及多功能电极(Mult1-funct1n electrode)MFL0
[0096]位于有效区域内的每一个圆点VIA代表如同图3所不的开孔，用以供导电层M3连接至氧化铟锡层CITO作触控电极与走线的连接；位于有效区域上方的每一个方点VIA，用以供导电层M3连接至导电层M2作为第一道传送器电极TX及多功能电极MFL桥接之用，其设置的数量与位置可依照不同的电路设计而定；位于有效区域下方的走线皆为第二导电层M3，并且使用氧化铟锡CITO作为跨线时的桥接，在此作为第二道传送器电极TX及多功能电极MFL桥接之用。
[0097]需说明的是，位于传送器电极TX、接收器电极RX及多功能电极MFL的范围内的各氧化铟锡层CITO会彼此相连接。多功能电极MFL设置于传送器电极TX与接收器电极RX之间，并可依照不同设定执行不同的功能，例如耦接至接地端(GND)、共同电压(VCOM)或其他电压准位等。多功能电极MFL的存在可增加电极使用上的弹性，但亦可省略之。
[0098]属于传送器电极TX的多条导电层M3往下走线后，可于面板的有效区域之外分别形成接脚(Pin)。至于属于不同传送器电极TX虚线区域的不同导电层M3走线之间的横向连接则由另一导电层M2在内嵌式互电容触控面板5的有效区域上方进行连接，及利用导电层M3与氧化铟锡层CITO在有效区域下方进行连接，故不会对内嵌式互电容触控面板5的开口率造成影响。
[0099]如图5所示，于内嵌式互电容触控面板5中，通过通孔与相同电极耦接的导电层M3的走线于有效区域内以多于两条走线并联的方式进行布线。例如:内嵌式互电容触控面板5中的属于传送器电极TX的导电层M3走线在其电极范围内可采用两条或两条以上走线并联的方式，以降低阻抗。
[0100]需说明的是，无论是在传送器电极TX或接收器电极RX的范围内，导电层M3的走线均可采用多条走线并联的方式来降低阻抗；对每一电极而言，导电层M3于电极范围内的均匀布线可降低电极的整体阻抗。
[0101]此外，对于传统的中大尺寸触控面板而言，其电极走线连接至驱动IC的出线方式亦会影响到面板的整体电阻电容负载的大小，因此，接下来，将就大尺寸内嵌式互电容触控面板的有效区域之外的走线布局方式进行说明。
[0102]于一实施例中，请参照图6，属于传送器电极TX的导电层M3走线为一整群一起连接至位于内嵌式互电容触控面板6的有效区域TPAA之外的驱动IC 120 ;属于接收器电极RX的导电层M3走线可以如同图7A所示与薄膜晶体管元件的源极线S彼此穿插地连接至位于面板的有效区域TPAA之外的驱动IC 120，亦可以如同图7B所示先跨过相邻的源极线S后再以一整群一起连接至位于触控面板的有效区域TPAA之外的驱动IC 120。
[0103]由此，在驱动IC 120的通道数目充足的情况下，此一电极出线方式可大幅降低中大尺寸触控面板的电阻电容负载。
[0104]需说明的是，图6所示的是一个驱动IC 120可供4群传送器电极TX与多功能电极MFL的导电层M3走线连接，实际上依照不同设计每个驱动IC 120至少可供2群传送器电极TX与多功能电极MFL的导电层M3走线连接。至于不同导电层M3走线之间的横向连接则是在内嵌式互电容触控面板6的有效区域TPAA的上方通过导电层M2连接且于有效区域TPAA的下方利用氧化铟锡层CITO跨桥作导电层M3的桥接。
[0105]于另一实施例中，请参照图8，除了在内嵌式互电容触控面板8的有效区域TPAA的上方可形成不同导电层M3走线之间的横向连接之外，在内嵌式互电容触控面板8的有效区域TPAA的下方亦可形成不同导电层M3走线之间的横向连接，其不同之处在于:在内嵌式互电容触控面板8的有效区域TPAA的上方所形成的走线横向连接是通过另一导电层M2进行，至于在内嵌式互电容触控面板8的有效区域TPAA的下方所形成的走线横向连接通过导电层M3的直向与横向走线并以耦接共同电压(VCOM)的氧化铟锡层CITO作为跨桥来组成。由此，此实施例可再进一步降低整体电阻值，使得电阻电容负载(RC loading)变得更低。
[0106]如图9所示，将图8中的内嵌式互电容触控面板8的有效区域TPAA的下方所形成的走线横向连接加以放大来看可知:为了避免导电层M3的直向走线与横向走线之间短路，可通过耦接共同电压(VCOM)的氧化铟锡层CITO作为跨桥供导电层M3的直向走线跨过横向走线，或是供导电层M3的横向走线跨过直向走线，亦即跨桥可以是平行源极线的方向，亦可以是垂直源极线的方向，并无特定的限制。且图9仅为其中一种跨桥设计的示意图，亦可合并图中同直向跨桥为一个跨桥并不限于此，以低阻抗设计为佳，至于图10则图示若不为整合型1C，则接收器电极RX将会另外由触控IC 140控制的示意图。
[0107]根据本实用新型的另一较佳具体实施例亦为一种内嵌式互电容触控面板。实际上，由于内嵌式互电容触控面板可达成最薄化的触控面板设计，可广泛应用于智能手机、平板电脑及笔记本电脑等各种可携式消费性电子产品上。
[0108]于此实施例中，内嵌式互电容触控面板所适用的显示器可以是采用横向电场效应显示技术(In-Plane-Switching Liquid Crystal，IPS)或由其延伸的边界电场切换广视角技术(Fringe Field Switching，FFS)或高阶超广视角技术(Advanced Hyper-ViewingAngle，AHVA)的显示器，但不以此为限。
[0109]需说明的是，此实施例中的内嵌式互电容触控面板可采用互电容(Mutualcapacitance)触控感测技术，通过两个导电层与显示元件整合形成内嵌式(In_cell)的互电容触控显示器，并通过新颖的布局方式降低内嵌式触控元件对LCD在电性及光学上的影响，还可通过共用共同电压(VCOM)来增加触控信号。
[0110]接下来，将分别就此实施例的内嵌式互电容触控面板的叠层结构里的两个导电层如何与显示元件进行整合进行详细的说明。
[0111]如图11所示，于一实施例中，内嵌式的电容式触控面板的叠层结构IlA由下至上依序是:基板111、薄膜晶体管元件层112、液晶层113、彩色滤光层114及玻璃层115。彩色滤光层114包含彩色滤光片CF及黑色矩阵光阻BM两部分，其中黑色矩阵光阻BM具有良好的光遮蔽性，可应用于彩色滤光层114中，作为区隔红(R)、绿(G)、蓝(B)三种颜色的彩色滤光片的材料。至于导电层M2及M3整合设置于薄膜晶体管元件层112内，并且导电层M2与M3之间可彼此耦接或不耦接。
[0112]于此实施例中，导电层M2与薄膜晶体管元件层112内的源极S及汲极D于同一道工艺制作而成，故不会额外增加工艺的复杂度。导电层M2可由任何导电材料构成，其排列可以是水平排列或垂直排列。导电层M2设置于薄膜晶体管元件层112内的位置可对应于上方的彩色滤光层114中的黑色矩阵光阻BM，由以通过具有良好光遮蔽性的黑色矩阵光阻BM来获得遮蔽，但不以此为限。
[0113]需说明的是，导电层M2可耦接至共同电压(VCOM)或不耦接至共同电压(VCOM)。如图11所示，导电层M2与耦接共同电压(VCOM)的氧化铟锡层CITO耦接，以作为触控电极。由于实际面板设计可依不同型式的面板及其特性而有不同的设计方式，故不以此例为限。
[0114]至于导电层M3，于此实施例中，导电层M3亦可以是由任何导电材料构成，其排列亦可以是水平排列、垂直排列或交错排列，亦可通过位于具有良好光遮蔽性的黑色矩阵光阻BM的下方来获得遮蔽，但不以此为限。
[0115]需说明的是，导电层M3可親接至导电层M2或不親接至导电层M2，并无特定的限制。如图12所示，导电层M3形成于导电层M2上而使得导电层M3与导电层M2彼此耦接。由于实际面板设计可依不同型式的面板及其特性而有不同的设计方式，故不以此例为限。
[0116]接着，将就此实施例中的内嵌式的电容式触控面板所采用的电极走线布局方式进行说明。
[0117]如图13所示，内