记为：基板I ;ΙΤ0图案层2 ;ΙΤ0层2a ;金属导电层3 ;金属导电层3a ;边框 结构的金属导电层3b ;金属导线31 ;ΙΤ0保护层4 ;干膜层5 ;边框结构的干膜层5a ;图案结 构的干膜层5b ;底片6。
【具体实施方式】
[0032] 下面结合附图和【具体实施方式】对本发明进一步说明，但是本发明所保护的范围并 不仅限于以下具体实施例，在本领域技术人员无需付出创造性努力的情况下做出的修改、 等同替换、改进等均应当属于本发明的保护范围。
[0033] 如图12所示，本发明所述的电容屏，包括基板1，在基板1的上表面和/或下表面 的中部区域设置有ITO图案层2 ;在ITO图案层2的外围的基板1上设置有金属导电层3， 所述金属导电层3包括多条彼此独立的金属导线31，每条金属导线31与ITO图案层2内对 应的ITO图案连通；在每条金属导线31的上方还设置有与金属导线31形状对应的ITO保 护层4。其中，ITO保护层4的作用是覆盖在金属导线31上，以起到对金属导线31的抗氧 化保护作用，因此无需在额外设置专门的额保护层结构，可降低电容屏的厚度，使其做得更 薄。
[0034] 另外，进一步，上述中的ITO图案层2和ITO保护层4可以是由同一次真空镀作业 形成的一体结构；这样的好处是可使得ITO图案层2和ITO保护层4为无缝连接，二者的密 封效果更好；可提高对金属导电层的保护效果。
[0035] 另外，金属导电层3的作用是实现导电，考虑到铜具有较好的导线性能，且易于刻 蚀，能获得较好的导线边沿，因此本发明优选采用铜作为金属导电层3 ;同时可在保证导电 性能符合要求的情况下，设置导电层3的厚度为200 A~400 A;这样可确保其厚度适中，尽 量降低电容屏的厚度。
[0036] 另外，基板1通常可采用玻璃或者PET材质。
[0037] 另外，本发明还提供制造上述电容屏的方法，其按照如下步骤进行，具体也可参照 图1只图12所不流程：
[0038] A)通过真空镀方法，在基板1的上表面和/或下表面获得金属导电层3a ;
[0039] B)通过金属蚀刻方法，将金属导电层3a上的中部区域去除，同时露出相应基板