1.一种用于阻变存储器的双参考源的自调谐写驱动电路，其特征在于：包括双参考源自调谐模块、判决模块、写脉冲发生器、写驱动电压产生器和极性选择器，写脉冲发生器在初始状态下，产生逐渐升高的阶梯脉冲写电压信号，写驱动电压产生器输入阶梯脉冲写电压信号，增强写电压的驱动能力，同时输出两路信号，第一路信号输出到极性选择器，产生位线信号BL和源线信号SL；第二路信号输出到双参考源自调谐模块，分别与高阈值参考电压Ref_high和低阈值参考电压Ref_low进行比较，确定此时阻变存储器的阻值状态，并输出到判决模块中，判决模块依据此时阻变存储器的阻值状态，判断其是否已完成写入操作，从而继续增大或终止阶梯脉冲写电压信号。
2.根据权利要求1所述的用于阻变存储器的双参考源的自调谐写驱动电路，其特征在于：所述双参考源自调谐模块包括比较器comp1、比较器comp2、施密特触发器sch1、施密特触发器sch2、与非门NAND1、与非门NAND2和与非门NAND3，比较器comp1和比较器comp2将写驱动电压产生器的第二路信号分别与高阈值参考电压Ref_high和低阈值参考电压Ref_low进行比较，确定此时阻变存储器的阻值状态，施密特触发器sch1和sch2分别连接到比较器comp1和comp2的输出端，将比较结果进行锁存，施密特触发器sch1和sch2的输出信号与判决模块的输入信号DATA及其反向信号DATA_N分别输入到与非门NAND1和NAND2中进行运算，并最终输出到第三个与非门NAND3中，产生判决模块的反馈控制信号FB_N。
3.根据权利要求2所述的用于阻变存储器的双参考源的自调谐写驱动电路，其特征在于：所述判决模块包括反向器INV1、反向器INV2、NMOS晶体管NM1、NMOS晶体管NM2、同或门XNOR、PMOS晶体管PM1和与门AND1，输入信号DATA经过反向器INV1变成反向信号DATA_N，输入信号DATA与反馈控制信号FB_N输入到同或门XNOR中产生复位或置位信号set_rst；PMOS晶体管PM1为上拉晶体管，接在电源与同或门XNOR的输出端之间，PMOS晶体管PM1的栅极由使能控制信号WEN经过延迟单元后的延迟信号PU进行控制，NMOS晶体管NM1的栅极由复位或置位信号set_rst信号经过反向器INV2产生的信号进行控制，NMOS晶体管NM2的栅极由输入信号DATA信号进行控制，NMOS晶体管NM1与NM2串联，NMOS晶体管NM1的漏极连接至同或门XNOR的用于输入反馈控制信号FB_N的输入端，NMOS晶体管NM2的源极接地，与门AND1的输入分别为复位或者置位信号set_rst和使能控制信号WEN，当二者同时为“1”时，产生写脉冲发生器使能信号J-out，写脉冲发生器开始产生阶梯脉冲写电压信号。
4.根据权利要求3所述的用于阻变存储器的双参考源的自调谐写驱动电路，其特征在于：所述写脉冲发生器由33个串联的电阻和复用器组成，从电源到地电位上分为32个电压值，由信号IN[4:0]控制产生5bit阶梯脉冲电压。
5.根据权利要求3或4所述的用于阻变存储器的双参考源的自调谐写驱动电路，其特征在于：所述写驱动电压产生器包括跨导放大器OTA、NMOS管NM3、PMOS晶体管PM2、PMOS晶体管PM3和电阻R1，电阻R1的阻值为阻变存储器阻值，PMOS晶体管PM2和PMOS晶体管PM3组成一个电流镜，跨导放大器OTA的同相输入端输入阶梯脉冲写电压信号，跨导放大器OTA的反相输入端与NMOS管NM3的源极连接，跨导放大器OTA的的输出端接NMOS管NM3的栅极，NMOS管NM3的漏极接PMOS晶体管PM2的漏极，NMOS管NM3的源极输出第一路信号到极性选择器，电阻R1接在PMOS晶体管PM3的漏极与地之间，PMOS晶体管PM3的漏极与电阻R1之间的节点为第二路信号的输出端。
6.根据权利要求5所述的用于阻变存储器的双参考源的自调谐写驱动电路，其特征在于：所述极性选择器包括反向器INV3、反向器INV4、与门AND2、与非门NAND4、与非门NAND5、反向器INV5、传输门TG1-TG4以及延迟单元，输入信号DATA和使能控制信号WEN经过反向器INV3、反向器INV4、与门AND2、与非门NAND4、与非门NAND5、反向器INV5以及延迟单元运算后，产生传输门控制信号DSB_N、DSB、DS_N和DS以及延迟信号PU；传输门TG1-TG4在传输门控制信号DSB_N、DSB、DS_N和DS的控制下，将第一路信号和地电位交替输出为位线信号BL和源线信号SL。