1.一种存储器件，包括：
存储单元阵列，所述存储单元阵列布置在多个块中；以及
外围电路，所述外围电路耦合到所述存储单元阵列，并且被配置为响应于所述多个块中的块是开放块而使用补偿读取电压对所述块中的所述存储单元阵列中的存储单元执行读取操作，所述补偿读取电压相对于所述块的默认读取电压具有偏移量。
2.根据权利要求1所述的存储器件，其中，
所述多个块中的每个块包括多个页；并且
所述外围电路还被配置为：如果所述块中的所述多个页中的至少一个页未被编程，则确定所述块为开放块。
3.根据权利要求2所述的存储器件，其中，
所述多个块中的每个块包括多个页；并且
所述存储器件还包括存储控制器，所述存储控制器耦合到所述外围电路并且被配置为：如果所述块中的所述多个页中的至少一个页未被编程，则确定所述块为开放块。
4.根据权利要求2所述的存储器件，其中，所述外围电路包括：
寄存器，所述寄存器被配置为存储所述多个块中的一个或多个块的开放块信息；以及
控制逻辑单元，所述控制逻辑单元耦合到所述寄存器并且被配置为基于存储在所述寄存器中的所述开放块信息确定所述块为开放块。
5.根据权利要求4所述的存储器件，其中，为了执行所述读取操作：
所述控制逻辑单元还被配置为基于所述开放块信息确定所述补偿读取电压；并且
所述外围电路还包括字线驱动器，所述字线驱动器耦合到所述控制逻辑单元并且被配置为将所述补偿读取电压施加至与所述存储单元耦合的字线。
6.根据权利要求4或5所述的存储器件，其中，
所述开放块信息包括自动动态起始电压(adsv)列表；并且
所述控制逻辑单元被配置为：如果所述块在所述adsv列表上，则确定所述块是开放块。
7.根据权利要求5所述的存储器件，其中，
所述开放块信息指示所述块中的所述多个页中的最后的编程页；并且
为了确定所述补偿读取电压，所述控制逻辑单元被配置为基于所述最后的编程页确定所述补偿读取电压相对于所述块的所述默认读取电压的所述偏移量。
8.根据权利要求7所述的存储器件，其中，为了确定所述偏移量，所述控制逻辑单元被配置为基于所述最后的编程页和所述块中的页的总数计算所述偏移量。
9.根据权利要求8所述的存储器件，其中，所述控制逻辑单元还被配置为：
基于所述最后的编程页计算所述块中的编程页的总数；
计算编程页的总数与所述块中的页的总数之间的比值；并且
基于所述比值和最大偏移量计算所述偏移量。
10.根据权利要求7所述的存储器件，其中，
将所述块中的所述多个页分成多个区段，所述多个区段分别与多个预设偏移量相关联，并且
为了确定所述偏移量，所述控制逻辑单元被配置为基于在所述块中所述最后的编程页所位于的、所述多个区段中的一个区段从所述多个预设偏移量选择所述偏移量。
11.根据权利要求10所述的存储器件，其中，所述多个区段通过所述存储器件的制作后修整与所述多个预设偏移量关联。
12.根据权利要求1-11中的任一项所述的存储器件，其中，所述外围电路还被配置为响应于所述块是满块而使用所述块的所述默认读取电压对所述存储单元执行读取操作。
13.根据权利要求1-12中的任一项所述的存储器件，其中，所述存储单元阵列包括nand闪速存储单元。
14.根据权利要求4-11中的任一项所述的存储器件，其中，所述控制逻辑单元被配置为基于所述开放块信息和附加偏移量因素来确定所述偏移量。
15.根据权利要求14所述的存储器件，其中，所述附加偏移量因素包括温度、字线物理位置或系统调整中的至少一个。
16.一种nand闪速存储器，包括：
存储单元阵列，所述存储单元阵列布置在多个块中；
寄存器，所述寄存器被配置为存储所述多个块中的一个或多个块的开放块信息；
控制逻辑单元，所述控制逻辑单元耦合到所述寄存器，并且被配置为基于所述开放块信息确定相对于所述一个或多个块中的块的默认读取电压的偏移量；以及
字线驱动器，所述字线驱动器耦合到所述控制逻辑单元，并且被配置为在对所述块中的所述存储单元阵列中的存储单元的读取操作中将具有所述偏移量的补偿读取电压施加至与所述块中的所述存储单元阵列中的所述存储单元耦合的字线。
17.根据权利要求16所述的nand闪速存储器，其中，所述控制逻辑单元还被配置为基于存储在所述寄存器中的所述开放块信息确定所述块为开放块。
18.根据权利要求17所述的nand闪速存储器，其中，所述nand闪速存储器还包括存储控制器，所述存储控制器耦合到所述控制逻辑单元并且被配置为基于存储在所述寄存器中的所述开放块信息确定所述块为开放块。
19.根据权利要求18所述的nand闪速存储器，其中，
所述多个块中的每个块包括多个页；并且
所述控制逻辑单元或者所述存储控制器还被配置为：如果所述块中的所述多个页中的至少一个页未被编程，则确定所述块为开放块。
20.根据权利要求19所述的nand闪速存储器，其中，
所述开放块信息包括自动动态起始电压(adsv)列表；并且
所述控制逻辑单元或者所述存储控制器被配置为：如果所述块在所述adsv列表上，则确定所述块为开放块。
21.根据权利要求19或20所述的nand闪速存储器，其中，
所述开放块信息指示所述块中的所述多个页中的最后的编程页；并且
所述控制逻辑单元被配置为基于所述最后的编程页确定所述偏移量。
22.根据权利要求21所述的nand闪速存储器，其中，为了确定所述偏移量，所述控制逻辑单元被配置为基于所述最后的编程页和所述块中的页的总数计算所述偏移量。
23.根据权利要求22所述的nand闪速存储器，其中，为了计算所述偏移量，所述控制逻辑单元被配置为：
基于所述最后的编程页计算所述块中的编程页的总数；
计算编程页的总数与所述块中的页的总数之间的比值；并且
基于所述比值和最大偏移量计算所述偏移量。
24.根据权利要求21所述的nand闪速存储器，其中，
将所述块中的所述多个页分成多个区段，所述多个区段分别与多个预设偏移量相关联，并且
为了确定所述偏移量，所述控制逻辑单元被配置为基于在所述块中所述最后的编程页所位于的、所述多个区段中的一个区段从所述多个预设偏移量选择所述偏移量。
25.根据权利要求24所述的nand闪速存储器，其中，所述多个区段通过所述nand闪速存储器的制作后修整与所述多个预设偏移量关联。
26.根据权利要求16-25中的任一项所述的nand闪速存储器，其中，所述控制逻辑单元被配置为基于所述开放块信息和附加偏移量因素来确定所述偏移量。
27.根据权利要求26所述的nand闪速存储器，其中，所述附加偏移量因素包括温度、字线物理位置或系统调整中的至少一个。
28.一种系统，包括：
nand闪速存储器，所述nand闪速存储器包括：
存储单元阵列，所述存储单元阵列布置在多个块中；
寄存器，所述寄存器被配置为存储所述多个块中的一个或多个块的开放块信息；
控制逻辑单元，所述控制逻辑单元耦合到所述寄存器，并且被配置为基于所述开放块信息确定相对于所述一个或多个块中的块的默认读取电压的偏移量；以及
字线驱动器，所述字线驱动器耦合到所述控制逻辑单元，并且被配置为在对所述块中的所述存储单元阵列中的存储单元的读取操作中将具有所述偏移量的补偿读取电压施加至与所述块中的所述存储单元阵列中的所述存储单元耦合的字线；以及
主机，所述主机耦合到所述nand闪速存储器并且被配置为初始化所述开放块信息。
29.根据权利要求28所述的系统，其中，
所述主机还被配置为向所述控制逻辑单元发送指示附加偏移量因素的命令；并且
所述控制逻辑单元被配置为基于所述开放块信息和所述附加偏移量因素确定所述偏移量。
30.根据权利要求29所述的系统，其中，所述附加偏移量因素包括温度、字线物理位置或系统调整中的至少一个。
31.根据权利要求28-30中的任一项所述的系统，其中，为了初始化所述开放块信息，所述主机被配置为响应于系统重启而扫描所述存储单元阵列或者恢复所述开放块信息的备份副本。
32.根据权利要求28-31中的任一项所述的系统，其中，所述控制逻辑单元还被配置为在对所述存储单元阵列的编程操作中更新所述开放块信息。
33.根据权利要求28-32中的任一项所述的系统，其中，
所述开放块信息包括自动动态起始电压(adsv)列表；并且
所述控制逻辑单元被配置为：如果所述块在所述adsv列表上，则确定所述块是开放块。
34.根据权利要求28-33中的任一项所述的系统，其中，
所述多个块中的每个块包括多个页；
所述开放块信息指示所述块中的所述多个页中的最后的编程页；并且
所述控制逻辑单元被配置为基于所述最后的编程页确定所述偏移量。
35.根据权利要求34所述的系统，其中，为了确定所述偏移量，所述控制逻辑单元被配置为基于所述最后的编程页和所述块中的页的总数计算所述偏移量。
36.根据权利要求35所述的系统，其中，为了计算所述偏移量，所述控制逻辑单元被配置为：
基于所述最后的编程页计算所述块中的编程页的总数；
计算编程页的总数与所述块中的页的总数之间的比值；并且
基于所述比值和最大偏移量计算所述偏移量。
37.根据权利要求34所述的系统，其中，
将所述块中的所述多个页分成多个区段，所述多个区段分别与多个预设偏移量相关联，并且
为了确定所述偏移量，所述控制逻辑单元被配置为基于在所述块中所述最后的编程页所位于的、所述多个区段中的一个区段从所述多个预设偏移量选择所述偏移量。
38.根据权利要求37所述的系统，其中，所述多个区段通过所述nand闪速存储器的制作后修整与所述多个预设偏移量关联。
39.根据权利要求28-38中的任一项所述的系统，其中，所述控制逻辑单元还被配置为基于初始阈值电压移位来调整所述块的所述默认读取电压。
40.一种用于操作包括布置在多个块中的存储单元阵列的存储器件的方法，所述方法包括：
确定所述多个块中的块是开放块；以及
使用补偿读取电压对所述块中的所述存储单元阵列中的存储单元执行读取操作，所述补偿读取电压相对于所述块的默认读取电压具有偏移量。
41.根据权利要求40所述的方法，其中，
所述多个块中的每个块包括多个页；并且
如果所述块中的所述多个页中的至少一个页未被编程，则所述块为开放块。
42.根据权利要求40或41所述的方法，还包括：
存储所述多个块中的一个或多个块的开放块信息；以及
基于所述开放块信息确定所述块为开放块。
43.根据权利要求42所述的方法，其中，执行所述读取操作包括：
基于所述开放块信息确定所述补偿读取电压；以及
将所述补偿读取电压施加至与所述存储单元耦合的字线。
44.根据权利要求42或43所述的方法，其中，
所述开放块信息包括自动动态起始电压(adsv)列表；并且
如果所述块在所述adsv列表上，则所述块是开放块。
45.根据权利要求43所述的方法，其中，
所述开放块信息指示所述块中的所述多个页中的最后的编程页；并且
确定所述补偿读取电压包括：基于所述最后的编程页确定所述补偿读取电压相对于所述块的所述默认读取电压的所述偏移量。
46.根据权利要求45所述的方法，其中，确定所述偏移量包括：基于所述最后的编程页和所述块中的页的总数计算所述偏移量。
47.根据权利要求46所述的方法，其中，计算所述偏移量包括：
基于所述最后的编程页计算所述块中的编程页的总数；
计算编程页的总数与所述块中的页的总数之间的比值；以及
基于所述比值和最大偏移量计算所述偏移量。
48.根据权利要求47所述的方法，其中，
将所述块中的所述多个页分成多个区段，所述多个区段分别与多个预设偏移量相关联，并且
确定所述偏移量包括：基于在所述块中所述最后的编程页所位于的、所述多个区段中的一个区段从所述多个预设偏移量选择所述偏移量。
49.根据权利要求48所述的方法，其中，所述多个区段通过所述存储器件的制作后修整与所述多个预设偏移量关联。
50.根据权利要求42-49中的任一项所述的方法，还包括初始化所述开放块信息。
51.根据权利要求50所述的方法，其中，初始化所述开放块信息包括：响应于系统重启而扫描所述存储单元阵列或者恢复所述开放块信息的备份副本。
52.根据权利要求42-51中的任一项所述的方法，还包括在对所述存储单元阵列的编程操作中更新所述开放块信息。
53.根据权利要求40-42中的任一项所述的方法，还包括：
确定所述块为满块；以及
基于所述块的所述默认读取电压对所述存储单元执行读取操作。
54.根据权利要求40-53中的任一项所述的方法，其中，所述存储单元阵列包括nand闪速存储单元。