技术总结
本发明公开了一种NAND Flash存储器读阈值电压修复方法，步骤包括：选取NAND Flash存储器中的若干Block，并在选出的每一Block中选取若干Page；在选出的每一Page进行写操作；在SLC模式下，基于不同的测试阈值电压，对其中一Page进行若干次读操作，并计算每一测试阈值电压值对应的比特变化量；获取与每一读取电压Vread对应的比特变化量；获取与每一读取电压Vread对应的补偿读取电压，并进行补偿操作，判断此补偿读取电压是否有效；若有效，则循环上述操作若干次，获得剩余每一Page对应的若干补偿读取电压，并根据若干补偿读取电压，获取最佳读取电压；最佳读取电压对选出的测试样本均有效，从而更加匹配整个NAND Flash存储器，提高经过较多次写入和擦除操作后，NAND Flash存储器读操作的正确率。
技术研发人员：刘琦;韦亚一;董立松
受保护的技术使用者：中国科学院微电子研究所
技术研发日：2019.09.30
技术公布日：2020.01.17