专利名称：利用抗反射涂层作为注入阻挡层的制造集成电路的方法
技术领域：
本发明涉及集成电路的制造方法，且更具体而言涉及一种被用来制造集成电路的注入工艺。
背景技术：
集成电路被广泛地用于许多家用、商用和其他的应用。如本领域的技术人员众所周知的，集成电路包括在比如半导体衬底的集成电路衬底中的大量的比如晶体管的有源器件。如本领域的技术人员所公知的，集成电路制造可以包括大量的掩模工艺，其选择性地暴露了集成电路衬底和/或其上的层的区域。可以通过所暴露的掩模的区域将掺杂剂和/或其他的物质注入到集成电路衬底和/或其上的层中。例如，在也被称为绝缘栅场效应晶体管、MOSFET或CMOS器件的集成电路场效应晶体管的制造中，已知利用各种掩模将掺杂剂选择性地注入集成电路衬底的有源区中。不幸的是，随着集成电路器件的集成密度和/或复杂度继续增加，掩模步骤的数量也不期望地增加和/或难于使用传统的材料来形成这些器件。
在制造集成电路晶体管中，已知使用第一掩模和第一栅间隔物来形成源极/漏极延伸区、也被称为延伸区或晕区。已知使用第二掩模和第二栅间隔物来形成源极/漏极区域。
具体而言，参考图1A，在注入第一掺杂剂110中可以使用第一掩模100，以在绝缘栅120的相对侧形成延伸区130，同时遮蔽其他的器件140。随后，如图1B所示，可以结合侧壁间隔物160和第二掩模150，以注入源极/漏极掺杂剂180，且由此形成源极/漏极区170。
发明内容
根据本发明的某些实施例，集成电路晶体管可以通过以下方法制造在集成电路衬底中形成包括其上的第一绝缘栅的第一有源区和包括其上的第二绝缘栅的第二有源区。在第二有源区上选择性地形成注入阻挡掩模。然后将延伸掺杂剂注入到第一绝缘栅的相对侧上的第一有源区中，以形成源极延伸区和漏极延伸区，同时注入阻挡掩模阻挡掺杂剂进入第二有源区。然后在第一有源区上形成抗反射涂层。然后在第一有源区上定向地蚀刻抗反射涂层，以在第一绝缘栅的相对侧壁上形成抗反射涂层侧壁间隔物，同时在第二有源区上保留注入阻挡掩模。然后将源极/漏极掺杂剂注入到第一绝缘栅的相对侧上的第一有源区中，以形成源极区和漏极区，同时该注入阻挡掩模阻挡该掺杂剂进入该第二有源区，且抗反射涂层侧壁间隔物阻挡至少一些源极/漏极掺杂剂进入抗反射涂层侧壁间隔物下的第一有源区，且源极延伸区和漏极延伸区保留在抗反射涂层侧壁间隔物下。然后去除注入阻挡掩模和抗反射涂层侧壁间隔物。
在本发明的某些实施例中，在第二有源区上形成注入阻挡掩模通过在第一和第二有源区上毯式形成注入阻挡层和从第一有源区去除注入阻挡层来进行。在某些实施例中，注入阻挡掩模包括光致抗蚀剂。在这些实施例中，通过相对于光致抗蚀剂选择性地定向蚀刻抗反射涂层，可以蚀刻第一有源区上的抗反射涂层来形成抗反射涂层侧壁间隔物。
在本发明的某些实施例中，在形成注入阻挡掩模之前，在第一和第二绝缘栅的侧壁上形成氧化物侧壁间隔物。然后通过将延伸掺杂剂以倾斜角度注入到第一有源区中进行注入延伸区掺杂剂，以延伸氧化物侧壁间隔物下的源极延伸区和漏极延伸区。在这些实施例中，进行了第一有源区上的抗反射涂层的定向蚀刻，以在第一绝缘栅的相对侧壁上的氧化物侧壁间隔物上形成抗反射涂层侧壁间隔物，同时在第二有源区上保留注入阻挡掩模。然后可以去除注入阻挡掩模和抗反射涂层侧壁间隔物，同时保留氧化物侧壁间隔物。然后可以在保留的氧化物侧壁间隔物上形成氮化物侧壁间隔物。
在本发明的其它实施例中，在第一有源区上形成抗反射涂层，且在第二有源区上形成注入阻挡掩模。然后在第一有源区上定向蚀刻抗反射涂层，同时从第二有源区上的注入阻挡掩模去除抗反射涂层，以形成抗反射涂层侧壁间隔物，同时保留第二有源区上的注入阻挡掩模。
在本发明的另一些实施例中，抗反射涂层侧壁间隔物可以被用于制造集成电路晶体管中的任何期望的注入阻挡。因此，在这些实施例中，形成了包括第一绝缘栅的第一有源区和包括第二绝缘栅的第二有源区，且在第二有源区上形成了注入阻挡掩模。在第一有源区上形成抗反射涂层且将其定向蚀刻以在第一绝缘栅的相对侧壁上形成抗反射涂层侧壁间隔物，同时在第二有源区上保留注入阻挡掩模。然后将源极/漏极掺杂剂注入到第一绝缘栅的相对两侧上的第一有源区中，以形成源极区和漏极区，同时注入阻挡掩模阻挡源极/漏极掺杂剂进入第二有源区，且抗反射涂层侧壁间隔物阻挡至少一些源极/漏极掺杂剂进入抗反射涂层侧壁间隔物下的第一有源区。然后可以去除注入阻挡掩模和抗反射涂层侧壁间隔物。可以如上述形成注入阻挡掩模。也可以如上述提供氧化物侧壁间隔物和/或侧壁间隔物，且可以如上述在第一有源区上形成抗反射涂层。
因此，本发明的某些实施例可以在集成电路晶体管的制造过程中使用构图的抗反射涂层作为选择注入阻挡层。在某些实施例中，构图的抗反射涂层被用作栅侧壁间隔物，以阻挡至少一些掺杂剂进入栅侧壁间隔物下的集成电路衬底。还可以使用构图的抗反射涂层作为其他集成电路制造工艺中的选择注入阻挡层。
图1A和1B是在中间制造步骤中制造集成电路晶体管的传统制造方法的侧剖面图。
图2-6是在根据本发明的各种实施例的中间制造步骤中根据本发明的各种实施例制造的集成电路晶体管的侧剖面图。
具体实施例方式
现将参考其中显示本发明的示范性实施例的附图在其后更加全面地描述本发明。然而，本发明可以以许多不同的形式实现且不应解释为限于这里所阐释的示范性实施例。相反，提供这些实施例使得本公开充分和完整，且向那些本领域的技术人员全面地传达本发明的范围。在附图中，为了清晰夸大了层和区域的尺寸和相对尺寸。另外，这里所描述和示出的每个实施例也包括其互补导电型的实施例。通篇相似的附图标记指示相似的元件。
可以理解当元件或层被称为在另一元件或层“上”、“连接到”和/或“耦合到”另一元件或层时，它可以直接在其他元件或层上或连接到、耦合到另一元件或层，或者可以存在中间的元件或层。相反，当元件被称为“直接”在其他元件“上”、“直接”“连接到”和/或“直接”“耦合到”另一元件或层时，则没有中间元件或层存在。这里所用的术语“和/或”包括相关列举项目的一个或更多的任何和所有组合。
可以理解虽然术语第一、第二和第三可以用于此来描述各种元件、部件、区域、层和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层和/或部分应不受这些术语限制。这些术语只用于区分一个元件、部件、区域、层或部分与其他元件、部件、区域、层或部分。因此，以下讨论的第一元件、部件、区域、层或部分可以被称为第二元件、部件、区域、层或部分，而不背离本发明的教导。
在这里为了描述的方便，可以使用空间相对术语，诸如“下面”、“下方”、“下”、“上方”、“上”等，来描述一个元件或特征和其他元件或特征如图中所示的关系。可以理解空间相对术语旨在包含除了在图中所绘的方向之外的装置在使用或操作中的不同方向。例如，如果在图中的装置被翻转，被描述为在其他元件或特征的“下方”或“下面”的元件则应取向在所述其他元件或特征的“上方”。因此，示范性术语“下方”可以包含下方和上方两个方向。装置也可以有其它取向(旋转90度或其它取向)且相应地解释这里所使用的空间相对描述语。
这里所使用的术语是只为了描述特别的实施例的目的且不旨在限制本发明。如这里所用，“一”、“该”等单数形式也旨在包括复数形式，除非内容清楚地指示另外的意思。可以进一步理解当在此说明书中使用时术语“包括”和/或“包含”说明所述特征、区域、整体、步骤、操作、元件和/或组分的存在，但是不排出存在或添加一个或更多其他特征、区域、整体、步骤、操作、元件、组分和/或其组。
参考横截面图示在这里描述了本发明的实施例，该图示是本发明的理想实施例(和中间结构)的示意图。因此，可以预期由于例如制造技术和/或公差引起的图示的形状的变化。因此，本发明的实施例不应解释为限于这里所示的特别的区域形状，而是包括由于例如由制造引起的形状的偏离。例如，被示为矩形的注入区将通常具有倒圆或弯曲的特征和/或在其边缘具有注入浓度的梯度而不是从注入区到非注入区的二元变化。相似地，由注入形成的埋入区可以引起埋入区和通过其进行注入的表面之间的区域中的某些注入。因此，图中示出的区域本质上是示意性的且它们的形状不旨在示出器件区域的实际形状且不旨在限制本发明的范围，除非这里清楚地如此界定。
除非另有界定，这里使用的所有术语(包括技术和科学术语)具有本发明属于的领域的普通技术人员共同理解的相同的意思。还可以理解诸如那些在共同使用的字典中定义的术语应解释为一种与在相关技术和本公开的背景中的它们的涵义一致的涵义，而不应解释为理想化或过度正式的意义，除非在这里明确地如此界定。
本发明的一些实施例来自于以下认识当将源极/漏极延伸掺杂剂注入第一有源区且当将源极/漏极掺杂剂注入第一有源区时，可以使用单个掩模作为第二有源区上的注入阻挡掩模。因此，可以减少掩模和掩模步骤的数量。
另外，在本发明的一些实施例中，在制造集成电路晶体管的过程中使用了构图的抗反射涂层(ARC)作为选择性注入阻挡层。抗反射涂层(ARC)对于本领域的技术人员是公知的，且还可以被称为底抗反射涂层(BARC)和/或顶抗反射涂层(TARC)。抗反射涂层通常在光致抗蚀剂上方和/或下方以提供了更大的光学反射率控制且由此允许改善的光学成像。出于光学目的的抗反射涂层的制造和使用对于本领域的技术人员是公知的，且不需在此进一步描述。
在一些实施例中，抗反射涂层可以被用作栅侧壁间隔物来阻挡至少一些掺杂剂进入栅侧壁间隔物下的集成电路衬底。由此，通常形成于光致抗蚀剂上的用于光学目的的抗反射涂层还可以被用来形成用于注入阻挡目的的侧壁间隔物。
图2-6是在根据本发明的各种实施例的中间制造步骤中根据本发明的各种实施例制造的集成电路晶体管的侧剖面图。
具体而言，参考图2，在集成电路衬底200中形成了第一有源区202和第二有源区204。集成电路衬底200可以包括在其上具有一层或多层外延层的单质和/或化合物半导体衬底，和/或可以包括在衬底上的单质和/或化合物半导体层。集成电路衬底200的示例包括硅半导体衬底和绝缘体上硅(SOI)衬底。集成电路衬底200的制造方法对于本领域的技术人员是公知的，且不需在此进一步描述。另外，第一和第二有源区202和204可以使用比如浅沟槽隔离区的隔离区206和/或其他对于本领域的技术人员而言公知的常规技术来界定。有源区202和204可以具有相同的导电型，或可以具有相对的导电型以形成CMOS器件。
仍参考图2，第一有源区202包括其上的第一绝缘栅212，第二有源区204包括其上的第二绝缘栅214。绝缘栅212和214均可以包括栅绝缘层216和栅电极218，栅绝缘层216可以具有相同和/或不同的组成和/或厚度，栅电极218可以包括具有相同和/或不同的组成和/或厚度的一层以上的子层。绝缘栅的制造对于本领域的技术人员是公知的，且不需在此进一步描述。还如图2所示，绝缘栅212和214可以包括分别在第一和第二绝缘栅212和214的相对侧壁212s、214s上的第一侧壁间隔物222。第一侧壁间隔物222可以包括二氧化硅且还可以被称为氧化物侧壁间隔物。第一侧壁间隔物222的设计和制造对于本领域的技术人员是公知的，且不需在此进一步描述。
仍参考图2，在第二有源区204上而不在第一有源区202上选择性地设置注入阻挡掩模230。在一些实施例中，注入阻挡掩模230可以包括光致抗蚀剂且可以通过在第一和第二有源区202和204上毯状地形成光致抗蚀剂层、然后从第一有源区202去除光致抗蚀剂来制造。
仍参考图2，然后将延伸掺杂剂240注入到第一绝缘栅212的相对侧上的第一有源区202中，以形成源极和漏极延伸区250。如图2所示，注入阻挡掩模230选择性地阻挡掺杂剂进入第二有源区204。还如图2所示，掺杂剂240的注入可以以相对于衬底200的倾斜角来进行，从而延伸区250在第一侧壁间隔物222下延伸。然而在其他实施例中，延伸区250不需以倾斜角注入和/或延伸区250不需在第一侧壁间隔物222和/或第一绝缘栅212下延伸。延伸区250的设计和制造对于本领域的技术人员是公知的，且不需在此进一步描述。另外，可以基于晶体管的期望的导电型和/或对于本领域的技术人员公知的其他设计和/或工艺准则来选择掺杂剂240和注入参数。
现参考图3，在第一有源区202上形成抗反射涂层310。在一些实施例中，如图3所示，在第一和第二有源区202和204上均毯式地形成抗反射涂层310。
现参考图4，然后定向地蚀刻抗反射涂层310，以在第一绝缘栅212的相对侧壁212s上形成抗反射涂层侧壁间隔物410，同时在第二有源区204上保留注入阻挡掩模230。利用反应离子蚀刻和/或其他传统的定向蚀刻技术可以进行抗反射涂层310的定向(各向同性)蚀刻来形成抗反射涂层侧壁间隔物410。还如图4所示，还可以在注入阻挡掩模230的侧壁上形成包括抗反射涂层材料的侧壁间隔物412。还可以理解的是，当注入阻挡掩模230包括光致抗蚀剂时，通过相对于光致抗蚀剂注入阻挡掩模230来选择性地定向蚀刻图3的抗反射涂层310，可以进行图4的定向蚀刻。相对于光致抗蚀剂的抗反射涂层的选择性蚀刻对于本领域的技术人员是公知的，且不需在此进一步描述。
现参考图5，然后将源极/漏极掺杂剂510注入到第一绝缘栅212的相对侧上的第一有源区212中，以形成源极和漏极区520，同时注入阻挡掩模230阻挡源极/漏极掺杂剂510进入第二有源区204，且抗反射涂层侧壁间隔物410阻挡至少一些源极/漏极掺杂剂510进入抗反射涂层侧壁间隔物410下的第一有源区202，且在抗反射涂层侧壁间隔物410下保留的源极/漏极延伸区250’。本领域的技术人员可以理解源极/漏极掺杂剂510和/或注入参数可以取决于晶体管期望的特性和/或制造工艺。因此，如图5所示，注入阻挡掩模230除了阻挡晕注入剂240注入第一有源区204之外，还可以被用来阻挡源极/漏极掺杂剂进入第一有源区204，如图2所示。
最后，参考图6，去除了注入阻挡掩模230和抗反射涂层侧壁间隔物410。利用对于本领域的技术人员公知的干法/湿法抗蚀剂剥离工艺可以提供注入阻挡掩模230和抗反射涂层侧壁间隔物410的去除。在一些实施例中，利用对于本领域的技术人员公知的技术形成用于随后的硅化物接触结构的氮化物侧壁间隔物610。在图6的一些实施例中，还可以去除氧化物间隔物222。在一些实施例中，可以保留氧化物间隔物222，如图6所示。在其他实施例中，不需去除抗反射涂层侧壁间隔物410，而将其保留在最终的器件中。
在本发明的其他实施例中，不需在形成图2的延伸区之后制造图4中的抗反射涂层侧壁间隔物410。另外，在一些实施例中，图4的抗反射涂层侧壁间隔物410可以被用于在图5中来进行源极/漏极掺杂剂的任何期望的注入，比如用于源极/漏极区自身、用于延伸区、用于接触区和/或用于任何于源极/漏极相关的其他掺杂区。在本发明的其他实施例中，图4的抗反射涂层侧壁间隔物410可以被用来阻挡至少一些掺杂剂进入栅侧壁间隔物下，而不使用注入阻挡掩模230。在其他实施例中，当形成不与绝缘栅场效应晶体管的源极/漏极区相关的其他区域时，构图的抗反射涂层可以被用来选择性地阻挡注入剂。而是，构图的抗反射涂层可以在集成电路晶体管制造的任何工艺步骤中被用作选择性注入阻挡层。最后，这里所述的本发明的实施例可以以各种组合和子组合来组合。
因此，本发明的一些实施例通过在制造场效应晶体管的源极/漏极延伸区和源极/漏极区中使用同一光掩模而可以减少绝缘栅场效应晶体管制造中光掩模的总数，和/或可以使用常规用于光学目的抗反射涂层来用于注入阻挡目的。由此可以提供更高效的制造集成电路晶体管的方法。
在附图和说明书中，已经披露了本发明的实施例，尽管使用了具体的术语，但是它们仅以上位和描述性的意思来被使用，且不用于限制的目的，本发明的范围由权利要求来阐述。
权利要求
1.一种集成电路晶体管的制造方法，包括在集成电路衬底中形成包括其上的第一绝缘栅的第一有源区和包括其上的第二绝缘栅的第二有源区；在该第二有源区上选择性地形成注入阻挡掩模；将延伸掺杂剂注入到该第一绝缘栅的相对侧上的第一有源区中，以形成源极延伸区和漏极延伸区，同时该注入阻挡掩模阻挡该掺杂剂进入该第二有源区；在该第一有源区上形成抗反射涂层；在该第一有源区上定向地蚀刻该抗反射涂层，以在该第一绝缘栅的相对侧壁上形成抗反射涂层侧壁间隔物，同时在该第二有源区上保留该注入阻挡掩模；将源极/漏极掺杂剂注入到该第一绝缘栅的相对侧上的第一有源区中，以形成源极区和漏极区，同时该注入阻挡掩模阻挡该源极/漏极掺杂剂进入该第二有源区，且该抗反射涂层侧壁间隔物阻挡至少一些该源极/漏极掺杂剂进入该抗反射涂层侧壁间隔物下的第一有源区，且该源极延伸区和漏极延伸区保留在该抗反射涂层侧壁间隔物下；且去除该注入阻挡掩模和该抗反射涂层侧壁间隔物。
2.根据权利要求1所述的方法，其中在该第二有源区上选择性地形成该注入阻挡掩模包括在该第一和第二有源区上毯式地形成注入阻挡层；和从该第一有源区去除该注入阻挡层。
3.根据权利要求1所述的方法，其中在形成该注入阻挡掩模之前，在该第一和第二绝缘栅的侧壁上形成氧化物侧壁间隔物；其中将延伸掺杂剂注入到该第一绝缘栅的相对侧上的第一有源区中以形成源极延伸区和漏极延伸区包括将该延伸掺杂剂以倾斜角度注入到该第一有源区中以延伸氧化物侧壁间隔物下的源极延伸区和漏极延伸区；和其中在该第一有源区上定向地蚀刻该抗反射涂层包括定向蚀刻该第一有源区上的抗反射涂层，以在该第一绝缘栅的相对侧壁上的氧化物侧壁间隔物上形成抗反射涂层侧壁间隔物，同时在该第二有源区上保留该注入阻挡掩模。
4.根据权利要求3所述的方法，其中去除该注入阻挡掩模和该抗反射涂层侧壁间隔物包括去除该注入阻挡掩模和该抗反射涂层侧壁间隔物，同时保留该氧化物侧壁间隔物；和去除该注入阻挡掩模和该抗反射涂层侧壁间隔物之后，在该保留的氧化物侧壁间隔物上形成氮化物侧壁间隔物。
5.根据权利要求1所述的方法，其中该注入阻挡掩模包括光致抗蚀剂。
6.根据权利要求5所述的方法，其中在该第一有源区上定向地蚀刻抗反射涂层，以在该第一绝缘栅的相对侧壁上形成抗反射涂层侧壁间隔物，同时在该第二有源区上保留该注入阻挡掩模包括相对于该光致抗蚀剂选择性地定向蚀刻该抗反射涂层。
7.根据权利要求1所述的方法，其中在该第一有源区上形成抗反射涂层包括在该第一有源区上且在该第二有源区上的注入阻挡掩模上毯式形成抗反射涂层；和其中在该第一有源区上定向蚀刻该抗反射涂层包括在该第一有源区上定向蚀刻该反射涂层，同时从该第二有源区上的注入阻挡掩模以去除该抗反射涂层的至少一些，以在该第一绝缘栅的相对侧壁上形成该抗反射涂层侧壁间隔物，同时保留该第二有源区上的该注入阻挡掩模。
8.一种集成电路晶体管的制造方法，包括在集成电路衬底中形成包括其上的第一绝缘栅的第一有源区和包括其上的第二绝缘栅的第二有源区；在该第二有源区上选择性地形成注入阻挡掩模；在该第一有源区上形成抗反射涂层；在该第一有源区上定向地蚀刻抗反射涂层，以在该第一绝缘栅的相对侧壁上形成抗反射涂层侧壁间隔物，同时在该第二有源区上保留该注入阻挡掩模；将源极/漏极掺杂剂注入到该第一绝缘栅的相对侧上的第一有源区中，以形成源极区和漏极区，同时该注入阻挡掩模阻挡该掺杂剂进入该第二有源区，且该抗反射涂层侧壁间隔物阻挡至少一些源极/漏极掺杂剂进入该抗反射涂层侧壁间隔物下的第一有源区，且该源极和漏极延伸区保留在该抗反射涂层侧壁间隔物下；且去除该注入阻挡掩模和该抗反射涂层侧壁间隔物。
9.根据权利要求8所述的方法，其中在该第二有源区上选择性地形成该注入阻挡掩模包括在该第一和第二有源区上毯式地形成注入阻挡层；和从该第一有源区去除该注入阻挡层。
10.根据权利要求8所述的方法，其中在形成该注入阻挡掩模之前，在该第一和第二绝缘栅的侧壁上形成氧化物侧壁间隔物；和其中在该第一有源区上定向地蚀刻抗反射涂层包括定向蚀刻该第一有源区上的抗反射涂层，以在该第一绝缘栅的相对侧壁上的氧化物侧壁间隔物上形成抗反射涂层侧壁间隔物，同时在该第二有源区上保留该注入阻挡掩模。
11.根据权利要求10所述的方法，其中去除该注入阻挡掩模和该抗反射涂层侧壁间隔物包括去除该注入阻挡掩模和该抗反射涂层侧壁间隔物，同时保留该氧化物侧壁间隔物；和去除该注入阻挡掩模和该抗反射涂层侧壁间隔物之后，在该保留的氧化物侧壁间隔物上形成氮化物侧壁间隔物。
12.根据权利要求8所述的方法，其中该注入阻挡掩模包括光致抗蚀剂。
13.根据权利要求12所述的方法，其中在该第一有源区上定向地蚀刻抗反射涂层，以在该第一绝缘栅的相对侧壁上形成抗反射涂层侧壁间隔物，同时在该第二有源区上保留该注入阻挡掩模，包括相对于该光致抗蚀剂选择性地定向蚀刻该抗反射涂层。
14.根据权利要求8所述的方法，其中在该第一有源区上形成抗反射涂层包括在该第一有源区上且在该第二有源区上的注入阻挡掩模上毯式地形成抗反射涂层；和其中在该第一有源区上定向蚀刻该抗反射涂层包括在该第一有源区上定向蚀刻该反射涂层，同时从该第二有源区上的注入阻挡掩模去除该抗反射涂层的至少一些，以在该第一绝缘栅的相对侧壁上形成该抗反射涂层侧壁间隔物，同时保留该第二有源区上的该注入阻挡掩模。
15.一种集成电路晶体管的制造方法，包括在制造集成电路晶体管的过程中使用构图的抗反射涂层作为选择注入阻挡层。
16.根据权利要求15所述的方法，其中在制造该集成电路晶体管的过程中使用构图的抗反射涂层作为选择注入阻挡层包括使用该构图的抗反射涂层作为栅侧壁间隔物以阻挡至少一些掺杂剂进入该栅侧壁间隔物下的集成电路衬底。
17.根据权利要求15所述的方法，其中使用该构图的抗反射涂层作为栅侧壁间隔物以阻挡至少一些掺杂剂进入该栅侧壁间隔物下的集成电路衬底包括在集成电路衬底中形成包括其上的绝缘栅的有源区；在该有源区上形成抗反射涂层；在该有源区上定向地蚀刻该抗反射涂层，以在该第一绝缘栅的相对侧壁上形成抗反射涂层侧壁间隔物；和将掺杂剂注入到该绝缘栅的相对侧上的有源区中，同时该抗反射涂层侧壁间隔物阻挡至少一些掺杂剂进入该抗反射涂层侧壁间隔物下的有源区。
全文摘要
本发明公开了一种集成电路晶体管的制造方法。在集成电路晶体管的制造过程中，构图的抗反射涂层可以被用作选择性的注入阻挡层。具体而言，该抗反射涂层可以被用作栅侧壁间隔物来阻挡至少一些掺杂剂进入栅侧壁间隔物下的集成电路衬底。另外，当制造集成电路晶体管的源极和漏极延伸区以及源极区和漏极区时，可以使用单个掩模。
文档编号H01L21/266GK1967807SQ200610144710
公开日2007年5月23日 申请日期2006年11月7日 优先权日2005年11月7日
发明者朴相真, 张钟光, 李锡圭, 洛瑟·多尼 申请人:三星电子株式会社, 因菲尼奥恩技术股份公司