技术总结
一种闪存的擦除方法，包括以下步骤：设置擦除电压为第一预设擦除电压，并且采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作；在每次完成所述擦除操作后，检验所述存储单元的擦除结果，如果所述擦除结果为擦除失败，则重复采用所述第一预设擦除电压对所述闪存的存储单元进行擦除操作；如果擦除失败的次数达到第一预设次数，则调节所述擦除电压至第二预设擦除电压，所述第二预设擦除电压高于所述第一预设擦除电压，所述第一预设次数大于等于2；采用所述第二预设擦除电压对所述存储单元进行一次或多次高压擦除。本发明方案可以在获得相近的擦除操作成功率的基础上，减少擦除操作的耗时。
技术研发人员：任栋梁;钱亮
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档号码：201710007941
技术研发日：2017.01.05
技术公布日：2017.05.31