技术总结
本发明涉及一种半导体存储装置、其不良列救济方法及冗余信息设定方法，其谋求利用冗余存储器的不良列救济效率的提高。本发明的救济方法包括下列步骤：存储冗余信息，所述冗余信息包含将存储器区域的偶数列与奇数列设为一组的不良列的地址、识别不良列的不良位于偶数列或奇数列的哪一列的识别信息、及用来救济不良列的冗余存储器区域的冗余列的地址；基于冗余信息而判定列地址是否与不良列的地址一致；在一致的情况下基于识别信息而将不良列的一列转换为冗余列的一列；以及不将不良列的另一列转换为冗余列的另一列，而将不良列邻接的另一列转换为冗余列的另一列。
技术研发人员：矢野胜
受保护的技术使用者：华邦电子股份有限公司
技术研发日：2016.07.06
技术公布日：2020.01.21