银-导电陶瓷复合电接触材料的制作方法

文档序号:6784669阅读:785来源:国知局
专利名称:银-导电陶瓷复合电接触材料的制作方法
技术领域
本发明涉及一种银-导电陶瓷复合电接触材料,属于新材料技术领域。
银基合金被广泛用作电接触材料。纯银,Ag-Cu,Ag-Ni,Ag-CdO等电接触材料已被应用多年。近年来由于环保和微型化等方面的要求,Ag-SnO2,Ag-稀土合金等新型电接触材料不断研制成功及应用。该类新材料有利地改善了电接触材料的机械性能,但接触电阻都较大,且加工性能差。随着继电器的微型化,接触力、断开力、接电间隙减小,要求电接触材料有低的电阻率和稳定的接触电阻,温升小,有更好的灭弧性、抗熔焊性、抗银迁移能力和抗粘接能力,有良好的可加工性。目前电接触材料均存在加工性差、温度稳定性差等缺点;有些材料采用内氧化法生产,工艺复杂,成本高,不易焊接;有些材料甚至有毒,产生公害。
本发明的目的是为了克服现有技术存在的加工性差、温度稳定性差的缺点,提出了一种新的银-导电陶瓷复合电接触材料。该材料利用导电陶瓷固有的温度特性和良好的导电特性、耐高温性,改善了电触头的性能。
本发明的目的是由如下技术方案实现的银-导电陶瓷复合电接触材料,其组成的重量比为银60%~90%,导电陶瓷40%~10%。
所用导电陶瓷的化学式为(Re1-xAx)(B1-yCy)Oz,其中Re为La,Y,Nd,Pr,Sm,Eu,Dy中至少一种或几种元素;A为Ba,Sr,Ca中一种或几种元素,0≤x≤0.5;B为Ni,Co,Mn,Bi,Cu中的一种或几种元素;C为Fe,Sb中的一种元素,0≤y≤0.5;O为氧元素,2≤z≤4。
导电陶瓷可用固相合成法、水热法、化学共沉法、溶胶-凝胶法中的任一种方法制备。
银在各类金属材料中具有最高的导电率和导热率,良好的可加工性,但其熔点较低,并有迁移现象,而导电陶瓷在非金属材料中有较高的导电性,与金属相反的温度系数,熔点高。光滑球状微观形貌结构,二者的结合具有相互补偿作用,充分发挥出材料物理化学特性之潜力。二种材料通过机械混合均匀后,可用粉末冶金或热挤压法制成电接触材料,其中以热挤压法为最佳。
本发明的复合电接触材料有以下的优点1.灭弧性、抗熔焊性、抗损耗、抗粘结性以及抗银迁移性好,接触电阻低而稳定,温升小。制成复合铆钉,在AC220V,15A,闭合力100g,分断75g,接触频率105次/秒的条件下通过性能试验,试验闭合次数达到10万次以上。
2.生产工艺简单,成本低。本发明的复合电接触材料,按常规金属陶瓷工艺,冲压或热挤压成片材或丝材,无需内氧化处理,加工过程能耗低,劳动强度小,有明显的经济效益。
3.加工性能好,冷变形量可达20%,其加工性能优于Ag-SnO2材料,且无毒无害。
4.本发明的复合电接触材料,可替代目前低压电器中大量使用的纯银、细晶银等,可节约大量白银,又可减少成本。
实施例1按重量比Ag 85%,导电陶瓷 15%,导电陶瓷化学式(Re1-xAx)(B1-yCy)Oz,Re为La0.9Nd0.1,x取为0,B为Ni,C为Fe,y取0.05,O为氧,z取3;导电陶化学式为La0.9Nd0.1Ni0.95Fe0.05O3将Ag与导电陶瓷机械混磨均匀,压大块后,放入热挤压机中,挤压成φ6棒材,常规方法制成各种规格的触头。当加工成触头后,其密度可达9.7g/cm3,硬度>680Hv,电阻率<2.6×10-6Ω·cm。
实施例2按重量比Ag70%,导电陶瓷30%,导电陶瓷的化学式为La0.67Y0.03Sr0.3MnO3,加工方法同实施例1。
实施例3按重量比Ag 10%,导电陶瓷 90%,导电陶瓷的化学式为 La0.5Ba0.5CoO3。将Ag与导电陶瓷机械混合均匀,用热冲压方法成型,可制成不同规格的触头。当加工成触头后,其密度可达9.7g/cm3,硬度>680Hv,电阻率<2.6×10-6Ω·cm。
权利要求
1.一种银-导电陶瓷复合电接触材料,其特征是组成重量比分别为银60%~90%,导电陶瓷40%~10%。
2.根据权利要求1所述的银-导电陶瓷复合电接触材料,其特征是导电陶瓷的化学式为(Re1-xAx)(B1-yCy)Oz,Re为La,Y,Nd,Pr,Sm,Eu,Dy中至少一种或几种元素;A为Ba,Sr,Ca中一种或几种元素,B为Ni,Co,Mn,Bi,Cu中的一种或几种元素;C为Fe,Sb中的一种元素,O为氧元素,x,y,z的取值分别为0≤x≤0.5,0≤v≤0.5,2≤z≤4。
全文摘要
银一导电陶瓷复合电接触材料,属于新材料技术领域。它的主要内容是银和导电陶瓷组成复合电接触材料,其重量比为银60%~90%,导电陶40%~10%。它克服了现有技术存在的加工性差,温度稳定性差的缺点。本发明具有较好的灭弧性、抗熔焊性、抗损耗,抗粘结性以及抗银迁移性,还具有接触电阻低而稳定。温升小等优点。
文档编号H01B1/08GK1300082SQ0110772
公开日2001年6月20日 申请日期2001年1月9日 优先权日2001年1月9日
发明者王成建, 栾开政, 陈延学, 梅良模 申请人:山东大学
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