的存储器单元的阈值电压分布918。图9B示出了包括处于第一状态中的存储器单元C(1 h j 1}952，C(1 h D954和C{1 !, j+1)956的第二字线1-1950。在该第一状态中，字线i_l的存储器单元具有阈值电压分布 958。
[0084]图10A和10B描述了根据本公开的实施例的存储器单元的阈值电压分布的实例。尤其是，图10A和10B描述了对应于写入在图9B中示出的字线1-1950的阈值电压分布的实例。这可以对应于在图5的方框512中写入数据。图10A示出了包括存储器单元Cd,, 1}1012,C(1, D1014和C(1, j+1)1016的第一字线i 1010。图10A进一步示出了在第一字线ilOlO中的存储器单元的阈值电压分布1018。由于字线i 1010处于相同的第一状态中，该电压分布可以对应于在图9A中示出的电压分布918。
[0085]图10B示出了将数据写入第二字线1-11050的实例。图10B示出了包括存储器单元 C(1 !, j 1}1052, C{1 ^1054 和 C(1 h j+1)1056 的第二字线 1-11050。图 10B 的字线 1-11050可以对应于在图9B中示出的字线1-1950。如在图10B中示出的，由于电荷注入存储器单元C(1 j 1}1052, C{1 1> 01054和C(1 h j+1)1056内，字线i_l从第一阈值电压分布1058移动到第二阈值电压分布1060。图10B示出了刚好在写入数据之后并且在发生快速解陷俘之前的电压分布1060。
[0086]图11A和11B描述了根据本公开的实施例的存储器单元的阈值电压分布的实例。尤其是，图11A和11B描述了刚好在写入图10B中示出的字线1-11050之后的阈值电压分布的实例。这可以对应于图5的方框512中的写入数据。图11A示出了包括存储器单元C(1,i 1}1112，C(1, D1114和C(1, j+1)1116的第一字线i 1110。图11A进一步示出了存储器单元在第一字线i 1110中的阈值电压分布1118。该电压分布可以对应于图9A中不出的电压分布918以及图10A中示出的电压分布1018。
[0087]图11B示出了在第二字线1-11150上发生快速解陷俘的实例。图10B示出了包括存储器单元 C(1 j 1}1152、C{1 ^1154 和 C(1 !, j+1)1156 的第二字线 1-11150。图 10B 的字线1-11150可以对应于图9B中示出的字线1-1950和图10B中示出的字线1-11050。如在图11B中示出的，存储器单元在字线1-11150上的电压分布1160由于快速解陷俘而移动。快速解陷俘由从存储器单元隧穿出来的电子引起，从而使存储器单元的电压分布变化。
[0088]图12A和12B描述了根据本公开的实施例的存储器单元的阈值电压分布的实例。尤其是，图12A和12B描述了阈值电压分布的实例，同时读取字线1-11250。字线i_11250可以对应于图11B中示出的字线1-11150。字线1-11250的读取也可以对应于图5的方框514中的读取数据以及方框516的分析数据。图12A示出了包括存储器单元
j}1214和C(1, j+1)1216的第一字线i 1210。图12A进一步示出了在第一字线i 1210中的存储器单元的阈值电压分布1218。该电压分布可以对应于图11A中示出的电压分布1118。
[0089]图12B示出了读取先前写入字线1-11250上的存储器单元C(1 s 1}1252、C(l h]}1254和C(1 1> ]+1)1256的数据的实例，以确定是否已发生快速解陷俘。在一些情况下，可以利用阈值电压1214读取来自字线1-11250的数据。该读取的数据可以随后与存储的数据副本进行比较，以识别任何错误。在该情况下，由于在该单元处的电压分布已经降到低于阈值电压1214，可以确定单元C(1 1^1254遭受快速解陷俘。例如，控制器320可以存储数据的副本并且将其与读取的数据进行比较。在另一种情况下，可以利用读取阈值电压(未示出)和对应于检验电压的另一个阈值电压1214读取来自字线1-11250的数据。基于利用不同的阈值电压的两个读取的比较，可以确定单元C(1 ^)1254遭受解陷俘，这是由于其电压分布低于阈值电压1214但高于读取的阈值电压(未示出)。
[0090]图13A和13B描述了根据本公开的实施例的存储器单元的阈值电压分布的实例。尤其是，图13A和13B描述了阈值电压分布的实例，同时写入字线i 1310。尤其是，图13A和13B示出了编码并且写入数据的实例，这对应于图5的方框518和520。图13A示出了包括存储器单元1312、C(1, D 1314和C(1, j+1) 1316的字线i 1310。字线i 1310对应于图12A 的字线 i 1210。图 13B 示出了包括单元 C(1 h」1}1352,C{l ^)1354 和 C(1 ^+1)1356 的字线1-11350。字线1-11350对应于图12B的字线1-11250。
[0091]在该情况下，单元C(1 ^)1354遭受快速解陷俘。因此，数据可以被编码(例如，映射)到字线i 1310的存储器单元C(1, D 1314，该存储器单元相邻于字线1-11350中的单元C(1 ^)1354,以引起刻意的ICI。图13B示出了写入字线i 1310并且尤其是存储器单元C(1,
1314，从而使阈值电压分布可以从第一状态1318移动到第二状态1320。结果，由于刻意的ICI，电荷可以被注入单元C(1㈧中，从而使电压分布可以从降低的分布移动到更加准确地对应于预期的编程状态的分布1362。
[0092]图14描述了根据本公开的实施例的存储器单元的输入/输出概念的实例。传统地，二进制的存储器单元如果其单元值被卡(stuck)在预期值(0或1)而与沟道输入无关，则可以被视为有缺陷的。这被显示在图14的1410中，示出了输入0和1并且输出1。基于该概念，根据本公开的编码方案，相邻于遭受解陷俘的单元C(1 h 的单元C(1, D可以视为被卡住。例如，如果编码方案需要超过阈值的电压对应于“0”，则C(1, ]}可以视为被卡在“0”。因此，当编码新数据到存储器时，C(1,D可以被编码为“0”，从而当数据被写入时，电压被注入单元中，并且ICI增加遭受解陷俘的单元(1 ^力的阈值电压。
[0093]图15描述了根据本公开的实施例的单元间干扰的另一实例。在该实例中，图15示出了包括存储器单元1}1512，C(1+1, D1514 和 C(1+1, j+1)1516 的字线 i+11510。图 15 进一步示出了包括存储器单元Ch 4552^^1550^(^^156的字线i 1550。在该情况下，字线i 1550上包括的单元C(1, 01554已经通过读出字线而被识别为遭受快速解陷俘，如上所述。基于对遭受解陷俘的单元C(1, D 1554的识别，数据可以被编码并且被写入C(1+1, D 1514，从而使单元C(1, D的阈值电压可以由于刻意的ICI而增加。
[0094]图16描述了根据本公开的实施例的存储器单元。尤其是，图16示出了多级单元(MLC)存储器的多个字线。多级单元存储器能够每单元存储多个比特(例如，两个)。MLC存储器可以通过全位线(ALB)架构中的下页和上页而被写入，从而使一个字线中的所有位线立刻被编程。这种方案被显示在图16中，该图示出了以如下顺序写入存储器的实例:1)处于字线0的下页中的第0页；2)处于字线1的下页中的第1页；3)处于字线0的上页中的第2页；4)处于字线2的下页中的第3页；5)处于字线1的上页中的第4页等。根据本公开的实施例，当相邻字线中的页被写入时，在该方案中可以实现刻意的ICI。
[0095]图17描述了根据本公开的实施例的存储器单元的阈值电压分布的实例。尤其是，图17示出了根据上述方案的基于到MLC存储器的数据的存储器单元的阈值电压分布。如在图17中示出的，具有下页(低页)和上页(高页)的字线可以最初处于第一状态1710中，其电压分布1712为被擦除的状态。字线可以移动到第二状态1720，其中下页被编程并且提供对应于逻辑值10的电压分布1722。写入下页之后，字线可以移动到第三状态1730，其中上页(高页)被编程并且提供对应于高页中的逻辑值1001和低页中的1100的电压分布 1732。
[0096]图18描述了根据本公开的实施例的存储器单元的阈值电压分布的实例。尤其是，图18示出了用于执行刻意的ICI，以更正字线的下页(i)上的解陷俘单元的时机。图18示出了多个字线:WL01810, WL11820，WL21830和WL31840。每个字线具有下页(低页)和上页(高页)。在该情况下，数据已经被写入