技术特征：
技术总结
一种高压开关电路，第一PMOS管的源极和衬底、第二PMOS管的源极和衬底均适于接收高压信号，第一PMOS管的栅极连接第二PMOS管的漏极、第二NMOS管的漏极和第一输出端，第一PMOS管的漏极连接第二PMOS管的栅极、第一NMOS管的漏极和第二输出端；第一NMOS管的栅极连接第一与非门的输出端，第一NMOS管的源极连接第二NMOS管的源极和第一反相器的输出端，所述第一NMOS管的衬底接收第一电压；所述第二NMOS管的栅极连接所述第二与非门的输出端和第一与非门的第一输入端，所述第二NMOS管的衬底接收所述第一电压；所述第一与非门的第二输入端连接第一与非门的第二输入端、第一反相器的输入端和控制电路的输出端；控制电路适于根据高压信号和预设电压，通过控制电路的输出端输出控制信号。
技术研发人员：罗光燕;倪昊;高龙辉;郁红
受保护的技术使用者：中芯国际集成电路制造(上海)有限公司
技术研发日：2016.01.05
技术公布日：2017.07.11