专利名称：写入条件优化方法和设备以及光记录介质的制作方法
技术领域：
本发明的各方面涉及一种用于优化光记录介质的写入条件的方法和设备 及其光记录介质。
背景技术：
传统的写入条件优化方法可包括通过在按照预定模式执行写入之后的 再现期间，提取写入模式边沿与PLL (锁相环)时钟边沿之间的相位差柞为 误差脉冲来确定具有最小相位差的写入脉冲，获得一种来自#4居标记(mark) 和空白(space)的组合存在相位差的信息表的误差脉沖被最小化的条件，对 于盘重复写入并再现写入模式的操作。
另 一传统的写入条件优化方法包括通过最小化抖动来优化写入的方法。 在该方法中，按照非对称校正方法来首先优化写入功率。然后，通过移动标 记边沿来确定写入脉冲。也就是说，确定写入脉沖的第一脉冲和最后脉冲以 最小化抖动值。
这些方法基本上使用过零(zero-crossing )方法来测量抖动或者使用写入 模式边沿与PLL时钟边沿之间的相位差来优化写入。然而，随着盘的容量增 加，上述和/或其它方法的使用变得不可行。
图1A和图1B是分别示出使用波长为405nm, NA为0.85 (其中，分辨 率为119nm ( =405nm/ (4x0.85)))的拾取器测量的25GB和50GB的RF 信号的曲线图。如图l所示，对于25GB的RF信号，RF信号比较清楚，从 而可按照过零方法来估计信号，并且可使用该方法进行写入优化。也就是说， 如圈A所示，由于RF信号清楚地跨过零点，因此，可按照过零方法来进行 写入优化。
如图1B所示，对于50GB的RF信号，由于小于分辨率(2T-75nm并 且3T=112.5nm)的信号不能被检测到，所以不能按照上述传统的写入条件 优化方法来实现写入优化。也就是说，由于RF信号没有在由圏B指示的部 分中跨过零点，所以难以检测写入RF信号的过零情况。
发明内容
技术问题
所述现象在包括小于分辨率的标记的Super-RENS盘的随机信号中同样 存在。在Super-RENS盘中，激光束本身的大小没有减小，但是光学特性在盘 的部分区域改变。因此，由于标记的长度减小而激光束的原始大小没有改变， 所以标记位于激光束的一个光斑的范围之内，因此干扰信号。当特定标记的 信号电平由于上述符号间干扰而受到位于所述特定标记之前和之后的标记的 信号电平的影响时，即使标记或空白的长度相同，标记或空白的信号电平也 变得不一致。因此，不能使用过零方法。所以，用于传统光盘的写入优化方 法不能用于包括小于分辨率的标记的Super-RENS盘。因此，需要新的方法来 进行写入优化。
技术方案
为了解决上述和/或其它问题，本发明的各方面提供一种写入条件优化方 法和设备及其信息存储介质，所述方法和设备通过在高密度信息记录介质(具 体为超分辨率盘)中最优地确定写入条件来改善信号的质量。
有益效果
根据本发明的各方面，对于无法使用过零检测方法的高密度信息存储介 质的光记录介质，可有效地优化写入条件。此外，可通过改善信号的质量来 再现高容量记录。
通过下面结合附图进行的对实施例的描述，本发明的这些和/或其它方面 和优点将会变得清楚和更加容易理解，其中
图1A和图1B是分别示出使用波长为405nm, NA为0.85 (其中，分辨 率为119nm ( =405nm/ (4x0.85)))的拾取器测量的25GB和50GB的RF 信号的曲线图2是示出根据本发明实施例的记录/再现设备的配置的示图； 图3是用于解释根据本发明实施例的写入条件优化方法的流程图； 图4是用于图3的写入条件优化方法的测试写入^^莫式的时序图； 图5A和图5B示出根据图3的写入条件优化方法的误差改进方向；图6A和图6B示出根据图3的写入条件优化方法的另一误差改进方向； 图7A和图7B示出根据图3的写入条件优化方法的另一误差改进方向； 图8A和图8B是示出根据重复误差的占空时间量的改变的曲线图；以及 图9是示出写入占空时间调整量的信息记录介质的示图。
具体实施方式
最佳方式
根据本发明的一方面， 一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括 在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据，将通过再现写入的测试模 式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进 行比较，以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。
确定最佳写入条件的步骤包括当检测误差模式二进制信号和校正模式 二进制信号的结果相同时，将写入数据的写入条件确定为最佳写入条件。
确定最佳写入条件的步骤包括当检测误差模式二进制信号和校正模式 二进制信号的结果不相同时，通过改变数据的写入条件直到检测误差模式二 进制信号和校正模式二进制信号的结果相同来写入数据，当检测误差模式二 进制信号和校正模式二进制信号的结果相同时，将写入数据的写入条件确定 为最佳写入条件。
确定最佳写入条件的步骤包括将误差模式二进制信号与校正模式二进 制信号进行比较，当具有差值误差的标记重复出现时，将所述标记以及该标 记之前和之后的至少一个标记和/或空白确定为写入改进模式，参照校正模式 二进制信号来改变数据的写入条件，根据改变的写入条件，写入依据写入改 进模式的数据。
在改变写入条件的步骤中，参照校正模式二进制信号来改变以下项中的 至少一个写入改进模式的第一写入脉冲的宽度、第一写入脉冲的开始点的 移动量以及最终写入脉冲的宽度。
改变写入条件的步骤包括从光记录介质的预定区域读取关于将改变的 写入条件的信息。
根据本发明的另 一方面， 一种用于优化光记录介质的写入条件的设备包 括读和/或写单元，用于按照写入条件将测试模式数据写到光记录介质，并 从光记录介质读取测试模式数据；以及控制单元，将通过再现读取的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与校正二进制信号进行比较，并基于比较 的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。
根据本发明的另 一方面，信息存储介质记录有关于信息存储介质的写入
条件调整值的信息，关于写入条件调整值的信息包括以下项中的至少 一 个
写入改进模式的第一写入脉沖的宽度、第一写入脉沖的开始点的移动量以及 最终写入脉沖的宽度。
关于写入条件调整值的信息被写入信息存储介质的导入区和导出区中的 至少一个。
本发明的附加和/或其它方面和优点在下面的描述中部分地阐述，部分地 通过所述描述变得清楚，或者可通过对本发明的实施来得知。
发明方式
现将详细参照本发明的当前实施例，其示例在附图中示出，其中，相同 的标号始终指示相同的部件。以下通过参照附图来描述所述实施例以便解释 本发明。
参照图2,根据本发明实施例的记录/再现设备100包括拾取单元1、 部分响应最大似然(PRML ) 4企测单元70、系统控制器80和写入策略(W/S ) 单元90。 W/S单元90根据记录/再现设备100的写入策略向拾取单元1提供 写入模式和写入条件控制信号。拾取单元1根据从W/S单元90接收的写入 模式和写入条件控制信号，向作为超分辨率记录介质的光记录介质200照射光。
拾取单元1包括激光二极管10,用于照射光；校准透镜20,用于将从 激光二极管10照射的光转换为平行光束；光束分离器30，用于改变入射光 的行进路径；和物镜40,用于将穿过光束分离器30的光聚集到记录介质200。 拾取单元1向光记录介质200照射再现光束。由光记录介质200反射的光经 光束分离器30反射，被光检测器50接收。正交光检测器可用作光检测器50。 由光检测器50接收的光随后经由计算电路单元60被转换为电信号，并作为 RF信号被输出。
PRML检测单元70从计算电路单元60接收RF信号，在电平检测方法 期间将RF信号转换为二进制信号，并将转换的二进制信号提供给系统控制 器80。如图2所示，尽管使用的是PRML检测单元70，但是根据本发明各 方面的记录/再现设备100并不受限于此，可使用其它二进制信号检测方法。系统控制器80控制记录/再现设备100的全部构成部件。具体说来，系 统控制器80将从PRML检测单元70接收的二进制信号(以下，称为"误差 模式二进制信号")与写入模式的原始二进制信号(以下，称为"校正模式二 进制信号")进行比较，并确定是否出现误差以及误差的产生是否被重复。系 统控制器80还确定是否存在出现重复误差的写入改进标记以及在所述写入 改进标记之前和之后是否存在至少一个标记和一个空白，作为写入改进才莫式。 系统控制器80还确定写入模式因子(写入条件)的设置的值，以将误差模式 二进制信号调整为与校正模式二进制信号相同，并将写入模式因子的设置的 值和写入改进模式提供给W/S单元90。在通过调整写入模式因子的设置的值 来执行写入改进模式之后，当从PRML检测单元70接收的误差模式二进制 信号和校正模式二进制信号相同时，系统控制器80将用于误差模式二进制信 号的写入模式因子确定为最佳写入模式因子。
此外，当调整写入模式因子的设置的值时，如果关于写入模式因子的设 置的值的信息被写入光记录介质200的预定区域，则系统控制器80从所述预 定区域读取关于写入模式因子的设置的值的信息，从而允许使用所述信息来 调整写入模式因子的设置的值。
图3是用于解释根据本发明实施例的写入条件优化方法的流程图。如图 3所示，设置用于测试写入操作的写入功率级Pw、擦除功率级Pe和偏置功 率级(或底功率级，bottom power level) Pbw,并设置测试写入模式(310 )。 测试写入模式是指随机信号以特定周期重复出现的信号模式。
图4是用于图3的写入条件优化方法的测试写入模式的时序图，示出用 于分别写入7T标记和3T标记的脉冲的一莫式。图4所示的写入脉沖相应于 (N-l)写入策略才莫式。(n-l)个写入脉冲用于写入nT标记。例如，7T标记 可包括6个写入脉冲和1个第一脉冲410、最后脉沖430、和在第一写入脉冲 410与最后写入脉冲420之间插入的4个多脉冲420。才艮据本发明的实施例， 所述4个多脉冲具有相似的特性。
第 一 写入脉冲410可在7 T的最开始的2 T区间的范围之内移动。开始第 一脉冲(TSFP)和结束第一脉冲(TEFP)分别指示在第一写入脉冲410的开 始点的移动量和第一写入脉沖410的宽度。多脉沖420中的每一个可在分配 的1T区间的范围之内移动。开始多脉冲(TSLP)和结束多脉沖(TELP)分 别指示在最后写入脉沖430的开始点的移动量和最后写入脉冲430的宽度。最后擦除(TLE)指示从最后写入脉沖的开始点到擦除功率级开始的点的宽度。
通过用于上述写入脉冲的条件来确定写入条件。尽管根据本发明的各方
面，可在写入条件优化方法中使用如图4所示的写入策略模式，但是可使用
另一类型的写入策略模式。
参照图3,在测试写入模式中，在固定TSMP、 TEMP、 TELP和TLE的 同曰十，将TSFP、 TEFP和TSLPi殳置为变量(311 )。也就是i兌，TSFP、 TEFP 和TSLP是根据本发明实施例的写入条件改变参数。
基于设置的值，根据测试写入模式来重复写入数据(312)。在测试写入 完成之后，测试写入轨道被再现，并且PRML检测单元70检测例如NRZI 格式的二进制信号(313)。尽管在根据本发明各方面的再现写入光记录介质 的数据期间将使用电平检测的PRML检测单元70用于检测二进制信号，但 是可使用其它二进制信号检测方法(例如，片(slice)检测方法)。
PRML检测单元70将二进制信号(以下称为"误差模式二进制信号") 与写入模式的原始二进制信号(以下称为"校正模式二进制信号")进行比较 (314 )，检测是否存在误差(315 ),并确定误差的出现是否超过预定值(316 )。 对于重复产生的次数超过预定值的误差，系统控制器80确定写入改进模式 (318)和误差改进方向(319)。
详细说来，PRML检测单元70检测出现误差的标记的位置。也就是说， 因为标记被检测为过长或过短而出现误差。在其它实施例中，发现误差出现 在标记之前或之后，以及标记的误差是否被确定为重复出现。当误差被确定 为重复出现超过预定值时，将该标记确定为写入改进标记。
写入改进标记以及该标记之前或之后的至少 一个标记和空白被确定为写 入改进模式。例如，写入改进模式可被确定为包括5个符号。也就是说，除 了写入改进标记之外，写入改进模式可以是标记-空白-写入改进标记-空白-标 记。
调整TSFP、 TEFP和TSLP的设置的值，以使得写入改进模式的二进制 信号类似于校正模式二进制信号(320 )。当误差的重复出现超过预定值时， 重复操作312到320。当在操作316没有出现超过预定值的重复的误差时， TSFP、 TEFP和TSLP作为用于当前误差模式二进制信号的写入条件，被确定 为最佳写入条件(317)。将在下面参照图5A到图7B来描述根据本发明的写入条件优化方法。用 于获得图5A到图7B所示的结果的测试条件如下
波长为405nm, NA为0.85,分辨率为119nm ( = 405nm/ ( 4 x 0.85 ))的 拾取器用于写入测试写入模式。写入的条件是2.5m/秒的线速度、10.8mW的 Pw、 2.7mW的Pbias、 2.9mW的Pr以及75和112.5nm的标记长度。(N-l ) 写入策略模式用作参照图4描述的写入脉冲。
对于使用405nm、 NA为0.85的拾取器的一般光盘，最小标记的长度大 约为150nm。然而，在用于本发明的超分辨率光盘中，最小标记的长度为 75nm。这允许超分辨率光盘具有一般记录介质的两倍记录容量。
当使用(1， 7)代码时，如果75nm的长度被设置为2T,则112.5nm的 长度相应于3T。再现信号识别方法使用部分响应最大似然(PRML)。
针对当前的25GB蓝光盘系统，为了进行最佳写入，考虑到前面和后面 的空白而使用包括三个符号的自适应写入策略。然而，随着容量的增加，将 写入的标记之间的热干扰增加，并且进入光斑的标记和空白的数量增加，从 而光强的影响增加。因此，需要考虑多于3个符号的自适应写入策略。因此， 考虑光斑的大小和最短标记的长度，当最小标记是75nm时，使用考虑5个 符号的自适应写入策略。当写入功率和再现功率被优化时(根据该实施例的 各方面，写入功率和再现功率为10.8mW的Pw、 Pbais = 2.7mW、 Pr = 2.9mW )， 系统控制器执行写入模式的测试写入。在该实施例中，使用以特定周期重复 2026比特的随机信号的模式信号。
在该实施例中，根据参照图3描述的上述写入条件优化方法来实现写入 条件优化处理。也就是说，在写入模式被设置之后，TSMP、 TEMP、 TELP 和TLE被固定，并且通过将写入模式因子"TSFP、 TEFP和TSLP"设置为 变量来一次性写入所述写入模式。
通过PRML检测单元70将写入模式再现并转换为二进制信号。将从 PRML检测单元70输出的二进制信号(误差模式二进制信号)与写入模式原 始二进制信号(校正模式二进制信号)进行比较以检测差值(即，误差)。误 差的重复出现超过预定值的标记被确定为写入改进标记。写入改进标记之前 和之后的标记与空白被确定为写入改进模式(5个符号)。
写入改进模式和写入模式因子"TSFP、 TEFP和TSLP"的调整的值被输 出到系统控制器80。在上述方法中，在预定范围之内改变写入模式因子"TSFP、 TEFP和TSLP"的同时，将从PRML 4企测单元输出的二进制信号与 写入模式的原始二进制信号(校正模式二进制信号)进行比较。当检测的二 进制信号相同时，确定最佳写入模式因子"TSFP、 TEFP和TSLP"。
图5A和图5B示出根据图3的写入条件优化方法的误差改进方向。在图 5A和图5B中，符号"■"指示通过再现测试写入模式获得的实际射频(RF) 信号，符号指示由写入模式原始二进制信号组成的理想RF信号，符 号"▲"指示由从PRML检测单元70输出的二进制信号组成的RF信号。
参照图5A,写入模式的原始二进制信号(校正模式二进制信号)是 000111000001111111 OO( 3T标记-3T空白-5T标记-7T空白-2T标记)，从PRML 检测单元输出的二进制信号(误差模式二进制信号)是00011100000011111100 (3T标记-3T空白-6T标记-6T空白-2T标记)。当将4交正才莫式二进制信号与误 差模式二进制信号进行比较时，因为校正模式二进制信号的5T标记被识别为 误差模式二进制信号中的6T标记而出现误差，并且在标记的随后部分出现误 差。当将所述误差与RF信号进行比较时，可以看出，实际RF信号("画") 比理想RF信号("* ")更加靠近由PRML输出二进制信号组成的RF信号
图5B示出通过当由于将5T标记的TELP从0.28T减小到0.18T而出现 误差时调整5T标记的TELP并再次写入所述写入改进模式，将校正模式二进 制信号与误差模式二进制信号进行比较。参照图5B,可以看出实际RF信 号("■")比由占空时间(duty)减少之前的PRML输出二进制信号组成的 RF信号("▲")更加靠近理想RF信号("*")。当所述二进制信号被相互比 较时，可以看出校正模式二进制信号与误差模式二进制信号匹配，从而在 占空时间调整之前的6T标记和6T空白分别^^全测为5T标记和7T空白。
图6A和图6B示出根据图3的写入条件优化方法的另一误差改进方向。 图6A和图6B所示的示例相对于图5的示例。参照图6A,写入模式的原始 二进制信号(校正模式二进制信号)是0011110000111000000 ( 2T标记-4T空 白-4T标记-3T空白-6T标记)，从PRML冲全测单元输出的二进制信号(误差 模式二进制信号)是0011110001111000000 (2T标记-4T空白-3T标记-4T空 白-6T标记)。因为校正模式二进制信号的4T标记被识别为误差模式二进制 信号中的3T标记而出现误差。
为了改善误差问题，如图6B所示，通过将4T标记的TELP从0.31T增加到0.41T并再次写入所述写入改进模式，将校正模式二进制信号与误差模
式二进制信号进行比较。参照图6B,可以看出实际RF信号("■")比由 占空时间增加之前的PRML输出二进制信号组成的RF信号("▲")更加靠 近理想RF信号("*")。当所述二进制信号被相互比较时，校正模式二进制 信号与误差模式二进制信号匹配。因此，可以看出通过占空时间调整，4T 空白^皮4企测为4T标记和3T空白。
图7A和图7B示出根据图3的写入条件优化方法的另一误差改进方向。 参照图7A,写入模式的原始二进制信号(校正模式二进制信号)是 000011000111110000 (4T标记-2T空白-3T标记-5T空白-4T标记),从PRML 检测单元输出的二进制信号(误差模式二进制信号)是000110001111110000 (3T标记-2T空白-3T标记-6T空白-4T标记)。因为3T标记^皮移动而出现误 差。
因此，为了改善误差问题，如图7B所示，通过将3T标记的TSFP从0.25T 增加到0.35T并再次写入所述写入改进模式将校正模式二进制信号与误差模 式二进制信号进行比较。参照图7B,可以看出实际RF信号("■")比由 占空时间增加之前的PRML输出二进制信号组成的RF信号("▲")更加靠 近理想RF信号("*")。当所述二进制信号被相互比较时，校正模式二进制 信号与误差模式二进制信号匹配。因此，可以看出通过占空时间调整，3T 标记、2T空白、3T标记和5T空白分别净皮斗企测为4T标记、2T空白、3T标记 和5T空白。
图8A和图8B是示出根据重复误差的占空时间量的改变的曲线图。参照 图8A,当重复误差率为正时，将写入标记写成短于理想标记的长度，也就是 说，从PRML检测单元70输出的二进制信号大于写入模式的原始二进制信 号。在这种情况下，TSFP减少占空时间。当重复误差率为负时，将写入标记 写成长于理想标记的长度，也就是说，从PRML检测单元70输出的二进制 信号小于写入模式的原始二进制信号。在这种情况下，TSFP增加占空时间。 参照图8B,当重复误差率为正时，将写入标记写成短于理想标记的长度，也 就是说，从PRML检测单元70输出的二进制信号大于写入模式的原始二进 制信号。在这种情况下，TELP增加占空时间。当重复误差率为负时，将写入 标记写成长于理想标记的长度，也就是说，从PRML检测单元70输出的二 进制信号小于写入模式的原始二进制信号。在这种情况下，TELP减少占空时间。例如，当重复误差率不小于50%时，增加或减少0.1T。当重复误差率小 于50%时，增加或减少0.05T。
当在光记录介质的大量再现之前对于光记录介质执行写入条件优化，并 且可获得将根据重复误差率调整的占空时间量时，可在制造光记录介质期间， 预先将占空时间量写入光记录介质的预定区域。因此，当对于具有记录有根 据重复误差率调整的占空时间量的预定区域的光记录介质执行写入条件优化 处理时，可通过基于从光记录介质的预定区域读取的信息调整占空时间来减 少执行光记录介质的写入条件优化所需的时间。
图9是示出写入占空时间调整量的信息记录介质的示图。如图9所示， 光记录介质200包括顺序排列的导入区210、数据区220和导出区230。将占 空时间调整量信息211记录在导入区210中。然而，不仅可将占空时间调整 量信息211记录在导入区中，而且可将占空时间调整量信息211记录在导出 区210或数据区220中的预定位置。
录介质上的计算机可读代码。计算机可读记录介质可以是存储其后可由计算 机系统读取的数据的任何数据存储装置。计算机可读记录介质的示例包括 只读存储器(ROM)、随机存取存储器(RAM)、 CD-ROM、磁带、软盘、光 数据存储装置和以包括压缩源代码段和加密源代码段的载波实现的计算机数 据信号(诸如通过互联网的数据传输)。还可将计算机可读记录介质分布于联 网的计算机系统，从而按照分布方式来存储和执行计算机可读代码。此外， 本发明相关的编程技术人员可容易地理解用于实现本发明各方面的功能程 序、代码和代码段。
尽管已经示出并描述了本发明的若干实施例，但是本领域的技术人员应 清楚在不脱离本发明的原理和精神的情况下，可在这些实施例中进行改变， 所述本发明的范围在权利要求及其等同物中限定。
权利要求
1、一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。
2、 如权利要求l所述的方法，其中，确定最佳写入条件的步骤包括当 误差模式二进制信号和校正模式二进制信号相同时，将写入条件确定为最佳 写入条件。
3、 如权利要求l所述的方法，其中，确定最佳写入条件的步骤包括 当误差模式二进制信号和校正模式二进制信号最初不相同时，重复写入测试模式数据，同时改变写入条件，直到误差模式二进制信号和校正模式二 进制信号相同；以及当误差模式二进制信号和校正模式二进制信号相同时，将写入条件确定 为最佳写入条件。
4、 如权利要求l所述的方法，其中，确定最佳写入条件的步骤包括 将误差模式二进制信号与校正模式二进制信号进行比较，当具有差值误差的标记重复出现时，将所述标记以及该标记之前和之后的至少 一个标记和/或空白确定为写入改进模式；参照校正模式二进制信号来改变测试模式数据的写入条件；以及 根据写入改进模式，按照改变的写入条件来写入测试模式数据。
5、 如权利要求4所述的方法，其中，改变写入条件的步骤包括改变以下 项中的至少一个写入改进模式的第一写入脉冲的宽度、第一写入脉沖的开 始点的移动量以及最终写入脉冲的宽度。
6、 如权利要求4所述的方法，其中，改变写入条件的步骤包括从光记
7、 一种存储有用于执行根据权利要求1的方法的程序的计算机可读介质。
8、 一种用于优化光记录介质的写入条件的设备包括 读和/或写单元，用于按照写入条件将测试模式数据写到光记录介质，并从光记录介质读取测试模式数据；以及控制单元，用于将通过再现读取的测试模式数据检测的误差模式二进制 信号与校正二进制信号进行比较，并基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。
9、 如权利要求8所述的设备，其中，当误差模式二进制信号和校正模式 二进制信号相同时，控制单元确定写入的测试模式数据的写入条件为最佳写 入条件。
10、 如权利要求8所述的设备，其中，当误差模式二进制信号和校正模 式二进制信号最初不相同时，控制单元控制读和/或写单元按照改变的写入条 件来写入测试模式数据，直到误差模式二进制信号和校正模式二进制信号相 同，当误差模式二进制信号和校正模式二进制信号相同时，控制单元确定写 入的测试模式数据的写入条件为最佳写入条件。
11、 如权利要求8所述的设备，其中，控制单元将误差模式二进制信号 与校正模式二进制信号进行比较，当具有差值误差的标记重复产生时，将所 述标记以及该标记之前和之后的至少 一个标记和/或空白确定为写入改进才莫 式，参照校正模式二进制信号来改变测试模式数据的写入条件，根据写入改 进模式控制读和/或写单元按照改变的写入条件来写入数据。
12、 如权利要求11所述的设备，其中，控制单元通过改变以下项中的至 少一个来改变测试模式数据的写入条件写入改进模式的第一写入脉沖的宽 度、第 一写入脉冲的开始点的移动量以及最终写入脉沖的宽度。
13、 如权利要求11所述的设备，其中，控制单元控制读和/或写单元从于写入条件的信息来改变数据的写入条件。
14、 一种记录有关于信息存储介质的写入条件调整值的信息的信息存储 介质，其中，关于写入条件调整值的信息包括以下项中的至少一个写入改 进模式的第 一写入脉沖的宽度、第 一写入脉沖的开始点的移动量以及最终写 入脉冲的宽度。
15、 如权利要求14所述的信息存储介质，其中，关于写入条件调整值的 信息被写入信息存储介质的导入区和导出区中的至少 一个。
16、 一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括 在光记录介质上根据写入条件来写入测试模式数据；将经由再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式 数据的校正模式二进制信号进行比较；以及如果误差模式二进制信号与校正模式二进制信号相同，则确定写入条件 被优化，或者改变写入条件，并重复写入、比较和确定步骤。
17、 如权利要求16所述的方法，其中，改变写入条件的步骤包括改变以 下项中的至少一个写入改进模式的第一写入脉冲的宽度、第一写入脉冲的 开始点的移动量以及最终写入脉沖的宽度。
18、 如权利要求16所述的方法，其中，改变写入条件的步骤包括从光
19、 一种存储有用于执行根据权利要求16的方法的程序的计算机可读介质。
20、 一种用于优化根据写入条件来写入测试模式数据的光记录介质的写 入条件的设备，所述设备包括控制单元，用于将通过再现测试模式数据检 测的误差模式二进制信号与校正二进制信号进行比较，如果误差模式二进制 信号与校正模式二进制信号相同，则确定写入条件被优化，或者改变写入条 件并重复写入测试模式数据、比较和确定步骤。
全文摘要
一种优化光记录介质的写入条件的方法，包括在光记录介质上按照写入条件写入测试模式数据；将通过再现写入的测试模式数据检测的误差模式二进制信号与测试模式数据的校正模式二进制信号进行比较；以及基于比较的结果来确定光记录介质的最佳写入条件。
文档编号G11B7/125GK101300624SQ200680040936
公开日2008年11月5日 申请日期2006年12月20日 优先权日2005年12月20日
发明者小林龙弘, 李坰根, 福泽成敏, 菊川隆, 裴在喆, 辉 赵, 金朱镐 申请人:三星电子株式会社;Tdk株式会社