一种指纹识别模组及其制备方法、显示装置的制造方法

文档序号:9631779阅读:246来源:国知局
一种指纹识别模组及其制备方法、显示装置的制造方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种指纹识别模组及其制备方法、显示装置。
【背景技术】
[0002]指纹是手指表皮层上由呈线状排列的凸起(即纹峰)与凹陷(纹谷)所形成的纹路。由于指纹具有终身不变性、唯一性以及便捷性等特点,指纹已经成为生物特征识别的代名词,广泛应用于安防设施、考勤系统等身份信息认证识别领域。
[0003]指纹识别主要采用电容传感技术,用于识别的模组包括相对设置的两层电极,每层电极由间隔排列的多个电极线构成,上下两层的电极线相互交叉设置,从而在交叉处形成感应电容,每个感应电容相当于一个检测像素,当进行指纹检测时,由于人体电场的引入将改变上下两层电极线之间的感应电容,由于手指表面纹峰相对凸出、纹谷相对凹陷,对感应电容的影响也不同,通过将感应电容的变化量转换为二维的图像数据,从而获得接触者的指纹信息,以进行后续的指纹比对工作。
[0004]当将指纹识别模组集成到液晶显示装置以使液晶显示装置具有全屏指纹识别的功能时,由于指纹识别模组的结构层较多,而液晶显示装置自身用于显示的结构层也较多,导致具有全屏指纹识别功能的液晶显示装置结构较多、厚度较大。

【发明内容】

[0005]鉴于此,为解决现有技术的问题,本发明的实施例提供一种指纹识别模组及其制备方法、显示装置,该指纹识别模组中的一层电极层即可作为液晶显示装置中的偏光片,当将该指纹识别模组集成到液晶显示装置以使液晶显示装置具有全屏指纹识别的功能时,省去了液晶显示装置中的一层偏光片,减少了液晶显示装置的整体厚度。
[0006]为达到上述目的,本发明的实施例采用如下技术方案:
[0007]—方面、本发明实施例提供了一种指纹识别模组,所述指纹识别模组包括:相对设置的第一电极层、第二电极层以及位于二者之间的透明绝缘层;所述第一电极层,包括多个间隔开来的第一电极线;所述第二电极层,包括多个间隔开来的第二电极线;所述第二电极线与所述第一电极线交叉设置;其中,所述第一电极层由透明导电材料构成;所述第二电极层为线栅偏振片。
[0008]可选的,所述第二电极层的线栅周期长度取值范围为70nm至200nm ;所述线栅的线宽取值范围为50nm至150nmo
[0009]优选的,所述第二电极线包括:第二测试电极线和位于所述第二测试电极线之间的第二非测试电极线;所述第二测试电极线,与提供测试电信号的测试信号线相连;其中,相邻的两根所述第二测试电极线之间间隔相同数量的所述第二非测试电极线,所述相同数量为50根至300根。
[0010]优选的,所述线宽占所述线栅周期长度的1/3至2/3。
[0011]可选的,所述第二电极层的厚度取值范围为10nm至400nmo
[0012]可选的,所述第二电极线与所述第一电极线垂直交叉。
[0013]可选的,所述指纹识别模组中,所述第一电极层设置在靠近被测者的指纹一侧。
[0014]另一方面、本发明实施例还提供了一种指纹识别模组的制备方法,所述制备方法包括:形成相对设置的第一电极层、第二电极层以及位于二者之间的透明绝缘层;所述第一电极层,包括多个间隔开来的第一电极线;所述第二电极层,包括多个间隔开来的第二电极线;所述第二电极线与所述第一电极线交叉设置;其中,所述第一电极层由透明导电材料构成;所述第二电极层为线栅偏振片。
[0015]可选的,形成所述第二电极层的步骤具体包括:在基底上形成金属层;将多个间隔开来的光刻胶条转印到所述金属层表面,所述光刻胶条覆盖的部分对应于待形成的第二电极线;去除所述金属层中未被所述光刻胶条覆盖的部分,以形成多个间隔开来的第二电极线;去除覆盖所述第二电极线的所述光刻胶条。
[0016]再一方面、本发明实施例还提供了一种显示装置,所述显示装置包括:显示模组;所述显示装置还包括:如上述任一项所述的指纹识别模组;所述指纹识别模组位于所述显示模组的出光侧。
[0017]基于此,通过本发明实施例提供的上述指纹识别模组,由于该指纹识别模组中的第一电极层为非线栅偏振片,第二电极层为线栅偏振片,当将指纹识别模组应用于全屏的显示装置时,作为线栅偏振片的第二电极层即可作为显示装置中的一个偏光片,实现了偏光片上的指纹识别,从而减少了显示装置中偏光片的数量,减少了显示装置的整体厚度。
【附图说明】
[0018]为了更清楚地说明本发明实施例或现有技术中的技术方案,下面将对实施例或现有技术描述中所需要使用的附图作简单地介绍,显而易见地,下面描述中的附图仅仅是本发明的一些实施例,对于本领域普通技术人员来讲,在不付出创造性劳动的前提下,还可以根据这些附图获得其他的附图。
[0019]图1为本发明实施例提供的一种指纹识别模组的俯视结构示意图;
[0020]图2为本发明实施例提供的一种指纹识别模组的侧视结构示意图;
[0021]图3为本发明实施例提供的一种指纹识别模组中制备第二电极层的流程示意图;
[0022]图4为图3中步骤SOl的详细结构示意图;
[0023]图5为图3中步骤S02的详细结构示意图一;
[0024]图6为图3中步骤S02的详细结构示意图二 ;
[0025]图7为图3中步骤S02的详细结构示意图三;
[0026]图8为图3中步骤S03的详细结构示意图;
[0027]图9为图3中步骤S04的详细结构示意图;
[0028]图10本发明实施例提供的一种显示装置的侧视结构示意图。
[0029]附图标记:
[0030]01-指纹识别模组;10_第一电极层;11_第一电极线;20_第二电极层;21_第二电极线;200_金属层;30_透明绝缘层;02_手指;03_基底;04_光刻胶条;05_模具;51_凸出部;52_凹陷部;06_显示模组。
【具体实施方式】
[0031]下面将结合本发明实施例中的附图,对本发明实施例中的技术方案进行清楚、完整地描述,显然,所描述的实施例仅仅是本发明一部分实施例,而不是全部的实施例。基于本发明中的实施例,本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
[0032]需要指出的是,除非另有定义,本发明实施例中所使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员共同理解的相同含义。还应当理解,诸如在通常字典里定义的那些术语应当被解释为具有与它们在相关技术的上下文中的含义相一致的含义,而不应用理想化或极度形式化的意义来解释,除非这里明确地这样定义。
[0033]其中,为了清楚起见,本发明实施例附图中各结构的尺寸均被放大,不代表实际尺寸与比例。
[0034]如图1和图2所示,本发明实施例提供了一种指纹识别模组01,该指纹识别模组01包括:相对设置的第一电极层10、第二电极层20以及位于二者之间的透明绝缘层30 (为了清楚起见,标号10和20仅在图1中示意出,标号30仅在图2中示意出);第一电极层10,包括多个间隔开来的第一电极线11 ;第二电极层20,包括多个间隔开来的第二电极线21 ;第二电极线21与第一电极线11交叉设置;其中,第一电极层10由透明导电材料构成;第二电极层20为线栅偏振片。
[0035]需要说明的是,第一、图1和图2中仅以第一电极层10位于上方,即靠近识别的手指02,第二电极层20位于下方,即远离识别的手指02为例进行说明,本发明实施例不限于此,第一电极层10与第二电极层20只要相对设置即可。
[0036]这里,考虑到第二电极层20是线栅结构,其线排列较为紧密,参考图1、图2所示,设置在第一电极层10的下方能够使得第二电极层20的线栅结构进一步被透明绝缘层30保护,避免受到外界较大力量的按压影响而导致线栅结构发生变形等问题。因此优选的,指纹识别模组01中,第一电极层10设置在靠近被测者的指纹02—侧,即将第二电极层20设置在下方。
[0037]第二、第二电极线21与第一电极线11交叉设置,是指第二电极线21在第一电极线11所在平面上的投影与第一电极线11存在交叉的部分,交叉的夹角不限于图1、图2中所示的90°,也可以是倾斜的其他角度,只要使得第一电极线11与第二电极线21之间有重叠的区域以形成感应电容即可。
[0038]这里,考虑到第一电极线11与第二电极线21垂直设置时,电极线的利用率最高,当该指纹识别模组01全屏集成到显示装置后可以避免增加有效显示区之外的区域。因此,本发明实施例优选的,第二电极线21与第一电极线11垂直交叉。
[0039]第三、第二电极层20为线栅偏振片。这里,线栅偏振片是由多条间隔开来的金属细线(即第二电极线21,可由金属单质和/或合金构成,具体不作限定)构成,由于金属细线不透光,在金属细线的间距充分短于入射光的波长的情况下,线栅偏振片能够使得入射光中的、具有与金属细线正交的电场矢量的成分(即P偏振光)透过,将具有与金属细线平行的电场矢量的成分(即s偏振光)反射,即入射光穿过线栅偏振片后将转变成偏振光。
[0040]线栅偏振片的线栅参数可沿用现有技术,只有使得入射光经过第二电极层20后转变成偏振光即可。
[0041]线栅偏振片中相邻两根金属细线之间的间距是相等的,即第二电极线21是等间距排列的。
[0042]示例的,第二电极层20的线栅周期长度的取值范围可以为70nm至200nm ;线栅的线宽取值范围可以为50nm至150nm。线宽可以占线栅周期长度的1/3至2/3。并且为了提高偏振效果,线宽可以占线栅周期长度的1/2。
[0043]这里,线宽占线栅周期长度的比例具体可根据线栅周期长度的数值以及线栅的线宽取值灵活调整,1/3的最小比例和2/3的最大比例并不与线栅周期长度最小取值70nm和最大取值200nm——对应。
[0044]其中,参考图2所示,线栅的周期长度(图中以P表示)是指构成线栅的细线的线宽与相邻两根金属细线之间的间距之和,即第二电极线21的线宽(图中以山表示)与相邻两根第二电极线21之间的间距(图中以d2表示)之和。
[0045]此外,考虑到当第二电极层20的厚度
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