专利名称：前置预放大器电路的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种放大器电路，尤其是一种前置预放大器电路。(二)
背景技术：
目前，在高速信号传送系统中，前置预放大器电路的负载类型通常有两种: (l)如图1所示电路，直接使用电阻作为电路的负载，这种电路的动作速度快， 增益倍数高，但随着半导体工艺和温度的变化，电阻值的变化非常大，即很难保证电阻的绝对精度，因此，如图2所示，电路特性的变动范围也非常大，直 接影响到电路的合格率；(2)如图3所示电路，使用晶体管PMOS的二极管结构 作为电路的负载，尽管这种电路的增益比较高，但是在高频条件下能正常工作 的电压输入范围比较窄，如图4所示，所以在对共模输入电压范围广的信号放 大电路中，这种结构就很难满足实际要求。(三)
发明内容
本发明的目的在于提供一种使用晶体管丽os的二极管结构作为负载的前置预放大器电路，这种电路的负载特性受半导体工艺和温度变化的影响很小， 工作的输入共模电压范围宽，信号传送速度快，增益倍数也相对稳定。本发明的技术方案 一种前置预放大器电路，包括晶体管^!0S3、晶体管 丽0S4和晶体管丽0S5，其特征在于前置预放大器电路的负载为晶体管醒0S1 和晶体管丽0S2;其中，晶体管丽0S3和晶体管丽0S5作为放大器电路的差分 输入端子；所说的晶体管丽0S5的栅极连接偏置电压，通过偏置电压产生电路 动作的直流电流，晶体管丽OS5的源极则接地；所说的晶体管丽0S1的栅极和 漏极及晶体管丽0S2的栅极和漏极分别与电源相连；所说的晶体管隨0S1的漏 极和晶体管丽0S3的源极分别与放大器电路的反相输出端子相连；所说的晶体 管NM0S2的漏极和晶体管NM0S4的源极与放大器电路的正相输出端子相连；所 说的晶体管丽0S3的栅极与放大器电路的正相输入端子相连；所说的晶体管 NM0S4的栅极与放大器电路的反相输入端子相连；所说的晶体管丽0S3的源极 与晶体管丽0S4的源极及晶体管NM0S5的漏极相连；所说的晶体管丽0S1的衬 底、晶体管丽0S2的衬底、晶体管NM0S3的衬底、晶体管丽0S4的衬底及晶体 管NM0S5的衬底分别与地相连。一种前置预放大器电路的应用，其特征在于它适用于复杂电路的每个部位 的信号传送和放大。上述所说的一种前置预放大器电路的应用适用于复杂电路的每个部位的信 号传送和放大包括适用于高速信号传送、稳定增益倍数、输入共模电压范围广 的信号传送系统。本发明的工作原理当输入信号满足电路的要求，从差分输入端的正相和 反相输入端子输入后，信号将被放大一定的倍数，并从正相和反相输出端子高 速传送到后续电路，从而起到对输入信号进行放大和传送的功能。本发明的优越性在于1、这种电路的负载特性受半导体工艺和温度变化的 影响很小，可以工作的输入共模电压范围宽，信号传送速度快，增益倍数也相 对稳定；2、电路结构简单，易于实现，可靠性高；3、适用于复杂电路的每个 部位的信号传送和放大。(四)
图1为现有技术中使用电阻作为电路负载的前置预放大器电路的电路图。图2为图1中电路受工艺和温度变化时的幅频特性变化图。 图3为现有技术中使用晶体管PM0S的二极管结构作为电路负载的前置预放 大器电路的电路图。图4为图3中电路受输入共模电压变化时的幅频特性变化图。 图5为本发明所涉一种前置预放大器电路的电路图。图6为本发明所涉一种前置预放大器电路受工艺和温度变化时的幅频特性 变化图。图7为本发明所涉一种前置预放大器电路受输入共模电压变化时的幅频特 性变化图。(五)
具体实施例方式实施例 一种前置预放大器电路(见图5)，包括晶体管醒0S3、晶体管丽0S4 和晶体管應0S5，其特征在于前置预放大器电路的负载为晶体管NM0S1和晶体 管丽0S2;其中，晶体管NMOS3和晶体管NMOS5作为放大器电路的差分输入端 子；所说的晶体管NM0S5的栅极连接偏置电压，通过偏置电压产生电路动作的 直流电流，晶体管丽0S5的源极则接地；所说的晶体管丽0S1的栅极和漏极及 晶体管丽0S2的栅极和漏极分别与电源相连；所说的晶体管丽0S1的漏极和晶 体管丽0S3的源极分别与放大器电路的反相输出端子相连;所说的晶体管丽0S2的漏极和晶体管丽0S4的源极与放大器电路的正相输出端子相连；所说的晶体管丽0S3的栅极与放大器电路的正相输入端子相连；所说的晶体管丽0S4的栅 极与放大器电路的反相输入端子相连；所说的晶体管画0S3的源极与晶体管 丽0S4的源极及晶体管丽0S5的漏极相连；所说的晶体管丽0S1的衬底、晶体 管丽0S2的衬底、晶体管丽0S3的衬底、晶体管丽0S4的衬底及晶体管丽0S5 的衬底分别与地相连。一种前置预放大器电路的应用，其特征在于它适用于复杂电路的每个部位 的信号传送和放大。上述所说的一种前置预放大器电路的应用适用于复杂电路的每个部位的信 号传送和放大包括适用于高速信号传送、稳定增益倍数、输入共模电压范围广 的信号传送系统。本发明与现有技术对比图6显示半导体工艺和温度的变化对本发明前置预放大器电路的幅频特性 的影响，与图2的特性曲线相比，可见本发明电路的特性要比对通常使用电阻作为负载的前置预放大器电路的影响小得多。图7显示输入共模电压变化对本发明前置预放大器电路的幅频特性的影 响，与图4的特性曲线相比，可见本发明电路的输入共模电压范围要比通常使 用晶体管PMOS的二极管结构作为负载的前置预放大器电路的输入共模电压范 围广。
权利要求
1、一种前置预放大器电路，包括晶体管NMOS3、晶体管NMOS4和晶体管NMOS5，其特征在于前置预放大器电路的负载为晶体管NMOS1和晶体管NMOS2；其中，晶体管NMOS3和晶体管NMOS5作为放大器电路的差分输入端子；所说的晶体管NMOS5的栅极连接偏置电压，通过偏置电压产生电路动作的直流电流，晶体管NMOS5的源极则接地；所说的晶体管NMOS1的栅极和漏极及晶体管NMOS2的栅极和漏极分别与电源相连；所说的晶体管NMOS1的漏极和晶体管NMOS3的源极分别与放大器电路的反相输出端子相连；所说的晶体管NMOS2的漏极和晶体管NMOS4的源极与放大器电路的正相输出端子相连；所说的晶体管NMOS3的栅极与放大器电路的正相输入端子相连；所说的晶体管NMOS4的栅极与放大器电路的反相输入端子相连；所说的晶体管NMOS3的源极与晶体管NMOS4的源极及晶体管NMOS5的漏极相连；所说的晶体管NMOS1的衬底、晶体管NMOS2的衬底、晶体管NMOS3的衬底、晶体管NMOS4的衬底及晶体管NMOS5的衬底分别与地相连。
2、 一种前置预放大器电路的应用，其特征在于它适用于复杂电路的每个部 位的信号传送和放大。
3、 根据权利要求2所说的一种前置预放大器电路的应用，其特征在于所说 的一种前置预放大器电路的应用适用于复杂电路的每个部位的信号传送和放大 包括适用于高速信号传送、稳定增益倍数、输入共模电压范围广的信号传送系 统。
全文摘要
一种前置预放大器电路，包括晶体管NMOS3、晶体管NMOS4和晶体管NMOS5，其特征在于前置预放大器电路的负载为晶体管NMOS1和晶体管NMOS2；本发明的优越性在于1.这种电路的负载特性受半导体工艺和温度变化的影响很小，可以工作的输入共模电压范围宽，信号传送速度快，增益倍数也相对稳定；2.电路结构简单，易于实现，可靠性高；3.适用于复杂电路的每个部位的信号传送和放大。
文档编号H03F3/45GK101667813SQ200810154719
公开日2010年3月10日 申请日期2008年12月30日 优先权日2008年12月30日
发明者吕英杰, 孙俊岳, 张小兴, 戴宇杰 申请人:天津南大强芯半导体芯片设计有限公司