专利名称：高压脉冲频率充退磁机的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种磁性材料加工设备，尤其是涉及一种高压脉冲频率充退磁机的结构改良。
背景技术：
在没有退磁机以前，磁性材料的退磁过程相当麻烦。待退磁的磁性材料都要放到煤窑内，用高温进行退磁，然后做废品处理。为此，人们进行了长期的探索，研制成功了具有退磁功能的退磁机。退磁机使得磁性材料的退磁相当方便，但是其功能非常单一，无法实现充磁的功能。中国专利文献公布了一种充退磁器(申请号88203419.7)，在同一设备中同时实现了充退磁。但是其结构相当复杂，造价高，工作可靠性也较差。其电容控制单元的电容的工作电压较低，且控制单元一般采用PC机，因而成本高。另外，由于其退磁线包的绕制方式的原因，其退磁的效果也不甚理想。
发明内容
本实用新型主要是解决现有技术所存在的结构复杂，电容的的耐高压能力不强，制作成本高，工作稳定性不甚理想等的技术问题。
本实用新型同时还解决了现有技术所存在的功能单一，退磁效果不好，操作过程复杂等的技术问题。
本实用新型的上述技术问题主要是通过下述技术方案得以解决的包括电容充电单元，与电容充电单元相连的电源装置，电容充电单元通过充退磁控制单元与线包相连，其特征在于所述的电容充电单元系由无极性的高压脉冲电容组成；所述的充退磁控制单元由可控硅以及与之相并联的保护电路组成。本实用新型采用工作电压较高的电容，有效地提高了充退磁的效果。同时，在可控硅上连接保护电路，使得在出现过高电压时对设备起到保护作用，提高设备运行的可靠性。
作为优选，所述的充退磁控制单元包括可控硅SCR1，与之相连的保护电路A；可控硅SCR2，与之相连的保护电路B；所述的可控硅SCR1和可控硅SCR2相互并联，且通过开关与导通电源U相连。
为了提高充退磁的效果，防止退磁不净，作为优选，所述线包的绕线对称折叠，绕线的中点设于线包的内层，其一端顺时针绕制，另一端逆时针绕制。绕制时，将绕线对折，将其对折点放置在最内层，然后将其两端分别朝相反方向绕制。这样可以有效提高绕线的对称性，从而提高充退磁的效果，使得退磁完全。
作为优选，所述的高压脉冲电容为铂式电容，其大小为200微法～1500微法，工作电压为1000V～1500V。
为了提高设备运行的可靠性，作为优选，所述的电容充电单元与时间控制单元相连；所述的电源装置和电容充电单元间设有桥式整流单元；所述的桥式整流单元上设有过压保护电路。
作为优选，所述的保护电路A包括电容C1以及与之串连的电阻R1，可控硅SCR1的引脚1与电容C1的一端相连，其引脚3与电阻R1相连；所述的保护电路B包括电容C2以及与之串连的电阻R2；可控硅SCR2的引脚6与电容C2的一端相连，其引脚5与电阻R2相连。由于可控硅过流过压能力很差，如果不采取可靠的保护措施是不能正常工作的。可控硅有一个重要特性参数—断态电压临界上升率dlv/dlt。它表明可控硅在额定结温和门极断路条件下，使可控硅从断态转入通态的最低电压上升率。若电压上升率过大，超过了可控硅的电压上升率的值，则会在无门极信号的情况下开通。即使此时加于可控硅的正向电压低于其阳极峰值电压，也可能发生这种情况。因为可控硅可以看作是由三个PN结组成。在可控硅处于阻断状态下，因各层相距很近，其结面相当于一个电容。当可控硅阳极电压变化时，便会有充电电流流过电容，这个电流起了门极触发电流作用。如果可控硅在关断时，阳极电压上升速度太快，则电容的充电电流越大，就有可能造成门极在没有触发信号的情况下，可控硅误导通现象，即常说的硬开通，这是不允许的。因此，对加到可控硅上的阳极电压上升率应有一定的限制。为了限制电路电压上升率过大，确保可控硅安全运行，在实际可控硅电路中，常在其两端并联RC串联网络，该网络常称为RC阻容吸收电路。利用电容两端电压不能突变的特性来限制电压上升率。因为电路总是存在电感的(变压器漏感或负载电感)，所以与电容串联电阻可起阻尼作用，它可以防止过渡过程中，因振荡在电容器两端出现的过电压损坏可控硅。同时，避免电容器通过可控硅放电电流过大，造成过电流而损坏可控硅。
作为优选，所述的可控硅SCR1的引脚2与二极管D1的正极相连，所述二极管D1的负极通过开关K1与导通电源U相连；所述的可控硅SCR2的引脚4与二极管D2的正极相连，所述二极管D2的负极通过开关K2与导通电源U相连。
此外，作为优选，所述的电容C1和电容C2的电容值大致相等；所述的电阻R1和电阻R2的阻值大致相等；所述的开关K1和开关K2均为小型继电器；导通电源U为3V的直流电源。采用继电器作为控制开关，有效地降低了生产成本。
因此，本实用新型具有如下优点1、设计合理，结构简单，线路布局科学；2、电容的工作电压高，充退磁效果好，具有高压保护功能；3、制作成本低廉，性能稳定，使用寿命长。
附图1是本实用新型的一种结构框图；
附图2是本实用新型的一种充退磁控制单元的结构示意图。
具体实施方式
下面通过实施例，并结合附图，对本实用新型的技术方案作进一步具体的说明。
实施例高压脉冲频率充退磁机，包括电容充电单元1，与电容充电单元1相连的电源装置5，电容充电单元1通过充退磁控制单元2与线包3相连。所述的电容充电单元1与时间控制单元4相连；所述的电源装置5和电容充电单元1间设有桥式整流单元6；所述的桥式整流单元6上设有过压保护电路7。电容充电单元1系由无极性的高压脉冲电容组成；所述的高压脉冲电容为铂式电容，其大小为1000微法，工作电压为1500V。充退磁控制单元2由可控硅以及之相并联的保护电路组成。包括可控硅SCR1，与之相连的保护电路A；可控硅SCR2，与之相连的保护电路B；所述的可控硅SCR1和可控硅SCR2相互并联，且通过开关与导通电源U相连。所述的保护电路A包括电容C1以及与之串连的电阻R1，可控硅SCR1的引脚1与电容C1的一端相连，其引脚3与电阻R1相连；保护电路B包括电容C2以及与之串连的电阻R2；可控硅SCR2的引脚6与电容C2的一端相连，其引脚5与电阻R2相连。可控硅SCR1的引脚2与二极管D1的正极相连，所述二极管D1的负极通过开关K1与导通电源U相连；所述的可控硅SCR2的引脚4与二极管D2的正极相连，所述二极管D2的负极通过开关K2与导通电源U相连。这里的电容C1和电容C2的电容值大致相等；所述的电阻R1和电阻R2的阻值大致相等；所述的开关K1和开关K2均为小型继电器；导通电源U为3V的直流电源。线包3的绕线对称折叠，绕线的中点设于线包的内层，其一端顺时针绕制，另一端逆时针绕制。
使用时，将开关K1闭合，此时处于充磁开启状态；将开关K1和开关K2均闭合，此时处于退磁状态。当工作电压过高时，保护电路工作，使得可控硅不致被高压损坏。
权利要求1.一种高压脉冲频率充退磁机，包括电容充电单元，与电容充电单元相连的电源装置，电容充电单元通过充退磁控制单元与线包相连，其特征在于所述的电容充电单元(1)系由无极性的高压脉冲电容组成；所述的充退磁控制单元(2)由可控硅以及与之相并联的保护电路组成。
2.根据权利要求1所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的充退磁控制单元(2)包括可控硅SCR1，与之相连的保护电路A；可控硅SCR2，与之相连的保护电路B；所述的可控硅SCR1和可控硅SCR2相互并联，且通过开关与导通电源U相连。
3.根据权利要求1所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述线包(3)的绕线对称折叠，绕线的中点设于线包的内层，其一端顺时针绕制，另一端逆时针绕制。
4.根据权利要求1或2或3所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的高压脉冲电容为铂式电容，其大小为200微法～1500微法，工作电压为1000V～1500V。
5.根据权利要求1或2或3所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的电容充电单元(1)与时间控制单元(4)相连；所述的电源装置(5)和电容充电单元(1)间设有桥式整流单元(6)；所述的桥式整流单元(6)上设有过压保护电路(7)。
6.根据权利要求4所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的电容充电单元(1)与时间控制单元(4)相连；所述的电源装置(5)和电容充电单元(1)间设有桥式整流单元(6)；所述的桥式整流单元(6)上设有过压保护电路(7)。
7.根据权利要求1或2或3或6所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的保护电路A包括电容C1以及与之串连的电阻R1，可控硅SCR1的引脚1与电容C1的一端相连，其引脚3与电阻R1相连；所述的保护电路B包括电容C2以及与之串连的电阻R2；可控硅SCR2的引脚6与电容C2的一端相连，其引脚5与电阻R2相连。
8.根据权利要求1或2或3或6所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的可控硅SCR1的引脚2与二极管D1的正极相连，所述二极管D1的负极通过开关K1与导通电源U相连；所述的可控硅SCR2的引脚4与二极管D2的正极相连，所述二极管D2的负极通过开关K2与导通电源U相连。
9.根据权利要求7所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的可控硅SCR1的引脚2与二极管D1的正极相连，所述二极管D1的负极通过开关K1与导通电源U相连；所述的可控硅SCR2的引脚4与二极管D2的正极相连，所述二极管D2的负极通过开关K2与导通电源U相连。
10.根据权利要求1或2或3或6或9所述的高压脉冲频率充退磁机，其特征在于所述的电容C1和电容C2的电容值大致相等；所述的电阻R1和电阻R2的阻值大致相等；所述的开关K1和开关K2均为小型继电器；导通电源U为3V的直流电源。
专利摘要本实用新型涉及一种高压脉冲频率充退磁机的结构改良。包括电容充电单元，与电容充电单元相连的电源装置，电容充电单元通过充退磁控制单元与线包相连，其特征在于所述的电容充电单元系由无极性的高压脉冲电容组成；所述的充退磁控制单元由可控硅以及与之相并联的保护电路组成。因此，本实用新型具有如下优点1.设计合理，结构简单，线路布局科学；2.电容的工作电压高，充退磁效果好，具有高压保护功能；3.制作成本低廉，性能稳定，使用寿命长。
文档编号H01F13/00GK2716980SQ20042002386
公开日2005年8月10日 申请日期2004年6月12日 优先权日2004年6月12日
发明者何时金, 何军义, 沈钟炎 申请人:横店集团东磁有限公司