专利名称：一种多级电阻转换存储器的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种多级电阻转换器，尤其涉及一种多级电阻转换器材料。
背景技术：
随着科技的发展和进步，尤其是大规模集成电路的迅猛发展，使得对存储器的要求越来越高，目前的集中存储器，例如静态存储器(SRAM)、动态存储器(DRAM)、磁盘、闪存(Flash)、铁电存储器等已不能满足发展的需要，下一代存储器例如相变存储器、电阻随机存储器、电探针存储系统等受到了广泛的研究。电阻转换存储器因其利用器件中存储材料在高电阻和低电阻之间的可逆变化来实现数据“I”和“O”的存储而有望实现多级存储，从而大幅提高存储器的存储信息的能力，再加上其高速、高数据保持能力和低成本的优点，成为研究的热点。
发明内容
本发明提供一种多级电阻转换存储器，其特征在于，该存储器由包括锗、锑、硒三种元素的存储材料构成，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.1 15: 75 99.8: 0.1 10。
具体实施例方式下面结合具体实施例，进一步阐述本发明。应理解，这些实施例仅用于说明本发明而不用于限制本发明的范围。此外应理解，在阅读了本发明讲授的内容之后，本领域技术人员可以对本发明作各种改动或修改，这些等价形式同样落于本申请所附权利要求书所限定的范围。实施例1该多级电阻转换存储器，其特征在于，该存储器由包括锗、锑、硒三种元素的存储材料构成，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.1: 99.8: 0.1。经过测量，材料的高、中电阻值差异超过两个数量级，中、低电阻值差异大约为一个数量级。符合理论推算和设备要求。实施例2该多级电阻转换存储器，其特征在于，该存储器由包括锗、锑、硒三种元素的存储材料构成，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为15: 75: 10。经过测量，材料的高、中电阻值差异超过两个数量级，中、低电阻值差异大约为一个数量级。符合理论推算和设备要求。实施例3该多级电阻转换存储器，其特征在于，该存储器由包括锗、锑、硒三种元素的存储材料构成，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为7: 88: 5。经过测量，材料的高、中电阻值差异超过两个数量级，中、低电阻值差异大约为一个数量级。符合理论推算和设备要求。
权利要求
1.一种多级电阻转换存储器，其特征在于，该存储器由包括锗、锑、硒三种元素的存储材料构成，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.1 15: 75 99.8: 0.1 10。
2.如权利要求1所述的多级电阻转换存储器，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为 7: 88: 5。
全文摘要
本发明提供一种多级电阻转换存储器，其特征在于，该存储器由包括锗、锑、硒三种元素的存储材料构成，其中锗、锑、硒三种元素的原子百分比依次为0.1～15∶75～99.8∶0.1～10。经过测量，材料的高、中电阻值差异超过两个数量级，中、低电阻值差异大约为一个数量级。符合理论推算和设备要求。
文档编号G11C11/56GK103106919SQ20121058134
公开日2013年5月15日 申请日期2012年12月28日 优先权日2012年12月28日
发明者孟宪斌, 任知良, 王明刚 申请人:青岛润鑫伟业科贸有限公司