专利名称：围堰构造、布线图案形成方法、设备、电光学装置及电子机器的制作方法
技术领域：
本发明涉及围堰构造、布线图案形成方法、设备、电光学装置及电子机器。
背景技术：
作为形成电子电路或集成电路等中所使用的由规定图案构成的布线等的方法，例如广泛使用光刻法。该光刻法需要有真空装置、曝光装置等大规模的设备。此外，为了用所述装置形成由规定图案构成的布线等，需要复杂的工序，另外材料使用效率仅为百分之几左右，其大部分不得不废弃，从而有制造成本高的问题。
针对于此，提出过使用从液体喷头中将液体材料以液滴状喷出的液滴喷出法，即所谓的喷墨法而在基板上形成由规定图案构成的布线等的方法(例如参照专利文献1、专利文献2)。该喷墨法中，将图案用的液体材料(功能液)直接在基板上进行图案配置，其后进行热处理或激光照射，形成所需的图案。所以，根据该方法，不需要光刻工序，程序被大幅度地简化，并且由于可以在图案位置直接地配置原材料，因此还有可以削减使用量的优点。
但是，近年来，构成设备的电路的高密度化发展迅速，例如对于布线也要求进一步的微细化、细线化。但是，在所述的使用了液滴喷出法的图案形成方法中，由于所喷出的液滴在命中后会在基板上展开，因此难以稳定地形成微细的图案。特别是在将图案设为导电膜的情况下，因所述的液滴的展开，会产生液体贮留(鼓胀)，它有可能会导致断线或短路等故障的发生。所以，使用如下的围堰构造，即，利用围堰来划分宽度大的布线形成区域(图案形成区域)、被与该布线形成区域连续地形成的与所喷出的功能液的飞行直径相比宽度更小的微细的布线形成区域(图案形成区域)。还提出过如下的技术，即，该围堰构造通过将其表面疏液化，利用毛细管现象，使向所述宽度大的布线形成区域喷出的功能液流入宽度窄小的微细的布线形成区域，而形成微细的布线图案(膜图案)(例如参照专利文献3)。
当微细的布线形成区域的宽度与被喷出功能液的布线形成区域的宽度大于规定比时，由于功能液流过宽度大的布线形成区域内，因此利用毛细管现象得到的向微细的布线形成区域的流入量就会不足。这时，就会有所形成的微细的布线图案的膜厚与其他的布线图案相比更薄的问题。
所以，例如可以考虑如下的方法，即，通过缩小宽度大的布线形成区域的一部分的宽度，来增加从该布线形成区域向微细的布线形成区域的功能液的流入量，实现微细的布线图案的厚膜化。
特开平11-274671号公报[专利文献2]特开2000-216330号公报[专利文献3]特开2005-12181号公报但是，当如上所述地缩小布线形成区域的一部分的宽度，使流入微细布线图案部分的功能液的量增加时，则难以恰当地调节功能液的流入量，例如当功能液过多地流入微细的布线形成区域中时，微细的布线图案与其他的布线图案相比，膜厚变厚，在微细的布线部分与其他的布线部分之间就产生膜厚的差。
这时，例如在将该技术应用于栅极布线和与之连接的栅电极的形成中的情况下，因在这些栅极布线和栅电极之间膜厚不同，从而难以获得稳定的晶体管特性。
发明内容
本发明是鉴于所述问题而完成的，其目的在于，提供消除了布线宽度不同的布线图案中的膜厚差的围堰构造体、膜图案形成方法、设备、电光学装置及电子机器。
本发明的围堰构造是将配置功能液的图案形成区域划分的围堰构造，其特征在于，所述图案形成区域具备第1图案形成区域、与该第1图案形成区域连接并且与所述第1图案形成区域相比宽度更小的第2图案形成区域，划分所述第2图案形成区域的围堰的内侧面部的高度低于划分所述第1图案形成区域的围堰的内侧面部的高度。
当利用液滴喷出法将功能液喷出，配置于第1图案形成区域时，功能液就会因毛细管现象而从所述第1图案形成区域流入宽度较小的第2图案形成区域。这里，例如通过在所述第1图案形成区域中设置调节功能液的流动的干涉部，当使功能液更多地流入第2图案形成区域时，功能液就会沿着围堰的内壁面流入第2图案形成区域。此时，由于以往的构成采用使划分宽度小的图案与宽度大的图案的围堰的高度相同的构成，因此即使流入相同量的功能液，形成于宽度小的图案内的膜图案的厚度也会大于形成于宽度大的图案内的膜图案的厚度。
所以，如果采用本发明的围堰构造，则由于具有使划分宽度小的第2图案形成区域的围堰的内侧面部的高度低于划分宽度大的第1图案形成区域的围堰的内侧面部的高度的围堰构造，因此就会减少流入所述第2图案形成区域的功能液与围堰的接触面积，从而可以调节功能液的流入量。
这样，就可以使形成于宽度小的第2图案形成区域中的膜图案的厚度与形成于宽度大的第1图案形成区域中的膜图案的厚度大致相等。
在所述围堰构造中，最好在所述第1图案形成区域中，设置调节配置于该第1图案形成区域中的功能液的向所述第2图案形成区域的流入量的干涉部，该干涉部被制成比所述第1图案形成区域的未设置所述干涉部的部分更小的宽度，并且划分所述干涉部的围堰的内面部的高度低于划分所述第1图案形成区域的未设置所述干涉部的部分的围堰的内面部的高度。
在第1图案形成区域中设置了调节功能液向第2图案形成区域的流动的干涉部的情况下，通过如上所述地采用本发明，就可以使在所述第1图案形成区域中形成的膜图案的膜厚与在所述第2图案形成区域中形成的膜图案的膜厚大致相等。
另外，由于低于划分所述第1图案形成区域的未设置所述干涉部的部分的围堰的内面部的高度，因此可以减少流入该干涉部的功能液与围堰的接触面积，而调节功能液的流入量。这样，就可以使形成于所述干涉部中的膜图案的厚度与形成于未设置所述干涉部的第1图案形成区域内的膜图案的厚度大致相等。
本发明的膜图案的形成方法是将功能液配置于基板上而形成膜图案的方法，其特征在于，具备在所述基板上设置围堰形成材料的工序；由该围堰形成材料形成包括第1图案形成区域、第2图案形成区域的围堰构造的工序，其中，所述第1图案形成区域是由围堰划分的沟状的区域，所述第2图案形成区域与该第1图案形成区域连续，并且是与所述第1图案形成区域相比宽度更小，由比划分所述第1图案形成区域的围堰的内侧面部的高度更低的围堰划分的沟状的区域；通过在所述第1图案形成区域中配置功能液，利用毛细管现象，将所述功能液从所述第1图案形成区域向所述第2图案形成区域配置的工序；对配置于所述第1图案形成区域及所述第2图案形成区域中的功能液进行硬化处理而形成膜图案的工序。
本发明的膜图案的形成方法中，在基板上，形成了第1图案形成区域、与该第1图案形成区域相比宽度更大的第2图案形成区域。这里，划分所述第2图案形成区域的围堰的内侧面的高度低于划分所述第1图案形成区域的围堰的内侧面的高度。这样，配置于所述第1图案形成区域中的功能液就因毛细管现象而流入所述第2图案形成区域。这时，功能液就沿着划分所述第2图案形成区域的围堰的内侧面，流入所述第2图案形成区域。由于划分该第2图案形成区域的围堰的内侧面的高度较低，因此可以限制流入所述第2图案形成区域的功能液量。
这样，就可以使形成于宽度小的第2图案形成区域中的膜图案的厚度与形成于宽度大的第1图案形成区域中的膜图案的厚度大致相等。
在所述膜图案的形成方法中，当利用光刻法形成所述围堰时，最好在对划分所述第2图案形成区域的围堰的内侧面部使用半色调(halftone)掩模曝光后，进行显影处理。
这样，由于在曝光工序中使用半色调掩模，因此通过选择性地调节第2图案形成区域的内面部的曝光量，就可以如上所述地使划分所述第2图案形成区域的围堰的内侧面部的高度低于划分所述第1图案形成区域的围堰的内侧面部的高度。
另外，由于半色调掩模将与第1图案形成区域对应的掩模部和与第2图案形成区域对应的掩模部设于相同的掩模上，因此就可以用一次的曝光工序形成所述第1图案形成区域和所述第2图案形成区域，实现光刻法的工序的简化。
本发明的设备的特征是，具备所述围堰构造体、形成于该围堰构造体的所述第1图案形成区域及所述第2图案形成区域中的膜图案。
根据本发明的设备，由于在由如上所述的围堰构造体划分的区域中形成有膜图案，因此就可以大致上消除由配置于第1图案形成区域及第2图案形成区域中的功能液制成的膜图案的膜厚差。这样，就能形成防止了在该膜图案上例如层叠了其他的薄膜图案时的断线、短路的电气特性优良的设备。
在所述设备中，最好将形成于所述第1图案形成区域中的膜图案作为栅极布线，将形成于所述第2图案形成区域中的膜图案作为栅电极。
这样的话，通过使用所述的围堰构造，就可以使栅极布线和栅电极的膜厚大致相等。这样，就可以使晶体管特性稳定，具备了该晶体管的设备就成为可靠性高的设备。
在所述设备中，最好将形成于所述第1图案形成区域中的膜图案作为源极布线，将形成于所述第2图案形成区域中的膜图案作为源电极。
这样的话，通过使用所述的围堰构造，就可以使源极布线和源电极的膜厚大致相等。这样，就可以使晶体管特性稳定，具备了该晶体管的设备就成为可靠性高的设备。
本发明的电光学装置的特征是，具备所述设备。
根据本发明的电光学装置，由于具备具有高精度的电气特性等的设备，因此就可以实现获得了质量和性能的提高的电光学装置。
这里，在本发明中，所谓电光学装置是除了具有电光学效应，即，物质的折射率因电场而变化，从而改变光的透过率的装置以外，还包括将电能变换为光能的装置等的总称。具体来说，有作为电光学物质使用液晶的液晶显示装置、作为电光学物质使用有机EL(Electro-Luminescence)的有机EL装置、使用无机EL的无机EL装置、作为电光学物质使用等离子体用气体的等离子体显示器装置等。另外，还有电泳显示器装置(EPDElectrophoretic Display)、场发射显示器装置(FED电场发射显示装置Field Emission Display)等。
本发明的电子机器的特征是，具备所述电光学装置。
根据本发明的电子机器，因具备实现了质量和性能的提高的电光学装置，而成为可靠性高的电子机器。
图1是表示本发明的液滴喷出装置的概略构成的立体图。
图2是用于说明利用压电方式的液状体的喷出原理的图。
图3(a)是围堰构造的俯视图，(b)、(c)是(a)的侧剖面图。
图4(a)～(d)是用于说明形成围堰构造的工序的侧剖面图。
图5(a)～(c)是用于说明布线图案的形成工序的侧剖面图。
图6是示意性地表示作为显示区域的1个象素的俯视图。
图7(a)～(e)是表示1个象素的形成工序的剖面图。
图8是从对置基板一侧看到的液晶显示装置的俯视图。
图9是沿着图8的H-H’线的液晶显示装置的剖面图。
图10是液晶显示装置的等价电路图。
图11是有机EL装置的局部放大剖面图。
图12是表示本发明的电子机器的具体例的图。
其中，L…功能液，M…半色调掩模，H1、H2、H5、H6…宽度，1…围堰构造，34…围堰，34a、b、c、d、e…围堰，35…围堰层(围堰形成材料)，40…栅极布线(膜图案)，41…栅电极(膜图案)，42…源极布线(膜图案)，43…源电极(膜图案)，55…第1图案形成区域，55a…内侧面部，56…第2图案形成区域，56b…内侧面部，57…节流部(干涉部)，57c…内侧面部，250…象素构造(设备)，600…携带电话(电子机器)具体实施方式
(实施方式1)下面，将参照附图对本发明的一个实施方式进行说明。而且，以下所说明的实施方式是表示本发明的一部分的方式，而不是限定本发明的方式。另外，以下的说明中所使用的各图中，为了将各层或各构件设为可以在图面上识认的程度的大小，对于各层或各构件适当地改变了比例尺。
(液滴喷出装置)首先，在本实施方式中，参照图1对用于形成膜图案的液滴喷出装置进行说明。
图1作为本发明的膜图案形成方法中所使用的装置的一个例子，是表示利用液滴喷出法在基板上配置液体材料的液滴喷出装置(喷墨装置)IJ的概略构成的立体图。
液滴喷出装置IJ具备液滴喷头1、X轴方向驱动轴4、Y轴方向导引轴5、控制装置CONT、台架7、清洁机构8、台座9、加热器15。
台架7是支撑利用该液滴喷出装置IJ设置墨液(液体材料)的后述的基板48的构件，具备将基板48固定于基准位置的未图示的固定机构。
液滴喷头1是具备了多个喷出喷嘴的多喷嘴型的液滴喷头，使长边方向与Y轴方向一致。多个喷出喷嘴被以一定间隔沿Y轴方向并列设于液滴喷头1的下面。从液滴喷头1的喷出喷嘴中，向由台架7支撑的基板48，喷出含有所述的导电性微粒的墨液。
在X轴方向驱动轴4上，连接有X轴方向驱动马达2。X轴方向驱动马达2为步进马达等，当由控制装置CONT供给X轴方向的驱动信号时，即旋转X轴方向驱动轴4。当X轴方向驱动轴4旋转时，液滴喷头1就沿X轴方向移动。
Y轴方向导引轴5被相对于台座9不移动地固定。台架7具备Y轴方向驱动马达3。Y轴方向驱动马达3为步进马达等，当由控制装置CONT供给Y轴方向的驱动信号时，就将台架7沿Y轴方向移动。
控制装置CONT向液滴喷头1供给液滴的喷出控制用的电压。另外，向X轴方向驱动马达2供给控制液滴喷头1的X轴方向的移动的驱动脉冲信号，向Y轴方向驱动马达3供给控制台架7的Y轴方向的移动的驱动脉冲信号。
清洁机构8是清洁液滴喷头1的机构。在清洁机构8上，具备未图示的Y轴方向驱动马达。利用该Y轴方向的驱动马达的驱动，清洁机构8沿着Y轴方向导引轴5移动。清洁机构8的移动也由控制装置CONT控制。
加热器15在这里是利用灯退火对基板48进行热处理的工具，进行涂布于基板48上的液体材料中所含的溶剂的蒸发及干燥。该加热器15的电源的接入及切断也由控制装置CONT控制。
液滴喷出装置IJ在对液滴喷头1和支撑基板48的台架7相对地进行扫描的同时，向基板48喷出液滴。这里，在以下的说明中，将X轴方向设为扫描方向，将与X轴正交的Y轴方向设为非扫描方向。所以，液滴喷头1的喷出喷嘴被以一定间隔沿作为非扫描方向的Y轴方向并列地设置。而且，图1中，液滴喷头1虽然被与基板48的行进方向成直角地配置，然而也可以调整液滴喷头1的角度，使之与基板48的行进方向交叉。这样的话，就可以通过调整液滴喷头1的角度，来调节喷嘴间的间距。另外，还能够任意地调节基板48与喷嘴面的距离。
图2是用于说明利用压电方式的液体材料的喷出原理的图。
图2中，与收容液体材料(布线图案用墨液、功能液)的液体室21相邻地设有压电元件22。向液体室21中，经过包括收容液体材料的材料罐的液体材料供给系统23供给液体材料。
压电元件22被与驱动电路24连接，通过借助该驱动电路24向压电元件22施加电压，使压电元件22变形，液体室21即变形，从喷嘴25中喷出液体材料。此时，通过改变施加电压的值，来控制压电元件22的变形量。另外，通过改变施加电压的频率，来控制压电元件22的变形速度。
而且，作为液体材料的喷出原理，除了所述的使用作为压电体元件的压电元件来喷出墨液的压电方式以外，还可以使用利用因加热液体材料而产生的泡(鼓泡)来喷出液体材料的鼓泡方式等公知的各种各样的技术。其中，所述的压电方式中，由于不对液体材料进行加热，因此有不会对材料的组成等造成影响的优点。
这里，功能液L是由在分散剂中分散了导电性微粒的分散液或在溶剂(分散剂)中分散了有机银化合物或氧化银纳米粒子的溶液构成的。
作为导电性微粒，例如除了含有金、银、铜、钯及镍当中的任意一种的金属微粒以外，还可以使用它们的氧化物以及导电性聚合物或超导体的微粒等。
为了提高分散性，这些导电性微粒也可以在表面涂覆有机物等而使用。作为涂覆在导电性微粒的表面的涂覆材料，例如可以举出二甲苯、甲苯等有机溶剂或柠檬酸等。
导电性微粒的粒径优选1nm以上0.1μm以下。当大于0.1μm时，就有可能在后述的液体喷头的喷嘴中产生堵塞。另外，当小于1nm时，则涂覆剂相对于导电性微粒的体积比变大，所得的膜中的有机物的比例变得过多。
作为分散剂，只要是可以分散所述的导电性微粒的物质，是不会引起凝聚的物质，就没有特别限定。例如，除了水以外，还可以例示出甲醇、乙醇、丙醇、丁醇等醇类、n-庚烷、n-辛烷、癸烷、十二烷、十四烷、甲苯、二甲苯、异丙基甲苯、杜烯、茚、二戊烯、四氢化萘、十氢化萘、环己基苯等烃类化合物、乙二醇二甲醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲乙醚、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲乙醚、1，2-二甲氧基乙烷、双(2-甲氧基乙基)醚、p-二氧杂环乙烷等醚类化合物、碳酸丙烯酯、γ-丁内酯、N-甲基-2-吡咯烷酮、二甲基甲酰胺、二甲亚砜、环己酮等极性化合物。它们当中，从微粒的分散性与分散液的稳定性以及对于液滴喷出法(喷墨法)的应用的容易度的观点考虑，优选水、醇类、烃类化合物、醚类化合物，作为更优选的分散剂，可以举出水、烃类化合物。
所述导电性微粒的分散液的表面张力优选在0.02N/m以上0.07N/m以下的范围内。在利用液滴喷出法喷出液体之际，当表面张力小于0.02N/m时，则由于墨液组合物对喷嘴面的浸润性增大，因此容易发生飞行弯曲，当超过0.07N/m时，则由于喷嘴头端处的弯月面的形状不稳定，因此喷出量、喷出时刻的控制变得困难。为了调整表面张力，在所述分散液中，在不大大降低与基板的接触角的范围内，微量添加氟类、硅酮类、非离子类等表面张力调节剂即可。非离子类表面张力调节剂提高液体对基板的浸润性，改善膜的调平性，是起到防止膜的微细的凹凸的产生等作用的物质。根据需要，所述表面张力调节剂也可以含有醇、醚、酯、酮等有机化合物。
所述分散液的粘度优选1mPa·s以上50mPa·s以下。当使用液滴喷出法将液体材料作为液滴喷出时，在粘度小于1mPa·s的情况下，喷嘴周边部容易因墨液的流出而被污染，另外当粘度大于50mPa·s时，则喷嘴孔处的堵塞频度提高，难以实现顺利的液滴的喷出。
(围堰构造体)下面，参照图3(a)、(b)、(c)对本实施方式的配置功能液(墨液)的围堰构造体进行说明。
图3(a)是表示围堰构造体的概略构成的俯视图。另外，图3(b)是图3(a)所示的A-A’线向视中的所述围堰构造体的侧剖面图。另外，图3(c)是图3(a)所示的B-B’线向视中的所述围堰构造体的侧剖面图。
本实施方式的围堰构造体1如图3(a)、(b)、(c)所示，在基板48上形成有围堰34，该围堰34是划分成为配置功能液的区域的图案形成区域P的部分。而且，本实施方式的图案形成区域是由形成构成后述的TFT的栅极布线的围堰构造划分的基板48上的区域。
所述图案形成区域P由与栅极布线(膜图案)对应地形成的槽状的第1图案形成区域55、与该第1图案形成区域55连接而被与栅电极(膜图案)对应地形成的第2图案形成区域56构成。另外，所述第2图案形成区域56的宽度小于所述第1图案形成区域55的宽度。这里，所谓各图案形成区域55、56的宽度是指与各图案55、56所延伸的方向正交的方向的图案的端部间的长度。
具体来说，如图3(a)所示，第1图案形成区域55在图1中被沿着X轴方向延伸形成，该第1图案形成区域55具有宽度H1。这里，第1图案形成区域55的宽度H1被按照等于或大于从所述的液滴喷出装置IJ中喷出的功能液的飞行直径(图3(a)中双点划线)的方式形成。
另外，第2图案形成区域56与第1图案形成区域55近似垂直地连接，图1中，被沿Y轴方向延伸地形成。该第2图案形成区域56具有宽度H2，被制成小于第1图案形成区域55的宽度H1。通过采用此种围堰构造1，就可以利用毛细管现象，使向所述第1图案形成区域55喷出的功能液L流入作为微细图案的第2图案形成区域56。而且，本实施方式中，所述第1图案形成区域55对应于栅极布线，所述第2图案形成区域56对应于与栅极布线相比宽度更小的栅电极。
这里，以下所说明的围堰34的内侧面部的高度是指从基板48的上面起划分各图案形成区域55、56的围堰34的内侧面55a、56b的高度。这样，在划分所述第2图案形成区域56的围堰34b的内侧面部56b的高度中，不包括划分所述第1图案形成区域55的围堰34a的厚度。
如图3(c)所示，划分所述第2图案形成区域56的围堰34b的内侧面部56b的高度要低于划分所述第1图案形成区域55的围堰34a的内侧面部55a的高度。
这里，功能液在与划分所述各图案形成区域的围堰34的内侧面部接触的状态下流入所述各区域55、56内。所以，通过抑制划分第2图案形成区域56的围堰34b的内侧面部56b的高度，就可以减少流入所述第2图案形成区域56的功能液的量。
另外，如图3(b)所示，在所述第1图案形成区域55中，为了调节配置于该第1图案形成区域55中的功能液向所述第2图案形成区域56的流入量，设有与其他的第1图案形成区域55相比宽度较小的节流部(干涉部)57。而且，本实施方式中，所述节流部57的宽度与所述第2图案形成区域56的宽度相同。
该节流部57对应于源极布线与栅极布线交叉的部分(交叉部分)，同样地，在交叉部分的源极布线侧也设有节流部。像这样，在栅极布线和源极布线的交叉部分，通过缩小各自的布线宽度，就能够防止在交叉部分蓄积电容的情况。
另外，划分所述节流部57的围堰34c的内侧面部57c的高度低于划分所述第1图案形成区域55的其他的围堰34a的内侧面部55a的高度。像这样，由于划分所述节流部57的围堰34c的内侧面部57c的高度与其他的第1图案形成区域55相比更低，因此就减少了功能液L与围堰34c的接触面积，调节了流入所述节流部57的功能液的量。这样，就可以使形成于所述节流部57中的膜图案的厚度与形成于其他的第1图案形成区域55中的膜图案的厚度大致相等。
像这样，当在第1图案形成区域55中设置了调节功能液向第2图案形成区域56的流入量的节流部57时，在以往的围堰构造中，功能液L会更多地流入宽度小的图案形成区域，而不是宽度大的图案形成区域，从而有可能在这些图案形成区域之间，在其膜厚中产生差异。
所以，如果采用本发明，由于具有如下的围堰构造1，即，使划分宽度小的第2图案形成区域56的围堰34b的内侧面部56b的高度低于划分宽度大的第1图案形成区域55的围堰34a的内侧面部55a的高度，因此就可以通过减少了流入所述第2图案形成区域56的功能液L与围堰34的接触面积，而调节功能液L的流入量。
这样，就可以使形成于宽度小的第2图案形成区域56中的膜图案的厚度与形成于宽度大的第1图案形成区域55中的膜图案的厚度大致相等。
(围堰构造体及膜图案的形成方法)下面，对本实施方式的围堰构造体1的形成方法及在由该围堰构造体1划分的图案形成区域P中作为膜图案形成栅极布线的方法进行说明。
图4(a)～(d)是依次表示了围堰构造体1的形成工序的侧部剖面图。图4(a)～(d)是表示了沿着图3(c)的B-B’向视中的侧剖面形成由第1图案形成区域55及第2图案形成区域构成的图案形成区域P的工序的图。另外，图5的(a)、(b)是表示在图4(a)～(d)中所示的工序中形成的围堰构造1中形成膜图案(栅极布线)的工序的剖面图。
(围堰材料涂布工序)首先，如图4(a)所示，利用旋转涂覆法，在基板48的全面涂布围堰形成材料而形成围堰层35。作为所述围堰形成材料的涂布方法，可以使用喷涂、辊涂、模具涂覆、浸涂等各种方法。
另外，作为基板48，可以使用玻璃、石英玻璃、Si晶片、塑料薄膜、金属板等各种材料。另外，围堰形成材料含有由感光性的丙烯酸树脂、聚亚酰胺等制成的绝缘材料及亲液性的材料。这样，由于围堰形成材料兼具抗蚀剂的功能，因此可以省略光刻胶涂布工序。另外，当在围堰形成材料中利用后述的工序形成了沟状的图案形成区域P时，可以将划分该图案形成区域P的围堰的内侧面表面预先设为亲液性。
而且，也可以在所述基板48的基板表面形成半导体膜、金属膜、电介质膜、有机膜等基底膜。
(疏液化处理工序)然后，对涂布于基板48的全面的围堰层35的表面进行以CF4、SF5、CHF3等含氟气体作为处理气体的等离子体处理。利用该等离子体处理将围堰层35的表面设为疏液性。作为疏液化处理法，例如可以采用在大气气氛中以四氟甲烷作为处理气体的等离子体处理法(CF4等离子体处理法)。CF4等离子体处理的条件例如设为，等离子体功率为50～1000W，四氟甲烷气体流量为50～100ml/min，相对于等离子体放电电极的基体搬送速度为0.5～1020mm/sec，基体温度为70～90℃。
而且，作为所述处理气体，并不限定于四氟甲烷(四氟化碳)，也可以使用其他的氟代烃类的气体。另外，而且所述疏液化处理最好在后述的围堰材料上形成了规定图案的槽部后进行。该情况下，也可以采用Microcontact Printing法。另外，不采用此种处理，而在围堰的原材料自身中预先填充疏液成分(氟基等)也是理想的做法。该情况下，可以将CF4等离子体处理等省略。
而且，例如也可以通过使用氟烷基硅烷(FAS)，形成按照使氟烷基位于膜的表面的方式将各化合物取向的自组装化膜。该情况下，也可以对围堰材料的表面赋予均一的疏液性。
作为形成自组装化膜的化合物，可以例示出十七氟-1，1，2，2四氢癸基三乙氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2四氢癸基三甲氧基硅烷、十七氟-1，1，2，2四氢癸基三氯硅烷、十三氟-1，1，2，2四氢辛基三乙氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2四氢辛基三甲氧基硅烷、十三氟-1，1，2，2四氢辛基三氯硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷等氟烷基硅烷(以下称作「FAS」)。这些化合物既可以单独使用，也可以将2种以上组合使用。由有机分子膜等形成的自组装化膜是通过将所述的原料化合物与基板放入相同的密闭容器中，在室温下放置2～3日左右而形成于基板上的。这些虽然是来自气相的形成方法，然而从液相中也可以形成自组装化膜。例如，通过在含有原料化合物的溶液中浸渍基板，进行清洗、干燥，而在基板上形成自组装化膜。
(曝光工序)然后，如图4(b)所示，通过利用光刻法，使来自曝光装置的光穿过半色调掩模M向所述围堰层35照射，而形成第1图案形成区域55、第2图案形成区域56及节流部57。而且，作为以下的光刻的显影处理中所使用的光化学反应，是以正型的抗蚀剂作为前提。这样，被曝光的围堰层35被后述的显影工序除去，成为具有了所述的图案形成区域P的围堰构造1。
在将所述的图案形成区域P的第2图案形成区域56曝光时，使用半色调掩模M。所谓半色调掩模M是具有将由曝光装置照射的曝光光完全阻断的掩模部M3、使曝光光完全地透过的掩模部M2、使曝光光部分地透过的掩模部M1的掩模。此外，在使曝光光部分地透过的掩模部M1中，设有由狭缝等构成的衍射光栅等图案，从而能够控制曝光光所透过的光强度。这样，利用透过了所述各掩模部M1、M2、M3的光，就可以与曝光量对应地改变显影处理对围堰层35的溶解度。此外，还能够调节设于基板48上的围堰层35中所形成的沟状的图案形成区域的深度(围堰高度)。
穿过使所述的曝光光完全地透过的掩模部M2而向围堰层35上照射的光如图4(b)所示，到达基板48上。这样，被夹隔所述掩模部M2而曝光的区域就成为第2图案形成区域56。另外，穿过使曝光光部分地透过的所述掩模部M1而向围堰层35上照射的光由于与所述掩模部M2相比，光量较少，因此如图4(b)所示，到达围堰层35的途中，而未到达基板48的上面。被如此曝光了的第2图案形成区域56就可以在后述的显影工序(参照图4(c)、(d))中，将划分所述第2图案形成区域56的区域的围堰34b的内侧面的高度降低所述掩模部M2的量。
另一方面，在形成第1图案形成区域55时所使用的掩模仅由使曝光光完全地透过的掩模部M2构成。
这样，穿过了使曝光光完全地透过的所述掩模部M2的光如前所述，到达基板48上。
这时，如图4(b)的双点划线所示，可以按照选择性地使划分所述第2图案形成区域56的围堰34的内侧面部的高度低于划分所述第1图案形成区域55的围堰34的内侧面部的高度的方式，将所述围堰层35曝光。
半色调掩模M由于在相同的掩模上具备形成所述第2图案形成区域的掩模部M1、M2、形成所述第1图案形成区域的掩模部M2，因此就可以用一次的曝光工序形成所述第1图案形成区域55和所述第2图案形成区域56，从而实现曝光工序的简化。
(显影工序)然后，在所述的曝光工序之后，如图4(c)所示，将被曝光了的围堰层35例如用TMAH(羟化四甲基铵)显影液进行显影处理，将被曝光部选择性地除去。
这样，就如图4(d)所示，可以形成如下的图案形成区域P，即，划分所述第2图案形成区域56的围堰34b的内侧面部56b的高度低于划分所述第1图案形成区域55的围堰34a的内侧面部55a的高度。
另外，第1图案形成区域55的宽度成为H1，第2图案形成区域56的宽度成为H2，如图3所示，所述第1图案形成区域55与所述第2图案形成区域56相比宽度更大(H1＞H2)。而且，围堰34a的内侧面55a如上所述，由于在围堰形成材料中使用亲液性的材料，因此具有亲液性。这里，最好对划分功能液所流入的所述第2图案形成区域56的围堰34b的上面事先选择性地进行疏液处理。另外，划分所述第1图案形成区域55的围堰34a的上面由于如上所述，被实施了疏液处理，因此具有疏液性。
另外，本实施方式中，如图3所示，在所述第1图案形成区域55中，为了调节配置于该第1图案形成区域55中的功能液的向所述第2图案形成区域56的流入量，设有与其他的第1图案形成区域55相比其宽度更小的节流部(干涉部)57。此外，所述节流部57的宽度设为与所述第2图案形成区域56的宽度相同。另外，划分所述节流部57的围堰34c的内侧面部57c的高度低于划分所述第1图案形成区域55的其他的围堰55a的内侧面部55a的高度(参照图3)。
这样，通过与所述的第2图案形成区域56相同，使用半色调掩模M进行曝光、显影处理，就可以形成所述节流部57，对于形成工序的图示及说明省略。
被如此形成的节流部57可以防止在源极布线和栅极布线的交叉部分蓄积电容的情况。
(功能液配置工序)下面，对向由利用所述的工序得到的围堰构造1形成的图案形成区域P中，使用所述液滴喷出装置IJ喷出功能液，形成栅极布线(膜图案)的工序进行说明。这里，在本实施方式中，由于第2图案形成区域56是微细布线图案，因此难以直接配置功能液L。所以，功能液L向第2图案形成区域56的配置如上所述，是利用使配置于第1图案形成区域55中的功能液L因毛细管现象而流入第2图案形成区域56的方法来进行的。
首先，如图5(a)所示，利用液滴喷出装置IJ，向第1图案形成区域55中喷出作为布线图案形成材料的功能液L。
利用液滴喷出装置IJ配置于第1图案形成区域55中的功能液L如图5(a)所示，在第1图案形成区域55内部浸润展开。这里，本实施方式中，利用设于所述第1图案形成区域55中的节流部57，来增加流入所述第2图案形成区域56的功能液L的量。
另外，图5(b)是表示向所述第1图案形成区域55中喷出的功能液L在各图案形成区域55、56内浸润展开了的状态的与图3(c)相同的侧剖面图。
具体来说，配置于第1图案形成区域55的底面的功能液L被所述节流部57的障碍壁(干涉部)暂时地阻挡。这样，被阻挡的功能液L就向未设置障碍壁的第2图案形成区域56方向流动。利用此种工序，可以促进向第2图案形成区域56的毛细管现象，从而在第1图案形成区域55中形成成为栅极布线的第1布线图案40，在第2图案形成区域56中形成成为栅电极的第2布线图案41。
像这样，当在第1图案形成区域55中设置了调节功能液向第2图案形成区域56的流入量的节流部57时，在以往的围堰构造中，功能液L更多地流入宽度小的图案形成区域，而不是宽度大的图案形成区域，从而有在这些图案形成区域之间，在其膜厚中产生差异的情况。
所以，本实施方式中，形成如下的围堰构造1，即，使划分宽度小的第2图案形成区域56的围堰34b的内侧面部56b的高度低于划分宽度大的第1图案形成区域55的围堰34a的内侧面部55a的高度。
另外，如前所述，划分所述节流部57的围堰34c的内侧面部57c的高度低于划分所述第1图案形成区域55的未设置所述节流部57的部分的围堰55a的内侧面部55a的高度。像这样，由于划分所述节流部57的围堰34c的内侧面部57c的高度低于其他的第1图案形成区域55，因此就会减少功能液L与围堰34c的接触面积，控制功能液向所述节流部57c的流入量。
(中间干燥工序)在第1图案形成区域55及第2图案形成区域56中配置功能液L而形成了第1、第2布线图案40、41后，根据需要，进行干燥处理。这样，就可以确保功能液L的分散剂的除去及图案的膜厚。干燥处理例如可以利用将基板48加热的通常的烤盘、电炉、灯退火及其他的各种方法来进行。这里，作为在灯退火中所使用的光的光源，虽然没有特别限定，然而可以将红外线灯、氙灯、YAG激光器、氩气激光器、二氧化碳激光器、XeF、XeCl、XeBr、KrF、KrCl、ArF、ArCl等准分子激光器等作为光源使用。这些光源一般来说使用输出在10W以上5000W以下的范围的光源，然而在本实施方式中，100W以上1000W以下的范围即足够。另外，为了形成所需的膜厚，也可以在中间干燥工序后，根据需要反复进行功能液配置工序。
(烧成工序)在配置了功能液L后，当功能液L的导电性材料例如为有机银化合物时，为了获得导电性，需要进行热处理，除去有机银化合物的有机成分，残留银粒子。由此，最好对配置了功能液L后的基板实施热处理或光处理。热处理或光处理虽然通常在大气中进行，然而根据需要，也可以在氢气、氮气、氩气、氦气等惰性气体气氛中进行。热处理或光处理的处理温度要考虑分散剂的沸点(蒸汽压)、气氛气体的种类或压力、微粒或有机银化合物的分散性或氧化性等热性质、涂覆剂的有无或量、基材的耐热温度等而适当地决定。例如，为了除去有机银化合物的有机成分，需要在大约200℃烧成。另外，在使用塑料等基板的情况下，最好在室温以上100℃以下进行。
利用以上的工序，就会残留功能液L的作为导电性材料(有机银化合物)的银粒子，被转换为导电性膜，从而可以如图5(c)所示，获得相互之间基本上没有膜厚差的连续的导电膜图案，即，可以获得作为栅极布线发挥作用的第1布线图案40及作为栅电极发挥作用的第2布线图案41。
像这样，通过大致上消除栅极布线与栅电极之间的膜厚差，就可以使晶体管特性稳定化。
(设备)下面，对具备利用本发明的围堰构造形成的膜图案的设备进行说明。本实施方式中，参照图6～图8，对具备栅极布线的象素(设备)及该象素的形成方法进行说明。
本实施方式中，利用本发明的围堰构造体及膜图案的形成方法，形成具有底栅极型的TFT30的栅电极、源电极、漏电极等的象素。而且，在以下的说明中，将与所述的图3～图5所示的图案形成工序相同的工序的说明省略。另外，对于与所述实施方式中所示的构成要素相同的构成要素，使用相同的符号。
(象素的构造)首先，对具备利用本实施方式形成的膜图案的象素构造(设备)250进行说明。
图6是表示了本实施方式的象素的构造的图。
如图6所示，象素构造250在基板48上，具备栅极布线40(第1布线图案)、从该栅极布线40中延伸出来而形成的栅电极41(第2布线图案)、源极布线42、从该源极布线42中延伸出来而形成的源电极43、漏电极44、与漏电极44电连接的象素电极45。栅极布线40被沿X轴方向延伸地形成，源极布线42被与栅极布线40交叉而沿Y轴方向延伸地形成。此外，在栅极布线40和源极布线42的交叉点的附近，形成有作为开关元件的TFT。通过该TFT变为开状态，就能够向与TFT连接的象素电极45供给驱动电流。
这里，如图6所示，栅电极41的宽度H2被制成比栅极布线40的宽度H1更小。例如，栅电极41的宽度H2为10μm，栅极布线40的宽度H1为20μm。该栅极布线40及栅电极41是利用所述的实施方式形成的。
另外，源电极43的宽度H5被制成比源极布线42的宽度H6更小。例如，源电极43的宽度H5为10μm，源极布线42的宽度H6为20μm。本实施方式中，通过使用膜图案形成方法，利用毛细管现象使功能液流入作为微细图案的源电极43而形成。
另外，如图6所示，在栅极布线40的一部分，设有布线宽度与其他的区域相比更小的节流部57。此外，在该节流部57上，在与栅极布线40交叉的源极布线42侧，也设有相同的节流部。像这样，通过在栅极布线与源极布线的交叉部分，使各自的布线宽度较小，就能够防止在该交叉部分蓄积电容的情况。
(象素构造的形成方法)图7(a)～(e)是表示了沿着图6所示的C-C’线的象素构造250的形成工序的剖面图。
如图7(a)所示，在包括利用所述实施方式1形成的栅极布线40的围堰34面上，利用等离子体CVD法等，形成栅极绝缘膜39。这里，栅极绝缘膜39由氮化硅制成。然后，在栅极绝缘膜39上形成活性层。接下来，利用光刻处理及蚀刻处理，如图7(a)所示，图案处理为规定形状而形成无定形硅膜46。
然后，在无定形硅膜46上形成接触层47。接下来，利用光刻处理及蚀刻处理，如图7(a)所示，图案处理为规定形状。而且，接触层47是通过改变原料气体或等离子体条件而形成n+型硅膜。
然后，如图7(b)所示，利用旋转涂覆法等，在包括接触层47上的全面涂布围堰材料。这里，作为构成围堰材料的材料，由于需要在形成后具备透光性和疏液性，因此优选使用丙烯酸树脂、聚亚酰胺树脂、聚烯烃树脂、密胺树脂等高分子材料。从烧成工序的耐热性、透过率的观点考虑，更优选使用具有无机骨架的聚硅氮烷。此后，为了使该围堰材料具有疏液性，实施CF4等离子体处理等(使用了具有氟成分的气体的等离子体处理)。另外，取代此种处理，而在围堰的原材料自身中预先填充疏液成分(氟基等)也是理想的做法。该情况下，可以省略CF4等离子体处理等。作为被如上所示地疏液化了的围堰材料的与功能液L的接触角，最好确保在40°以上。
然后，形成达到1个象素间距的1/20～1/10的源·漏电极用围堰34d。具体来说，首先，利用光刻处理，在涂布于栅极绝缘膜39的上面的围堰材料34的与源电极43对应的位置上，形成源电极用形成区域43a，同样地在与漏电极44对应的位置上，形成漏电极用形成区域44a。此时，划分漏电极用形成区域43a的围堰的内侧面部的高度与所述实施方式1相同，低于划分与源极布线42对应的源极布线用形成区域的围堰的内侧面的高度(图示略)。
这样，就能够防止在所述源极布线42及源电极43之间的膜厚差。
然后，在形成于源/漏电极用围堰34d上的源电极用形成区域43a及漏电极用形成区域44a中配置功能液L，形成源电极43及漏电极44。具体来说，首先，利用液滴喷出装置IJ，在源极布线用形成区域配置功能液L(图示略)。源电极用形成区域43a的宽度H5如图6所示，被制成小于源极布线用槽部的宽度H6。由此，配置于源极布线用槽部中的功能液L就被设于源极布线中的节流部暂时地阻挡，因毛细管现象而流入源电极用形成区域43a。此时，通过采用本发明的膜图案形成方法，就可以大致上消除源电极43和源极布线42之间的膜厚差。这样，就如图7(c)所示，形成源电极43。另外，向漏电极用形成区域喷出功能液而形成漏电极44(未图示)。
然后，在如图7(c)所示，形成了源电极43及漏电极44后，将源·漏电极用围堰34d除去。此后，将残留于接触层47上的源电极43及漏电极44分别作为掩模，蚀刻形成于源电极43及漏电极44之间的接触层47的n+型硅膜。利用该蚀刻处理，形成于源电极43及漏电极44之间的接触层47的n+型的硅膜被除去，露出形成于n+型硅膜的下层的无定形硅膜46的一部分。像这样，在源电极43的下层，形成由n+型硅构成的源区域32，在漏电极44的下层，形成由n+型硅构成的漏区域33。此外，在这些源区域32及漏区域33的下层，形成由无定形硅构成的沟道区域(无定形硅膜46)。
利用以上说明的工序，形成底栅极型的TFT30。
通过利用本实施方式的图案形成方法，就可以使栅极布线40和栅电极41的膜厚相同，并且以相同膜厚形成源极布线42和源电极43。其结果是，可以使晶体管特性稳定化，具备该晶体管的象素可以成为可靠性高的象素。
然后，如图7(d)所示，在源电极43、漏电极44、源区域32、漏区域33及露出的硅层上，利用蒸镀法、溅射法等形成钝化膜38(保护膜)。接下来，利用光刻处理及蚀刻处理，将形成后述的象素电极45的栅极绝缘膜39上的钝化膜38除去。同时，为了将象素电极45与源电极43电连接，在漏电极44上的钝化膜38上形成接触孔49。
然后，如图7(e)所示，在包括形成象素电极45的栅极绝缘膜39的区域中，涂布围堰材料。这里，围堰材料如上所述，含有丙烯酸树脂、聚亚酰胺树脂、聚硅氮烷等材料。接下来，对该围堰材料(象素电极用围堰34e)上面，利用等离子体处理等实施疏液处理。然后，利用光刻处理，形成划分形成有象素电极45的区域的象素电极用围堰34e。
然后，利用喷墨法、蒸镀法等，在由所述象素电极用围堰34e划分的区域中形成由ITO(Indium Tin Oxide)制成的象素电极45。另外，通过将象素电极45填充于所述的接触孔49中，来确保象素电极45与漏电极44的电连接。而且，在本实施方式中，对象素电极用围堰34e的上面实施疏液处理，并且对所述象素电极用槽部实施亲液处理。由此，就可以使象素电极45不从象素电极用槽部中伸出地形成。
如上说明所示，可以形成图6所示的本实施方式的象素构造250。
(电光学装置)下面，对作为具备利用具有所述围堰构造的膜图案形成方法形成的象素构造(设备)250的本发明的电光学装置的一个例子的液晶显示装置进行说明。
图8是从与各构成要素一起表示的对置基板侧看到的本发明的液晶显示装置的俯视图。图9是沿着图8的H-H’线的剖面图。图10是在液晶显示装置的图像显示区域中被以矩阵状形成的多个象素的各种元件、布线等的等价电路图，而且，在以下的说明中所使用的各图中，为了将各层或各构件设为能够在图面上识别的程度的大小，对于各层或各构件采用了不同的比例尺。
在图8及图9中，本实施方式的液晶显示装置(电光学装置)100将构成一对的TFT阵列基板10与对置基板20利用作为光硬化性的封堵材料的密封材料52贴合，在由该密封材料52划分的区域内封入、保持液晶50。
在密封材料52的形成区域的内侧的区域中，形成有由遮光性材料构成的周边分型面53。在密封材料52的外侧的区域中，沿着TFT阵列基板10的一边形成有数据线驱动电路201及安装端子202，沿着与该一边相邻的两边形成有扫描线驱动电路204。在TFT阵列基板10的剩下的一边上，设有用于将设于图像显示区域的两侧的扫描线驱动电路204之间连接的多条布线205。另外，在对置基板20的角部的至少一个部位上，配设有用于在TFT阵列基板10和对置基板20之间形成电导通的基板间导通材料206。
而且，也可以不是将数据线驱动电路201及扫描线驱动电路204形成于TFT阵列基板10上，而是例如将安装了驱动用LSI的TAB(TapeAutomated Bonding)基板和形成于TFT阵列基板10的周边部的端子组借助异向性导电膜电气地及机械地连接。而且，在液晶显示装置100中，根据所使用的液晶50的种类，即，TN(Twisted Nematic)模式、C-TN法、VA方式、IPS方式模式等动作模式、常白模式/常黑模式的区别，沿规定的朝向配置相位差片、偏光片等，然而在这里将图示省略。
另外，在将液晶显示装置100作为彩色显示用而构成的情况下，在对置基板20中，在与TFT阵列基板10的后述的各象素电极相面对的区域，例如将红(R)、绿(G)、蓝(B)的滤色片与其保护膜一起形成。
在具有此种构造的液晶显示装置100的图像显示区域中，以矩阵状构成了多个象素100a，并且在这些象素100a的各自上，形成有象素开关用的TFT(开关元件)30，供给象素信号S1、S2、…、Sn的数据线6a被与TFT30的源极电连接。写入数据线6a的象素信号S1、S2、…、Sn既可以被以该顺序依照线次序供给，也可以向相邻的多条数据线6a中成组地供给。另外，在TFT30的栅极上电连接有扫描线3a，在规定的时刻，向扫描线3a脉冲性地将扫描信号G1、G2、…、Gm以该顺序依照线次序施加。
象素电极19被与TFT30的漏极电连接，通过在一定期间将作为开关元件的TFT30设为开状态，将由数据线6a供给的象素信号S1、S2、…、Sn在规定的时刻写入各象素。被像这样经过象素电极19写入了液晶的规定电平的象素信号S1、S2、…、Sn在一定期间内被保持于其与图9所示的对置基板20的对置电极121之间。而且，为了防止被保持了的象素信号S1、S2、…、Sn泄漏，与形成于象素电极19和对置电极121之间的液晶电容并联地附加有存储电容60。例如，象素电极19的电压被存储电容60以比施加源电压的时间长3个量级的时间保持。这样，电荷的保持特性就被改善，可以实现对比度高的液晶显示装置100。
图11是具备利用所述围堰构造及图案形成方法形成的象素的有机EL装置的侧剖面图。以下，将在参照图11的同时，对有机EL装置的概略构成进行说明。
图11中，有机EL装置401是在由基板411、电路元件部421、象素电极431、围堰部441、发光元件451、阴极461(对置电极)及封堵基板471构成的有机EL元件402上，连接了柔性基板(图示略)的布线及驱动IC(图示略)的装置。电路元件部421是在基板411上形成了作为有源元件的TFT60，在电路元件部421上整齐地排列了多个象素电极431而构成的。此外，构成TFT60的栅极布线61被利用所述的实施方式的布线图案的形成方法形成。
在各象素电极431之间以格子状形成有围堰部441，在利用围堰部441产生的凹部开口444中，形成有发光元件451。而且，发光元件451由进行红色的发光的元件、进行绿色的发光的元件和进行蓝色的发光的元件构成，由此，有机EL装置401就成为实现彩色显示的装置。阴极461被形成于围堰部441及发光元件451的上部全面，在阴极461之上层叠有封堵用基板471。
包括有机EL元件的有机EL装置401的制造程序具备形成围堰部441的围堰部形成工序、用于恰当地形成发光元件451的等离子体处理工序、形成发光元件451的发光元件形成工序、形成阴极461的对置电极形成工序、将封堵用基板471层叠于阴极461上而封堵的封堵工序。
发光元件形成工序是在凹部开口444，即象素电极431上形成空穴注入层452及发光层453而形成发光元件451的工序，具备空穴注入层形成工序和发光层形成工序。此外，空穴注入层形成工序具有将用于形成空穴注入层452的液状体材料向各象素电极431上喷出的第1喷出工序、使所喷出的液状体材料干燥而形成空穴注入层452的第1干燥工序。另外，发光层形成工序还具有将用于形成发光层453的液状体材料向空穴注入层452之上喷出的第2喷出工序、使所喷出的液状体材料干燥而形成发光层453的第2干燥工序。而且，发光层453被利用如前所述地与红、绿、蓝三色对应的材料形成三种，所以，所述第2喷出工序由于是将三种材料分别喷出，因此由3个工序构成。
在该发光元件形成工序中，在空穴注入层形成工序的第1喷出工序、发光层形成工序的第2喷出工序中可以使用所述的液滴喷出装置IJ。这样，即使对于具有微细的膜图案的情况，也可以获得均一的膜图案。
根据本发明的电光学装置，由于具备具有高精度的电气特性等的设备，因此可以实现获得了质量和性能的提高的电光学装置。
另外，作为本发明的电光学装置，除了所述的以外，还可以适用于PDP(等离子体显示器面板)或利用如下现象的表面传导型电子发射元件等，即，在形成于基板上的小面积的薄膜中，通过与膜面平行地流过电流，而产生电子发射。
(电子机器)下面，对本发明的电子机器的具体例进行说明。
图12是表示了携带电话的一个例子的立体图。图12中，600表示携带电话主体，601表示具备了所述实施方式的液晶显示装置的液晶显示部。
图12所示的电子机器由于具备了利用具有所述实施方式的围堰构造的图案形成方法形成的液晶显示装置，因此可以获得高质量和性能。
而且，虽然本实施方式的电子机器采用了具备液晶装置的电子机器，然而也可以采用具备有机电致发光显示装置、等离子体型显示装置等其他的电光学装置的电子机器。
而且，除了所述的电子机器以外，还可以适用于各种各样的电子机器。例如，可以适用于液晶投影仪、对应于多媒体的个人计算机(PC)及工程·工作站(EWS)、寻呼机、文字处理器、电视、取景器型或监视器直视型的摄像机、电子记事簿、台式电子计算机、导航装置、POS终端、具备了触摸面板的装置等电子机器。
以上，虽然在参照附图的同时对本发明的优选的实施方式例进行了说明，然而本发明应当说并不限定于该例子。在所述的例子中所示的各构成构件的诸形状或组合等只是一个例子，在不脱离本发明的主旨的范围内，可以基于设计要求进行各种变更。
例如，在所述实施方式中，利用光刻处理及蚀刻处理，形成了所需的围堰构造(例如第1图案形成区域等)。也可以与之不同，取代所述形成方法，而通过使用激光对围堰进行图案处理，来形成所需的槽部。
权利要求
1.一种围堰构造，是划分配置功能液的图案形成区域的围堰构造，其特征在于，所述图案形成区域具备第1图案形成区域、与该第1图案形成区域连接并且宽度比所述第1图案形成区域小的第2图案形成区域，划分所述第2图案形成区域的围堰的内侧面部的高度，低于划分所述第1图案形成区域的围堰的内侧面部的高度。
2.根据权利要求1所述的围堰构造，其特征在于，在所述第1图案形成区域中，设置有对配置于该第1图案形成区域的功能液向所述第2图案形成区域的流入量进行调节的干涉部，该干涉部与所述第1图案形成区域的未设置所述干涉部的部分相比宽度小，并且划分所述干涉部的围堰的内面部的高度，低于划分所述第1图案形成区域的未设置所述干涉部的部分的围堰的内面部的高度。
3.一种膜图案的形成方法，是将功能液配置于基板上而形成膜图案的方法，其特征在于，具备在所述基板上设置围堰形成材料的工序；由该围堰形成材料形成包括第1图案形成区域、第2图案形成区域的围堰构造的工序，其中，所述第1图案形成区域是由围堰划分的沟状区域，所述第2图案形成区域是与该第1图案形成区域相连，并且所述第1图案形成区域的宽度小，由内侧面部的高度比划分所述第1图案形成区域的围堰的内侧面部的高度低的围堰划分的沟状区域；通过在所述第1图案形成区域中配置功能液，利用毛细管现象，将所述功能液从所述第1图案形成区域向所述第2图案形成区域配置的工序；对配置于所述第1图案形成区域及所述第2图案形成区域的功能液进行硬化处理而形成膜图案的工序。
4.根据权利要求3所述的膜图案的形成方法，其特征在于，在利用光刻法形成所述围堰时，在对划分所述第2图案形成区域的围堰的内侧面部使用半色调掩模曝光后，进行显影处理。
5.一种设备，其特征在于，具备权利要求1或2所述的围堰构造体、以及形成于该围堰构造体的所述第1图案形成区域及所述第2图案区域的膜图案。
6.根据权利要求5所述的设备，其特征在于，将形成于所述第1图案形成区域的膜图案作为栅极布线，将形成于所述第2图案形成区域的膜图案作为栅电极。
7.根据权利要求6所述的设备，其特征在于，将形成于所述第1图案形成区域的膜图案作为源极布线，将形成于所述第2图案形成区域的膜图案作为源电极。
8.一种电光学装置，其特征在于，具备权利要求5～7中任意一项所述的设备。
9.一种电子机器，其特征在于，具备权利要求8所述的电光学装置。
全文摘要
本发明提供消除了布线宽度不同的布线图案中的膜厚差的围堰构造体、膜图案形成方法、设备、电光学装置及电子机器。本发明的围堰构造是将功能液(L)所配置的图案形成区域(P)划分的围堰构造(1)，图案形成区域(P)具备第1图案形成区域(55)、与该第1图案形成区域(55)连接并且与第1图案形成区域(55)相比宽度更小的第2图案形成区域(56)。划分第2图案形成区域(56)的围堰(34b)的内侧面部(56b)的高度低于划分第1图案形成区域(55)的围堰(34a)的内侧面部(55a)的高度。
文档编号H01L21/768GK1866469SQ20061008198
公开日2006年11月22日 申请日期2006年5月16日 优先权日2005年5月16日
发明者守屋克之, 平井利充 申请人:精工爱普生株式会社