专利名称：光信息储存媒体的制造方法
技术领域：
本发明关于一种光信息储存媒体的制造方法，特别是关于一种利用光聚合制程的光信息储存媒体的制造方法。
背景技术：
随着信息与多媒体世代的来临，包括计算机、通讯、消费性电子的3C(Computer，Communication，Consumer electronics)产品对于储存媒体的储存密度及容量的需求也不断的增加。传统的储存媒体，大致上可分为两大类，分别是磁记录媒体与光信息储存媒体。目前市场上是以光信息储存媒体占优势，其包含只读型光盘(CD-ROM)、可写一次型光盘(CD-R)、可重复读写型光盘(CD-RW)、只读型数字激光视盘(DVD-ROM)、可写一次型数字激光视盘(DVD-R)、可重复读写式数字激光视盘(DVD-RW，DVD+RW)、以及动态随机记忆数字激光视盘(DVD-RAM)等等。
面对愈来愈庞大的影音信息量，提高光盘的资料容量，一直是产业界追求的目标。而DVD因为具有比CD更大的资料储存容量，因此已于光储存媒体市场上占有一定的比例。目前的DVD具有不同的记录型式，从单面单层(single side single layer)、双面单层(dual sidesingle layer)、单面双层(single side dual layer)到双面双层(dual sidedual layer)，它们的储存容量范围也从4.7GB到17GB不等。
具有8.5GB容量的单面双层DVD-R盘片，由于容量大，再加上可写一次的结构，也愈来愈受到市场重视。如图1所示，已知的单面双层DVD-R盘片10，主要依序具有一第一基板11、一第一记录层12、一第一反射层13、一间隔层14、一第二记录层15、一第二反射层16、及一第二基板17。其中，第一记录层12及第一反射层13可合称为一第一记录积层(first recording stack，L0)；第二记录层15及第二反射层16可合称为一第二记录积层(second recording stack，L1)。第一记录积层L0及第二记录积层L1分别形成在第一基板11、第二基板17的资料面上，且间隔层14夹置在第一记录积层L0及第二记录积层L1之间。当资料读取时，激光可穿过第一基板11聚焦于第一记录积层L0，或穿过间隔层14以聚焦于第二记录积层L1。
已知技术中，对于单面双层DVD-R盘片10而言，光聚合制程(Photo-Polymerization Process，又称2P制程)为常用的制造方法之一，以下便针对光聚合制程作一简单介绍请参照图2，其于一具有预刻轨槽(pre-grooved)的第一基板11上，依次形成第一记录层12、第一反射层13、及光固胶层14’。接着，将一具有预刻沟槽的模版(Stamper)S，压合于光固胶层14’上，并经过紫外光照射固化胶体后，即形成间隔层14。剥除模版S后，于形成沟槽的间隔层14上，再形成第二记录层15及第二反射层16。最后，将第二基板17涂布一接合胶后，与第二反射层16接合，再经光固化后，形成一接合层18，粘合了第二反射层16与第二基板18，即完成单面双层DVD-R盘片10的制作。
其中，模版S常用的材质为环烯烃聚合物(Cyclo Olefin Polymer，COP)，由于环烯烃聚合物容易酸化，通常转印大于2000片后，模版S上易沾粘一些细小颗粒，例如金属微粒，而使得模版S进行间隔层14形成步骤时，会在间隔层14表面上易发生粗糙不平的现象，而使得盘片的预刻凹槽地址(Address In Pre-groove，ADIP)的错误率(ADIPError Rate，ADER)偏高，如此一来，即会造成盘片品质下降。
另外，于间隔层14形成后，即会进行第二记录层15的涂布，涂布完成后则会于高温下(约85)烘烤约30分钟，以赶走第二记录层15的溶剂成份。一般间隔层14选用的材料，其玻璃转换温度(Tg)通常小于85，而且需对溶剂有一定的抗性，因此在高温环境中赶走溶剂时，易使得间隔层14软化变形，因此也会对于盘片的品质造成不利的影响。
再加上，间隔层14的材质尚有几个限制，例如胶体硬化后的收缩率要小、硬化后的残留应力也要小、间隔层14的复制性要高、具有与模版S表面相斥的化学结构(亲水或疏水基的搭配)等等。因此，会使得间隔层14的材料选择受限。
有鉴于上述课题，本案发明人因于此，亟思一种可以解决光信息储存媒体的ADER偏高、间隔层易软化变形、间隔层材料选择空间有限等问题的「光信息储存媒体的制造方法」。
发明内容
有鉴于上述课题，本发明的目的为提供一种光信息储存媒体的制造方法，以解决已知技术的光信息储存媒体的ADER偏高、间隔层易软化变形等问题。
为达上述目的，依本发明的光信息储存媒体的制造方法，包含形成一第一记录积层于一第一基板上、利用一模版以形成一具有沟槽的间隔层于第一记录积层之上、溅镀一第一强化层于间隔层上、形成一第二记录积层于第一强化层上、以及接合一第二基板于第二记录积层上。
承上所述，因依本发明的光信息储存媒体的制造方法，于间隔层上溅镀形成一第一强化层。与已知技术相比，本发明的光信息储存媒体的制造方法，于光聚合制程中，利用溅镀的方式形成致密的第一强化层，故能填补原本间隔层的粗糙表面，以降低光信息储存媒体的ADER，并确保产品品质。再加上第一强化层形成于间隔层的一侧，故也同时能加强间隔层的强度，并保护间隔层使其不受高温的伤害而软化变形。另外，第一强化层更能增加间隔层对于溶剂的抗性，因此，也使得间隔层的材料选择性增加。
图1为一示意图，显示已知的单面双层DVD-R盘片的结构；图2为一示意图，显示已知以光聚合制程制造单面双层DVD-R盘片；图3为一流程图，显示本发明较佳实施例的光信息储存媒体的制造方法；图4为一示意图，显示本发明较佳实施例的光信息储存媒体的制造方法；图5为另一流程图，显示本发明较佳实施例的光信息储存媒体的制造方法；以及图6为一示意图，显示本发明较佳实施例的光信息储存媒体的制造方法。
图中符号说明10 单面双层DVD-R盘片11 第一基板12 第一记录层13 第一反射层14 间隔层15 第二记录层16 第二反射层17 第二基板18 接合层30 光信息储存媒体31 第一基板32 第一记录层
33 第一反射层34 间隔层34’ 光固胶层35 第一强化层36 第二强化层37 第二记录层38 第二反射层39 第二基板S模版S10 形成一第一记录积层于一第一基板上S20 溅镀一第二强化层于第一记录积层上S30 利用一模版以形成一具有沟槽的间隔层于第一记录积层之上S50 溅镀一第一强化层于间隔层上S70 形成一第二记录积层于第一强化层上S90 接合一第二基板于第二记录积层上具体实施方式
以下将参照相关附图，说明依本发明较佳实施例的光信息储存媒体的制造方法。
请参照图3，光信息储存媒体的制造方法包含形成一第一记录积层于一第一基板上(S10)、利用一模版以形成一具有沟槽的间隔层于第一记录积层之上(S30)、溅镀一第一强化层于间隔层上(S50)、形成一第二记录积层于第一强化层上(S70)、以及接合一第二基板于第二记录积层上(S90)。本实施例中，以制造一写一次型单面双层数字激光视盘30为例。当然，本发明的光信息储存媒体的制造方法，也可以用于其它多层的光信息储存媒体。
请同时参照图3及图4，于步骤S10中，将第一记录积层L0形成于第一基板31上。
第一基板31最常使用的材料是聚碳酸酯(Polycarbonate，PC)，其特点是具有良好的光学性质及化学稳定性。当然，第一基板31的材质也可以是其它的透明材质。
本实施例中，第一记录积层L0具有一第一记录层32及一第一反射层33。第一记录层32的材质可为有机染料或是无机材料。本实施例中，第一记录层32的材质为有机染料，例如一偶氮染料，并以旋转涂布方式形成。
第一反射层33设于第一记录层32之上，第一反射层33为一半反射层(semi-reflective layer)，其材质为纯金属或其合金，例如是银或银合金、以及铝或铝合金、金或金合金等等。而第一反射层33的形成方式，通常是利用来形成溅镀或蒸镀方式来形成。
于步骤S30中，利用一模版S以于第一记录积层L0之上，形成一具有沟槽的间隔层34。也就是说，先涂布一层胶体后，利用模版S上的预刻沟槽，覆盖至间隔层34上。经过加热或光照射后，使得胶体固化，即可剥除模版S而得到具有沟槽的间隔层34。
于步骤S50中，利用溅镀的方式，将第一强化层35形成于间隔层34上。其中，第一强化层35的材质为氮化硅(silicon nitride，SiNx)、氧化硅(silicon oxide，SiOx)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO2)、氧化钛(titanium oxide，TiOx)、氧化钽(tantalum oxide，TaOx)、氧化铝(aluminumoxide，AlOx)、氧化锌(zinc oxide，ZnOx)、氧化锆(zirconium oxide，ZrOx)、氮化锗(germanium nitride，GeN)、氮化钛(titanium nitride，TiN)、氧化镁(magnesium oxide，MgO)、氮氧化硅(silicon oxynitride，SiON)、含碳氧化硅(carbon doped silicon oxide，SiOC)、氧化铋(bismuth oxide，BiOx)或氮化铝(aluminum nitride，AlNx)。而第一强化层35的折射率(refraction index)约介于1.4～3。
本实施例中，溅镀所形成的第一强化层35，可于间隔层34的表面上，形成致密的第一强化层35，故能填补原本间隔层34的粗糙表面，以降低光信息储存媒体30的ADER，并确保产品品质。再加上第一强化层35形成于间隔层34之一侧，故也同时能加强间隔层34的强度，并保护间隔层34使其不受高温的伤害而软化变形。另外，第一强化层35更能增加间隔层34对于溶剂的抗性，因此，也使得间隔层34的材料选择性增加。
请同时参照图5及图6，本实施例中，光信息储存媒体的制造方法更可包含溅镀一第二强化层于第一记录积层上(S20)。于步骤S20中，利用溅镀的方式，将第二强化层36形成于第一记录积层L0上。其中，第二强化层36的材质可为氮化硅(silicon nitride，SiNx)、氧化硅(silicon oxide，SiOx)、硫化锌-二氧化硅(ZnS-SiO2)、氧化钛(titanium oxide，TiOx)、氧化钽(tantalum oxide，TaOx)、氧化铝(aluminum oxide，AlOx)、氧化锌(zinc oxide，ZnOx)、氧化锆(zirconium oxide，ZrOx)、氮化锗(germanium nitride，GeN)、氮化钛(titanium nitride，TiN)、氧化镁(magnesium oxide，MgO)、氮氧化硅(silicon oxynitride，SiON)、含碳氧化硅(carbon doped silicon oxide，SiOC)、氧化铋(bismuth oxide，BiOx)或氮化铝(aluminum nitride，AlNx)。第二强化层36的折射率(refraction index)约介于1.4～3。而且，第二强化层36的材质可与第一强化层35相同，也可以不同。
也就是说，间隔层34的两侧分别具有第一强化层35及第二强化层36。如此一来，间隔层34的二侧均可受到保护。
于步骤S70中，于第一强化层35上形成一第二记录积层L1。本实施例中，第二记录积层L1依序具有一第二记录层37及一第二反射层38。其中，第二记录层37的材质可为一有机染料，例如是一偶氮染料(AZO dye)，经旋转涂布方式而形成。而第二反射层38的材质可为一半导体或导体合金薄膜。
于步骤S90中，将第二基板39接合于第二记录积层L1上。其中，第二基板39的材质与第一基板31相同，为一透明基板。接合第二基板39时，可利用一光固性粘合胶，经照光处理后，即可将第二基板39固定。
综上所述，本发明的光信息储存媒体的制造方法，于间隔层上溅镀形成一第一强化层。与已知技术相比，本发明的光信息储存媒体的制造方法，于光聚合制程中，利用溅镀的方式形成致密的第一强化层，故能填补原本间隔层的粗糙表面，以降低光信息储存媒体的ADER，并确保产品品质。再加上第一强化层形成于间隔层的一侧，故也同时能加强间隔层的强度，并保护间隔层使其不受高温的伤害而软化变形。另外，第一强化层更能增加间隔层对于溶剂的抗性，因此，也使得间隔层的材料选择性增加。
以上所述仅为举例性，而非为限制性者。任何未脱离本发明的精神与范畴，而对其进行的等效修改或变更，均应包含于所述的权利要求范围中。
权利要求
1.一种光信息储存媒体的制造方法，其特征是，包含形成一第一记录积层于一第一基板上；利用一模版以形成一具有沟槽的间隔层于该第一记录积层之上；溅镀一第一强化层于该间隔层上；形成一第二记录积层于该第一强化层上；以及接合一第二基板于该第二记录积层上。
2.如权利要求1所述的光信息储存媒体的制造方法，其特征是，该第一记录积层包含一第一记录层及一第一反射层。
3.如权利要求1所述的光信息储存媒体的制造方法，其特征是，该第一反射层为一半反射层。
4.如权利要求1所述的光信息储存媒体的制造方法，其特征是，该模版的材质为聚碳酸酯、聚甲基丙烯酸甲酯、环烯烃聚合物、玻璃、或镍金属。
5.如权利要求1所述的光信息储存媒体的制造方法，其特征是，该第一强化层的材质为氮化硅、氧化硅、硫化锌-二氧化硅、氧化钛、氧化钽、氧化铝、氧化锌、氧化锆、氮化锗、氮化钛、氧化镁、氮氧化硅、含碳氧化硅、氧化铋或氮化铝。
6.如权利要求1所述的光信息储存媒体的制造方法，其特征是，该第一强化层的折射率约介于1.4～3。
7.如权利要求1所述的光信息储存媒体的制造方法，其特征是，该第二记录积层包含一第二记录层及一第二反射层。
8.如权利要求1所述的光信息储存媒体的制造方法，其特征是，还包含溅镀一第二强化层于该第一记录积层上。
9.如权利要求8所述的光信息储存媒体的制造方法，其特征是，该第二强化层的材质为氮化硅、氧化硅、硫化锌-二氧化硅、氧化钛、氧化钽、氧化铝、氧化锌、氧化锆、氮化锗、氮化钛、氧化镁、氮氧化硅、含碳氧化硅、氧化铋或氮化铝。
10.如权利要求8所述的光信息储存媒体的制造方法，其特征是，该第二强化层的折射率约介于1.4～3。
全文摘要
一种光信息储存媒体的制造方法，包含形成一第一记录积层于一第一基板上、利用一模版以形成一具有沟槽的间隔层于第一记录积层上、溅镀一第一强化层于间隔层上、形成一第二记录积层于第一强化层上、以及接合一第二基板于第二记录积层上。与已知技术相比，本发明的制造方法，利用溅镀的方式形成致密的第一强化层，故能填补原本间隔层的粗糙表面，以降低光信息储存媒体的预刻凹槽地址的错误率(ADER)，并确保产品品质。再加上第一强化层形成于间隔层的一侧，故也同时能加强间隔层的强度，并保护间隔层使其不受高温的伤害而软化变形。
文档编号G11B7/256GK1917060SQ20051009201
公开日2007年2月21日 申请日期2005年8月16日 优先权日2005年8月16日
发明者张汉宜, 苏伟凯, 杨晃祥, 蔡正原 申请人:精碟科技股份有限公司