存储器件的制作方法

存储器件的制作方法
【专利摘要】一种存储器件，包括：第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K(K为自然数)冗余字线；第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N(N是比K大的自然数)冗余字线；以及控制单元，适用于执行控制使得第一冗余字线到第N冗余字线取代第一单元块或第二单元块中的字线，适用于在第一时段中同时刷新第一单元块和第二单元块中的字线，以及适用于在第二时段中顺序地刷新第一冗余字线到第N冗余字线。
【专利说明】存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求于2015年3月6日提交的申请号为10-2015-0031658的韩国专利申请的优先权，其全部公开内容通过引用整体合并于此。
技术领域
[0003]本发明的示例性实施例涉及存储器件。
【背景技术】
[0004]存储单元是用于储存信息的最基本的单位，且可以每个存储单元储存一个或更多个位的数据。存储器件的集成已经增加到数千万存储单元被包括在单个存储器件中的地步。但即使一个存储单元具有缺陷，存储器件也可能不按要求操作。然而，抛弃这样的存储器件将有损产品成品率。
[0005]提出了若干方法来处理存储器件中的缺陷存储单元。例如，存储器件可以包括除存储单元之外的额外单元(被称作冗余单元)。可以使用冗余单元取代缺陷存储单元来修复存储器件。对每行/每列执行这样的使用冗余单元的修复操作。即，对于每个单元块以行和列来布置存储单元和冗余单元。当在单元块中出现缺陷存储单元时，用冗余单元行/冗余单元列来取代包括缺陷存储单元的存储单元行/存储单元列。
[0006]图1是图示用于存储器件的行修复操作的示图。
[0007]参见图1，存储器件可以包括多个单元块110到140，每个单元块包括多个字线WLO到WL511和冗余字线RWLO到RWL7，以及与多个单元块110到140相对应的地址储存单元150到180。地址储存单元150到180可以包括与单元块110到140中的冗余字线相对应的熔丝组FSO到FS7。
[0008]地址储存单元150到180可以储存单元块110到140中要被冗余字线取代的字线的地址。例如，如果要用单元块110中的冗余字线RWLO来取代单元块110中的字线WLO，则可以将单元块110中的字线WLO的地址储存在地址储存单元150的熔丝组FSO中。当激活操作被执行时，存储器件可以使用已经被储存在地址储存单元150的熔丝组FSO中的单元块110中的字线WLO的地址来激活单元块110中的冗余字线RWLO而非单元块110中的字线 WLO0
[0009]在图1的存储器件中，每个单元块中的冗余字线仅可以取代包括该冗余字线的对应的单元块中的字线而导致低效率。例如，当在单元块110中存在9个缺陷字线时，9个缺陷字线都不能被取代，因为在单元块110中使用了 8个冗余字线RWLO到RWL7。相应地，即便在剩余的单元块120到140中不存在缺陷字线且单元块120到140中的剩余的24个冗余字线未被使用，存储器件仍被当作缺陷产品。

【发明内容】

[0010]各种实施例针对能够使用一个单元块中的冗余字线来修复另一个单元块中的字线的存储器件。
[0011]而且，各种实施例针对存储器件，其中，通过仅当刷新了所有字线之后才刷新冗余字线来用一个单元块中的冗余字线取代另一个单元块中的字线，而防止了同时刷新每个单元块中的两个字线(尽管同时刷新多个单元块中的字线)。
[0012]在一个实施例中，存储器件可以包括:第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K (K为自然数)冗余字线；第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N (N是比K大的自然数)冗余字线；以及控制单元，适用于控制第一冗余字线到第N冗余字线来取代第一单元块或第二单元块中的字线，适用于在第一时段中同时刷新第一单元块和第二单元块中的字线，以及适用于在第二时段中顺序地刷新第一冗余字线到第N冗余字线。
[0013]在一个实施例中，存储器件可以包括:第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K冗余字线，K为自然数；第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N冗余字线，N为比K大的自然数；第一地址储存单元到第N地址储存单元，对应于第一冗余字线到第N冗余字线，且适用于储存第一单元块或第二单元块中的字线的地址；地址计数单元，适用于储存通过在刷新操作被执行时计数而产生的计数地址；以及字线控制单元，适用于在第一时段中刷新属于第一单元块和第二单元块且对应于计数地址的字线，以及适用于在第二时段中刷新属于第一冗余字线到第N冗余字线且对应于计数地址的冗余字线，其中，当在第一时段中计数地址与储存在地址储存单元中的地址中的一个或更多个地址相同时，字线控制单元跳过刷新与计数地址相对应的字线。
[0014]在一个实施例中，存储器件可以包括:多个单元块，包括多个字线；多个冗余字线，适用于取代单元块中对应的字线；以及控制单元，适用于在第一时段中同时刷新单元块中除了被冗余字线取代的字线之外的字线，以及在第二时段中顺序地刷新冗余字线。
【附图说明】
[0015]图1是图示用于存储器件的行修复操作的示图。
[0016]图2是图示对包括多个单元块的存储器件的刷新操作的示图。
[0017]图3是图示根据本发明的一个实施例的存储器件的配置图。
[0018]图4A和图4B是图示对图3中的存储器件的操作的示图。
[0019]图5是图示图3中的控制单元340的配置图。
[0020]图6是图示图5中的字线控制单元540的配置图。
[0021]图7是图示根据本发明的一个实施例的存储器件的配置图。
[0022]图8A和图8B是图示对图7中的存储器件的操作的示图。
[0023]图9是图示图7中的控制单元740的配置图。
[0024]图10是图示图9中的字线控制单元940的配置图。
【具体实施方式】
[0025]下面将参照附图来更详细地描述各种实施例。然而，本发明可以以不同的形式来实现而不应当被解释为局限于本文中陈述的实施例。相反地，这些实施例被提供使得本公开将彻底且完整，且这些实施例将把本发明的范围充分地传达给本领域技术人员。贯穿本公开中，相同的附图标记指代贯穿本发明的各种附图和实施例中的相似部分。
[0026]图2是图示对包括多个单元块的存储器件的刷新操作的示图。
[0027]参见图2，存储器件可以包括多个单元块210到240以及地址计数单元250。多个单元块210到240可以包括字线WLO到WL511以及冗余字线RWLO到RWL15。在图2的存储器件中，包括在单元块210到240的每个单元块中的冗余字线RWLO到RWL15也可以修复包括在另一个单元块中的字线。
[0028]当执行刷新操作时，图2中的存储器件可以同时刷新多个单元块210到240。更具体地，每当刷新脉冲REFP被激活时，存储器件可以刷新各个单元块210到240中的字线。存储器件可以使用由地址计数单元250产生的计数地址CA来选择各个单元块210到240中要被刷新的字线。每当刷新脉冲REFP被施加时，地址计数单元250可以改变计数地址CA的值。
[0029]当执行刷新操作时，图2中的存储器件可以使用计数地址CA来顺序地选择单元块210到240中的每个单元块中的字线WLO到字线WL511。如果被选字线已经被冗余字线取代，则存储器件可以刷新冗余字线而非被选字线。
[0030]在这个示例中，单元块210中的字线WLO已经被单元块230中的冗余字线RWLO取代。当刷新脉冲REFP被激活时，各个单元块210到240中的与计数地址CA相对应的字线被刷新。例如，如果计数地址CA对应于字线WL0，则各个单元块220到240中的字线WLO被刷新(REFRESH)。由于单元块210中的字线WLO已经被单元块230中的冗余字线RWLO取代，故单元块230中的冗余字线RWLO而非单元块210中的字线WLO被刷新(REFRESH_RWL)。当同时刷新单个单元块230中的两个字线WLO和RWLO时，连接到被刷新字线的存储单元中的数据冲突。
[0031]相应地，为了使用一个单元块中的冗余字线来修复另一个单元块中的字线，在执行刷新操作时要防止这样的数据冲突。
[0032]在图3到图6的示例中，存储器件包括两个单元块，而单元块中的每个包括512个字线和8个冗余字线。可以根据存储器件的电路设计而改变包括在存储器件中的单元块的数目以及包括在每个单元块中的字线和冗余字线的数目。
[0033]图3是图示根据本发明的一个实施例的存储器件的配置图。
[0034]参见图3，存储器件可以包括命令输入单元310、地址输入单元320、命令解码器330、控制单元340、第一单元块350和第二单元块360。
[0035]命令输入单元310可以从存储器控制器接收命令CMDs，而地址输入单元320可以从存储器控制器接收地址ADDs。命令CMD和地址ADD中的每个可以包括具有多个位的信号。
[0036]命令解码器330可以通过将从命令输入单元310接收的命令CMD解码来产生激活命令ACT、预充电命令PRE、刷新命令REF、自刷新开始命令SREF_EN和自刷新结束命令SREF_EX0命令解码器330可以将激活命令ACT、预充电命令PRE、刷新命令REF、自刷新开始命令SREF_EN和自刷新结束命令SREF_EX中的与接收到的命令CMDs的组合相对应者激活。
[0037]第一单元块350可以包括多个字线WLO到WL511以及第一冗余字线RWLO到第八冗余字线RWL7。第二单元块360可以包括多个字线WLO到WL511以及第九冗余字线RWL8到第十六冗余字线RWL15。字线WLO到字线WL511以及RWLO到RWL15中的每个可以连接到存储单元MC。
[0038]控制单元340可以响应于命令ACT、PRE、REF、SREF_EN和SREF_EX来控制单元块350和360中的字线WLO到WL511。控制单元340可以在激活命令ACT被激活时响应于输入地址ADD〈0:9>来激活被选字线，以及在预充电命令PRE被激活时对被激活字线预充电。当刷新命令REF被激活时，控制单元340可以刷新字线(S卩，将字线激活特定时间)。再者，控制单元340可以在从自刷新开始命令SREF_EN被激活的时间点到自刷新结束命令SREF_EX被激活的时间点的时段期间周期性地刷新字线。
[0039]当激活命令ACT被激活时，控制单元340可以激活与输入地址ADD〈0: 9>相对应的字线。输入地址ADD〈0: 9>中的每个可以包括用于选择第一单元块350和第二单元块360中的一个单元块的块地址ADD〈9>和用于选择被选单元块中的字线WLO到WL511中的一个字线的行地址ADD〈0: 8>。当与输入地址ADD〈0: 9>相对应的字线已经被冗余字线取代时，控制单元340可以激活该冗余字线。
[0040]在第一时段中，控制单元340可以同时刷新第一单元块350和第二单元块360以及顺序地刷新第一单元块350和第二单元块360中的多个字线WLO到WL511。第一时段可以为其中字线WLO到WL511被刷新的时段。
[0041]在第一时段中，控制单元340可以忽略对已经用冗余字线来替代的被选字线的刷新。即，控制单元340可以跳过对被冗余字线替代的被选字线的刷新操作。
[0042]在第二时段中，控制单元340可以顺序地刷新第一冗余字线RWLO到第十六冗余字线RWL15。第二时段中的冗余字线RWLO到冗余字线RWL15可以被刷新。第一时段和第二时段可以交替重复。例如，当在第一时段中顺序地刷新了第一单元块350和第二单元块360中的所有字线WLO到WL511时，存储器件可以终止第一时段并进入第二时段。当在第二时段中顺序地刷新了所有冗余字线RWLO到RWL15时，可以重新开始第一时段。在第二时段中，控制单元340忽略对第一冗余字线RWLO到第十六冗余字线RWL15之中已经出故障的冗余字线的刷新。
[0043]图4A和图4B是图示对图3中的存储器件的操作的示图。图4A是图示对存储器件的激活操作的示图，而图4B是图示对存储器件的刷新操作的示图。参见图4A和图4B，图示了第一单元块350和第二单元块360以及字线WLO到WL511和冗余字线RWLO到RWL15。
[0044]图4A中的左侧图401图示了存储器件中与输入地址ADD〈0:9>相对应的还未修复的字线(例如，第一单元块350中的字线55)。图4A中的右侧图402图示为已经修复了(例如，第一单元块350中的字线55已经被冗余字线RWL13取代)存储器件中与输入地址ADD〈0:9>相对应的字线。
[0045]参见示图401，当激活命令ACT被施加且第一单元块350中的字线55通过地址ADD<0:9>而被选择时，可以激活第一单元块350中的字线55。其后，当预充电命令PRE被激活时，可以将第一单元块350中的字线55预充电。
[0046]参见示图402，当激活命令ACT被施加且第一单元块350中的字线55通过地址ADD<0:9>而被选择时，激活冗余字线RWL13而非第一单元块350中的字线55。当预充电命令PRE被激活时，将冗余字线RWL13预充电。
[0047]图4B中的左侧图403图示了第一时段中的刷新操作，而图4B中的右侧图404图示了第二时段中的刷新操作。同样，如图4A中的图402所示，存储器件中的第一单元块350中的字线55已经被冗余字线RWL13取代。
[0048]参见示图403，在第一时段中，同时刷新第一单元块350和第二单元块360，而一个一个地刷新第一单元块350和第二单元块360中的字线WLO到WL511。在示图403中，箭头Rl和箭头R2表示刷新方向。
[0049]当在第一单元块350和第二单元块360中已经顺序地刷新了字线WLO到字线WL54而即将刷新字线WL55时，正确地刷新第二单元块360中的字线WL55。与此相反，忽略第一单元块350中的字线WL55和冗余字线RWL13。尽管未刷新第一单元块350中的字线WL55但不影响对存储器件的操作，因为第一单元块350中的字线WL55作为缺陷字线未被使用。由于未刷新冗余字线RWL13，故防止了第二单元块360同时刷新两个字线(S卩，字线WL55和冗余字线RWL13)。其后，当第一单元块350和第二单元块360中的字线WL511被刷新时，第一时段终止而第二时段开始。
[0050]参见示图404，在第二时段中，顺序地刷新冗余字线RWLO到RWL15。在示图404中，箭头R表示刷新方向。在第二时段中，不需担心可能同时刷新单个单元块中的两个字线，因为仅刷新冗余字线。然而，在第二时段中，忽略对冗余字线RWLO到RWL15中的缺陷冗余字线的刷新。其后，当冗余字线RWL15被刷新时，第二时段终止而第一时段开始。
[0051]在图3的存储器件中，将刷新时段划分为两个时段，而字线和冗余字线在不同时段中被刷新。在用于刷新字线的时段中跳过被修复字线而不刷新。而在用于刷新冗余字线的时段中刷新取代被修复字线的冗余字线。相应地，防止了同时刷新单个单元块中的两个字线。一个单元块中的字线可以利用任意其他单元块中的冗余字线来修复，由此增加冗余字线的利用率。可以快速完成刷新操作，因为所有单元块同时被刷新。
[0052]图5是图示图3中的控制单元340的配置图。
[0053]参见图5，控制单元340可以包括地址计数单元510、第一地址储存单元520_0到第十六地址储存单元520_15、刷新控制单元530和字线控制单元540。
[0054]当刷新操作被执行时，地址计数单元510可以通过计数来产生计数地址CA〈0:9>。地址计数单元510可以通过每当刷新脉冲REFP被激活时通过计数来将计数地址CA〈0:9>的值增加I。即，当第K字线已经被选择时，改变计数地址CA〈0:9>使得接下来选择第K+1字线。
[0055]地址计数单元510可以在对作为与第一单元块350和第二单元块360中的字线WLO到WL511相对应的值(例如，O到511)的计数地址CA〈0:9>的值计数时去激活时段信号SEC以及可以在对作为与第一单元块350和第二单元块360中的冗余字线RWLO到RWL15相对应的值(例如，512到527)的计数地址CA〈0:9>的值计数时激活时段信号SEC。时段信号SEC代表第一时段和第二时段中的任意一个，且其可以在第一时段中被去激活而在第二时段中被激活。
[0056]当计数地址CA〈0:9>的值达到527时，地址计数单元510可以激活重置信号RESET并重新从O开始对计数地址CA〈0:9>计数。地址计数单元510可以仅输出计数地址CA<0:8>o
[0057]地址储存单元520_0到520_15可以对应于各个冗余字线RWLO到RWL15。地址储存单元520_0到520_15可以储存要被修复的字线的地址(在下文中称作修复地址)。地址储存单元520_0到520_15可以包括多个用于储存多位信息的位的熔丝5200到5215。地址储存单元520_0到520_15可以将使能信号ENO到EN15和储存在多个熔丝5200到5215中的修复地址F0〈0: 9>到F15〈0: 9>输出。
[0058]熔丝5200_9到5215_9可以储存用来选择单元块的块地址RK9>到F15〈9>。熔丝5200_0?5200_8到5215_0?5215_8可以储存用来指定被选单元块中的字线的地址F0<0:8>到F15〈0:8>。在初始状态中使能信号ENO到EN15被去激活。在制造存储器件时，激活储存了修复地址的地址储存单元的使能信号。与此相反，尽管修复地址被储存，但与缺陷冗余字线相对应的地址储存单元的使能信号被去激活。
[0059]例如，在初始状态中，使能信号ENO已经被去激活为“O”。如果在制造存储器件的过程中修复地址被储存在地址储存单元520_0中，则使能信号ENO被激活为“ I ”。如果在冗余字线RWLO中已经出现缺陷，则使能信号ENO被去激活为“O”。如果第二单元块360中的字线WLO的地址将被储存在地址储存单元520_0中，则用来指定第二单元块360的块地址(例如，“I”)可以被储存在熔丝5200_9中，而与字线WLO的位置相对应的地址(例如，“000000000”)可以被储存在熔丝5200_0到5200_8中。
[0060]刷新控制单元530可以控制对存储器件的刷新操作。可以将刷新操作划分为自动刷新操作和自刷新操作。通过施加到包括存储器件的系统的命令来执行自动刷新操作。当包括存储器件的系统在指定时间内未操作时由存储器件来自主地执行自刷新操作。刷新命令REF是控制自动刷新操作的命令，而自刷新开始命令SREF_EN和自刷新结束命令SREF_EX是控制自刷新操作的命令。
[0061 ] 刷新控制单元530可以响应于刷新命令REF来激活刷新脉冲REFP和刷新信号REFS,或者在由自刷新开始命令SREF_EN和自刷新结束命令SREF_EX限定的时段中周期性地激活刷新脉冲REFP和刷新信号REFS。从自刷新开始命令SREF_EN被施加时的时间到自刷新结束命令SREF_EX被施加时的时间周期性地激活刷新脉冲REFP和刷新信号REFS。在其中刷新操作被执行的时段中可以激活刷新信号REFS。
[0062]当激活命令ACT被激活时，字线控制单元540可以激活与地址ADD〈0: 9>相对应的字线。如果地址与修复地址HKO:9>到F15〈0:9>中的一个相同，则字线控制单元540可以激活与修复地址ΗΚ0:9>到F15〈0:9>中的所述一个相对应的冗余字线而非与地址ADD<0:9>相对应的字线。当预充电命令PRE被激活时，字线控制单元540可以将被激活字线预充电。
[0063]当在第一时段(S卩，在中时段信号SEC被去激活的时段)中刷新信号REFS被激活时，字线控制单元540可以同时刷新第一单元块350和第二单元块360中的与计数地址CA〈0: 8>相对应的字线。如果计数地址CA〈0: 8>与修复地址RKO: 8>到F15〈0: 8>中的一个或更多个修复地址相同，则可以忽略对与修复地址HKO: 9>到F15〈0: 9>中的所述一个或更多个修复地址相对应的字线或冗余字线的刷新。
[0064]作为参考，在第一时段中仅需要计数地址CA〈0: 9>中的计数地址CA〈0: 8>来选择字线。这样做的原因是单元块中的字线的数目为512。再者，在第二时段中仅需要计数地址CA〈0:9>中的计数地址CA〈0:3>来选择冗余字线。这样做的原因是冗余字线的数目为16。如果在第一时段中计数地址与修复地址相同，则其意味着计数地址CA〈0:8>与修复地址RK0:8>到F15〈0:8>中的一个修复地址相同。
[0065]假设为修复地址RK0:9>的值与第二单元块360中的字线WL511相对应(例如，F0〈9> =“1” 而 F0〈0:8> =“111111111”)。如果计数地址 CA<0:8> 为“ 11111111 ”，则在第一单元块350和第二单元块360中需要刷新字线WL511。然而，由于计数地址CA〈0:8>与修复地址HKO: 8>相同，故忽略对第二单元块360中与修复地址RKO: 9>相对应的字线WL511的刷新，而仅刷新第一单元块350中的字线WL511。再者，也忽略对与修复地址RKO:9>相对应的冗余字线RWLO的刷新。
[0066]当在第二时段(S卩，其中时段信号SEC已经被激活的时段)中刷新信号REFS被激活时，字线控制单元540可以刷新与计数地址CA〈0:3>相对应的冗余字线。S卩，字线控制单元540可以顺序地刷新冗余字线RWLO到RWL15。在第二时段中字线控制单元540不能同时刷新第一单元块350和第二单元块360。在这种情形下，可以忽略对冗余字线RWLO到冗余字线RWL15之中的与被去激活的使能信号相对应的冗余字线的刷新。
[0067]图6是图示图5中的字线控制单元540的配置图。
[0068]参见图6，字线控制单元540可以包括第一比较单元610_0到第十六比较单元610_15、第一控制信号发生单元620_0到第十六控制信号发生单元620_15、第一字线驱动单元630、第二字线驱动单元640、地址选择单元601以及第一信号组合单元602和第二信号组合单元603。
[0069]地址选择单元601可以接收地址ADD〈0: 9>和计数地址CA〈0: 8>，可以选择一个地址，以及可以输出被选地址(即，比较单元610_1到610_15的输入地址SA〈0:9>)。当刷新信号REFS被去激活时，地址选择单元601可以将地址ADD〈0>到ADD〈9>作为各个输入地址SA〈0>到SA〈9>来传送。当刷新信号REFS被激活时，地址选择单元601可以将计数地址CA〈0>到CA〈8>作为各个输入地址SA〈0>到SA〈8>来传送。
[0070]比较单元610_0到610_15对应于各个地址储存单元520_0到520_15。当使能信号ENO到EN15被激活时，比较单元610_0到610_15可以将输入地址SA〈0: 9>与地址储存单元520_0到520_15中的修复地址F0〈0:9>到F15〈0:9>相比较。比较单元610_0到610_15可以分别产生第一比较信号CP1〈0:15>和第二比较信号CP2〈0:15>。第一比较信号CP1〈0>到CP1〈15>可以代表输入地址SA〈0:8>与修复地址RKO:8>到F15〈0:8>之间的比较结果。第二比较信号CP2〈0>到CP2〈15>可以代表输入地址SA〈9>与各个修复地址RK9>到F15〈9>之间的比较结果。如果输入地址SA〈0:8>与修复地址FX〈0:8>相同，则可以激活第一比较信号CP1〈X> (X为整数，O彡X彡15)。如果输入地址SA〈9>与修复地址FX〈9>相同，则可以激活第二比较信号CP2〈X>。
[0071]控制信号发生单元620_0到620_15可以基于各个比较单元610_0到610_15的比较结果CP1〈0:15>和CP2〈0:15>来产生用于控制对应的冗余字线的各个控制信号HIT<0:15>以及各个忽略信号BS1<0:15>和BS2〈0:15>。第一忽略信号BS1<0>到BS1〈15>可以对应于第一单元块350，而第二忽略信号BS2〈0>到BS2〈15>可以对应于第二单元块360。
[0072]当刷新信号REFS被去激活时(即对公共字线的激活预充电操作)，控制信号发生单元620_0到620_15可以在各个比较信号CP1〈0:15>和CP2〈0:15>都被激活时激活各个控制信号ΗΙΤ〈0:15>，否则，可以去激活控制信号ΗΙΤ〈0:15>。
[0073]例如，当刷新信号REFS被去激活时，如果比较信号CP1〈0>和CP2〈0>都被激活，则控制信号发生单元620_0可以激活控制信号ΗΙΤ〈0>，否则，控制信号发生单元620_0可以去激活控制信号ΗΙΤ〈0>。
[0074]当刷新信号REFS被激活且时段信号SEC被去激活时(即，第一时段中的刷新操作)，控制信号发生单元620_0到620_15可以去激活各个控制信号ΗΙΤ〈0:15>。再者，控制信号发生单元620_0到620_15在各个比较信号CP1〈0:15>被去激活时去激活各个忽略信号BS1〈0:15>和BS2〈0:15>，以及可以在各个比较信号CP1〈0:15>被激活时将与由修复地址F0〈9>到F15〈9>的值指定的单元块相对应的忽略信号激活。
[0075]例如，假设为修复地址HKO: 9>具有与第一单元块350中的字线WLO相对应的值(即，F0〈9> =“0”而^)〈0:8> =“000000000”)。如果计数地址 CA〈0:8> 为“000000000”，则激活比较信号CP1〈0>，且控制信号发生单元620_0可以激活与修复地址F0〈9>的值相对应的忽略信号BSI〈0>使得对第一单元块350的刷新被忽略。
[0076]当刷新信号REFS和时段信号SEC都被激活时(即，在第二时段中的刷新操作)，控制信号发生单元620_0到620_15可以将计数地址CA〈0: 3>解码并激活与计数地址CA〈0: 3>的值相对应的控制信号HIT〈0:15>。例如，在第二时段中，如果计数地址CA〈0:3>的值为“0000”，则控制信号发生单元620_0激活控制信号ΗΙΤ〈0>。在这种情形下，如果使能信号ENO已经被去激活，则尽管计数地址CA〈0: 3>的值为“0000”，控制信号发生单元620_0也不激活控制信号ΗΙΤ〈0>。
[0077]第一信号组合单元602可以在控制信号HIT〈0:15>中的一个或更多个控制信号被使能时将信号NXE去激活，以及可以在控制信号ΗΙΤ〈0:15>都被去激活时将信号NXE激活。
[0078]第二信号组合单元603可以在忽略信号BS1〈0>到BS1〈15>中的一个或更多个忽略信号被激活时激活第一忽略组合信号BS1，以及可以在忽略信号BS1〈0>到BS1〈15>都被去激活时去激活第一忽略组合信号BSl。再者，第二信号组合单元603可以在忽略信号BS2<0>到BS2〈15>中的一个或更多个忽略信号被激活时激活第二忽略组合信号BS2，以及可以在忽略信号BS2〈0>到BS2〈15>都被去激活时去激活第二忽略组合信号BS2。
[0079]第一字线驱动单元630可以对应于第一单元块350并控制第一单元块350中的字线WLO到WL511以及冗余字线RWLO到RWL7。如果激活命令ACT已经被激活，则第一字线驱动单元630可以在信号NXE被激活时激活与地址ADD〈0:9>相对应的字线，以及可以在信号NXE被去激活时激活与控制信号ΗΙΤ〈0>到HIT〈7>之中的已经被激活的控制信号相对应的冗余字线。当预充电命令PRE被激活时，第一字线驱动单元630可以将被激活字线预充电。如果刷新信号REFS已经被激活，则第一字线驱动单元630可以在信号NXE被激活时刷新与计数地址CA〈0:8>相对应的字线以及可以在信号NXE被去激活时刷新与控制信号ΗΙΤ〈0>到HIT〈7>之中的已经被激活的控制信号相对应的冗余字线。在这种情形下，尽管信号NXE已经被激活，但在第一忽略组合信号BSl被激活时第一字线驱动单元630不能执行刷新操作。
[0080]第二字线驱动单元640可以对应于第二单元块360并控制第二单元块360中的字线WLO到WL511以及冗余字线RWL8到RWL15。如果激活命令ACT已经被激活，则第二字线驱动单元640可以在信号NXE被激活时激活与地址ADD〈0:9>相对应的字线，以及可以在信号NXE被去激活时激活与控制信号HIT〈8>到HIT〈15>之中的已经被激活的控制信号相对应的冗余字线。当预充电命令PRE被激活时，第二字线驱动单元640可以将被激活字线预充电。如果刷新信号REFS已经被激活，则第二字线驱动单元640可以在信号NXE被激活时刷新与计数地址CA〈0:8>相对应的字线以及可以在信号NXE被去激活时刷新与控制信号HIT<8>到HIT〈15>之中的已经被激活的控制信号相对应的冗余字线。在这种情形下，尽管信号NXE已经被激活，但在第二忽略组合信号BS2被激活时第二字线驱动单元640不能执行刷新操作。
[0081]在下面的对图7到图10的描述中，存储器件包括四个单元块且单元块中的每个包括256个字线和4个冗余字线作为示例来被描述。可以根据存储器件的电路设计来改变包括在存储器件中的单元块的数目以及包括在每个单元块中的字线和冗余字线的数目。
[0082]图7是图示根据本发明的一个实施例的存储器件的配置图。
[0083]参见图7，存储器件可以包括命令输入单元710、地址输入单元720、命令解码器730、控制单元740以及第一单元块750_0到第四单元块750_3。
[0084]第一单元块750_0到第四单元块750_3中的每个可以包括多个字线WLO到WL255。第一单元块750_0可以包括冗余字线RWLO到RWL3，而第二单元块750_1可以包括冗余字线RWL4到RWL7，而第三单元块750_2可以包括冗余字线RWL8到RWLl I，以及第四单元块750_3可以包括冗余字线RWL12到RWL15。字线WLO到WL255以及冗余字线RWLO到RWL15可以连接到存储单元MC。
[0085]控制单元740可以响应于命令ACT、PRE、REF、SREF_EN和SREF_EX来控制单元块750_0到750_3中的字线WLO到WL255。控制单元740可以在激活命令ACT被激活时响应于输入地址ADD〈0: 9>来激活被选字线，以及在预充电命令PRE被激活时将被激活字线预充电。当刷新命令REF被激活时，控制单元740可以刷新被选字线(即，将被选字线激活特定时间)。再者，在从自刷新开始命令SREF_EN被激活时到自刷新结束命令SREF_EX被激活时的时段中控制单元740可以周期性地刷新被选字线。
[0086]在激活命令ACT被激活时，控制单元740可以激活与输入地址ADD〈0: 9>相对应的字线。输入地址ADD〈0:9>可以包括用于选择第一单元块750_0到第四单元块750_3中的一个的块地址ADD〈8:9>以及用于选择被选单元块中的字线WLO到WL255中的一个的行地址ADD〈0:7>。当与输入地址ADD〈0:9>相对应的字线已经被冗余字线取代时，控制单元740可以激活该冗余字线。
[0087]在第一时段中控制单元740可以同时刷新第一单元块750_0到第四单元块750_3。控制单元740可以顺序地刷新第一单元块750_0到第四单元块750_3中的多个字线WLO到WL255。在第一时段中，控制单元740可以忽略对已经用冗余字线替代的被选字线的刷新。即，控制单元740跳过对被冗余字线替代的被选字线的刷新操作。
[0088]在第二时段中控制单元740可以顺序地刷新冗余字线RWLO到RWL15。可以忽略对冗余字线RWLO到RWL15中的缺陷冗余字线的刷新。第二时段可以为其中冗余字线被刷新的时段。可以交替重复第一时段和第二时段。
[0089]图8A和图8B是图示对图7中的存储器件的操作的示图。图8A是图示对存储器件的激活操作的示图，而图SB是图示对存储器件的刷新操作的示图。参见图8A和图SB，为了描述用于激活或刷新存储器件中的字线的操作，已经图示了第一单元块750_0到第四单元块750_3和字线WLO到WL255以及冗余字线RWLO到RWL15。
[0090]图8A中的左侧图801图示为存储器件中的与输入地址ADD〈0:9>相对应的字线(例如，第一单元块750_0中的字线WL55)还未修复。图8A中的右侧图802图示为存储器件中的与输入地址ADD〈0:9>相对应的字线(例如，第一单元块750_0中的字线WL55)已经修复(例如，由冗余字线RWL13来取代)。
[0091]参见示图801，当激活命令ACT被施加且第一单元块750_0中的字线WL55通过地址ADD〈0:9>而被选择时，激活第一单元块750_0中的字线WL55。其后，当预充电命令PRE被激活时，将第一单元块750_0中的字线WL55预充电。
[0092]参见示图802，当激活命令ACT被施加且第一单元块750_0中的字线WL55通过地址ADD〈0:9>而被选择时，激活冗余字线RWL13而非第一单元块750_0中的字线WL55。当预充电命令PRE被激活时，将冗余字线RWL13预充电。
[0093]图8B左侧的示图803图示了在第一时段中的刷新操作，而图8B右侧的示图804图示了在第二时段中的刷新操作。同样地，如图8A的示图802中所示，假设为在存储器件中第一单元块750_0中的字线WL55已经被冗余字线RWL13取代。
[0094]参见示图803，在第一时段中，同时刷新第一单元块750_0到第四单元块750_3。在示图803中，箭头Rl到箭头R4表示刷新方向。
[0095]当在第一单元块750_0到第四单元块750_3中已经顺序地刷新了字线WLO到WL54而即将刷新字线WL55时，正确地刷新第二单元块750_1到第四单元块750_3中的字线WL55。相反地，不刷新第一单元块750_0中的字线WL55，且不刷新已经取代字线WL55的冗余字线RWL13。其后，当第一单元块750_0到第四单元块750_3中的字线WL255被刷新时，第一时段终止而第二时段开始。参见示图804，在第二时段中，顺序地刷新冗余字线RWLO到RWL15。在示图804中，箭头R表示刷新方向。在这种情形下，可以忽略对缺陷冗余字线的刷新。当冗余字线RWL15被刷新时，第二时段终止而第一时段开始。
[0096]在图7的存储器件中，将刷新时段划分为两个刷新时段，且字线和冗余字线在不同时段中被刷新。在用于刷新字线的时段中跳过被修复字线而不刷新。而在用于刷新冗余字线的时段中刷新取代被修复字线的冗余字线。相应地，防止了同时刷新一个单元块中的两个字线。可以使用任意其他单元块中的冗余字线来修复一个单元块中的字线，由此增加冗余字线的利用率。可以快速地完成刷新操作，因为所有的单元块同时被刷新。
[0097]图9是图示图7中的控制单元740的配置图。
[0098]参见图9，控制单元740可以包括地址计数单元910、第一地址储存单元920_0到第十六地址储存单元920_15、刷新控制单元930以及字线控制单元940。
[0099]地址计数单元910可以在对作为与第一单元块750_0到第四单元块750_3中的字线WLO到WL255相对应的值(例如，O到255)的计数地址CA〈0:8>的值计数时去激活时段信号SEC，以及可以在对作为与冗余字线RWLO到冗余字线RWL15相对应的值(例如，256到271)的计数地址CA〈0:8>的值计数时激活时段信号SEC。当计数地址CA〈0:8>的值达到271时，地址计数单元910可以激活重置信号RESET并重新从O开始对计数地址计数。地址计数单元910可以仅输出计数地址CA〈0:7>。
[0100]地址储存单元920_0到920_15可以对应于各个冗余字线RWLO到RWL15。地址储存单元920_0到920_15可以包括多个用于储存多位信息的熔丝9200到9215。
[0101]熔丝9200_8?9200_9到9215_8?9215_9可以储存修复地址中的指定单元块的位RK8:9>到F15〈8:9>。熔丝9200_0?9200_7到9215_0?9215_7可以储存修复地址中的指定单元块之内的字线的位HK0:7>到F15〈0:7>。如果块地址F〈8: 9>为“00”、“ 10”、“01”和“11”，则其可以对应于第一单元块750_0到第四单元块750_3。
[0102]当在第一时段(即在其中时段信号SEC已经被去激活的时段)中刷新信号REFS被激活时，字线控制单元940可以同时刷新第一单元块750_0到第四刷新单元块750_3中与计数地址CA〈0:7>相对应的字线。在这种情形下，如果计数地址CA〈0:7>与修复地址F0<0:7>到F15〈0:7>中的一个或更多个修复地址相同，则可以忽略对与修复地址RKO:7>到F15〈0:7>中的该一个或更多个修复地址相对应的字线和冗余字线的刷新。
[0103]当在第二时段(即在其中时段信号SEC已经被激活的时段)中刷新信号REFS被激活时，字线控制单元940可以刷新与计数地址CA〈0:3>相对应的冗余字线。在这种情形下，可以忽略对冗余字线RWLO到RWL15中的缺陷冗余字线的刷新。即，在第二时段中，字线控制单元940不能刷新第一单元块750_0到第四单元块750_3，但可以顺序地刷新冗余字线RffLO 到 RWLl5ο
[0104]图10是图示图9中的字线控制单元940的配置图。
[0105]参见图10，字线控制单元940可以包括第一比较单元1010_0到第十六比较单元1010_15、第一控制信号发生单元1020_0到第十六控制信号发生单元1020_15、第一字线驱动单元1030_0到第四字线驱动单元1030_3、地址选择单元1001以及第一信号组合单元1002和第二信号组合单元1003。
[0106]地址选择单元1001可以接收地址ADD〈0: 9>和计数地址CA〈0: 7>，可以选择一个地址，以及可以输出被选地址(即，其变为比较单元1010_1到1010_15的输入地址SA〈0:9>)。当刷新信号REFS被去激活时，地址选择单元1001可以将地址ADD〈0>到ADD〈9>作为各个输入地址SA〈0>到SA〈9>来传送。当刷新信号REFS被激活时，地址选择单元1001可以将计数地址CA〈0>到CA〈7>作为输入地址SA〈0>到SA〈7>来传送。
[0107]如果各个使能信号ENO到EN15已经被激活，则比较单元1010_0到1010_15可以将输入地址SA〈0:9>与各个地址储存单元920_0到920_15中的各个修复地址RKO:9>到F15<0:9>相比较并产生各个比较信号CP1〈0:15>和各个比较信号CP2〈0:15>。第一比较信号CP1〈0>到CP1〈15>可以代表输入地址SA〈0:7>与各个修复地址RKO: 7>到F15〈0:7>之间的比较结果，而第二比较信号CP2〈0>到CP2〈15>可以代表输入地址SA〈8:9>与各个修复地址F0<8:9>到F15〈8:9>之间的比较结果。当输入地址SA〈0:7>与修复地址FX〈0:7>相同时，可以激活第一比较信号CP1〈X>(X为整数，O < X < 15)。当输入地址SA〈8:9>与修复地址FX〈8:9>相同时，可以激活第二比较信号CP2〈X>。
[0108]控制信号发生单元1020_0到1020_15可以基于比较单元1010_0到1010_15的比较结果CP1〈0:15>和CP2〈0:15>来产生用于控制冗余字线的控制信号ΗΙΤ〈0:15>以及忽略信号BS1<0:15>到BS4<0:15>o第一忽略信号BS1<0:15>到第四忽略信号BS4<0:15>可以对应于第一单元块750_0到第四单元750_3。
[0109]当刷新信号REFS被去激活时，控制信号发生单元1020_0到1020_15可以在对应的比较信号CP1〈0:15>和CP2〈0:15>都被激活时激活各个控制信号HIT〈0:15>，否则去激活控制信号HIT〈0:15>。
[0110]当刷新信号REFS被激活且时段信号SEC被去激活时，控制信号发生单元1020_0到1020_15可以去激活各个控制信号HIT〈0:15>。再者，如果对应的比较信号CP1〈0:15>已经被去激活，则控制信号发生单元1020_0到1020_15可以去激活忽略信号BS1〈0:15>到BS4〈0:15>，而如果对应的比较信号CP1〈0:15>已经被激活，则控制信号发生单元1020_0到1020_15可以激活与由修复地址RK8:9>到F15〈8:9>的值指定的单元块相对应的忽略信号。
[0111]例如，假设为修复地址RK0:9>具有与第一单元块750_0中的字线WLO相对应的值(例如，F〈8:9> = “00” 而 F〈0:7> = “000000000”)。如果计数地址 CA〈0:7> 为“00000000”，则激活比较信号CP1〈0>。控制信号发生单元1020_0可以激活与修复信号F0<8:9>的值相对应的忽略信号BS1〈0>使得对第一单元块750_0的刷新被忽略。
[0112]当刷新信号REFS和时段信号SEC都被激活时，控制信号发生单元1020_0到1020_15可以将计数地址CA〈0:3>解码并激活与被解码的计数地址CA〈0:3>的值相对应的控制信号ΗΙΤ〈0:15>。在这种情形下，如果使能信号已经被去激活，则不激活与计数地址CA<0:3>的值相对应的控制信号。
[0113]当忽略信号BS1〈0>到BS1〈15>中的一个或更多个被激活时，第二信号组合单元1003可以激活第一忽略组合信号BSl。当忽略信号BS2〈0>到BS2〈15>中的一个或更多个被激活时，第二信号组合单元1003可以激活第二忽略组合信号BS2。当忽略信号BS3〈0>到BS3〈15>中的一个或更多个被激活时，第二信号组合单元1003可以激活第三忽略组合信号BS3。当忽略信号BS4〈0>到BS4〈15>中的一个或更多个被激活时，第二信号组合单元1003可以激活第四忽略组合信号BS4。
[0114]除了受控制的字线的数目和受控制的冗余字线的数目之外，对第一字线驱动单元1030_0到第四字线驱动单元1030_3的操作类似于对图6中的字线驱动单元630和640的操作。
[0115]在以上的描述中，修复字线可以意味着通过替代该字线而使用冗余字线而非该字线。
[0116]这种技术的存储器件可以通过使用另一个单元块中的冗余字线修复一个单元块中的字线来提升冗余字线的利用率。
[0117]再者，这种技术的存储器件可以通过刷新所有的字线然后刷新冗余字线(尽管已经用另一个单元块中的冗余字线取代了单元块中的字线)来刷新多个单元块中的字线。
[0118]尽管已经出于说明性的目的而描述了各个实施例，但对本领域技术人员明显的是，在不脱离由所附权利要求书所限定的本发明的精神和范围的情况下，可以做出各种改变和变型。
[0119]通过以上实施例可以看出，本申请提供了以下的技术方案。
[0120]技术方案1.一种存储器件，包括:
[0121 ] 第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K冗余字线，K为自然数；
[0122]第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N冗余字线，N为比K大的自然数；以及
[0123]控制单元，适用于控制第一冗余字线到第N冗余字线来取代第一单元块或第二单元块中的字线，适用于在第一时段中同时刷新第一单元块和第二单元块中的字线，以及适用于在第二时段中顺序地刷新第一冗余字线到第N冗余字线。
[0124]技术方案2.如技术方案I所述的存储器件，其中，控制单元在第一时段中刷新第一单元块和第二单元块中的字线而跳过被冗余字线取代的字线。
[0125]技术方案3.如技术方案I所述的存储器件，其中，控制单元在第一时段中刷新第一单元块和第二单元块中的字线而不刷新第一冗余字线到第N冗余字线。
[0126]技术方案4.如技术方案I所述的存储器件，其中，控制单元在第一时段中顺序地逐个刷新第一单元块的字线和第二单元块的字线。
[0127]技术方案5.如技术方案I所述的存储器件，其中，控制单元包括:
[0128]地址计数单元，适用于在刷新操作被执行时通过计数来产生计数地址，
[0129]其中，控制单元在第一时段中使用计数地址来选择第一单元块和第二单元块中的字线，以及在第二时段中使用计数地址来选择第一冗余字线到第N冗余字线。
[0130]技术方案6.如技术方案I所述的存储器件，其中，控制单元在第二时段中顺序地刷新第一冗余字线到第N冗余字线而跳过第一冗余字线到第N冗余字线中的缺陷冗余字线。
[0131]技术方案7.—种存储器件，包括:
[0132]第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K冗余字线，K为自然数；
[0133]第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N冗余字线，N为比K大的自然数；
[0134]第一地址储存单元到第N地址储存单元，对应于第一冗余字线到第N冗余字线，且适用于储存第一单元块或第二单元块中的字线的地址；
[0135]地址计数单元，适用于储存通过在刷新操作被执行时计数而产生的计数地址；以及
[0136]字线控制单元，适用于在第一时段中同时刷新属于第一单元块和第二单元块且对应于计数地址的字线，以及适用于在第二时段中刷新属于第一冗余字线到第N冗余字线且对应于计数地址的冗余字线，
[0137]其中，当在第一时段中计数地址与储存在地址储存单元中的地址中的一个或更多个地址相同时，字线控制单元跳过对与计数地址相对应的字线刷新。
[0138]技术方案8.如技术方案7所述的存储器件，其中，即便当计数地址与储存在地址储存单元中的地址中的一个或更多个地址相同时，字线控制单元仍在第一时段中刷新第一单元块和第二单元块中的字线而不刷新第一冗余字线到第N冗余字线。
[0139]技术方案9.如技术方案7所述的存储器件，其中，第一地址储存单元到第N地址储存单元包括适用于储存地址的多个熔丝。
[0140]技术方案10.如技术方案7所述的存储器件，其中，字线控制单元包括:
[0141]第一比较单元到第N比较单元，适用于将第一地址储存单元到第N地址储存单元中的地址与输入地址相比较；以及
[0142]第一控制信号发生单元到第N控制信号发生单元，每个控制信号发生单元适用于:
[0143]在第二时段中通过对计数地址解码来产生用于控制第一冗余字线到第N冗余字线中对应的一个的控制信号以及在第一时段中去激活控制信号；以及
[0144]在第一时段中，当计数地址与对应的地址储存单元中的地址相同时，通过激活与由储存在所述对应的地址储存单元中的地址指示的单元块相对应的第一忽略信号和第二忽略信号来产生与第一单元块和第二单元块相对应的第一忽略信号和第二忽略信号。
[0145]技术方案11.如技术方案10所述的存储器件，其中，字线控制单元还包括；
[0146]第一字线驱动单元，对应于第一单元块，且适用于在第一时段中刷新与计数地址相对应的字线而当第一忽略信号被激活时不执行刷新操作，以及适用于在第二时段中刷新属于第一冗余字线到第K冗余字线且对应于被激活控制信号的冗余字线；以及
[0147]第二字线驱动单元，对应于第二单元块，且适用于在第一时段中刷新与计数地址相对应的字线而当第二忽略信号被激活时不执行刷新操作，以及适用于在第二时段中刷新属于第K+1冗余字线到第N冗余字线且对应于被激活控制信号的冗余字线。
[0148]技术方案12.如技术方案11所述的存储器件，其中，当激活操作被执行时，第一控制信号发生单元到第N控制信号发生单元中的每个在对应的地址储存单元中的地址与输入地址相同时激活控制信号。
[0149]技术方案13.如技术方案12所述的存储器件，其中，当激活操作被执行时，第一字线驱动单元和第二字线驱动单元激活与被激活控制信号相对应的冗余字线。
[0150]技术方案14.如技术方案7所述的存储器件，其中，地址计数单元适用于:
[0151]在从与第一单元块和第二单元块中的所述多个字线中的第一字线相对应的值向与第一单元块和第二单元块中的所述多个字线中的最后字线相对应的值对计数地址的值计数时，产生用来指示第一时段的时段信号；以及
[0152]在从与第一冗余字线相对应的值向与第N冗余字线相对应的值对计数地址的值计数时，产生用来指示第二时段的时段信号。
[0153]技术方案15.如技术方案7所述的存储器件，其中，在第二时段中，字线控制单元跳过对第一冗余字线到第N冗余字线中的缺陷冗余字线的刷新。
[0154]技术方案16.—种存储器件，包括:
[0155]多个单元块，包括多个字线；
[0156]多个冗余字线，适用于取代单元块中的字线；以及
[0157]控制单元，适用于:在第一时段中同时刷新单元块中的除了被冗余字线取代的字线之外的字线，以及在第二时段中顺序地刷新冗余字线。
[0158]技术方案17.如技术方案16所述的存储器件，其中，在第一时段中，控制单元刷新单元块中的字线而不刷新冗余字线。
[0159]技术方案18.如技术方案16所述的存储器件，其中，在第一时段中，控制单元顺序地逐个刷新单元块中的字线。
[0160]技术方案19.如技术方案16所述的存储器件，其中，在第二时段中，控制单元顺序地刷新冗余字线而跳过缺陷冗余字线。
【主权项】
1.一种存储器件，包括: 第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K冗余字线，K为自然数； 第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N冗余字线，N为比K大的自然数；以及 控制单元，适用于控制第一冗余字线到第N冗余字线来取代第一单元块或第二单元块中的字线，适用于在第一时段中同时刷新第一单元块和第二单元块中的字线，以及适用于在第二时段中顺序地刷新第一冗余字线到第N冗余字线。2.如权利要求1所述的存储器件，其中，控制单元在第一时段中刷新第一单元块和第二单元块中的字线而跳过被冗余字线取代的字线。3.如权利要求1所述的存储器件，其中，控制单元在第一时段中刷新第一单元块和第二单元块中的字线而不刷新第一冗余字线到第N冗余字线。4.如权利要求1所述的存储器件，其中，控制单元在第一时段中顺序地逐个刷新第一单元块的字线和第二单元块的字线。5.如权利要求1所述的存储器件，其中，控制单元包括: 地址计数单元，适用于在刷新操作被执行时通过计数来产生计数地址， 其中，控制单元在第一时段中使用计数地址来选择第一单元块和第二单元块中的字线，以及在第二时段中使用计数地址来选择第一冗余字线到第N冗余字线。6.如权利要求1所述的存储器件，其中，控制单元在第二时段中顺序地刷新第一冗余字线到第N冗余字线而跳过第一冗余字线到第N冗余字线中的缺陷冗余字线。7.一种存储器件，包括: 第一单元块，包括多个字线以及第一冗余字线到第K冗余字线，K为自然数； 第二单元块，包括多个字线以及第K+1冗余字线到第N冗余字线，N为比K大的自然数；第一地址储存单元到第N地址储存单元，对应于第一冗余字线到第N冗余字线，且适用于储存第一单元块或第二单元块中的字线的地址； 地址计数单元，适用于储存通过在刷新操作被执行时计数而产生的计数地址；以及字线控制单元，适用于在第一时段中同时刷新属于第一单元块和第二单元块且对应于计数地址的字线，以及适用于在第二时段中刷新属于第一冗余字线到第N冗余字线且对应于计数地址的冗余字线， 其中，当在第一时段中计数地址与储存在地址储存单元中的地址中的一个或更多个地址相同时，字线控制单元跳过对与计数地址相对应的字线刷新。8.如权利要求7所述的存储器件，其中，即便当计数地址与储存在地址储存单元中的地址中的一个或更多个地址相同时，字线控制单元仍在第一时段中刷新第一单元块和第二单元块中的字线而不刷新第一冗余字线到第N冗余字线。9.如权利要求7所述的存储器件，其中，第一地址储存单元到第N地址储存单元包括适用于储存地址的多个熔丝。10.一种存储器件，包括: 多个单元块，包括多个字线； 多个冗余字线，适用于取代单元块中的字线；以及 控制单元，适用于:在第一时段中同时刷新单元块中的除了被冗余字线取代的字线之外的字线，以及在第二时段中顺序地刷新冗余字线。
【文档编号】G11C29/44GK105938729SQ201510640676
【公开日】2016年9月14日
【申请日】2015年9月30日
【发明人】权奇昌
【申请人】爱思开海力士有限公司