具有用于高速和低电压的双位存储的高密度ROM单元的制作方法

文档序号:11546329阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
本发明公开一种ROM存储器,所述ROM存储器包括:第一位单元,所述第一位单元包括存储两个位的晶体管以及读取存储在所述位单元中的数据的第一位线和第二位线;第二位单元,所述第二位单元包括连接到所述第一晶体管并且共享所述第一位线与所述第二位线的第二晶体管;以及邻近所述位线的虚拟接地线,所述虚拟接地线被配置成使所述位单元接地。

技术研发人员:拉雅·科利;帕特里克·范德施蒂格;杰瓦兰特·库马尔·米什拉;潘卡吉·阿加瓦尔
受保护的技术使用者:恩智浦有限公司
技术研发日:2017.01.19
技术公布日:2017.08.15
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