1.一种半导体存储装置，其特征在于，包括：
存储器阵列，具有包括多个存储器单元的存储器区域及包括多个存储器单元的冗余存储器区域，所述存储器区域的每一列的地址对应至一组的偶数列与奇数列；
冗余信息存储部，存储冗余信息，所述冗余信息包含不良列的地址、识别所述不良列的不良位于偶数列或奇数列的哪一列的识别信息、及用来救济所述不良列的所述冗余存储器区域的冗余列的地址；以及
列选择控制电路，基于列地址而选择所述存储器阵列的列，
其中，所述列选择控制电路是基于所述冗余信息而判定所述列地址是否与所述不良列的地址一致，在一致的情况下基于所述识别信息而将所述不良列的一列转换为所述冗余列的一列，且不将所述不良列的另一列转换为所述冗余列的另一列而将所述不良列邻接的另一列转换为所述冗余列的另一列。
2.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述不良列的一列为奇数列，且所述不良列的另一列为偶数列。
3.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述不良列的一列为偶数列，且所述不良列的另一列为奇数列。
4.根据权利要求1所述的半导体存储装置，其特征在于，所述列选择控制电路在选择奇数页面时或选择偶数页面时，基于所述识别信息而判定偶数列或奇数列是否存在不良。
5.根据权利要求4所述的半导体存储装置，其特征在于，半导体存储装置还包含页面缓冲器，所述页面缓冲器保持从所述存储器阵列的所选择的页面读出的数据、或保持编程于所选择的页面的数据，所述列选择控制电路选择保持于所述页面缓冲器的奇数页面或偶数页面的数据。
6.一种半导体存储装置的不良列的救济方法，所述半导体存储装置包括存储器阵列与冗余信息存储部，所述存储器阵列具有包括多个存储器单元的存储器区域及包括多个存储器单元的冗余存储器区域，其特征在于，包括：
存储冗余信息于所述冗余信息存储部，所述冗余信息包含将存储器区域的偶数列与奇数列设为一组的不良列的地址、用来救济所述不良列的所述冗余存储器区域的冗余列的地址、及用来识别所述不良列的不良位于偶数列或奇数列的哪一列的识别信息；以及
选择所述存储器阵列的列，并基于所述冗余信息而判定所选择的列地址是否与所述不良列的地址一致；在一致的情况下基于所述识别信息而将所述不良列的一列转换为所述冗余列的一列，且不将所述不良列的另一列转换为所述冗余列的另一列而将所述不良列邻接的另一列转换为所述冗余列的另一列。
7.根据权利要求6所述的不良列的救济方法，其特征在于，所述选择步骤包含：在选择奇数页面时或选择偶数页面时，基于所述识别信息而判定偶数列或奇数列是否存在不良。
8.一种半导体存储装置的冗余信息的设定方法，所述半导体存储装置包括存储器阵列，所述存储器阵列包括具有多个存储器单元的存储器区域及具有多个存储器单元的冗余存储器区域，其特征在于，包括：
检测不良列的地址；
识别检测出的所述不良列的偶数列与奇数列的不良型态或组合，并产生识别信息；以及
将用来将检测出的所述不良列转换为所述冗余存储器区域的冗余列的地址信息及所述识别信息设定于所述半导体存储装置。
9.根据权利要求8所述的设定方法，其特征在于，所述不良的组合是识别跨及偶数列与奇数列的不良、或跨及奇数列与偶数列的不良。