光学校准盘的制作方法
【专利摘要】一种用于光学校准盘的系统和方法包括在衬底的一部分上分配抗蚀剂层。衬底的表面和模板的预定对象的形貌图案化表面接触到一起，其中接触使得衬底部分和模板之间的抗蚀剂层与形貌图案化表面共形，并且抗蚀剂层包括纳米尺度孔隙。纳米尺度孔隙通过更长的扩散时间、更薄的抗蚀剂以及通过使用去渣步骤对残留抗蚀剂层连同孔隙的去除而减少。抗蚀剂层被硬化成形貌图案化表面的负像，其中所述负像包括可用于被光学读取器单独测量的表面。衬底和模板被分离，其中抗蚀剂层附着于衬底的表面。
【专利说明】光学校准盘
[0001] 本申请要求由Kurataka等人于2011年12月5日提交的美国专利申请 No. 13/311，302的权益和优先权，前述专利申请被转让给同一受让人。
【技术领域】
[0002] 根据本发明的实施例总地涉及包括位规则介质技术的校准设备。
【背景技术】
[0003] 在磁记录介质中，信息被写至记录介质和从记录介质被读取。例如,盘驱动器可包 括一个或多个硬盘，它们可在多个生产线上制造。
[0004] 硬盘是包括建立在衬底上的多个层的装置。例如，可在衬底之上建立籽晶层。基 层可建立在籽晶层之上。垂直磁记录岛是可建立在基层内和籽晶层上的记录区域。
[0005] 光学检查工具被用于介质制造。例如，光学识别和测量工具可监视硬盘制造的工 艺和缺陷控制。光学检查工具在每个工艺步骤之后光学地检查表面，例如硬盘的表面。然 而，在监视硬盘制造之前，光学检查工具可能需要被可靠地和准确地校准。
[0006] 附图简述
[0007] 本发明的各实施例在各附图中是作为示例而非作为限制而示出的。
[0008] 图1是根据本发明一实施例的校准盘的一部分的制造的简化横截面图。
[0009] 图2是根据本发明一实施例在模板已与抗蚀剂滴形成接触之后校准盘的一部分 的制造的简化横截面图。
[0010] 图3是根据本发明一实施例在抗蚀剂层已固化之后校准盘的一部分的制造的简 化横截面图。
[0011] 图4是根据本发明一实施例在去除工艺之后校准盘的一部分的制造的简化横截 面图。
[0012] 图5是根据本发明一实施例的包括保护覆层的校准盘的一部分的制造的简化横 截面图。
[0013] 图6是包括孔隙图案的校准盘的表面的放大部分的简化示图。
[0014] 图7是根据本发明一实施例的抗蚀剂凸起图案的一部分的简化示图。
[0015] 图8是根据本发明一实施例的校准盘的表面的简化示图。
[0016] 图9是根据本发明一实施例的校准盘和光学测量设备的简化横截面图。
[0017] 图10示出根据本发明一些实施例形成校准盘的工艺的流程图。
[0018] 图11示出根据本发明一些实施例形成校准工具的工艺的流程图。
【具体实施方式】
[0019] 现在将详细参照实施例，在附图中示出了这些实施例的示例。尽管这些实施例将 结合附图予以描述，然而要理解，这些附图不旨在对实施例构成限制。相反，这些实施例旨 在覆盖多种替代、修正和等效物。此外，在以下详细描述中，阐述了许多具体细节以提供透 彻的理解。然而，本领域技术人员将认识到，没有这些具体细节也可实现这些实施例。在其 它实例中，并未对公知方法、程序、组件以及电路进行详细描述以免不必要地使实施例的一 些方面变得模糊。
[0020] 为了说明目的，术语"水平"在本文中用来表示与衬底的平面或表面平行的平面， 而不管其取向如何。术语"垂直"指与如刚才定义的水平垂直的方向。诸如"上"、"下"、"底"、 "顶"、"侧"、"较高"、"较低"、"高于"、"之上"和"之下"的术语是相对于水平平面指示的。
[0021] 本发明的实施例提供用于校准光学测量设备的方法和系统，所述光学测量设备例 如是在记录介质制造中使用的坎德拉（Candela)工具。然而，本发明的实施例可应用于需 要校准的任何光学检查工具。在一个实施例中，可使用位规则介质（BPM)制造技术和压印 光刻来产生校准装置，例如校准盘。BPM校准盘可用来校准许多坎德拉工具。例如，坎德拉 工具可光学地读出已知的预定可预测图案，该图案形成在BPM校准盘上。读出的结果则被 用来校准坎德拉设备。
[0022] 图1是根据本发明一实施例的校准盘100的一部分的制造的简化横截面图。校准 盘100包括衬底102。在一实施例中，衬底102可以是例如铝或玻璃盘、Si晶片或其它晶片 材料（例如包括20mm孔的65mm直径的玻璃盘）。模板104被定位在衬底102之上。该模 板104包括预定图案106。在一些实施例中，预定图案106包括多种尺寸的孔带108。
[0023] 抗蚀剂滴110可沉积在衬底102上，例如通过滴落和分配方法来沉积。在一些实施 例中，抗蚀剂滴110可沉积以大约4-6pL的液滴体积并且在液滴之间具有大约100-500 μ m 的间距。与衬底102和模板104 -起，抗蚀剂滴110基于滴落和分配UV固化纳米压印光刻 (见下文）被用于图案化步骤。
[0024] 图2是根据本发明一实施例在进一步加工之后校准盘100的一部分的制造的简化 横截面图。模板104已与抗蚀剂滴110 (图1)形成接触。模板104使抗蚀剂滴110 (图1) 扩散，由此形成抗蚀剂层212。在压印扩散时间（其被定义为当模板开始接触抗蚀剂层和当 施加 UV照射以固化抗蚀剂层之间的时间），抗蚀剂层212跨模板104和衬底102扩散。抗 蚀剂层212填满孔带108,由此形成抗蚀剂图案214。在一个实施例中，抗蚀剂图案214是 预定图案106 (图1)的负像。
[0025] 在一些实施例中，在扩散后，一系列孔隙216(例如纳米尺度孔隙）在抗蚀剂滴110 之间的边界被形成在抗蚀剂层212内。例如，孔隙216的尺寸可以是大约50-5000nm，并因 此可形成被陷入的气泡，这是由于抗蚀剂层212和衬底102对气体分子的不完全吸收造成 的。要理解，为了减少孔隙216的数目和尺寸并增加孔隙216的消除，可超过传统扩散时间 地显著增加压印扩散时间并可使用显著更薄的抗蚀剂。
[0026] 例如，在UV光照射之前，压印扩散时间可增加至大约2-10分钟。另外，抗蚀剂层 212可具有大约10nm的等效厚度，例如抗蚀剂层212的平均厚度。另外，该工艺可使抗蚀 剂图案214具有相比抗蚀剂凸起320(见图3)非常薄的（例如小于10nm)残留抗蚀剂层 318 (见图3)。由此，由于增加的扩散时间和非常薄的残留抗蚀剂层318,孔隙216显著减少 和/或被消除。
[0027] 图3是根据本发明一实施例在进一步加工之后校准盘100的一部分的制造的简化 横截面图。抗蚀剂层212(图2)已例如通过UV光照射被加固（例如固化），并已硬化和凝 固成刚性抗蚀剂层322。刚性抗蚀剂层322包括非常薄的残留抗蚀剂层318、孔隙216和抗 蚀剂凸起320。模板104(图2)已与刚性抗蚀剂层322和衬底102分离，留下包括附连至衬 底102的抗蚀剂图案214的刚性抗蚀剂层322。
[0028] 图4是根据本发明一实施例在进一步加工之后校准盘100的一部分的制造的简化 横截面图。去除工艺（例如基于蚀刻的去渣）可去除非常薄的残留抗蚀剂层318和孔隙 216。由此，衬底102和抗蚀剂凸起320保留下来。在一实施例中，抗蚀剂凸起320绝大多 数不受去除工艺影响。由此，抗蚀剂凸起320的预定可预测图案可基本上没有孔隙216。
[0029] 例如，可使用基于02反应离子蚀刻的去渣步骤以去除非常薄的残留抗蚀剂层318。 结果，非常薄的残留抗蚀剂层318内的孔隙216也被去除。在一些实施例中，抗蚀剂凸起 320稀疏地间隔并远比非常薄的残留抗蚀剂层318更厚。因此，抗蚀剂凸起320可仅受到基 于〇 2反应离子蚀刻的去渣步骤的轻微影响。
[0030] 在一些实施例中，非常薄的残留抗蚀剂层318可能是不均一的。例如，非常薄的残 留抗蚀剂层318可跨衬底102具有在大约l-20nm之间变动的厚度。因此，通过去除非常薄 的残留抗蚀剂层318内的不均匀部，该去除工艺可在抗蚀剂凸起320之间形成均一的层。
[0031] 图5是根据本发明一实施例在进一步加工之后校准盘100的一部分的制造的简化 横截面图。在一些实施例中，保护性覆盖层524可被沉积在衬底102和抗蚀剂凸起320上。 例如，大约5nm厚的保护性碳覆盖层可被溅射沉积到衬底和抗蚀剂凸起320上。
[0032] 图6是包括孔隙642的图案640的校准盘638的表面的放大部分636的简化示图。 如前所述，当抗蚀剂滴在压印过程中一起扩散时，孔隙642可形成在抗蚀剂滴的边界。孔隙 642由此在校准盘638的表面上形成图案640,有时被称为"鱼网"图案。在一些实施例中， 图案640可与光学测量设备900的校准形成干扰（见图9)。由此，用于减少和或去除孔隙 642的前述工艺也可能导致图案640的去除。
[0033] 图7是根据本发明一实施例的电抗蚀剂凸起图案700的一部分的简化示图。在一 个实施例中，稀疏间隔的凸起746的排744可被布置在校准盘800 (见图8)上。凸起746 可通过凸起746之间的已知间隔748以已知图案配置。另外，凸起746的尺寸可以是已知 的，并可形成基本连续的预定可预测图案。
[0034] 例如，凸起746的第一组750可包括八排lOOOnm凸起，其具有100 μ m的凸起至凸 起间隔。凸起746的第二组752可包括五排700nm凸起，其具有100 μ m的凸起至凸起间 隔。凸起746的第三组754可包括五排400nm凸起，其具有100 μ m的凸起至凸起间隔。凸 起746的第四组756可包括五排200nm凸起，其具有100 μ m的凸起至凸起间隔。另外，在 第三组754和第四组756之间可以存在150 μ m的间隔。凸起746的第五组758可包括五 排80nm凸起，其具有100 μ m的凸起至凸起间隔。凸起746的第六组760可包括八排50nm 凸起，其具有100 μ m的凸起至凸起间隔。
[0035] 在各实施例中，任何数量的已知组、凸起和/或排可被使用并由任何已知的间隔 尺寸隔开，由此在校准盘上形成已知的图案。光学测量设备可测量该已知图案并将这些测 量值与已知值比较。结果，可校准光学测量设备以正确地测量已知图案。此外，单个校准盘 上的不同尺寸的凸起的组减少了校准光学测量设备所需的时间。
[0036] 例如，在衬底的一部分上包括第一凸起（例如第一组750)的第一预定可预测图案 以及在同一衬底的不同部分上的第二抗蚀剂层凸起（例如第二组752)的第二预定可预测 图案可用于被例如光学测量设备（见图9)的记录表面光学读取器测量。此外，第一和第二 预定可预测图案在它们相应的凸起之间可包括基本连续的区域。例如，凸起可具有100 μ m 凸起至凸起间隔、组之间的100 μ m间隔或组之间的150 μ m间隔。
[0037] 图8是根据本发明一实施例的校准盘800表面的简化示图。在一实施例中，凸起 746 (图7)的组和排可跨校准盘800以已知半径布置。因此，第一组750可以处于校准盘 800的内半径上。第二组752可处于相对于第一组750的外半径上。第三组754可以处于 相对于第二组752的外半径上。第四组756可以处于相对于第三组754的外半径上。第五 组758可以处于相对于第四组756的外半径上。第六组760可以处于相对于第五组758的 外半径上。在各实施例中，任何数量的组可跨校准盘800以任何已知配置定位。
[0038] 图9是根据本发明一实施例的校准盘100和光学测量设备900的简化横截面图。 在一实施例中，光学测量设备900可以是记录表面光学读取器，例如坎德拉工具，其光学地 读出校准盘100上的抗蚀剂图案214。例如，坎德拉工具可将多个（例如一个、两个、三个 等）激光束引导到盘表面上，并且多个检测器进行数次信号读出。由此，校准盘100可用来 将分散的通道灵敏性校准至不同的"微粒"尺寸。
[0039] 由于抗蚀剂图案214在光学测量设备900对校准盘100成像之前就是已知的，因 此可将由光学测量设备900获得的读出结果与抗蚀剂图案214进行比较。然后可对光学测 量设备900作出调整以供校准。在一些实施例中，来自多个坎德拉工具的读出结果可用来 相对彼此地校准坎德拉工具。
[0040] 图10示出根据本发明一些实施例形成校准盘的示例性工艺的流程图1000。在方 框1002,抗蚀剂层被分布在衬底的一部分上。在一些实施例中，分布抗蚀剂层包括滴落分配 抗蚀剂层。例如，在图1中，抗蚀剂滴可沉积在衬底上，例如通过滴落和分配方法。可按照 大约4-6pL的液滴体积并且在液滴之间具有大约100-500 μ m的间隔来沉积抗蚀剂滴。
[0041] 在图10的方框1004中，衬底的表面和模板的预定可预测对象的形貌图案化表面 彼此接触，其中接触使得衬底部分和模板之间的抗蚀剂层与形貌图案化的表面共形，并且 其中，抗蚀剂层包括纳米尺度孔隙。例如，在图2中，模板已与抗蚀剂滴形成接触。模板使 抗蚀剂滴扩散，由此形成抗蚀剂层。抗蚀剂层在模板和衬底上扩散，填满孔带并形成抗蚀剂 图案。在扩散后，一系列孔隙（例如纳米尺度孔隙）在抗蚀剂滴之间的边界被形成在抗蚀 剂层内。孔隙的尺寸可以是大约100-300nm，并因此可形成陷入其中的气泡，这是由于抗蚀 剂层和衬底对气体分子的不完全吸收造成的。
[0042] 在一些实施例中，抗蚀剂层包括残留抗蚀剂层，而残留抗蚀剂层包括纳米尺度孔 隙。例如，在图3中，刚性抗蚀剂层包括非常薄的残留抗蚀剂层、孔隙和抗蚀剂凸起。在又 一些实施例中，工艺可包括去除残留抗蚀剂层。例如，在图4中，例如基于蚀刻的去渣的去 除工艺可去除非常薄的残留抗蚀剂层和孔隙。
[0043] 在图10的方框1006中，纳米尺度的孔隙被减少。在一些实施例中，所述减少包括 基本去除纳米尺度的孔隙。例如，在图2中，可增加压印扩散时间。在另一例子中，在图4 中，去除工艺可去除非常薄的残留抗蚀剂层和孔隙。
[0044] 在各实施例中，所述减少包括基于反应离子蚀刻的去渣操作。例如，在图4中，例 如基于蚀刻的去渣的去除工艺可去除非常薄的残留抗蚀剂层和孔隙。由此，衬底和抗蚀剂 凸起保留下来。抗蚀剂凸起绝大多数不受去除工艺影响。
[0045] 在又一些实施例中，所述减少包括等待一段压印扩散时间以在加固抗蚀剂层之前 基本上去除纳米尺度孔隙。例如，在图2中，可相比传统扩散时间显著地增加压印扩散时 间。例如，在UV光照射之前，压印扩散时间可增加至大约2-10分钟。
[0046] 在图10的方框1008中，抗蚀剂层被硬化成形貌图案化表面的负像，其中负像包括 可用于被光学读取器单独测量的表面。在一些实施例中，所述加固包括用UV光照射来固化 抗蚀剂层。例如，在图3中，抗蚀剂层已例如通过UV光照射被固化，并已凝固成刚性抗蚀剂 层。此外，在图9中，光学测量设备可以是坎德拉设备，它光学地读取在校准盘上的抗蚀剂 图案。
[0047] 在图10的方框1010中，衬底和模板被分离，其中抗蚀剂层附着于衬底的表面。例 如，在图3中，模板已从刚性抗蚀剂层和衬底分离，由此留下包括附着于衬底的抗蚀剂图案 的刚性抗蚀剂层。在又一些实施例中，保护性覆盖层被沉积在抗蚀剂层上。例如，在图5中， 保护性覆盖层可被沉积在衬底和抗蚀剂凸起上。例如，大约5nm厚的保护性碳覆盖层可被 溅射沉积在衬底和抗蚀剂凸起上。
[0048] 图11示出根据本发明一些实施例形成校准工具的示例性工艺的流程图1100。在 方框1102,多个抗蚀剂滴被分配到衬底的一部分上。在一些实施例中，分配包括滴落分配抗 蚀剂滴。例如，在图1中，抗蚀剂滴可沉积在衬底上，例如通过滴落和分配方法。可按照大 约4-6pL的液滴体积并且在液滴之间具有大约100-500 μ m的间隔来沉积抗蚀剂滴。
[0049] 在图11的方框1104中，模板的预定可预测对象的形貌图案化表面被挤压到多个 抗蚀剂滴上，其中所述挤压使得多个抗蚀剂滴形成包括多个抗蚀剂凸起和残留抗蚀剂层的 抗蚀剂层，并且其中所述挤压使得抗蚀剂层与形貌图案化表面共形。例如，在图2中，模板 已与抗蚀剂滴形成接触。模板使抗蚀剂滴扩散，由此形成抗蚀剂层。抗蚀剂层在模板和衬 底上扩散，填满孔带并形成抗蚀剂图案。
[0050] 在各实施例中，残留抗蚀剂层小于10nm厚。例如，在图2中，抗蚀剂层可以是大约 10nm等效厚度，例如抗蚀剂层的平均厚度。另外，抗蚀剂图案相比抗蚀剂凸起（图3)可具 有非常薄（例如小于l〇nm)的残留抗蚀剂层（图3)。
[0051] 在一些实施例中，抗蚀剂凸起的尺寸为大约50nm至大约lOOOnm。例如，在图7中， 第一组凸起可包括八排l〇〇〇nm凸起。第二组凸起可包括五排700nm凸起。第三组凸起可 包括五排400nm凸起。第四组凸起可包括五排200nm凸起。第五组凸起可包括五排80nm 凸起。第六组凸起可包括八排50nm凸起。
[0052] 在图11的方框1106中，多个纳米尺度孔隙被形成在抗蚀剂层内。例如，在图2中， 在扩散后，一系列孔隙（例如纳米尺度孔隙）在抗蚀剂滴之间的边界被形成在抗蚀剂层内。 孔隙的尺寸可以是大约100_300nm，并因此可形成陷入其中的气泡，这是由于抗蚀剂层和衬 底对气体分子的不完全吸收造成的。
[0053] 在图11的方框1008中，等待一段抗蚀剂扩散时间，其中所述等待基本去除了多个 纳米尺度孔隙。在各实施例中，抗蚀剂扩散时间可以在2分钟和10分钟长度之间。例如， 在图2中，可相比传统扩散时间显著地增加压印扩散时间。例如，在UV光照射之前，压印扩 散时间可增加至大约2-10分钟。由此，由于增加的扩散时间，孔隙显著地减少和/或被消 除。
[0054] 在如11的方框1110中，抗蚀剂层被硬化成形貌图案化表面的负像。在一些实施 例中，硬化包括使用光照射来凝固抗蚀剂层。例如，在图3中，抗蚀剂层已例如通过UV光照 射被固化，并已凝固成刚性抗蚀剂层。抗蚀剂图案可以是预定图案（图1)的负像。
[0055] 在图11的方框1112中，残留抗蚀剂层被去除，其中所述去除进一步基本去除了多 个纳米尺度孔隙。在又一些实施例中，所述去除包括基于〇 2反应离子蚀刻的去渣操作。例 如，在图4中，例如基于蚀刻的去渣的去除工艺可去除非常薄的残留抗蚀剂层和孔隙。由 此，衬底和抗蚀剂凸起保留下来。抗蚀剂凸起绝大多数不受去除工艺影响。
[0056] 进一步的实施例，碳覆盖层的保护层被沉积到负像之上。例如，在图5中，保护性 覆盖层可被沉积在衬底和抗蚀剂凸起上。例如，大约5nm厚的保护性碳覆盖层可被溅射沉 积在衬底和抗蚀剂凸起上。
[0057] 根据一个实施例，抗蚀剂层被分配在衬底的一部分上。所述衬底的表面和模板的 预定对象的形貌图案化表面接触在一起。在一个实施例中，所述接触使所述衬底的所述部 分和所述模板之间的所述抗蚀剂层顺应所述形貌图案化表面。在一个实施例中，所述抗蚀 剂层包括纳米尺度孔隙。在一个离子中，所述纳米尺度孔隙减小。抗蚀剂层被加固成所述形 貌图案化表面的负像，其中所述负像包括可用于被光学读取器单独测量的多个表面。根据 一个实施例，所述衬底和所述模板被分离，其中所述抗蚀剂层附着于所述衬底的所述表面。
[0058] 在一个实施例中，所述抗蚀剂层包括残留抗蚀剂层，而所述残留抗蚀剂层包括所 述纳米尺度孔隙。在一个示例中，所述残留抗蚀剂层被去除。
[0059] 要理解，在一个实施例中，所述减少包括基本去除所述纳米尺度孔隙。根据一个实 施例，所述减少包括基于反应离子蚀刻的去渔操作。在一个示例性实施例中，所述减少包括 等待一段压印扩散时间以在所述加固之前基本去除所述纳米尺度孔隙。
[0060] 要理解，在一个实施例中，所述分配所述抗蚀剂层包括滴落分配所述抗蚀剂层。所 述加固包括用UV光照射来固化所述抗蚀剂层。在一个实施例中，保护性覆盖层被沉积在抗 蚀剂层上。
[0061] 根据一个实施例，一种方法包括：在衬底的一部分上分配多个抗蚀剂滴；将模板 的可预测对象的形貌图案化表面在所述多个抗蚀剂滴上进行挤压，其中所述挤压使得所述 多个抗蚀剂滴形成包括多个抗蚀剂凸起和残留抗蚀剂层的抗蚀剂层，并且所述挤压使得所 述抗蚀剂层与所述形貌图案化表面共形；在所述抗蚀剂层内形成多个纳米尺度孔隙；等待 一段抗蚀剂扩散时间，其中所述等待基本地去除了所述多个纳米尺度孔隙；将所述抗蚀剂 层硬化成所述形貌图案化表面的负像；以及去除所述残留抗蚀剂层，其中所述去除进一步 基本地去除了所述多个纳米尺度孔隙。
[0062] 根据一个实施例，所述去除包括基于02反应离子蚀刻的去渣操作。抗蚀剂凸起的 尺寸是大约50nm至大约lOOOnm，所述分配包括滴落分配所述抗蚀剂滴，并且在一个实例中 所述抗蚀剂扩散时间长度在2分钟和10分钟之间。在一个实施例中，残留抗蚀剂层小于 10nm 厚。
[0063] 所述硬化包括使用光照射来加固所述抗蚀剂层。该方法可进一步包括将碳覆盖层 的保护层沉积在所述负像上。
[0064] 在一个实施例中，一种装置包括：衬底；第一预定可预测图案，其包括在所述衬底 的一部分上的第一抗蚀剂凸起，其中所述第一预定可预测图案在所述第一抗蚀剂凸起之间 基本连续，并且所述第一预定可预测图案可用于被记录表面光学读取器测量；以及在所述 第一抗蚀剂凸起和所述衬底上的保护性覆盖层。
[0065] 根据一个实施例，第一预定可预测图案基本没有纳米孔隙。在一个实例中，记录表 面光学读取器是坎德拉工具。
[0066] 在一个实施例中，保护性覆盖层是碳覆盖层。根据一个实施例，第一预定图案进一 步包括在所述第一抗蚀剂凸起之间的区域；并且所述区域的厚度是基本连续的。装置可包 括在所述衬底的不同部分上的第二抗蚀剂凸起的第二预定可预测图案，其中所述第二预定 可预测图案可用于被所述记录表面光学读取器测量。
[0067] 为解说目的的之前描述已参照特定实施例进行了描述。然而，前面的解说性讨论 不旨在穷举或将本发明限制为所公开的精确形式。根据上述示教，许多修改和变化是可能 的。
【权利要求】
1. 一种方法，包括： 在衬底的一部分上分配抗蚀剂层； 使所述衬底的表面和模板的预定对象的形貌图案化表面接触在一起，其中 所述接触使得所述衬底的所述部分和所述模板之间的所述抗蚀剂层与所述形貌图案 化表面共形，并且 所述抗蚀剂层包括纳米尺度孔隙； 减少所述纳米尺度孔隙； 将所述抗蚀剂层加固成所述形貌图案化表面的负像，其中所述负像包括能用于被光学 读取器单独测量的表面；以及 分离所述衬底和所述模板，其中所述抗蚀剂层附着于所述衬底的所述表面。
2. 如权利要求1所述的方法，其特征在于： 所述抗蚀剂层包括残留抗蚀剂层；以及 所述残留抗蚀剂层包括所述纳米尺度孔隙；以及 所述方法进一步包括去除所述残留抗蚀剂层。
3. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述减少包括基本去除所述纳米尺度孔隙。
4. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述减少包括基于反应离子蚀刻的去渣操 作。
5. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述减少包括等待一段压印扩散时间以在 所述加固之前基本去除所述纳米尺度孔隙。
6. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述分配所述抗蚀剂层包括滴落分配所述 抗蚀剂层。
7. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，所述加固包括用UV光照射来固化所述抗蚀 剂层。
8. 如权利要求1所述的方法，其特征在于，还包括将保护性覆盖层沉积到所述抗蚀剂 层上。
9. 一种方法，包括： 在衬底的一部分上分配多个抗蚀剂滴； 将模板的可预测对象的形貌图案化表面在所述多个抗蚀剂滴上挤压，其中， 所述挤压使得所述多个抗蚀剂滴形成包括多个抗蚀剂凸起和残留抗蚀剂层的抗蚀剂 层，以及 所述挤压使得所述抗蚀剂层与所述形貌图案化表面共形； 在所述抗蚀剂层中形成多个纳米尺度孔隙； 等待一段抗蚀剂扩散时间，其中所述等待基本地去除了所述多个纳米尺度孔隙； 将所述抗蚀剂层硬化成所述形貌图案化表面的负像；以及 去除所述残留抗蚀剂层，其中所述去除进一步基本去除所述多个纳米尺度孔隙。
10. 如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述去除包括基于02反应离子蚀刻的去渣 操作。
11. 如权利要求9所述的方法，其特征在于： 所述抗蚀剂凸起的尺寸为大约50nm至大约lOOOnm, 所述分配包括滴落分配所述抗蚀剂滴，以及 所述抗蚀剂扩散时间的长度在2分钟和10分钟之间。
12. 如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述残留抗蚀剂层小于10nm厚。
13. 如权利要求9所述的方法，其特征在于，所述硬化包括使用光照射来加固所述抗蚀 剂层。
14. 如权利要求9所述的方法，其特征在于，还包括将碳覆盖层的保护层沉积在所述负 像上。
15. -种装置，包括： 衬底； 第一预定可预测图案，其包括在所述衬底的一部分上的第一抗蚀剂凸起，其中 所述第一预定可预测图案在所述第一抗蚀剂凸起之间是基本连续的，以及 所述第一预定可预测图案能用于被记录表面光学读取器测量；以及 在所述第一抗蚀剂凸起和所述衬底上的保护覆盖层。
16. 如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述第一预定可预测图案基本没有纳米 孔隙。
17. 如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述记录表面光学读取器是坎德拉工具。
18. 如权利要求15所述的装置，其特征在于，所述保护性覆盖层是碳覆盖层。
19. 如权利要求15所述的装置，其特征在于： 所述第一预定图案进一步包括在所述第一抗蚀剂凸起之间的区域；以及 所述区域的厚度基本是连续的。
20. 如权利要求15所述的装置，其特征在于： 还包括在所述衬底的不同部分上的第二抗蚀剂凸起的第二预定可预测图案， 其中所述第二预定可预测图案能用于被所述记录表面光学读取器测量。
【文档编号】G11B5/855GK104126202SQ201280068846
【公开日】2014年10月29日 申请日期:2012年12月4日 优先权日:2011年12月5日
【发明者】N·仓高, G·高兹纳, Z·于 申请人:希捷科技有限公司