技术特征：
技术总结
本发明公开提出一种存储阵列结构及其操作方法，该结构包括存储阵列、第一高压译码、第二高压译码、第一低压译码以及第二低压译码，其还包括：第一隔离电路，用于在隔离栅TCG和第零隔离字线或第一隔离字线的控制下，将第一低压译码输出的低压位线TBLD连接至第一位线BLD或使高压位线与对应的低压位线隔离；第二隔离电路，用于在隔离栅TCG和第二隔离字线或第三隔离字线的控制下，将第二低压译码输出的低压位线TBLU连接至第二位线BLU或使高压位线与对应的低压位线隔离；隔离电路之控制译码，用于产生控制所述第一/第二隔离电路的第零隔离字线、第一隔离字线、第二隔离字线和第三隔离字线。
技术研发人员：胡剑
受保护的技术使用者：上海华虹宏力半导体制造有限公司
技术研发日：2018.10.15
技术公布日：2019.03.08