技术特征：
技术总结
本发明涉及一种控制铁磁单层膜的多畴结构实现十态数据存储的方法，包括：(1)对多畴磁性薄膜施加足够大的负饱和磁场，使多畴磁性薄膜处于单畴状态；(2)对步骤(1)操作后的多畴磁性薄膜施加正向写入磁场，通过改变写入磁场的强度，将磁性薄膜写入到不同的多磁畴状态，每一个多磁畴状态作为一个独立的存储单元；本发明能够在一个物理存储单元直接存储0,1,2,3,4,5,6,7,8,9十个数值，以区别于目前在一个物理存储单元只能存储0和1两个数值的传统技术，在高密度、低功耗磁电子存储器件方面有广阔的应用前景，还有助于开发直接利用十进制运算的计算机。本发明具有普适性强、易操作、可室温工作的优点。
技术研发人员：颜世申;田玉峰;陈延学;柏利慧;康仕寿
受保护的技术使用者：山东大学
技术研发日：2018.09.12
技术公布日：2019.01.15