专利名称：高传输速度pin型红外线接收二极管的制作方法
技术领域：
本实用新型是一种高传输速度PIN型红外线接收二极管，尤指一种可使单可使该PIN型红外线接收二极管达到高浓度、低阻抗的功效，并使其提高接收的响应速度。
本实用新型的另一目的，在于提供一种高传输速度PIN型红外线接收二极管，其可使该PIN型红外线接收二极管提高其接收响应的速度。
为达上述的目的本实用新型一种高传输速度PIN型红外线接收二极管，是利用一厚N型半导体层；一层叠于上述厚N型半导体层的薄I型半导体层；一配置于上述薄I型半导体层中央处的P型半导体层；一环设于上述P型半导体层的周围的传导层并和厚N型半导体相联；及一配置于上述P型半导体层与传导层上的金属层所构成；由此，可使该PIN型红外线接收二极管达到高浓度、低阻抗的功效，并使其提高接收响应的速度。
其中，该厚N型半导体层是为高浓度的杂质层所制造而成。
其中，该薄I型半导体层是为低浓度高阻抗半导体层所制造而成。
其中，该P型半导体层是为一接收区。
其中，该传导层是与厚N型半导体层同为高浓度的杂质层所制造而成。
其中，该金属层是为遮光物质所制造而成。
图2是本实用新型的俯视图。
图3是本实用新型的侧剖面状态示意图。
上述所提的厚N型半导体层1是为高浓度的杂质层所制造而成；该薄I型半导体层2，是层叠于上述厚N型半导体层1上，该薄I型半导体层2是为薄高阻抗低浓度的半导体层所制造而成；该P型半导体层3，是配置于上述薄I型半导体层2的中央处，该P型半导体层3是为一光接收区；该传导层4，是环设于上述P型半导体层3的周围并和厚N型半导体相联，该传导层4是与厚N型半导体层1同为高浓度的杂质层所制造而成；该金属层5，是配置于上述的P型半导体层3及传导层4上，该金属层5是为遮光物质所制造而成；由于本实用新型接收二极管的原理为一般接收二极管的原理，故在此不多赘述，仅就本实用新型所能达到的功效作一详述如后当本实用新型于使用时红外线信号进入P型半导体层3(接收区)，此时，由于该P型半导体层3的周围是环设有传导层4，且该传导层4是为高浓度的杂质层所制成，因此可有效吸收P型半导体层3(接收区)所散出的热漏电流，且由于该金属层5是为遮光物质所制成，故可使红外线信号稳定的被接收，并由该结构使RC(阻抗及电容)值变小，相对的使该PIN型红外线接收二极管的反应速度越快，进而使该PIN型红外线接收二极管达到高浓度、低阻抗的功效，并提高该接收二极管接收响应的速度；当然以上讨论为PIN型DIODE结构，同理NIP DIODE应用新结构亦可获得更佳的接收响应的速度。
惟以上所述的，仅为本实用新型的较佳实施例而已，当不能以之限定本实用新型实施的范围，即凡是依本实用新型申请专利范围所作的均等变化与修饰，皆应仍属本实用新型专利涵盖的范围内。
综上所述，本实用新型高传输速度PIN型红外线接收二极管可有效改善现有结构的种种缺点，使其更具进步、实用性，并符合新型专利申请的要件，故依法提出专利申请。
权利要求1.一种高传输速度PIN型红外线接收二极管，其特征在于，该PIN型红外线接收二极管包括有一厚N型半导体层；一薄I型半导体层，是层叠于上述厚N型半导体层上；一P型半导体层，是配置于上述薄I型半导体层的中央处；一传导层，是环设于上述P型半导体层的周围；一金属层，是配置于上述的P型半导体层及传导层上。
2.依权利要求1所述的高传输速度PIN型红外线接收二极管，其特征在于，其中，该厚N型半导体层是为高浓度的杂质层所制造而成。
3.依权利要求1所述的高传输速度PIN型红外线接收二极管，其特征在于，其中，该薄I型半导体层是为低浓度高阻抗半导体层所制造而成。
4.依权利要求1所述的高传输速度PIN型红外线接收二极管，其特征在于，其中，该P型半导体层是为一接收区。
5.依权利要求1所述的高传输速度PIN型红外线接收二极管，其特征在于，其中，该传导层是与厚N型半导体层同为高浓度的杂质层所制造而成。
6.依权利要求1所述的高传输速度PIN型红外线接收二极管，其特征在于，其中，该金属层是为遮光物质所制造而成。
专利摘要本实用新型是在提供一种高传输速度PIN型红外线接收二极管，其包括有一厚N型半导体层；一层叠于上述厚N型半导体层的薄I型半导体层；一配置于上述薄I型半导体层中央处的P型半导体层；一环设于上述P型半导体层的周围并与一厚N型半导体层相连的传导层；及一配置于上述P型半导体层与传导层上的金属层所构成；由此，可使该PIN型红外线接收二极管达到高浓度、低阻抗的功效，并使其提高接收的响应速度。
文档编号H01L31/105GK2549593SQ0223618
公开日2003年5月7日 申请日期2002年5月31日 优先权日2002年5月31日
发明者石万芳, 邓及人, 张维裕, 李振文 申请人:鼎元光电科技股份有限公司