1.一种闪存的擦除方法，其特征在于，包括以下步骤：
设置擦除电压为第一预设擦除电压，并且采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作；
在每次完成所述擦除操作后，检验所述存储单元的擦除结果，如果所述擦除结果为擦除失败，则重复采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作；
如果擦除失败的次数达到第一预设次数，则调节所述擦除电压至第二预设擦除电压，所述第二预设擦除电压高于所述第一预设擦除电压，所述第一预设次数大于等于2；
采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除。
2.根据权利要求1所述的闪存的擦除方法，其特征在于，所述设置擦除电压为第一预设擦除电压，并且采用所述第一预设擦除电压对存储单元进行擦除操作包括：
采用所述存储单元的内置修调电路将所述擦除电压调节为所述第一预设擦除电压，并且向所述存储单元的控制栅极施加所述第一预设擦除电压以完成擦除操作。
3.根据权利要求1所述的闪存的擦除方法，其特征在于，所述检验所述存储单元的擦除状态包括：
向所述存储单元的漏极施加读取电压，并测量所述存储单元从源极至漏极的电流值；
如果所述电流值大于预设电流阈值，则所述存储单元的擦除状态为擦除成功；
如果所述电流值小于预设电流阈值，则所述存储单元的擦除状态为擦除失败。
4.根据权利要求1所述的闪存的擦除方法，其特征在于，调节所述擦除电压至第二预设擦除电压包括：
采用所述存储单元的内置修调电路将所述擦除电压调节至第二预设擦除电压。
5.根据权利要求1所述的闪存的擦除方法，其特征在于，采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除包括：
采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除时，擦除时长等于标准擦除时长，所述标准擦除时长为采用所述第一预设擦除电压进行擦除操作时的擦除时长。
6.根据权利要求1所述的闪存的擦除方法，其特征在于，采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除包括：
采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除时，擦除时长大于标准擦除时长，所述标准擦除时长为采用所述第一预设擦除电压进行擦除操作时的擦除时长。
7.根据权利要求5或6所述的闪存的擦除方法，其特征在于，还包括：
在每次高压擦除操作完成后，检验所述存储单元的高压擦除状态；
如果高压擦除失败的次数达到第二预设次数，则停止擦除。
8.根据权利要求5或6所述的闪存的擦除方法，其特征在于，后一次的高压擦除的擦除时长大于等于前一次高压擦除的擦除时长。