专利名称：窄化起始电压分布的方法
技术领域：
本发明是有关于一种窄化起始电压分布的方法，且特别是有关于一种将奇存储单元(cell)的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化的窄化起始电压分布的方法。
背景技术：
非挥发性存储器(例如是闪存)为一种电气抹除式可程序化只读存储器(EEPROM)，其具有可程序化、可抹除、以及断电后仍可保存资料的优点，所以目前是个人计算机及电子设备所广泛采用的一种存储元件。
随着工艺技术的增进，非挥发性存储器的设计原则为轻薄短小，于是体积相当小的先进非挥发性存储器产生。先进非挥发性存储器包括多个奇存储单元及多个偶存储单元。对于先进非挥发性存储器而言，当接点未对准(contact misalign)时，奇存储单元的抹除速度将会与偶存储单元的抹除速度不相同。当接点较靠近奇存储单元时，奇存储单元的抹除速度将会慢于偶存储单元的抹除速度。而对于公知的先进非挥发性存储器而言，因为奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证一起实施，所以在抹除时，会使得公知的先进非挥发性存储器的抹除的起始电压(theshold voltage)分布较大。对于先进非挥发性存储器而言，起始电压分布较大将会产生很多问题。举例而言，在抹除时，如果抹除过度，将会造成负起始电压的效应，而导致先进非挥发性存储器不能正常运作。
发明内容
有鉴于此，本发明提出一种窄化起始电压分布的方法。本发明是通过将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化，因此本发明可以改进公知的先进非挥发性存储器的起始电压分布过大的缺点。
为达成上述及其它目的，本发明提出一种窄化起始电压分布的方法。此方法适用于接点未对准的先进非挥发性存储器，此先进非挥发性存储器包括多个奇存储单元及多个偶存储单元。在此方法中，首先会对于这些奇存储单元进行抹除及抹除验证。之后，会对于这些偶存储单元进行抹除及抹除验证。
在本发明的较佳实施例中，这些奇存储单元的抹除速度与这些偶存储单元的抹除速度不相同。其中，当这些奇存储单元的栅极耦合比小于这些偶存储单元的栅极耦合比时，这些奇存储单元的抹除速度慢于这些偶存储单元的抹除速度。而当这些奇存储单元的栅极耦合比大于这些偶存储单元的栅极耦合比时，这些奇存储单元的抹除速度大于这些偶存储单元的抹除速度。
在本发明的较佳实施例中，这些奇存储单元的抹除验证速度与这些偶存储单元的抹除验证速度不相同。其中，当这些奇存储单元的栅极耦合比小于这些偶存储单元的栅极耦合比时，这些奇存储单元的抹除验证速度慢于这些偶存储单元的抹除验证速度。而当这些奇存储单元的栅极耦合比大于这些偶存储单元的栅极耦合比时，这些奇存储单元的抹除验证速度大于这些偶存储单元的抹除验证速度。
综上所述，本发明通过将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化，因此本发明可以改进公知的先进非挥发性存储器的起始电压分布过大的缺点。
图1为与非门型式的闪存的结构示意图；图2为非挥发性存储器中的一奇存储单元及一偶存储单元的截面图；图3为接点未对准的先进非挥发性存储器中的一奇存储单元及一偶存储单元的截面图；图4为公知的先进非挥发性存储器的抹除的起始电压分布图；图5为根据本发明一较佳实施例的窄化起始电压分布的方法的抹除的起始电压分布图。
10与非门型式的闪存
102浮置栅极104源极接点106位线接点202，218浮置栅极204，220浮置栅极206、208、210、212、222、224、226、228电容214，302接点216、230、304、306接点电容具体实施方式
非挥发性存储器中的一种型式为闪存。为了了解闪存的基本结构，接下来将举一例做说明。请参照图1，其为或非(NOR)门型式的闪存的结构示意图。由图1可知，与非门型式的闪存10包括浮置栅极102、源极接点104、以及位线接点106。
非挥发性存储器包括多个奇存储单元(cell)及多个偶存储单元。接下来请参照图2，其为非挥发性存储器中的一奇存储单元及一偶存储单元的截面图。由图2可知，奇存储单元的总电容(Ct1)包括浮置栅极202与控制栅极204间的电容(CONO1)206、电容208、电容210、电容212、以及浮置栅极202与接点214间的接点电容(Ccontl)216。而奇存储单元的栅极耦合比(gate coupling ratio，简称GCR)为GCR奇＝CONO1/Ct1。同样地，偶存储单元的总电容(Ct2)包括浮置栅极218与控制栅极220间的电容(CONO2)222、电容224、电容226、电容228、以及浮置栅极218与接点214间的接点电容(Ccont2)230。而偶存储单元的栅极耦合比为GCR偶＝CONO2/Ct2。一般而言，由于接点电容(Ccont1)216与接点电容(Ccont2)230相当小，所以可以忽略不计。然而，对于体积相当小的先进非挥发性存储器而言，接点电容不能予以忽略，而应该加入总电容之中，如此一来将会使栅极耦合比降低。
接下来将说明先进非挥发性存储器发生接点未对准的情形，并且举一例做说明。请参照图3，其为接点未对准的先进非挥发性存储器中的一奇存储单元及一偶存储单元的截面图。由图3可知，接点302离奇存储单元较近，而离偶存储单元较远，所以奇存储单元的接点电容(Ccont1)304会大于偶存储单元的接点电容(Ccont2)306。因此，奇存储单元的栅极耦合比(GCR奇)将会小于偶存储单元的栅极耦合比(GCR偶)。
接下来将说明图3的先进非挥发性存储器在抹除时的情况。在图3中，因为奇存储单元的栅极耦合比小于偶存储单元的栅极耦合比，所以奇存储单元的抹除及抹除验证速度将会慢于偶存储单元的抹除及抹除验证速度。在此情况下，公知的先进非挥发性存储器会因为奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证一起实施，所以在抹除时，会使得公知的先进非挥发性存储器的起始电压(以Vt表示)分布较大，并且具有两个峰值，如图4所绘示。图4所为公知的先进非挥发性存储器的抹除的起始电压分布图。由图4可知，奇存储单元的抹除的起始电压分布介于1V至2V之间(起始电压分布为1V)，而偶存储单元的抹除的起始电压分布介于0.8V至1.8V之间(起始电压分布为1V)，所以会使得全部的起始电压分布介于0.8V至2V之间(起始电压分布为1.2V)，并且具有两个峰值，因此会使得公知的先进非挥发性存储器的抹除的起始电压分布变大。
为了使起始电压窄化，本发明提出了窄化起始电压分布的方法。此方法适用于接点未对准的先进非挥发性存储器。此方法是将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化。接下将以抹除时的情况来说明本发明。请参照图5，其为根据本发明一较佳实施例的窄化起始电压分布的方法的抹除的起始电压分布图。由图5可知，本发明是将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开。例如，首先会对于奇存储单元进行抹除及抹除验证，所以此时的起始电压分布介于1V至2V(全部的起始电压分布为1V)。之后，会对于偶存储单元进行抹除及抹除验证，所以此时的起始电压分布也介于1V至2V(全部的起始电压分布仍为1V)。因此，利用本发明的方法，可以窄化抹除的起始电压分布。
综上所述，本发明通过将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化，因此本发明可以改进公知的先进非挥发性存储器的起始电压分布过大的缺点。
权利要求
1.一种窄化起始电压分布的方法，适用于接点未对准的一先进非挥发性存储器，该先进非挥发性存储器包括多个奇存储单元及多个偶存储单元，其特征是，该方法包括下列步骤对于该些奇存储单元进行抹除及抹除验证；以及对于该些偶存储单元进行抹除及抹除验证。
2.如权利要求1所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，该些奇存储单元的抹除速度与该些偶存储单元的抹除速度不相同。
3.如权利要求2所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，当该些奇存储单元的栅极耦合比小于该些偶存储单元的栅极耦合比时，该些奇存储单元的抹除速度慢于该些偶存储单元的抹除速度。
4.如权利要求2所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，当该些奇存储单元的栅极耦合比大于该些偶存储单元的栅极耦合比时，该些奇存储单元的抹除速度大于该些偶存储单元的抹除速度。
5.如权利要求1所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，该些奇存储单元的抹除验证速度与该些偶存储单元的抹除验证速度不相同。
6.如权利要求5所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，当该些奇存储单元的栅极耦合比小于该些偶存储单元的栅极耦合比时，该些奇存储单元的抹除验证速度慢于该些偶存储单元的抹除验证速度。
7.如权利要求5所述的窄化起始电压分布的方法，其特征是，当该些奇存储单元的栅极耦合比大于该些偶存储单元的栅极耦合比时，该些奇存储单元的抹除验证速度大于该些偶存储单元的抹除验证速度。
全文摘要
一种窄化起始电压分布的方法。此窄化起始电压分布的方法是通过将奇存储单元的抹除及抹除验证，与偶存储单元的抹除及抹除验证各自分开，而使先进非挥发性存储器的起始电压的分布窄化，因此，此窄化起始电压分布的方法可以改进公知的先进非挥发性存储器的起始电压分布过大的缺点。
文档编号G11C16/10GK1521762SQ0310194
公开日2004年8月18日 申请日期2003年1月30日 优先权日2003年1月30日
发明者张耀文, 卢道政 申请人:旺宏电子股份有限公司