技术总结
本发明公开了一种存储单元，包括耦合装置、读取晶体管、第一读取选择晶体管、第二读取选择晶体管、抹除装置、写入晶体管、及写入选择晶体管。耦合装置形成于第一掺杂区。抹除装置形成于第二掺杂区。读取晶体管、第一读取选择晶体管、第二读取选择晶体管、写入晶体管、及写入选择晶体管形成于第三掺杂区。耦合装置的栅极端耦接于共浮动栅极。抹除装置的栅极端耦接于共浮动栅极。在写入操作期间内，电子会由写入晶体管注入至共浮动栅极。在抹除操作期间内，电子会由共浮动栅极注入至抹除装置。
技术研发人员：罗俊元;张纬宸;王世辰
受保护的技术使用者：力旺电子股份有限公司
技术研发日：2017.03.14
技术公布日：2018.06.12