用于嵌入式闪存装置的改进的通电次序的制作方法

技术特征：

技术总结
本发明公开了用于嵌入式闪存装置内的改进的通电次序的系统和方法。

技术研发人员：H.V.陈;T.武;A.李;H.Q.阮
受保护的技术使用者：硅存储技术公司
技术研发日：2015.05.03
技术公布日：2019.06.14