多功能卡装置的制作方法

专利名称：多功能卡装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种多功能卡装置，如多功能存储卡，它可以对应多种存储卡标准，或 可以支持安全处理。
背景技术：
在通信个人数字助理、PDA(个人数据助理)、PC(个人计算机)中可用的存储卡存 在多种标准。例如，存在各种规范，例如匪C (多媒体卡)、HS匪C (高速多媒体卡)、RS匪C (小 尺寸多媒体卡)、SD卡、记忆棒(memory stick)以及记忆棒Pro。另外指出，这些标示在这 里分别是注册商标或商标。关于每种规范，数据位数、卡识别协议、总线控制方法、数据格式 等不同。 为了实现多存储体和多功能，在国际公开No.WO 01/84480的小册子中描述了保
持与匪C的互换性、在匪C中安装SIM(用户识别模块)的技术以及增强安全性。 日本未审专利公开No. 2003-30613描述了一种存储装置，其设置有多个控制器芯
片，支持与各控制器芯片对应的接口方式，并且能够实现方式改变。 日本未审专利公开No. 2003-91704描述了一种存储装置，其安装有闪速存储芯 片、执行安全处理的IC卡芯片、和根据来自外部的指令控制它们的控制器芯片。
本发明人研究了可以对应多种存储卡标准或可以支持安全处理的多功能卡装置。 根据这点，当对应标准变成三种或更多种时，清楚地表示，对于通过使端子部分共性化和部 分个性化来保证可靠性和抑制物理大小的增加，需要进行多方面的考虑。还假定通过接口 连接独立的安全控制器，或使用同样关于安全处理的存储卡接口时，需要能够处理各种接 口的可能性。不仅接触接口而且通过变压器耦合等的非接触接口同样扩展接口。从确保接 口的可靠性观点，还需要考虑天线特性的改善，和抵抗EMI (电磁干扰)的措施。在IC(集成 电路)卡等采用非接触接口的情况下，利用通过变压器耦合由电磁感应产生的电动势(感 应电动势)，获得操作功率。当考虑一种情况，即必须根据如同这样的感应电动势获得操作 功率时，认识到主要考虑低功率，对方式选择开关、电源开关等，保持开关状态不消耗功率， 特别总使这些状态为0N状态或OFF状态。 本发明的目的是提供用于解决上述关于多功能卡装置的考虑项目的手段，该多功 能卡装置可以对应多种存储卡标准，或可以支持安全处理。 从这里的描述及附图，本发明的上述和其他目的及新颖特征将变得显而易见。

发明内容
[1]《关于卡标准的通用性》 关于多功能卡装置，将多个半导体芯片安装在布线衬底上，该布线衬底上形成有
3外部连接端子，并且一个半导体芯片包括与外部连接端子连接的接口控制器，而另外的半 导体芯片包括与接口控制器连接的存储器。接口控制器具有多个接口控制方式，并且通过 根据来自外部的指示的或内部预先选择设定的控制方式，控制外部接口动作和存储器接口 动作。外部连接端子具有为每个接口控制方式所个性化的个别端子，和为每个接口控制方 式所共性化的公共端子。公共端子包括时钟输入端子、电源端子和接地端子。个别端子包 括数据端子。 通过对于多种接口控制方式使外部连接端子部分共性化和个性化，可以满足保证 接口的可靠性和增加物理大小的控制两个方面。 在促进多功能化中，它还具有安全控制器，包括在与接口控制器相同的半导体芯 片或另外的半导体芯片中。安全控制器与接口控制器和外部连接端子连接。个别端子还包 括安全控制器的专用端子。还可以保证通过安全控制器独立接口的安全处理。例如，当安 全控制器是所谓IC卡微型计算机时，变得可如同常规IC卡那样操作多功能卡装置。
作为一种具体形式，对于安全控制器的专用端子，它具有时钟端子、数据输入输出 端子、复位端子、电源端子和接地端子。通过至专用端子的信号状态，在安全控制器中独立 地实现对外部卡主机的识别。
[2]《安全处理》 作为一种具体形式，安全控制器根据外部端子的信号状态，或从接口控制器提供 的动作命令，执行安全处理。据此，变得可使其利用存储卡接口作用于存储器，保证独立地 操作安全控制器。 作为一种具体形式，它还具有一个内部天线，并且使用天线可以将非接触接口用 于安全控制器。如同非接触IC卡那样，通过使用由变压器耦合产生的感应电动势，变得可 使其独立地起作用。当从卡主机移去多功能卡装置，或在卡主机的电源断开的时候使用时，
这一点非常重要。 作为一种具体形式，它还具有一个可以连接外部天线的外部天线连接端子，和一 个可选择地将外部天线连接端子代替内部天线与安全控制器连接的开关电路。通过布置外 部天线，实现对特性比内部天线优良的天线的利用。 开关电路具有一个非易失性存储元件，它介入对应的连接端子之间，并且可根据 能电改变的阈值电压控制路径的断开或导通，和一个控制电路，它将从非易失性存储元件 的选择端子所见的阈值电压置于第一状态，断开路径，以及将阈值电压置于第二状态，执行 路径的导通。在阈值电压的第二状态下，将选择端子与电路的接地电压连接。据此，开关状 态保持为执行路径导通的0N状态，不消耗功率。 如果考虑在改变非易失性存储元件的阈值电压时的高电压影响，在非易失性存储 元件的两侧上，可以串联布置有一对用于隔离的开关。通过将选择端子与电路的接地电压 连接，使用于隔离的开关置为0N状态。当改变非易失性存储元件的阈值电压时，控制电路 控制用于隔离的开关为0FF状态。这时不需要使所有与路径连接的电路为高击穿电压。
非易失性存储元件包括双极晶体管部分和非易失性MOS晶体管部分，对该非易失 性M0S晶体管部分例如在双极晶体管部分的基极集电极之间连接漏极源极，并且关于非易 失性MOS晶体管部分，通过在源极漏极之间的沟道上的绝缘层形成电荷存储区，并且根据 这个电荷存储区内累积的电荷，使阈值电压可调节。
4
[3]《安全控制器的通电复位》 当考虑对安全控制器的复位时，与接口控制器等相比，关于执行安全处理的特性， 具有高可能性会经常执行对于异常状态使所有内部状态初始化的通电复位。
如果它具有一个外部电源端子，作为个别端子专用于安全控制器，则变得可以使 通电复位对安全控制器独立，而不使整个多功能卡装置复位，并且能改善用户友好性。
它可以具有一个外部电源端子，作为外部连接端子为安全控制器和接口控制器所 共用，和一个电源开关，通过控制从公共外部电源端子到安全控制器的电源端子之间的电 源路径中的接口控制器，能断开电源。由此也变得可以使通电复位对安全控制器独立。
它具有一个外部电源端子，作为外部连接端子为安全控制器和接口控制器所共 用，并且安全控制器具有复位信号的输入端子，利用它从接口控制器指示通电复位。这样也 变得可以使通电复位对安全控制器独立。 外部连接端子具有一个外部电源端子，从外部电源端子向接口控制器供给操作功 率，安全控制器将使用操作功率所产生的电源，例如降压电源作为操作功率，并且安全控制 器具有复位信号的输入端子，利用它从接口控制器指示通电复位。由此也变得可以使通电 复位对安全控制器独立。特别是当安全控制器和接口控制器用不同的芯片形成并且操作功 率电压不同时，非常有效。
[4]《通过接地图形防止天线特性变差》 作为本发明的一种具体形式，当上述多功能卡装置具有天线，并且能够使包括安 全控制器的半导体芯片的非接触接口与天线连接时，希望布线衬底具有分成多个并且在不 形成闭路下连接的分区接地图形(division gro皿d pattern)，作为施加电路的接地电位 的接地图形。在一个大接地图形的前表面上，能减小由磁通量波动产生的涡流损耗，并且能 防止或消除天线特性的变差。 [OOSO] [5]《天线性能的改善》 作为本发明的一种具体形式，当上述多功能卡装置具有天线，并且能够使包括安 全控制器的半导体芯片的非接触接口与天线连接时，希望将天线布置在半导体芯片的外部 区域中，并且希望在一个铁氧体板上执行半导体芯片的叠置。因为铁氧体板是铁磁质，具有 较大磁导率，所以磁通量试图沿着它的路径而不透过铁氧体板。因此，由于天线布置在铁氧 体板的外围部分处，所以变得可以在天线附近获得大的磁通量，并且由此它能有助于改善 天线的感应性能，这里即天线性能。因为半导体芯片堆积在铁氧体板上，所以能容易使磁通 量透过半导体芯片，并且变得可以预先防止在半导体芯片中出现不希望的涡流或不希望的 感应电动势且产生故障的可能性。 铁氧体板是铁氧体芯片、涂覆的铁氧体浆料(paste)或粘附的铁氧体膜。由 M0 Fe203表示的铁磁氧化物在说明书上一般地称为铁氧体。 如果从空间因素的观点来说无需在半导体芯片的外围部分中布置天线，换句话 说，如果可以使用比较大的布线衬底，则所需的只是将天线布置在半导体芯片的一侧。而 且，在这种情况下，从改善天线性能的观点来说，希望将铁氧体板布置在天线的中央部分 中。 此时，从防止由磁通量引起半导体芯片故障的观点来说，希望用金属盖或铁氧体 盖来覆盖布置在天线一侧的半导体芯片。
例如，天线是在布线衬底中形成的线圈图形，或布置在布线衬底上的缠绕线圈。就 成本来说，优选在布线衬底上的线圈图形的方式。关于线圈图形，就通过变压器耦合的非接 触接口来说，希望它们为两层或更多层。 天线可以是电介质天线芯片。就天线特性来说，希望在铁氧体板上执行电介质天
线芯片的叠置。所需的只是在相对表面上执行半导体芯片的叠置，此时使电介质天线芯片
的叠置面在铁氧体板上。 [6]《抵抗EMI的措施》 作为关于本发明的多功能卡装置的一种具体形式，当使外部连接端子暴露并且整 个用天线中的盖覆盖时，优选地使盖采用铁氧体混合盖或金属盖。盖用作抵抗EMI(电磁干 扰)的措施。 作为关于本发明的多功能卡装置的一种具体形式，当具有天线，并且包括安全控 制器的半导体芯片然后与天线连接时，启动非接触接口 ，使外部连接端子暴露，并且通过外 壳(casing)将整个覆盖，则希望在半导体芯片的外部区域(例如，外围区域)中形成天线， 在铁氧体板上执行半导体芯片的叠置，并且通过天线在与接收表面的相对侧中形成电磁屏 蔽。用电磁屏蔽取得抵抗EMI的措施，即控制电磁阻塞和故障的产生。这里，为了方便，认 为EMI还包括EMS (电磁化率电磁波的磁化率)。 电磁屏蔽例如是外壳的铁氧体混合层、外壳的金属混合层、涂覆于外壳的铁氧体 混合涂层的涂层表面、涂覆于外壳的金属混合涂层的涂层表面、或粘附在外壳上的金属蒸 发标签(label)。外壳是一个盖或一个树脂模件。
[7]《用于调谐的外部电容器》 希望将用于调谐的电容器从外部附加在天线的连接端子之间。这是因为连接到天 线的射频头的输入电容具有比较大的制造变化。所需的只是用于调谐的电容器包括芯片电 容器、可变电容电容器或非易失性MOS电容。 [8]《插口 (socket)的薄型化，以及防止装置的反向插入》 作为关于本发明的多功能卡装置，当暴露外部连接端子并且将整个密封在封装 (package)中时，沿封装的厚度方向至少形成两个被插口阻挡(stop)的高度差(level difference)部分。用批量模制或MAP (模制阵列封装)形式形成封装，并且一个高度差部 分也由批量模制形成为一个。因为插口阻挡一个比封装的厚度更薄的高度差部分，所以变 得容易将插口的厚度抑制为最小。 如果使两个高度差部分不对称，则能防止使上下侧或左右边颠倒方向并且将封装 装备到插口的情况。此时能防止插口的端子与不对应它的封装的端子相互电接触并且因此 使电路和端子变差或破坏的情况。 只要坚持这样观点，即防止插口的端子与不对应它的封装的端子相互电接触并且 电路和端子变差或破坏的情况，则可以使暴露在封装之外的外部连接端子与封装的中心成 为非线性对称。暴露在封装之外的外部连接端子可以按多行平行布置，并且可以使多行相 对于封装的高度差部分偏置。或者，暴露在封装之外的外部连接端子按多行平行布置，并且 可以使其对平行方向相对多行相互提供偏离。 根据多功能卡装置的薄型化观点，对于在布线衬底或铁氧体板上执行叠置的多个 半导体芯片，优选地用具有较小表面面积的半导体芯片薄薄地形成，并且将较薄半导体芯片布置在上层。 [9]《测试简易化》 从关于本发明的多功能卡装置的测试简易化观点来说，当外部连接端子暴露并且 用封装密封整个时，优选地布置多个测试端子，它们分别与多个第一外部连接端子连接，并 且其间距和表面面积比第一外部端子大，不同于用作暴露在封装之外的外部连接端子的、 与卡插口的端子连接的第一外部端子。 为了增加测试端子的布置的效率，优选地使第一外部连接端子隔开，布置成多行，
并且将第二外部端子布置在多行之间的整个区域上。 [10]《非易失性开关》 根据非易失性开关的观点，本发明具有一个电源开关电路，它可以选择地断开半
导体集成电路中的电路的操作功率。电源开关电路具有一个非易失性存储元件，它布置在 操作功率的通信的通道之间，并且其阈值电压的改变能够电启动，和一个控制电路，它将从
非易失性存储元件的选择端子所见的阈值电压置于第一状态，断开通信通道，以及将阈值 电压置于第二状态，执行通信通道的导通。在阈值电压的第二状态下将选择端子与电路的 接地电压连接。据此，使开关状态保持在ON状态不消耗功率，在这种状态执行路径的导通。
如果考虑在非易失性存储元件的两侧，当改变非易失性存储元件的阈值电压时的 高电压影响，则可以串联布置一对用于隔离的开关。通过将选择端子连接到固定电位，例如 电路的接地电压，使用于隔离的开关为0N状态。当改变非易失性存储元件的阈值电压时， 控制电路控制用于隔离的开关为OFF状态。不需要使连接到路径的所有电路为高击穿电 压。 根据非易失性开关的另一种观点，半导体集成电路具有一个开关电路，它能选择 地使电路之间断开。通过采用与电源开关电路相同的结构作为该开关电路，使开关状态保 持在ON状态不消耗功率，在这种状态执行路径的导通。 [11]通过上述接地图形防止关于天线特性变差的各项技术要素、天线性能的改 善、抵抗EMI的措施、插口的薄型化、装置的反向插入等不仅适用于多功能卡装置，而且适 用于这样的半导体卡装置，它具有布线衬底、安装在布线衬底上的半导体芯片、和连接到半 导体芯片的天线，还适用于这样的半导体装置，它具有在一个表面上暴露外部连接端子的 布线衬底、安装在布线衬底上的半导体芯片、连接到半导体芯片的天线、和覆盖布线衬底、 半导体芯片和天线的使布线衬底的一侧暴露的盖，并且适用于这样的半导体卡装置，其用 于通过封装等将安装在布线衬底中的半导体芯片密封。


图1是通信个人数字助理装置的概略说明图，该装置例如应用关于本发明的一例 的MFMC的便携式电话。 图2是示例说明MFMC的结构的方块图。
图3是表示MFMC的外部端子的一例的说明图。 图4是示例说明当用MFMC实现SD卡或匪C的接口功能时有效的外部连接端子， 以及SD卡的相应端子的说明图。 图5是示例说明当用MFMC实现HS匪C的接口功能时有效的外部连接端子，以及HSMMC卡的相应端子的说明图。 图6是示例说明当用MFMC实现记忆棒的接口功能时有效的外部连接端子，以及记 忆棒的相应端子的说明图。 图7是示例说明当用MFMC实现IC卡微型计算机的接触接口功能时有效的外部连 接端子，以及IC卡微型计算机的相应端子的说明图。 图8是示例说明当用MFMC实现IC卡微型计算机的接触和非接触接口功能时有效
的外部连接端子，以及IC卡微型计算机的相应端子的说明图。 图9是其中表示通过MFMC的接口功能的识别过程的流程图。 图10是示例说明接口控制器的细节的方块图。 图11是示例说明IC卡微型计算机的细节的方块图。 图12是表示对MFMC的一些应用的说明图。 图13是表示对IC卡微型计算机11的通电复位机制的第一例的方块图。
图14是表示对IC卡微型计算机11的通电复位机制的第二例的方块图。
图15是表示对IC卡微型计算机11的通电复位机制的第三例的方块图。
图16是表示对IC卡微型计算机11的通电复位机制的第四例的方块图。
图17是示例说明内部天线及其调谐电容器的电路图。
图18是用作非易失性MOS电容的闪速存储单元晶体管的纵向剖面图。
图19是表示在可分离内部天线的条件下连接外部天线的例子的电路图。
图20是示例说明用于路径改变的非易失性开关的电路图。 图21是示例说明非易失性开关的电路图，该开关在非易失性存储元件的两侧布 置了用于隔离的开关MOS晶体管。 图22是NVCBT结构的用于选路的开关的内部等效电路图。
图23是表示图22所示的开关电路的元件结构的纵向剖面图。
图24是对图22添加了栅极偏置电阻的电路图。 图25是表示将NVCBT结构所表示的非易失性存储元件应用于电路的电源开关的 例子的方块图。 图26是在应用使用非易失性存储元件的开关电路，以及控制电路，来使IC卡微型
计算机和接口控制器可选择地分开时的方块图。 图27是示例说明MFMC的平面结构的平面图。 图28是示例说明图27的MFMC的侧表面结构的侧表面剖面图。 图29是示例说明MFMC的另一侧表面结构的侧表面剖面图。 图30是示例说明MFMC的另一平面结构的透视平面图。 图31是示例说明图30的MFMC的侧表面结构的侧视图。 图32是示例说明MFMC的另一侧表面结构的侧表面剖面图。 图33是示例说明MFMC的另一平面结构的平面图。 图34是示例说明与图33的平面结构对应的MFMC的侧表面结构的侧表面剖面图。 图35是示例说明另一个MFMC的侧表面结构的侧表面剖面图。 图36是示例说明另一个MFMC的侧表面结构的侧表面剖面图。 图37是使用电介质天线芯片的MFMC的侧表面剖面图。
8用RS匪C封装的MFMC的外观透视图。 图39是应用标准匪C封装的MFMC的外观透视图。 图40是表示按标准匪C封装结构在盖内部形成内部天线的例子的透视图。 图41是表示图40的盖内包括的MFMC的结构的侧表面剖面图。 图42是表示图40的盖中包括的MFMC以及铁氧体板的侧表面剖面图。 图43是示例说明在布线衬底中形成分区接地图形的MFMC的结构的侧表面剖面图。 图44是图43的侧表面剖面结构的剖面图。 图45是示例说明其中混合铁氧体粉的盖执行电磁屏蔽的结构的侧表面剖面图。 图46是示例说明其中金属盖执行电磁屏蔽的结构的侧表面剖面图。 图47是示例说明其中含金属或铁氧体的模制盖执行电磁屏蔽的结构的侧表面剖面图。 图48是示例说明通过标签执行电磁屏蔽的结构的侧表面剖面图。 图49是示例说明通过标签执行电磁屏蔽的另一结构的侧表面剖面图。 图50是示例说明通过标签执行电磁屏蔽的另一结构的侧表面剖面图。 图51是表示粘附图48形式的电磁屏蔽标签的标准匪C封装结构的MFMC的透视图。 图52是表示粘附图50形式的电磁屏蔽标签的HS匪C封装结构的MFMC的透视图。 图53是表示粘附图49形式的电磁屏蔽标签的RS匪C封装结构的MFMC的透视图。 图54是表示纵向剖面结构的剖面图，其中在密封树脂中形成由插口的弹性爪阻 止的高度差部分。 图55是表示比较示例的结构的剖面图，其中在密封树脂中不形成高度差部分。 图56是示例说明使高度差部分不对称的结构的透视图。 图57是表示插口装配有图56的MFMC的状态的透视图。 图58是示例说明使MFMC的外部连接端子对于封装的中心非线性对称的结构的侧 视图。 图59是表示以图58的结构按左右相反方向将MFMC插入插口时的状态的侧视图。 图60是表示与图3的端子结构对应的端子布置的平面图，作为左右移动的端子布 置的一例。 图61是示例说明将外部连接端子按多行平行布置，并且对多行按平行方向提供 相互偏离，作为防止端子布置的反向插入的端子布置的平面图。 图62是表示端子布置的平面图，它采用在高度差部分上的偏离和端子布置的布 置方向的偏离两方面。 图63是表示通过将端子整个沿端子布置方向单向移向密封树脂而提供偏离的结 构的平面图。 图64是示例说明防止高度差部分的反向插入的另一不平衡形状的透视图。 图65是示例说明防止高度差部分的反向插入的另一不平衡形状的透视图。 图66是示例说明MFMC中的测试端子的布置状态的说明图。 图67是用于通过批量模制制造微型匪C封装结构的MFMC的布线衬底的前视图，
9该结构具有高度差部分。 图68是表示在图67的布线衬底上执行了芯片叠置，以及对其执行了引线键合的 状态的前视图。 图69是表示在金属模的腔内执行了芯片的叠置的布线衬底布置的状态的前视剖 面图。 图70是表示在图69的腔中注入密封树脂的状态的前视剖面图。
图71是表示执行密封树脂和布线衬底的切割的状态的前视剖面图。
图72是表示单个分开的MFMC的前视剖面图。 图73是示例说明其中采用图22的NVCBT结构作为用于路径改变的非易失性开关 的情况的电路图。
具体实施例方式《通信个人数字助理装置》 图1表示应用关于本发明的一例的多功能存储卡的通信个人数字助理装置，例如 便携式电话的略图。通信个人数字助理装置1例如具有控制整个系统的微处理器(MPU)2、 执行用于移动通信的调制、解调等基带处理的基带处理部分(BB) 3、以有规律高频执行发送 和接收的射频头(RFcl)4和多功能存储卡(MFMC)5。能够实现MFMC 5对卡槽的附着和拆 卸，卡槽在通信个人数字助理装置1的说明中省略。MPU 2安置为用于MFMC 5的卡主机。
MFMC 5例如具有存储器存储的存储器存储功能、存储器存储的多存储器接口功 能、例如内容数据加密和解码处理的安全处理功能、以及用户认证、非接触接口功能等。以 下，详尽地说明这些功能及其伴随的技术。
《基于卡标准的通用性》 图2示例说明MFMC 5的结构。关于MFMC 5，在其上形成有多个外部连接端子13A 和13B的布线衬底上安装多个半导体芯片，一个半导体芯片包括与外部连接端子13A连接 的接口控制器10，以及另外的半导体芯片包括与接口控制器IO连接的一个或多个存储器 12。 MFMC 5具有作为安全控制器的IC卡微型计算机11，其包括在不同于接口控制器10的 另外的半导体芯片中。IC卡微型计算机11与接口控制器10和外部连接端子13B连接。虽 然没有特别说明，但IC卡微型计算机11可以包括在与接口控制器10相同的半导体芯片 中。 接口控制器10具有多个接口控制方式，并且通过根据来自外部的指令的控制方 式控制外部接口动作和对存储器12的存储器接口动作。关于MFMC 5所具有的接口控制方 式，虽然没有特别限制，但假设它为匪C、HS-匪C、SD卡和记忆棒的各存储卡接口方式。各存 储卡接口方式基于各简单物质存储卡的接口规范。例如，接口控制器10实现存储卡控制器 的功能，它通过程序控制(部分地通过硬布线逻辑、对ROM存储器的写入等)支持这些存储 卡的接口规范。因此，如果你不想支持特定存储卡接口规范，并且不保持对其的控制程序， 则这是优选的。否则通过非易失性控制位等应该只使动作不可能。还可以通过网络等下 载，对接口控制器IO添加控制程序，其后以支持后来必要的存储卡接口规范。如果通过经 由网络获得的许可信息来禁止预定控制程序的执行，也可以使预定存储卡接口规范在以后 变得不可用。接口控制器10的功能被认为是响应经由外部连接端子与外部交换的命令，来识别存储卡接口控制方式以及总线的状态，响应所识别的存储卡接口控制方式来改变总线 宽度，响应所识别的存储卡接口控制方式进行数据格式转换，通电复位功能，与IC卡微型 计算机11的接口控制，与存储器12的接口控制，电源电压转换等。 假设外部连接端子13B是IC卡微型计算机11的专用端子。IC卡微型计算机11 根据外部端子13B的信号状态或从接口控制器IO提供的动作命令，执行安全处理。IC卡微 型计算机11还能通过变压器耦合等经由非接触接口功能执行安全处理。IC卡微型计算机 11的外部端子、发信协议、命令等例如基于IS0/IEC7816标准。 图3表示MFMC 5的外部端子13A和13B的例子。它具有作为外部端子13A和13B 的外部连接端子#1_#20。 DAT2是数据端子，CD/DAT3是卡检测/数据端子，CMD是命令输入 端子，Vcc是电源端子，CLK/SCLK-ms是时钟输入端子，DATO是数据端子，Vss是电路的接地 端子，I/0-ic是仅用于IC卡微型计算机的输入/输出端子，LA和LB是外部天线连接端子， DAT4/D3-ms是数据端子，INS-ms是用于插入_抽出检测的端子，DAT5/D2-ms是数据端子， DAT6/SDI0/D0是数据端子，DAT7/D l-ms数据端子，BS-ms是总线状态端子，Vcc-ic是仅用 于IC卡微型计算机的电源端子，CLK-ic是仅用于IC卡微型计算机的时钟输入端子等。对 端子名给定的后缀ic意指用于IC卡微型计算机的端子，以及后缀ms意指用于记忆棒的端 子。 图4示例说明当由MFMC 5实现SD卡或匪C的接口功能时有效的外部连接端子， 和SD卡的相应端子。这里，表示在SD方式或匪C方式下的情况，当它是SD方式时，1位数 据端子DAT0或4位数据端子DAT0-DAT3执行数据输入输出，并且命令端子CMD执行命令输 入。在匪C方式下，在1位数据端子DAT0执行数据输入输出，命令端子CMD执行命令输入， 以及使端子CD/DAT3非接连。在SPI方式的情况下，匪C和SD卡无差别，将端子CD/DAT3用 作芯片选择端子，将端子CMD用作数据输入和命令输入端子，以及将端子DAT0用作数据输 出和命令响应输出端子。 图5示例说明当由MFMC 5实现HS匪C的接口功能时有效的外部连接端子， 和HS匪C卡的相应端子。1位数据端子DAT0、4位数据端子DAT0-DAT3或8位数据端子 DAT0-DAT7执行数据输入输出，并且用命令端子CMD执行命令输入。HS匪C安置为扩展规 范，它对MCC方式增加并行数据I/O位数。假设CD卡、匪C和HS匪C的数据总线为上拉 (pull-up)系统总线，像开漏极总线那样。 图6示例说明当用MFMC 5实现记忆棒Pro的接口功能时有效的外部连接端子，和 记忆棒Pro的相应端子。用4位数据端子D0-ms-D3-ms执行数据输入输出、命令输入等。 假设记忆棒Pro的总线是下拉(pulldown)系统总线。如图5和图6所示，由于数据端子 DAT4/D3-ms、 DAT5/D2_ms、 DAT6/SDI0/D0_ms和DAT7/D 1-ms与MFMC 5的内部中的3状态 输出缓冲器连接，所以这些端子能响应上拉系统总线规范和下拉系统总线规范两方面。关 于实现1位总线规范的记忆棒的接口机制，端子公共使用是可以的。 图7示例说明当实现IC卡微型计算机的接触接口功能时有效的外部连接端子，和 IC卡微型计算机的相应端子。除电路的接地端子Vss以外，使用IC卡微型计算机专用端 子。IC卡微型计算机具有通电复位和系统复位，前者通过对电源端子Vcc-ic通电来指示， 而后者用复位信号/RES的低电平来指示。前者可以对IC卡微型计算机等的寄存器中的某 些执行数据保持。例如，为了对系统的无响应、挂起(hang-up)等实现强制复位，在整个初始化中，需要通电复位。使用1位数据端子1/0执行数据和命令的I/O。 图8示例说明当实现IC卡微型计算机的接触接口和非接触接口功能时有效的外
部连接端子功能，和IC卡微型计算机的相应端子。与图7相比，数目上增加了天线端子LA
和LB。与天线端子LA和LB选择地连接外部天线。其他端子与图7相同。 如果遵循图3至图6的例子，则外部连接端子13A将分类成对于MFMC 5的每个接
口控制方式个性化的个别端子，和对于MFMC5的每个接口控制方式共性化的公共端子。公
共端子包含时钟输入端子CLK/SCLK-ms、电源端子Vcc和接地端子Vss。作为个别端子，例
如有用于记忆棒的数据端子D 1-ms、 DO-ms、 D2_ms、 D3_ms和总线状态BS-ms，以及用于匪C/
SD卡的数据端子DAT0-DAT3和公共端子CMD。 对于多种接口控制方式，通过使外部连接端子部分共性化和部分个性化，能满足 保证接口的可靠性和抑制物理大小的增加两个方面。 如果遵循图7和图8的例子，则用于IC卡微型计算机的端子I/0-ic、 CLK-ic、 RES-ic、 Vcc-ic、 LA和LB将关于其他端子完全个性化。关于安全处理，通过独立一个的IC 卡微型计算机11能保证接口连接。通过至用于IC卡微型计算机11的专用端子的信号状 态，在IC卡微型计算机11中独立地实现对作为外部卡主机的MPU2的识别。
作为卡主机的MPU2趋于根据其自身支持的存储卡的规范，执行存储卡的识别和 初始化，并且它趋于使用适合规范的系统的命令，存取存储卡。MFMC 5必须识别对于来自 MPU 2的指令，应该用哪个存储卡接口规范来执行接口动作。图9示例说明接口控制方式的 识别顺序。 如果向插入在端子单元l内的MFMC 5供给操作功率(SI)，则将执行卡控制器10、 IC卡微型计算机11和存储器12的通电复位，并且将使它们初始化(S2)。然后，使MFMC 5 成为备用状态，并且它等待来自MPU 2的指令(S3)。在这个备用状态下，例如，在MFMC 5的 外部连接端子13A和13B的输入端子或输入/输出端子中，将系统不可缺少的端子变为它 能输入的状态，并且使得可以响应来自MPU 2的输出来判断那个请求。具体地，它首先等待 向分配给IC卡微型计算机11的直接接口的输入/输出端子I/0-ic，输入IC卡命令。其次 它等待向分配给SD卡和匪C的存储卡系统的接口的数据端子DAT0-DAT7范围，输入初始化 命令。第三它等待向分配给记忆棒的卡插入-抽出检测的端子INS-ms，供给接地电位。在 记忆棒中，端子INS-ms与电路内部的接地端子连接，在卡主机侧，执行端子INS-ms的连接 路径的上拉，并且通过检测有关路径的电平降低，来检测存储卡的插入。通过检测从外部到 上拉电阻器的电流流入端子INS-ms， MFMC 5判断正在要求记忆棒的接口控制方式。
如果从MPU 2执行IC卡命令的发布，用于存储卡方式设置的初始化命令(存储卡 初始化命令)的发布或至端子INS-ms的电流供给，则MFMC 5根据各自识别接口控制方式 (S4)，如果需要它就返回对MPU 2的响应，并且执行必要的接口动作(S5)。
例如，当发布匪S和SD卡系统的存储卡初始化命令时，在步骤S4的处理中，MFMC 5重复将作为初始化命令逐一供给的命令解码的处理，并且多次向MPU2返回对解码结果的 响应，而且对SD卡、匪C和HS匪C任何的识别是MPU 2要求的存储卡的分类，并且将识别结 果返回给MPU 2。在建立卡识别之后，执行存储卡初始化处理，例如根据匪C方式、SD方式、 SPI方式等的地址分配。由此，使MFMC 5进入控制程序中的就绪状态，该控制程序实现SD 卡、匪C或HS匪C的接口控制方式，并且通过响应随后的存取命令，执行接口动作和存储器动作。 例如，如果检测到至端子INS-ms的电流供给，则将使MFMC 5进入控制程序中的就 绪状态，该控制程序实现记忆棒的接口控制方式，并且通过响应随后的存取命令，执行接口 动作和存储器操作。 例如，如果向端子I/0-ic发布IC卡命令，则IC卡微型计算机将执行响应该命令 的安全处理。虽然没有特别限制，但当MFMC 5操作为IC卡微型计算机时，使IC卡微型计 算机11与接口控制器10之间的连接分离。或使外部连接端子13A与接口控制器10之间 的连接分离。这个隔离控制考虑安全处理的安全性，IC卡微型计算机11执行它，并且通过 IC卡命令启动对这个分离状态的解除。 所需的只是用和各种存储卡的规范相同的方法识别前者。例如，当识别为匪C/SD
卡时，作为卡主机的MPU 2通过控制卡检测端子CD的状态，只应该使MFMC 5识别要求的接
口规范。所需的只是在记忆棒的情况下使用用于插入-抽出检测的端子INS-ms。 如果能操作IC卡微型计算机11的非接触接口，则所需的只是如以上那样处理它，
以及经由有关的非接触接口发送的IC卡命令的端子1/0-ic。当支持接触接口和非接触接
口两方面时，也启动IC卡微型计算机，以通过预定IC卡命令或操作的优先级判断，将接口
功能中的一个设为动作禁止。 图IO示例说明接口控制器10的细节。存储器12包括闪速存储器，它是一个非易 失性存储器，其中例如可电擦除和写入。虽然没有特别说明，但存储器12具有非易失性存 储单元晶体管(它也描述为闪速存储单元)，其中可电擦除和写入。虽然没有特别说明，但 闪速存储单元具有所谓的叠置栅极结构，这种结构具有浮动栅极，或闪速存储单元具有所 谓的拆分栅极结构，这种结构包括设置有0N0(氧化物/氮化物/氧化物)栅极绝缘膜的存 储晶体管部分，和选择晶体管部分。在闪速存储单元中，如果使电子注入浮动栅极等中，阈 值电压将升高，并且如果从浮动栅极等中抽出电子，阈值电压将降低。对于数据读出，闪速 存储器将根据阈值电压对字线电压的高度存储信息。虽然没有特别限制，但在本说明书中， 存储单元晶体管的阈值电压为低的状态称为擦除状态，并且高的状态称为写状态。
接口控制器10包括主机接口电路20、微型计算机21、闪速控制器22、缓冲控制器 23、缓冲存储器24和用于IC卡的接口电路25。缓冲存储器24包括DRAM(动态随机存取 存储器)或SRAM(静态随机存取存储器)。IC卡微型计算机11与用于IC卡的接口电路 25连接。微型计算机21包括CPU(中央处理单元)27、保持CPU 27的操作程序的程序存储 器(PGM)28、用于CPU 27的工作区的工作存储器(WRAM) 29等。PGM 28保持与SD卡、匪C、 HS匪C和记忆棒对应的接口控制方式的控制程序。 如果它检测到图9说明的向端子INS-ms发布存储卡初始化命令或电流供给，主机 接口电路20通过中断使微型计算机21相应的接口控制方式的控制程序可执行。微型计算 机21通过执行控制程序，通过主机接口电路20控制外部接口动作，通过闪速控制器22控 制对存储器12的存取(写入、擦除和读出操作)和数据管理，以及通过缓冲控制器23控制 存储卡本地的数据格式与存储器上的公共数据格式之间的格式转换。 从存储器12读出的数据或写入存储器12的数据暂时保持在缓冲存储器24。闪速 存储器22将存储器12操作为可与硬盘兼容的文件存储器，并且通过扇区单元来管理数据。
当通过必要的存储卡接口控制方式控制接口控制器10时，用于IC卡的接口电路
1325根据来自MPU 2的IC卡命令，对操作IC卡微型计算机11时所需的数据和控制信号执 行转换。闪速控制器22设置有省略说明的ECC电路，在对存储器存储数据的时候添加ECC 码，并且通过ECC码执行选择误差检测_校正处理，以读出数据。 图11示例说明IC卡微型计算机11的细节。IC卡微型计算机11具有CPU 32、 作为工作RAM的RAM(随机存取存储器)34、计时器35、 EEPR0M(电可擦除可编程只读存储 器)36、协处理器单元37、掩码R0M(只读存储器)40、系统控制逻辑41、输入/输出端口 (1/ 0端口 )42、数据总线43、地址总线44和RF部分45。 掩码ROM 40用于存储CPU 32的操作程序(加密程序、解码程序、接口控制程序 等)以及数据。RAM 34是CPU 32的工作区或数据的暂时存储，例如包括SRAM(静态RAM) 或DRAM(动态随机存取存储器)。当向I/O端口 42供给IC卡命令时，系统控制逻辑41对 这个命令解码，并且使CPU 32执行关于该命令的执行所需的处理程序。也就是，CPU 32按 系统控制逻辑41指示的地址来读取命令存取掩码ROM 40，将所读取命令解码，并且基于解 码结果执行操作数读取和数据操作。协处理器单元37根据CPU 32的控制，执行RSA中的 余数运算处理或椭圆曲线密码运算等。I/O端口 42具有1位输入/输出端子1/0，并且用 于数据的I/O两者，以及外部中断信号的输入。I/O端口 42与数据总线43结合，并且CPU 32、RAM 34、计时器35、EEPR0M 36、协处理器单元37等与数据总线43连接。系统控制逻辑 41执行操作方式的控制和IC卡微型计算机11的中断控制，并且具有随机数发生逻辑，进一 步用于形成密钥。至于IC卡微型计算机11，如果通过复位信号/RES指示复位动作，则将使 内部初始化，并且CPU 32将从EEPR0M 36的程序的头地址开始指令执行。对时钟信号CLK 执行IC卡微型计算机11的同步操作。 至于EEPROM 36，电启动擦除处理和写入处理，并且将其用作一个存储ID信息、认 证证书等的数据的区域，使用这些数据以便个别指定。可以采用闪速存储器或铁电存储器 以代替EEPRPM 36。 IC卡微型计算机ll支持使用外部连接端子的接触接口，和使用天线与 外部接口连接的非接触接口两者。用于执行非接触接口的RF部分45具有芯片的天线端子 TML1和TML2。如果经由天线从RF部分供给电功率，或经由内部总线由系统控制逻辑41选 择非接触接口 ，则RF部分45通过将天线与预定电磁波(例如，高频和微波的磁感应的波动 磁通量)相交时所产生感应电动势用作操作功率，输出电源电压Vcc，基于这个预定电波的 频率相应产生的感应电流，产生每一个内部时钟信号CLK、将通过RF部分45与这个预定电 波重叠的接收和经过的数据分离的内部数据、以及复位信号/RES，并且由天线通过非接触 执行信息的输出和输入。至于经由非接触接口操作的RF部分45，在IC卡微型计算机11的 内部，优选地包括一个小规模电路，它在CPU 32中成为独立，用于经由接触接口操作的IC 卡动作。至于RF部分45，在内部形成一个非接触卡动作所需的电路，例如，用于非接触卡的 处理器、用于有关处理器的控制程序区和工作区的存储器、以及RF发送-接收和电源电路 部分。因而，由于RF部分45包括小规模电路，它如处理器功能及其控制程序那样成为独立， 所以在通过接触端子得不到电源的环境下，也变得容易根据来自外部的感应电动势来操作 电路。通过经由内部数据总线和内部地址总线，RF部分45还可以在非接触卡与接触卡之 间输出和输入数据。 图12表示对MFMC 5的一些应用。首先，说明MFMC 5操作为存储卡的情况。通信 个人数字助理装置1具有根据预定存储卡规范能存取存储卡的功能。例如，假定通信个人
14数字助理装置1获得了使用匪C的许可。根据这点，MPU 2具有根据匪C的规范存取匪C的 功能。如果通信个人数字助理装置1的卡插口装备有MFMC5，并且电源接通，则MPU 2将向 MFMC 5发布匪C规定的初始化命令，识别等待对其响应的卡，并且初始化。响应发布了匪C 的初始化命令的事实，使MFMC 5可执行匪C接口控制方式的控制程序。据此，MFMC 5操作 为匪C，并且将内容数据等结合到存储器12中。使存储器12中存储的数据的格式成为适合 MFMC 5的数据格式。 当改变通信个人数字助理装置1的型号时，所需的是移去MFMC5，并且只需装备一 个新型号的通信个人数字助理装置1。例如，假定一个新型号的通信个人数字助理装置1获 得了使用记忆棒的许可。根据这点，内置于新型号的通信个人数字助理装置1中的MPU 2 向卡5的端子INS-ms输出用于检测记忆棒的装备的信号，这时使MFMC 5可执行记忆棒接 口控制方式的控制程序，并且它通过该程序操作记忆棒对应的卡接口。据此，MFMC 5将预 先结合到匪C动作的存储器中的内容数据读到记忆棒动作的另一端子单元1，并且它变得 可用。因而，变得可以处理卡主机的型号改变的通用性。 还能通过PCMCIA适配器、USB适配器、蓝牙适配器等改变卡接口来使用MFMC 5。 也能如常规RF-IC卡那样通过连接一个外部非接触天线来使用它。
《安全处理》 关于MFMC 5中的安全处理给出操作说明。例如，在存储器12的安全区内存储用 户标识信息。当下载内容数据时，一起下载将用户标识信息考虑为密钥而加密的许可信息。 在许可信息中包含用于对内容数据解码的解码密钥，并且将用户标识信息用作解码密钥， 对许可信息解码。这样对内容数据执行版权保护。这个安全处理由通过微型计算机21的 程序控制来执行。 对IC卡微型计算机11的安全处理进行说明。例如，通过电子银行服务等可得到 的ISO/IEC 15408的评估和认证权限，IC卡微型计算机11实现了证明功能。在保持预定 认证证书的状态下，当有来自主机的授权请求时，发送认证证书，并且对此获得授权，使得 EEPR0M36的连续通信处理变得可能。掩码ROM 40保持这样安全处理的操作程序。至于利 用IC卡微型计算机的认证处理，从安全的观点来说更希望在IC卡微型计算机内部封闭的 环境内实行。在这点对IC卡微型计算机11分配专用的外部连接端子13B很有意义。当在 应用上或技术上没有安全问题时，不干扰经由接口控制器10执行安全处理。从MFMC 5的 制造之后到产品装运的过程中，经由外部连接端子13B能容易地在IC卡微型计算机11中 写入各种应用软件和卡发布处理。 例如，当IC卡微型计算机11通过电子银行服务等可得到的IS0/IEC 15408的评 估和认证权限以授权时，如以上图12示例说明那样，将MFMC 5插入卡保持器例如ATM卡、 信用卡或长期通行证中，并且变得可以使用非接触接口来实现这些卡功能。
《IC卡微型计算机的通电复位》 如果考虑将IC卡微型计算机11用于高级安全处理，例如电子银行，则与接口控制 器10等相比，有高度可能性对IC卡微型计算机11的不正常状态经常实行使所有内部状态 初始化的通电复位。如果考虑这点，如图13所示略图那样，因为在IC卡微型计算机11中 设置有图7和图8说明的专用的外部电源端子Vcc-ic，所以变得可以自由地通过独立一个 IC卡微型计算机11通电复位，而不对MFMC 5整个复位。据此，能改善MFMC 5的用户友好
15性，保证安全。 图14至图16表示使得可以对IC卡微型计算机11进行独立通电复位的一些另外 的例子。 在图14中，它具有外部电源端子Vcc，作为外部连接端子为IC卡微型计算机11和
接口控制器10所共用。在从公共外部电源端子Vcc到IC卡微型计算机ll的电源端子50
的电源路径51中，具有电源开关52，它通过对接口控制器IO的控制能断开电源。 在图15中，它具有外部电源端子Vcc，作为外部连接端子为IC卡微型计算机11和
接口控制器10所共用，并且IC卡微型计算机11具有复位信号res的输入端子53，利用该
端子能从接口控制器10指示通电复位。这时也变得可以使通电复位对IC卡微型计算机独
立进行。 在图16中，从外部电源端子Vcc向接口控制器10供给操作电源。IC卡微型计算 机11使用经由电源电路54，例如降压电路和发生器调节器而使操作电源的电压改变或旁 路的电源作为操作电源。IC卡微型计算机11具有复位信号res的输入端子53，利用该端 子从接口控制器10指示通电复位。由此也变得可以使通电复位对IC卡微型计算机独立一 个进行。特别是当IC卡微型计算机11和接口控制器IO利用不同的芯片形成，并且操作电 源电压不同时，非常有效。
《非接触接口的天线》 至于从IC卡微型计算机11具有的RF部分45的天线端子TML 1和TML2所见的 输入电容，它最大具有约20%的制造变化。因为调谐频率不会产生变化，如图17示例说明， 布置调谐电容器56，它与置于MFMC 5中的内置天线55谐振。所需的只是用于调谐的电容 器56包括芯片电容器、可变电容电容器或非易失性M0S电容。所需的只是使用可电重写闪 速存储单元晶体管58，如图18所示例说明的那样，作为非易失性MOS电容。在阱区WF中形 成源区SF和漏区DF，在它们之间的沟道区CF上，分层叠置栅极氧化膜、浮动栅极FG、绝缘 层和控制栅极CG，并且制成闪速存储单元晶体管58。它可以是代替浮动栅极FG而采用电 荷陷阱膜(charge tr即film)，例如氮化硅膜的结构。例如通过控制栅极电压VG = 12V、 漏极电压VD = 5. 5V和源极电压VS = OV，从漏极向浮动栅极注入热电子，使闪速存储单元 晶体管58变为写状态，以及例如通过控制栅极电压VG = OV、漏极电压VD =断开(开路) 和源极电压VS = 12，从浮动栅极FG进行电子隧道放电，使闪速存储单元晶体管58变为擦 除状态。非易失性MOS电容将一个存储电极设为控制栅极CG，并且使另一侧的存储电极设 为阱区。在擦除状态和写状态下，沟道中形成的耗尽层的尺寸不同，并且由此在两个端子之 间的电容值产生不同。可以构成根据擦除和写入程度伴随阈值电压变化的可变电容。因为 它是非易失性存储单元晶体管，所以一旦设立的擦除/写入状态就独立地保持。通过把非 易失性存储单元晶体管58多个串联连接，变得可以确保非易失性MOS电容的击穿电压。
可以使MFMC 5如非接触IC卡那样，将变压器耦合的感应电动势用作操作功率，并 且可以使IC卡微型计算机11根据非接触接口使用内部天线55，而独立地起作用。当从卡 主机移去MFMC 5时或在卡主机的电源断开时，这点非常重要。 图19表示在可将内部天线拆卸的状态下连接外部天线的例子。采用开关电路62， 它能代替内部天线55而选择地将外部天线连接端子LA和LB与IC卡微型计算机11的天 线端子TML1和TML2连接。外部天线60与连接端子LA和LB连接，并且还连接调谐电容器61 。通过准备外部天线60，实现与内部天线相比，特性例如发送和接收敏感性较好的天线的 利用。 当使用外部天线60时，如果从那里流入的高频信号流入内部天线55，则将从结合 MFMC 5的设备之内的内置天线55发射高频信号。简而言之，对于安装MFMC 5的设备，有可 能会使内部天线55变为高频噪声发生源。此时，在使用外部天线60的时候，通过启动内部 天线55的分离，可取消产生这种不希望的高频噪声的可能性。 当从设备例如通信数字个人助理1中取出MFMC 5时，通过将IC卡微型计算机11 变为连接内部天线55的状态，能通过使用单独一个MFMC 5作为非接触IC卡而独立地起作 用。根据应用的方法，无需对卡供电，但不用电池操作。 开关电路62包括开关63及其控制电路64。如图20示例说明的那样，开关63包 括非易失性存储元件65，它介于相应连接端子之间，并且通过电改变阈值电压，可控制路径 的断开或导通。所需的只是闪速存储单元晶体管58包括非易失性存储元件65。控制电路 64将从非易失性存储元件65的选择端子(栅极)所见的阈值电压置于第一状态，例如写 状态，断开路径，并且通过将阈值电压置于第二状态，例如擦除状态，执行路径的导通。在阈 值电压的第二状态下，将选择端子与电路的接地电压连接。简而言之，它将认为是过擦除状 态，换句话说，耗尽型。由此，将开关状态保持为执行路径的导通的ON状态不消耗功率。接 口控制器10向控制电路64供给写入/擦除动作的指令。控制电路64根据写入/擦除动 作的指令，控制非易失性存储元件65的操作过程。 如图21示例说明，如果考虑当改变非易失性存储元件65的阈值电压时对非易失 性存储元件65的两侧的高电压影响，则可以串联布置一对用于隔离的开关MOS晶体管66。 假设用于隔离的开关MOS晶体管66为耗尽型MOS晶体管，简言之，通过将选择端子与电路 的接地电压Vss连接而置于ON状态。当改变非易失性存储元件65的阈值电压时，控制电 路64控制用于隔离的开关MOS晶体管66为OFF状态。此时，用于隔离的开关MOS晶体管 66的栅极电压置为负电压。通过采用用于隔离的开关MOS晶体管，不需要使其间安置有关 晶体管的路径上连接的所有电路置为高击穿电压。 图22和图23表示非易失性存储元件65的另一个例子。图22表示电路布置，以 及图23表示晶体管的纵向剖面结构。同一图中表示的非易失性存储元件65制成高击穿电 压非易失性晶体管元件结构(NVCBT :非易失性沟道双极晶体管)，并且具有栅极Tgt、阳极 Tan和阴极Tca。也就是，非易失性存储元件65包括双极晶体管部分70和非易失性M0S晶 体管部分71，其漏极源极连接在双极晶体管部分70的基极集电极之间。经由源极漏极之间 的沟道上的绝缘层形成电荷存储区，并且至于非易失性M0S晶体管部分71，根据这个电荷 存储区内累积的电荷，使阈值电压可调节。电荷存储区包括浮动栅极，并且经由其上的绝缘 层形成控制栅极。具有这种NVCBT结构的非易失性存储元件65具有比双极晶体管部分的 击穿电压低的非易失性MOS晶体管部分71的击穿电压。 说明具有NVCBT结构的非易失性存储元件65的动作。当在浮动栅极中没有在累积 电子的情况下，使非易失性MOS晶体管部分71置于擦除状态，特别是具有NVCBT结构的非 易失性存储元件65的耗尽状态。首先说明接通状态。在非易失性M0S晶体管部分71的擦 除状态下，如果控制栅极的施加电压Vg大于非易失性MOS晶体管部分71的阈值电压Vth， 并且在非易失性MOS晶体管部分71的源极与漏极之间形成反型层，则电子将注入到双极晶体管部分70的基极，基极电流将流动，并且双极晶体管部分70将接通。因为它在耗尽方式 下，即使它使控制栅极电压Vg置为与阴极相同电位的接地电压，也保持ON状态。控制栅极 电压应该至少刚好满足偏置状态(接地电压施加状态)，该阶段不在浮动电极中注入热电 子。 如果在擦除状态下使控制栅极的电压足够高，则热电子将从源极注入到浮动栅 极，并且将使阈值电压足够高。 其次，说明断开状态。在电子注入到浮动栅极的写状态下，使得阈值电压较高。因 为在写状态下控制栅极的施加电压Vg低于阈值电压时，在源极漏极之间不形成沟道反型 层，所以电子不注入到双极晶体管部分70，但是因为基极电流不流动，所以在双极晶体管部 分70中在正电位的阳极与负电位的阴极之间将处在断开状态。例如，即使在使控制栅极施 加电压Vg置为与阴极相同电位的接地状态，也保持OFF状态。控制栅极电位应该刚好满足 至少使浮动栅极的累积电子不被抽出的状态(接地电压施加状态)。 通过使控制栅极电压Vg在写状态下对MOS晶体管部分71的源极、漏极和p阱区 (图22的集电极区)足够成为负电位，FN(FowlerNordheim)电流能使浮动栅极的积累电子 抽出，并且能使其为擦除状态。据此，能将MOS晶体管部分71从增强方式变为耗尽方式。
如图24示例说明的那样，通过介入偏置电阻来连接栅极Tgt和阴极Tca，变得容易 仅通过沟道区形成的存在，简而言之通过非易失性MOS晶体管部分71的写入和擦除，良好 地执行擦除状态下的ON和写状态下的OFF的开关状态的保持存储。 NVCBT结构表示的非易失性存储元件65还能用于图20说明的路径改变电路。 例如，如图73所示，为了能够传送正/负交替电流，如MOS转移栅极那样使一个开关具有 NVCBT结构的两个非易失性存储元件65，并且将一个NVCBT结构的非易失性存储元件65的 阳极Tan与另一侧的NVCBT结构的非易失性存储元件65的阴极Tea相互连接，构成它。将 这样开关中的一个用于端子LA(LB)与端子TML1 (TML2)之间的选择连接，并且将另一个开 关用于端子TML1 (TML2)与天线55之间的选择连接。控制电路64经由栅极Tgt对NVCBT 结构的非易失性存储元件65执行程序控制。 由NVCBT结构表示的非易失性存储元件65不仅能用于天线开关，而且能用于电路 的电源开关。例如，如图25示例说明，在预定电路66的电源端子Vcc侧，布置非易失性存 储元件65和控制电路64。简而言之，将NVCBT结构的非易失性存储元件65的阳极Tan(发 射极)连接到电源端子Vcc侧。向控制电路64供给操作的启动信号EN及写入和擦除的指 示信号EW。假设电路66为RF部分45。当不使用非接触接口时，能完全断开对RF部分45 的操作功率的供给。 如图26示例说明，对于IC卡微型计算机11和接口控制器10等的选择分离，可利 用使用非易失性存储元件65的开关电路63和控制电路64。此时，IC卡微型计算机11或 接口控制器10执行可由控制电路64指示的动作。假定这种情况，其中当在高级安全级下 执行认证处理等时，假定关于IC卡微型计算机11希望与另外的电路分离。此时，IC卡微 型计算机11使用专用外部端子13B接口连接。当IC卡微型计算机11需要连接开关电路 63时，同样使得可以经由接口控制器10使用存储器12。 通过将NVCBT结构表示的非易失性存储元件65用作IC卡微型计算机的选择分 离、内部天线和外部天线的改变、电源开关等，则如常规MOS开关那样由ON-OFF控制所需的稳态外部施加电压和电功率变得不必要，并且它能有助于低功率。还可以布置如图25所示 包括非易失性存储元件65和控制电路64的电路，或图19示例说明并且包括开关电路63 和控制电路64的电路，作为具有显著小备用功率需求的半导体开关模块。虽然没有特别说 明，但这样的半导体开关模块也可以用作电源系统电路中的小备用功率需求的开关模块。 如果特别用NVCBT结构的高击穿电压作为例子，优选地应用电源系统开关模块。
《天线特性的改善》 图27示例说明MFMC 5的平面结构。在布线衬底80的一个前表面中，连同外围部 分一起执行包括内部天线55的布线线圈图形81的周围形成，并且对内部执行多个键合焊 盘82的周围布置。在键合焊盘82内部，布置铁氧体芯片84，它是铁氧体板的示例，并且对 此执行两个半导体芯片85和86的叠置。布线衬底的键合焊盘82通过键合引线90与半导 体芯片85和86的相应键合焊盘88连接。在本例中， 一个半导体芯片86实现接口控制器 10和IC卡微型计算机ll。 图28示例说明与图27的平面结构相应的MFMC 5的侧表面结构。用粘合剂91和 92分别结合通过它们执行叠置的衬底80和铁氧体芯片84、铁氧体芯片84和半导体芯片 85、以及半导体芯片85和86。布线衬底80例如包括多层互连衬底，并且在背表面中形成与 键合焊盘82连接的连接器端子(或焊接连接端子)93。假设连接器端子93是外部连接电 极13A和13B的一例。在布线衬底80的前表面中，用树脂95使整个密封。简而言之，假设 外壳是由树脂模制所形成的密封树脂95。图27和图28所示的封装结构称为微型匪C封 装。 因为铁氧体是铁磁质，具有较大磁导率，所以磁通量试图沿着它取得路径，而不透 过铁氧体芯片84。因此，因为在铁氧体芯片84的外围部分处布置包括线圈图形81的内部 天线55，所以它变得可以在天线55附近获得大的磁通量，并且由此能有助于改善天线55的 感应性能，这里即天线性能。因为半导体芯片85和86堆积在铁氧体芯片84上，所以能容 易使磁通量透过半导体芯片85和86，并且变得可以预先防止在半导体芯片85和86中发生 不希望的涡流或不希望的感应电动势并且产生故障的可能性。 图29示例说明MFMC 5的另一侧表面结构。这里，使用包含铁氧体粉的粘合剂96 作为铁氧体板以代替铁氧体芯片。使用这些粘合剂96结合布线衬底80和半导体芯片85。 由此同样得到与铁氧体芯片84相同的操作效果。 铁氧体板可以不限于铁氧体芯片84，以及涂覆的铁氧体浆料，例如包含铁氧体粉 的粘合剂96，而可以是粘附的铁氧体膜。因为铁氧体一般是指MO Fe203表示的铁磁氧化 物，所以它可以是除所谓铁氧体以外的铁磁氧化物。 图30示例说明MFMC 5的另一个平面结构。图31示例说明与图30的平面结构相 应的MFMC 5的侧表面结构。在布线衬底97中使用多层互连图形来形成包括内部天线55的 布线线圈图形98。在内部安装三个半导体芯片100、101、102，并且接口控制器10、 IC卡微 型计算机11和存储器12分别包括分离的半导体芯片100、101、102。半导体芯片100、101、 102相对铁氧体芯片103的其他结构，例如叠置结构和接合结构基本上与图27相同。在用 树脂95整个密封布线衬底97上的半导体芯片100、 101、 102等之后，整个用盖105覆盖，使 包括外部连接端子的连接器端子93暴露。盖105构成外壳。在盖105与树脂95之间，经 由未示出的接合材料粘附。总体上，图30的结构相对于图27放大。图30和图31所示的封装结构称为RS匪C封装。应用RS匪C封装的MFMC 5的外观用图38的透视图示例说明。
图32示例说明MFMC 5的另一侧表面结构。这里，代替图30的铁氧体芯片103，将 包含铁氧体粉的粘合剂96用作铁氧体板。使用这些粘合剂96使布线衬底97和半导体芯 片102结合。 通过在MFMC 5的布线衬底97上分层叠置来布置半导体芯片，变得容易确保布线 线圈图形98和各半导体芯片的距离。当通过确保各半导体芯片和布线线圈图形98的距 离，使电磁场对半导体芯片引起的效应能减小，甚至到能忽略的程度时，还可以用不包括铁 磁材料的管芯接合的接合材料，在布线衬底97上粘附各半导体芯片。
图33示例说明MFMC 5的另一个平面结构。图34示例说明与图33的平面结构相 应的MFMC 5的侧表面结构。如果从空间因素的观点来说，如以上那样在半导体芯片100、 101U02的外围部分中无需布置内部天线55，所需的是在较大的布线衬底109的部分中形 成包括内部天线55的布线线圈图形107，并且只是布置在半导体芯片100、 101、 102 —侧。 简而言之，比图30的情况更大的盖108构成本例的外壳。同样在这种情况下，从改善天线 性能的观点来说，希望在包括内部天线55的布线线圈图形107的中央部分中布置铁氧体芯 片110。图33和图34所示的封装结构称为标准匪C封装。图39用透视图示例说明应用标 准匪C封装的MFMC 5的外观。 图35示例说明另一个MFMC 5的侧表面结构。与图34的不同点是形成比包括内 部天线55的布线线圈图形107的轮廓较大的铁氧体芯片110的这点，并且只要空间允许， 使用较大宽度的铁氧体芯片110的方式有助于它改善天线效率。在图35所示的结构中，铁 氧体芯片110不用树脂95覆盖，而是用粘合剂95B固定到布线衬底109。因而，与将铁氧体 芯片110密封在树脂95之内的情况相比，通过将其考虑为其中树脂95不覆盖铁氧体芯片 110的结构，在变得可以在形成树脂95的步骤之后在布线衬底109上安装铁氧体芯片110 的同时，变得可以安装更厚的铁氧体芯片iio，并且它能有助于天线效率的改善。 图36示例说明另一个MFMC 5的侧表面结构。从防止由磁通量引起的半导体芯片 100、 101、 102的故障的观点来说，优选地进一步用内部盖112包起来，它包含金属或铁氧体 半导体芯片100、101、102，布置在包括内部天线55的布线线圈图形107的一侧。在图36 中，布线衬底109和盖108经由接合材料95B粘附。 例如，用在布线衬底中形成的线圈图形81、98、107来形成内部天线55的感应器。 感应器还可以用缠绕线圈形成。 例如，与用缠绕线圈形成感应器的情况相比，当用与连接到各半导体芯片100、 101U02的键合焊盘82的布线相同层的布线图形，或其他图形来形成线圈图形81、98、107 时，在可使成本减小的同时，也变得容易实现装置的薄型化。如布线线圈图形98、107那样， 通过使用两层或更多层的布线来形成线圈图形，变得容易改善通过变压器耦合的非接触接 口的有效性。 例如，当使用如用于ETC车载装置、专用窄带通信应用等的5.8GHz那样的高频时， 可以用包括电介质陶瓷等的电介质天线芯片来代替天线55。关于天线特性，希望在铁氧体 板上执行电介质芯片的叠置。例如，如图37示例说明，在电介质天线芯片113上堆积铁氧 体芯片84。所需的只是在铁氧体芯片84上执行半导体芯片86和85的叠置。铁氧体芯片 84可以变成另外的铁氧体板，例如包含铁氧体粉的粘合剂，以及铁氧体膜。
内部天线55不限于在布线衬底中形成的结构，例如，可以在盖105、 108中形成。 例如，在图40示例说明的标准匪C封装结构中，在盖108之内形成包括内部天线55的线圈 115。如图41示例说明，密封树脂95的区域重叠在线圈115上，并且连接器端子93暴露在 外部。如果将盖105制成由铁氧体粉混合的树脂制成的产品，天线效率将如上那样改善，并 且它将对于防止半导体芯片的故障也有用。另外，如图42示例说明，从改善天线效率及防 止半导体芯片故障的观点来说，优选地将铁氧体板116，例如铁氧体芯片、铁氧体膜或铁氧 体标签插在线圈115与密封树脂95的区域之间。在这种情况下，仅用树脂就使盖105优良。 图40至图42的结构也适合其他封装结构。 在图41和图42中，在盖105中形成的线圈115和IC卡微型计算机11的天线端
子TML 1/TML2经由布线衬底97上形成的布线97A与线圈图形115连接。所需的只是例如
经由导电接合材料97B，例如Ag浆等，电连接布线97A和线圈图形115。 通过在盖105中形成线圈115，变得容易确保线圈115和各半导体芯片的距离。当
减小涡流损耗及保证线圈115的特性时，或当预先防止在半导体芯片中发生不希望的涡流
或不希望的感应电动势并且产生故障的可能性时，可以有效地确保线圈115和各半导体芯
片的距离。《防止由涡流损耗引起的天线特性变差》 在由复合布线衬底表示的多层互连衬底中，形成较大的接地图形，通过它执行对 接地电位的导通。如果磁通量经过这个接地图形，则将产生涡流损耗，并且天线特性将变 差。从这个观点来说，如图43示例说明，布线衬底具有分区接地图形118a-118i，分成多个 并且在不形成闭路下连接，代替单个接地图形。它与接收接地电压的键合焊盘Vss连接，并 且分区接地图形118a与另外分区接地图形118b和118c串联连接。类似地，它与接收接地 电压的键合焊盘Vss连接，并且分区接地图形118d与另外分区接地图形118e和118f串联 连接。它与接收接地电压的键合焊盘Vss连接，并且分区接地图形118g与另外的分区接地 图形llSh和118i串联连接。图44说明图43的侧表面部分结构。在多层互连衬底的下层 侧中形成分区接地图形118a-118i。据此，能减弱由接地图形的前表面上产生的涡流损耗所 引起的天线特性的变差。不仅能应用微型匪C封装结构，而且在RS匪C中，能应用标准匪C 封装结构，自然，能应用分区接地图形结构。
《抵抗EMI的措施》 说明抵抗EMI的措施，即对外部的电磁阻断以及对由外部电磁波引起发生的故障 进行控制。 首先，说明利用盖的电磁屏蔽。在图45中，从关于覆盖磁通量的观点来说，采用在 盖108中混合铁氧体细粒的结构，对前表面应用铁氧体细粒的结构，或对前表面涂覆铁氧 体涂层的结构。由树脂制成的这些盖108变成电磁屏蔽。布线衬底的连接器端子93暴露 在盖108的开口。应用这种结构，天线的接收表面面对开口。利用盖的磁通量屏蔽结构也 可用于除标准匪C封装结构外的封装结构。 如图46示例说明，如果从减弱由涡流损耗所引起的磁通量的影响的观点来说，所 需的是将盖105制成金属，并且只是采用对前表面提供绝缘膜的结构。金属盖105变成为 电磁屏蔽。由金属盖105的涡流损耗结构也可用于除RS匪C封装结构外的封装结构。
在图47中，采用包含金属或铁氧体的模制盖结构。也就是，在芯部分中包含金属
21或铁氧体121，用树脂120执行整个的模制使其绝缘，并且以特定形状形成盖105。有关的 模制盖105变成电磁屏蔽。这种结构也可用于除RS匪C封装结构外的封装结构。金属或铁 氧体121不必用树脂120执行整个的模制。如果它是这种结构，即，对于用作RS匪C的标签 表面的部分，不特别地用树脂覆盖这个部分的金属或铁氧体121，则对于模制盖105的树脂 95能使包起部分的厚度较薄。如果使覆盖模制盖105的树脂的部分95较薄，则当树脂95 的体积能扩大并且安装大容量存储器时，是有利的。 其次，说明通过标签的电磁屏蔽。所需的只是在微型匪C封装结构中，对图48和 图49表示的盖108和105、图50表示的布线衬底109、或者密封树脂的前表面执行电磁屏 蔽标签122的附着。电磁屏蔽标签122的附着位置是与输入屏或电波的接收表面相对的表 面。在图50的情况下，假设接收表面为布线衬底109中的相对侧。在图48和图49的情况 下，布线衬底109和97侧执行接收表面。图51利用透视图表示以图48形式粘附电磁屏蔽 标签122的标准匪C封装结构的MFMC 5。图52利用透视图表示以图50形式粘附电磁屏蔽 标签122的HS匪C封装结构的MFMC 5。图53利用透视图表示以图49形式粘附电磁屏蔽标 签122的RS匪C封装结构的MFMC 5。 假设电磁屏蔽标签122例如是其上涂覆、印刷或粘附铁氧体细粒的标签，诸如铝 的金属蒸发加厚标签，使用铝、铜、晶粒取向电硅钢片或铁磁材料等作为金属基底等的金属 板标签。 在使用上述盖或标签的电磁屏蔽下，能抑制或减弱对外部发生的电磁阻断和电磁 故障。这样的电磁屏蔽技术也能用于不具有非接触ic卡功能的存储卡。
《薄型化、防止反向插入》 对插口的薄型化和防止对插口的反向插入进行说明。图56表示在插口 130装备 MFMC 5之前的状态，以及图57表示插口 130装备了 MFMC 5的状态。图58和图59表示图 56的A-A'横截面，以及图54表示图57的B-B'横截面。 这里，以微型匪C封装结构为例说明。在微型匪C封装结构中，用批量模制或 MAP(模制阵列封装)形式形成封装，即密封树脂95。此时，如图54、图56和图57示例说 明，在密封树脂95处的厚度方向，形成由插口 30的弹性爪131、132所阻止的高度差部分 133、 134。在批量模制的时候，通过在密封金属模的腔内表面中形成高度，沿密封树脂95的 切割位置预先形成一个槽，并且在此之后沿着该槽分离地执行装置的切割隔离，完成高度 差部分133、 134的形成。结果将沿密封树脂95的平行边界部分形成高度差部分133、 134。 密封树脂95的厚度由密封图28示例说明的半导体芯片85和86及键合引线90所需的厚 度规定。因为高度差部分133、134在密封树脂95的两端的部分中形成，并且偏离用于叠置 部分的部分，例如半导体芯片85和86，所以它令人满意。136和137是与MFMC 5的连接器 端子93接触的悬臂弹性端子。 这里，参考图67至图71，说明具有上述高度差部分的微型匪C封装结构的MFMC 5 的制造方法。 首先，如图67示例说明，制备布线衬底80A。在这里制备的布线衬底80A上执行一 个MFMC 5所需的布线图形、焊盘电极等的多单元形成。其次，如图68示例说明，在布线衬 底80A上的各单元的布线图形中安装芯片84、85和86，并且通过键合引线90将芯片84、85 和86的焊盘与相应键合焊盘82连接。将其上安装有芯片84、85和86的布线衬底80A布置在包括上模150和下模151的密封金属模的腔中(参考图69)。将树脂152注入到腔中， 并且由这种树脂形成密封树脂(参考图70)。在移去金属模150、151之后，切割刀片153切 割密封树脂152和布线衬底80A，使MFMC 5单个地分离(参考图71)，并且完成其中形成有 高度差部分133、 134的MFMC 5。 因为插口 130的弹性爪131、 132阻止比密封树脂95的厚度薄的高度差部分133、 134，所以变得容易将插口 130的厚度H1抑制到最小。如作为一个比较例所述的图55所示， 在密封树脂中不形成高度差部分时，弹性爪的位置变高，并且部分插口的厚度H2变大。
如图56示例说明，两个高度差部分133、 134制成不对称。例如，均匀地形成一个高 度差部分134，并且关于另一侧的高度差部分133，在中途阻止高度差部分的形成。在相应 弹性爪131中形成阻止突起133A的腔131A。由此，能阻止其中插口 130装备MFMC 5，使左 右边界变成反向的这种情况的产生。简而言之，能防止MFMC 5反向插入插口 130。只以图 57所示的方向能够使MFMC 5安装到插口130上。据此，能防止这种情况，即由于插口 130 的端子136、137和MFMC 5的端子93不是与它们所相应的端子电接触，而使电路和端子被 破坏。 如果立足防止这种情况的观点，即防止由于插口 130的端子136、 137和MFMC 5的 端子93不是与它们所相应的端子电接触，而使电路和端子被破坏，则有效地将外部连接端 子93制成与作为封装的密封树脂95的中心非线性对称。例如，暴露在密封树脂95之外的 外部连接端子93按多行平行布置，并且该多行相对于密封树脂95的高度差部分133、 134 偏置，如图58示例说明。作为向左右偏移的端子93的布置的一例，图60示例说明与图3 的端子结构相应的端子布置。如果将MFMC 5以图58的方向插入插口中，将正常地连接相 应端子。如图59所示，即使将MFMC 5以左右反向插入插口，端子136、137和端子93也不 会与其电接触。至于对上述端子布置提供偏离的手段，可以采用使高度差部分133、134不 对称的手段，或采用替代它的手段。 如图61所示，上述防止反向插入的端子布置按多行平行布置外部连接端子93，并 且可以使其按平行方向对多行提供相互偏离。当端子之间的间距为P时，所需的只是形成 一个P/2的偏离。端子93本身的宽度与图3相比变窄。如图62示例说明，可以采用在高 度差部分133、134上的偏离和端子布置的布置方向上的偏离两个方面。如图63示例说明， 整体上相对于密封树脂95将端子向端子布置方向单向偏移，提供偏离。使间隙刚好设为端 子间距P的一半P/2。防止上述反向插入的高度差部分133U34的形状可以是图64或图 65所示的不平衡形状。 在使用模制塑性品的模制金属模制造插口时，如图56所示，通过设计插口 ，使得 弹性爪131、 132的位置和外部连接端子93的位置在平面图中可以布置在不同位置，则变得 容易使模制金属模的结构更简化，并且它能改善插口的生产率。 所需的是根据MFMC 5薄型化的观点，使具有小表面面积的物件形成为更薄，并且 只是在多个半导体芯片中将较薄半导体芯片布置在上层，按这样在布线衬底或铁氧体板上 执行叠置。这是因为具有较小表面面积，则关于弯曲时刻所引起的应力和变形状态较小。例 如，在图28中，相对厚和大的半导体芯片85向下布置，而相对薄和小的半导体芯片86向上 堆积。如果特别地采用这种方法，将变得容易使铁氧体板增厚。当减小磁阻时，有效地使铁 氧体板增厚。
23
《测试简易化》 如图66示例说明，从MFMC 5的测试简易化的观点来说，当外部连接端子暴露，并 且整个用封装密封时，作为暴露在封装之外的外部连接端子，除连接在卡插口的端子上的 第一外部端子93外，优选地布置多个测试端子93T，它们分别与多个第一外部端子93连接， 并且其间距和表面面积比第一外部端子93大。通过使用具有大间距和表面面积的多个测 试端子93T，将测试探针垂直地与大量MFMC 5接触的操作变得容易。为了增加测试端子93T 的布置的效率，第一外部端子93优选地布置成隔开的多行，并且将第二外部端子93T布置 在多行之间的整个区域上。 如上所述，基于以上实施例，具体说明了本发明人所完成的本发明，但是本发明不 限于以上实施例，而当然可以在不偏离主旨的限制下以各种不同方式，实现各种变化和变更。 例如，多功能卡装置可以是一种不具有如IC卡微型计算机那样的安全控制器的 装置。多功能卡装置或半导体卡装置的布线衬底可以不限于多层互连衬底，而可以是所谓 的引线框。当应用于多功能卡装置时，对于防止涡流损耗引起的天线特性变差、改善感应性 能、抵抗EMI的措施、防止将半导体卡装置反向插入插口 、使半导体卡装置的插口薄型化、 以及测试简易化有关的本发明不作限制，而是本发明也能广泛地应用于其他半导体卡装 置，例如调制解调器卡和LAN卡。
工业适用性 本发明不仅可广泛应用于带有卡控制器、闪速存储器和IC卡微型计算机的多功
能存储卡，而且可广泛应用于其他复合功能卡，例如通信卡、i/o卡、存储卡等。
权利要求
一种半导体卡装置，用其通过封装密封安装在布线衬底上方的半导体芯片，其中在所述封装的厚度方向中形成由插口阻挡的至少两个高度差部分。
2. 根据权利要求1的半导体卡装置，其中 所述封装是利用模制阵列封装形式所形成的封装。
3. 根据权利要求1的半导体卡装置，其中 所述两个高度差部分不对称。
4. 根据权利要求1的半导体卡装置，其中暴露在所述封装之外的外部连接端子相对于所述封装的中央非线性对称。
5. 根据权利要求4的半导体卡装置，其中暴露在所述封装之外的所述外部连接端子按多行平行布置，并且所述多行相对于所述 封装的所述高度差部分具有偏离。
6. 根据权利要求4的半导体卡装置，其中暴露在所述封装之外的所述外部连接端子按多行平行布置，并且所述多行相对于平行 方向相互具有偏离。
全文摘要
一种多功能卡装置(5)包括外部连接端子(13A，13B)、接口控制器(10)、存储器(12)以及连接到接口控制器和外部连接端子的安全控制器(11)。接口控制器具有多个接口控制方式，并且通过根据来自外部的指示的控制方式来控制外部接口动作和存储器接口动作。外部连接端子具有为每个接口控制方式所个性化的个别端子和共性化的公共端子。公共端子包括时钟输入端子、电源端子和接地端子。所述个别端子包括数据端子，和安全控制器的专用端子(13B)。对于多种接口控制方式，使外部连接端子部分共性化和个性化，由此保证接口的可靠性，并抑制物理大小的增加。还可以通过安全控制器独立接口保证安全处理。
文档编号G11C16/02GK101789263SQ20101012396
公开日2010年7月28日 申请日期2003年7月3日 优先权日2003年7月3日
发明者和田环, 大泽贤治, 大迫润一郎, 杉山道昭, 樋口显, 西泽裕孝 申请人:株式会社瑞萨科技