间电气性地分离的状态。
[0068]各电阻Rl?R4能够构成为具有互不相同的电阻值。各电阻Rl?R4的电导率值(=电阻值的倒数)能够设定为满足下面的数学式I。
[0069]I/(Rl):1/(R2):1/(R3):1/(R4)
[0070]= σ:2 σ:4 σ:8 σ..?数学式 I
[0071]通过设定为满足数学式1，能够与多个位bl?b4相应地使偏置电路24a的合成电导率值以电导率值σ为单位改变，使偏置电流按与电导率值σ相对应的单位改变。例如在图5所示的期间ΤΡ12以及图6所示的期间ΤΡ22中，控制器32 (CPU26)访问偏置寄存器24b而改写该控制值，由此能够将磁头22的偏置电流按与电导率值σ相对应的单位分阶段地从值Il (ΙΓ )变为值12(12’)。
[0072]在这里，如图9的9Α所示，考虑控制器32与对加热器204进行通电相应地按2值急剧改变磁头22的偏置电流的情况。图9是表示急剧改变偏置电流情况下的控制的图。在该情况下，磁头22 (再现头202)的输出电平如图9的9D所示那样按2值急剧改变。因此，由AGC电路25a产生的AGC后的信号可能会如图9的9E所示那样变化、AGC控制变得不稳定。AGC后的信号的振幅可能会在从振幅AMl增加到振幅AM2后再减小到振幅AM3。或者，如图9的9F所示，AGC控制可能跟不上，AGC控制想要赶上却导致AGC控制变得不稳定。AGC后的信号的振幅可能在从振幅AMl增加到振幅AM4后再减小到振幅AM5。若AGC控制变得不稳定，则也有可能对查找控制造成影响。
[0073]与此相对，在本实施方式中，如图8所示，控制器32(CPU26)访问偏置寄存器24b而改写该控制值，由此能够按与电导率值σ相对应的单位分阶段地将磁头22的偏置电流从值Il变为值12。
[0074]例如，在图8所示的伺服定时SVtl与伺服定时SVt2之间的比定时t31靠前的期间内，偏置寄存器24b的控制值设定为OAh。此时，如果如图7所示的(bl，b2，b3，b4) = (O,1,0,1)，则在偏置电路24a中，在输入端子24al与输出端子24a2之间有选择地插入有电阻R2、R4，合成电导率变为10 σ。与此相应，偏置电路24a向磁头22供给值Il的偏置电流。
[0075]在图8所示的定时t31，控制器32将偏置寄存器24b的控制值改写为09h。此时，如果变为图7所示的(bl，b2，b3，b4) = (1，0，0，1)，则在偏置电路24&中，在输入端子24&1与输出端子24a2之间有选择地插入有电阻Rl、R4，合成电导率变为9 σ。与此相应，偏置电路24a向磁头22供给值13 ( < II)的偏置电流。
[0076]在图8所示的伺服定时SVt2与伺服定时SVt3之间的定时t32，控制器32将偏置寄存器24b的控制值改写为08h。此时，如果变成图7所示的(bl, b2, b3, b4) = (0,0,0,I)，则在偏置电路24a中，在输入端子24al与输出端子24a2之间有选择地插入有电阻R4，合成电导率变为8 σ。与此相应，偏置电路24a向磁头22供给值14 ( < 13)的偏置电流。
[0077]在图8所示的伺服定时SVt3与伺服定时SVt4之间的定时t33，控制器32将偏置寄存器24b的控制值改写为07h。此时，如果变成图7所示的(bl，b2，b3，b4) = (1,1,1,0)，则在偏置电路24a中，在输入端子24al与输出端子24a2之间有选择地插入有电阻R1、R2、R3，合成电导率变为7 σ。与此相应，偏置电路24a向磁头22供给值12 ( < 14)的偏置电流。
[0078]这样，在查找中在伺服区域SV间进行偏置设定并使偏置电流分阶段地改变，所以能够使磁头22的输出(伺服输出)分阶段地改变。由此，如图8的8A中单点划线所示，能够使偏置电流从值Il到值12近似地线性变化。其结果，如图8的8D所示，能够容易地使由AGC电路25a所进行的AGC控制追随磁头22的输出，能够稳定地将AGC后的信号的振幅维持为振幅AMl，所以能够使AGC控制稳定化，能够使查找控制稳定化。
[0079]另外，在图8中，对使偏置电流按3级(4值地)变化的情况例示地进行表示，但也可以进一步增加使偏置电流变化的级数。如果进一步增加使偏置电流变化的级数，则能够使偏置电流的变化更接近于线性变化。
[0080]如上所述，在第I实施方式中，在磁盘装置1，控制部33与加热器204的通电的设定相应地改变磁头22的偏置电流。具体地说，与对加热器204进行通电相应地，控制部33将磁头22的偏置电流从值Il变为值12 ( < II)。由此，能够将磁头22 (再现头202)的输出电平收敛于AGC电路25a的输入动态范围DR内，所以能够容易地由AGC电路25a进行AGC控制。其结果，能够改善数据信号以及伺服信号的出错率，所以能够提高向磁盘11的记录的面密度。
[0081]另外，在第I实施方式中，在磁盘装置I中，与对加热器204进行通电相应地，控制部33将磁头22的偏置电流从值Il分阶段地变为值12 ( < II)。由此，能够使偏置电流从值Il到值12近似线形地变化，所以能够容易地使由AGC电路25a所进行的AGC控制追随磁头22的输出，能够将AGC后的信号的振幅稳定地维持为振幅AMl。其结果，能够使AGC电路25a中的AGC控制稳定化，能够使由CPU26所进行的查找控制稳定化。
[0082]另外，在第I实施方式中，在磁盘装置I的控制部33中，与停止对加热器204通电的状态相对应地，控制器32将偏置寄存器24b的控制值设定为第I控制值(控制值OAh)。与对加热器204进行通电的状态相对应地，控制器32将偏置寄存器24b的控制值设定为与比第I控制值小的偏置电流值相对应的第2控制值(控制值07h)。由此，能够将磁头22的偏置电流从值Il改变为值12( < II)。
[0083]另外，在第I实施方式中，在磁盘装置I的控制部33中，与对加热器204进行通电相应地，控制器32将偏置寄存器24b的控制值从第I控制值分阶段地改变并设定为第2控制值。例如，控制器32设定为，在从对加热器204进行通电开始到磁头22的磁间距SP稳定所经过的多个伺服定时SVtl?SVt4期间的定时、将偏置寄存器24b的控制值从第I控制值分阶段地变为第2控制值。由此，能够将磁头22的偏置电流分阶段地从值Il变为值12( < II)。
[0084]另外，在图2?图4中例示地示出加热器204设置于磁头22的滑块205的情况，但只要构成为能够使滑块205热变形而减小记录头201距磁盘11的磁间距SP，则加热器204也可以设置于滑块205的外部。
[0085]或者，在图8中例示性地示出将磁头22的偏置电流从值Il分阶段地变为值12( < II)时按大致恒定的变化幅度改变的情况，但也可以以慢慢变小的变化幅度将偏置电流从值Il分阶段地变为值12( < II)。利用图10对此进行说明。
[0086]例如，在图10所示的伺服定时SVtll与伺服定时SVtl2之间的比定时t41靠前的期间内，偏置寄存器24b的控制值设定为15h。此时，如果是图7所示的(bl，b2，b3，b4)=(1,1，1，I)，则在偏置电路24a中，在输入端子24al与输出端子24a2之间插入有电阻R1、R2、R3、R4，合成电导率变为15 σ。与此相应，偏置电路24a向磁头22供给值Il的偏置电流。
[0087]在图10所示的定时t41，控制器32将偏置寄存器24b的控制值改写为10h。此时，如果变为图7所示的(bl, b2, b3, b4) = (0，I，0，I)，则在偏置电路24a中，在输入端子24al与输出端子24a2之间有选择地插入有电阻R2、R4，合成电导率变为10 σ。与此相应，偏置电路24a向磁头22供给值15( < II)的偏置电流。
[0088]在图10所示的伺服定时SVtl2与伺服定时SVtl3之间的定时t42，控制器32将偏置寄存器24b的控制值改写为08h。此时，如果变为图7所示的(bl，b2，b3，b4) = (0，
0,0,1)，则在偏置电路24a中，在输入端子24al与输出端子24a2之间有选择地插入有电阻R4，合成电导率变为8σ。与此相应，偏置电路24a向磁头22供给值16 (< 15)的偏置电流。此时,下面的数学式2成立。
[0089]116 — 15 I < 115 — Il 卜..数学式 2
[0090]在图10所