专利名称：：用于化学机械平坦化的经设计的非聚合有机颗粒的制作方法用于化学机械平坦化的经设计的非聚合有机颗粒发明领域本发明涉及用于化学机械平坦化(CMP)的浆料设计，其包含经设计的(engineered)非聚合有机颗粒作为主要组分。本发明还涉及制备经设计的非聚合有机颗粒的方法，该经设计的非聚合有机颗粒可以用于CMP应用，和使用该经设计的非聚合有机颗粒的CMP方法.发明背景CMP是用于制造各种应用中的高M储器和逻辑装置的技术.集成电路中的半导体晶片、介电层、导线和屏蔽材料的纯村底表面和复杂表面必须进行抛光以达到一定的平坦度，这对于获得高密度的集成电路而言是极其重要的，通常，CMP技术由包括抛光机、^N"(垫片和浆料)和CMP后清洁在内的三个特定的主要部分组成.CMP浆料提供用于湿润并调节磨料、垫片和晶片表面之间相互作用的化学环境，以及緩和抛光表面上的;M^力.浆料在CMP工艺中起到关鍵作用并且决定生产效率和产品质量.本发明总的来说涉及半导体装置的制备，更特别地涉及用于金属(例如Cu)层和屏蔽材料(例如Ta、TaN等)的CMP的改进的浆料组合物.表面平坦度在微电子技术中是极其重要的.随着集成技术即将步入超大规模集成电路(ULSI)时代，CMP被竭力推荐作为满足当今平坦化要求的唯一可行的技术.当今CMP中一些非常重要的问题包括凹陷和侵蚀、腐蚀、表面的缺陷、抛光速率的控制和表面上不同材料的选择性.现有技术尝试达到如下的这些目标.美国专利号4，959，113公开了一种用水性浆料抛光金属表面的方法.该浆料组合物包含水，磨料，如Si02、A1203、Ti02、Zr02、Ce02、Sn02、SiC、TiC，以及含有IIA、IIIA、IVA或IVB族的任何阳离子和氯离子、溴离子、碘离子、硝酸根、硫酸根、磷酸根或高氯酸根的任何阴离子的盐。该专利还公开了用无机酸调节pH范围为1-6。美国专利号5，084，071公开了包含磨料粒，例如Si02、Ce02、Fe203、SiC、Si3N4、过渡金属螯合盐(例如EDTA盐)作为抛光促进剂的CMP浆料，所述磨料粒含有小于l。/。(w/w)的氧化铝。美国专利号5，114，437>^开了用于抛光铝衬底的CMP浆料，其包含平均粒度为0.2-0.51111的氧化铝、以及选自由硝酸铬(III)、硝酸镧、硝酸铵铈(III)和硝酸钕组成的组的抛光促进剂，美国专利号5，209，816>^开了一种用CMP浆料抛光含Al或Ti的金属层的方法，该浆料包含无机磨料、0.1-20体积％的11304和1-30体积％的11202。美国专利号5，225，034公开了用于抛光半导体晶片上的铜层以在该晶片上产生铜线的CMP浆料。该浆料包含AgN03、无机磨料粒和选自H202、HCIO、KCIO、K2Mn04或CH3COOOH的氧化剂，美国专利号5，340，370公开了用于抛光鴒或氮化钨膜的CMP浆料，其包含氧化剂如铁氰化钾、无机磨料粒、水，并且具有2-4的pH。美国专利号5，366，542公开了一种CMP浆料，其包含氧化铝磨料粒、选自由多M羧酸(EDTA)和钠盐或钾盐组成的组的螯合剂，并且进一步可以包含勃姆石或铝盐。美国专利号5，391，258公开了用于抛光硅、二氧化硅或硅酸盐复合材料的CMP浆料.该浆料除了无机磨料粒以外还包含过氧化氢和邻苯二甲酸氢钾。美国专利号5，516，346公开了用于钬膜的CMP浆料。该浆料包含氟化钾，无机磨料粒如二氧化珪，并且pIK8.美国专利号5，527，423公开了用于抛光金属层的浆料，其包含氧化剂如硝酸铁、含有至少50。/。Y相的氧化铝颗粒、非离子表面活性剂如聚烷M氧烷或聚氧化烯醚。美国专利号6，171，352公开了一种除了无机磨料粒以外还包含研磨促进剂的CMP浆料，其中所述研磨促进剂包括含有单氣基或氨基的化合物和任选的硝酸盐、以及粘度改进剂如聚丙烯酸或其共聚物。美国专利号6，258，721公开了一种使用金刚石颗粒作为磨料的CMP浆料，其包含成分如氧化剂、螯合剂、表面活性剂等。所有以上报导的CMP浆料均采用无机颗粒作为磨料，并且不能充分地控制凹陷和侵蚀、腐蚀、表面的缺陷、抛光速率以及表面上不同材料的选择性。制备CMP浆料的另一种方法是使用有机聚合颗粒作为磨料。所述含有有机聚合颗粒的磨料公开在美国专利号6，620，215中。此外，美国专利号6，S76，554教导了具有液体和许多抛光颗粒的CMP用浆料，其中所述抛光颗粒包含通过将聚合有机颗粒和无机颗粒进行热压缩而成的复合颗粒。然而，这些专利中无一教导或暗示了有机非聚合磨料粒在CMP浆料中的用途，也没有教导或暗示其出乎意料的优良性能，在未决美国专利申请序列号10/734,232中，在金属CMP浆料的配制中使用一组非聚合有机颗粒作为磨料。该发明强调了该颗粒的表面性质的重要性和使用这种非聚合有机颗粒配制金属CMP浆料的技术，这与本发明不同，本发明在该技术中还添加了教导磨料粒的部分，该磨料粒经过设计，因此携带特别设计的功能。发明概述本发明提供其中使用有机磨料粒的新型CMP组合物和浆料。本发明进一步利用经设计的非聚合有机颗粒来控制CMP过程中的情况，在该过程中该经设计的非聚合有机颗粒经历动态变化并且提供采用常规无机磨料粒不能得到的功能。CMP浆料中的颗粒具有至少三种功能用作磨料以穿过待抛光的表料、以及用作改进浆料的流变行为的试剂。通常，根据它们的相对石更度选择磨料。由于通常认为为了获得可接受的去除率，磨料粒的硬度必须高，因此通常使用的磨料粒是包括二氧化硅、氧化铝、二氧化铈、聚苯乙烯、树脂等的无机颗粒或聚合有机颗粒。现有技术的综述显示非聚合的柔軟有机颗粒直到未决美国专利申请序列号10/734，232才被认为是浆料配制剂中潜在的主要组分。在美国专利申请序列号10/734，232中描述的发明基于对这些非聚合有机颗粒在CMP应用中以及在CMP性能中具有出乎意料的有利特性和价值的发现.本发明包括可以通过控制磨料粒内部的封包官能度的释放来控制金属CMP工艺的颗粒的制造。除在美国专利申请序列号10/734,232中公开的包含非聚合有机颗粒的浆料的优点(低缺陷、高去除率选择性、和去除率对向下作用力的低敏感度)之外，本发明中描述的经设计的有机颗粒提供浆料配制中的更大的灵活性和简化，这将导致浆料制造、运输、现场维护和使用中的更大的成本降低。浆料配制的简化将导致缺陷率的进一步降低和生产量的进一步提高。另外，境温度;k低的敏感度，、''、对于大多数CMP浆料，MRR和向下作用力遵循由Preston方程描述的关系MRR=CxP+K其中MRRA材料去除率，P是向下作用力或压力，KA化学/机械改性剂，以及C通常称作Preston常数。在未决美国专利申请序列号10/734,232中，已经证实由于表面官能团和待抛光的金属表面之间强烈的相互作用，对于基于我们的非聚合有机颗粒的浆料，已经观察到相对于在通常的可商购浆料中发现的那些小得多的Preston常数。本发明教导如何使用经设计的有机颗粒来控制或调整Preston常数C和K。更具体地说，可以用具有特定的官能度释放性能的颗粒配制具有一组特定的Preston常数的浆料。附图简述图l是如何处理包含主要成分的颗粒的优选构造;图2是在抛光时A型颗粒可以如何破裂和/或溶解的图示；和图3是具有多种封包在非聚合有机颗粒中的化学组分的颗粒的示意图。发明详述本发明的一个实施方式是化学机械平坦化磨料组合物，其包含呈浆料形式的作为磨料的非聚合有机颗粒和溶剂。本发明的一个实施方式中，所述非聚合有机磨料粒具有小于ljim的平均粒度。优选地，平均粒度为0.1-0.75jun。非常优选地，平均粒度为0.15-0.5jim。该颗粒可通过多种技术如在使用分散剂或不使用分散剂的条件下湿磨来减小粒度。使用小粒度的技术优势在于更少的划痕以及更大的接触面积，使得最终结果是更有效的抛光作用和更好的表面质量，本发明的一个实施方式中，该非聚合有机磨料粒的粒度具有窄粒度分布。优选地，>90%的颗粒具有的粒度为+/-25%范围内的中均粒度，非常优选地，>99%的颗粒具有的粒度为+/-25%范围内的中均粒度。具有窄粒度分布的优势有两点。其一在于窄的粒度分布可能直接与粒度过大的颗粒数^y目关。粒度过大(>11111)的颗粒与多种表面缺陷如划痕、扯裂(pullout)和分层有关。窄粒度分布的另一优势在于性能一致性。更具体地说，CMP性能可能更直接和更一致地与粒度和其他物理性能相关。选择所述非聚合的有机磨料粒的化学结构以提供足够的分子间力如氢键和/或离子相互作用从而使分子保持在一起以形成初级簇，该初级蔟本身又进一步聚集成具有所需的化学组成和物理结构的颗粒。在改变用于所述非聚合有机磨料粒中的化合物的化学结构中，可以调整所述颗粒以在村底表面上相对另一类材料而言选择性地去除一类材料。另外，该颗粒的化学组成将决定该颗粒在CMP工艺过程中提供的作用和功能。对于要提供与金属表面的静态络合以及络合剂浓度动态提高的颗粒来说，优选该分子具有至少一种有机官能团如羟基、胺、酰胺基、氛基，或可以与待抛光的金属形成强的络合的任何其它结构部分。对于铜CMP，三聚氰胺和其衍生物是极好的实例。分子间强的氢键使得颗粒保持在一起以形成轮廓分明的颗粒。表面上的氨基官能度提供与铜氧化物和铜离子的强相互作用。在浆料和铜表面最初接触时，氨基官能团之间的静态相互作用允许在该表面上形成紧密堆积的颗粒层，该层有时导致对于铜表面来说静态蚀刻速率的降低。颗粒形状的柔韧性导致颗粒表面和待抛光表面之间进一步的紧密。在抛光过程中由于温度和剪切力上升引起的三聚氰胺溶解度提高进一步帮助从该铜表面上除去材料。非常优选地，该化合物是选自由三聚氰胺，三聚氰胺衍生物如乙跣胍胺、苯并胍胺，双氰胺和它们的盐组成的组中的至少一种.在此术语"非聚合，，是指化合物不包含与其中形成了比低聚物大的物质的点以共价键连接的单体单元。优选地该非聚合化合物的分子量小于iooo克/摩尔。非常优选地，该非聚合化合物的分子量为75-250克/摩尔。优选非聚合化合物不在合并两种或更多种单体的步骤中制备。不同于包含固定量的络合剂的普通浆料，本发明的浆料具有就地动态地提供所需量的#剂的能力。更重要的是，这种输送优选根据表面形状局部地实现。更具体地说，经历较大局部温度变化或剪切力的具有较高外形的区域将被动态地提供更多量的#剂。这种选择性释放的结果是阶梯高度下降效率的提高。除可以与将从表面上除去的金属离子形成有效的络合物的其化学官能度之外，该^^剂在室温下作为固体应该是稳定的。在一些设计中，甚至进一步要求该固体的溶解度在室温下低，而在升高的温度下高。在下述的一些设计中，这种要求不如其它的要求重要.为了说明分子结构，以下是具有ot-氨基酸作为核心结构的代表性^^剂.oc羅氨基酸<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>oc-氛基酸的芳族变体上组有机前体可以分类为oc氨基酸的衍生物或变体。这些cx氨基酸可以与铜离子形成强^^剂。具有核心p氨基酸的化合物也具有与铜离子强烈地相互作用的能力。这些结构在以下给出.上面示出的结构只是用于"i兌明的目的。其它的具有类似官能度的结构可以很容易地被有机化学方面的技术人员识别。除络合剂之外，该颗粒还可以包含成膜剂，该成膜剂为固体颗粒并且衍生自例如以下示出的苯并三唑。另夕卜，该颗粒可以包含固体氧化剂如过硫酸盐、高碘酸盐、高锰酸盐、高氯酸盐、过硼酸盐，以及各种固态的过氧化氬衍生物如过氧化氢-脲。本发明的一个实施方案是用于制备包含氧化剂、络合剂和/或其它成分的颗粒的方法。优选的结构的示意图在图l中示出。在美国专利申请序列号10/734,232中描述的颗粒(其在此整体引用供参考)可以分类为A型颗粒，其中全部固体颗粒由单一化学组分构成，该组分为单晶、多晶或非晶形式。该颗粒中的化学组分被均匀地固化并且通过分子间力如氢键或离子相互作用保持在一起。在本发明的一个实施方案中，该CMP组合物包含至少一种为颗粒提供更大官能度和为浆料提供简易性的另外类型的颗粒。在B型颗粒中，至少一种組分形成*在连续相中的它自己的相。该封包的颗粒包括充当氧化剂、络合剂等的化合物。在C型颗粒中，两种或多种相被物理混合在一起，不存在明显的连续相。在D型颗粒中，两种相通过核-壳型结构分离。可以将该络合剂封包在涂层的内部。在E型颗粒中，制造多层结构。在F型中，将D型和B型结合。本发明人预见使用有机化学、结晶工程和胶体化学的技术可以设计并且实行更多的此类组合，并且它们是本发明的一部份。这些颗粒在CMP过程中可简单地变形，这可以提高磨料粒和待抛光的表面之间的接触表面积。在剪切力或局部温度的升高时，这些颗粒还可能破裂或部分地溶解。这将进一步提高特定类型的活性化学组分可获得的浓度。如果它是^剂或氧化剂，则在那个位置的去除率将显著地提高，如图2所示，A型颗粒可能在抛光时破裂和/或溶解。类似地，在图2中示出的其它类型的颗粒也可能经历如图3所示相同的破裂或溶解过程。图3是具有多种封包在非聚合有机颗粒中的化学组分的颗粒的示意图。在原始颗粒破裂之后，化学组分可在颗粒破裂的位置开始相互作用。在这种情况下，该化学组分也可能开始在其自身之间相互作用，如果对初始颗粒进行仔细的设计和制造，这可以所需方式引起进一步的化学反应。在形成经设计的颗粒的本发明方法中，表面活性剂起到两种作用。第一是通过电荷排斥、空间排斥或粘度提高稳定在处理过程中形成的颗粒，第二个作用是形成超分子集合，该超分子集合是复合颗粒，该复合颗粒在其核心中包含较小的单一组分颗粒，以避免该单一组分颗粒直接地与浆料中的化学物质相互作用。第一个作用与颗粒形成技术中所使用的类似，但是仍与其不同。第二个作用是独特的，因为它提供具有许多在CMP操作过程中显示出来的优点的复合颗粒。当该单一組分颗粒是氧化剂，如APS或KPS时，可以隔离这些氧化剂，使其不与待抛光的表面相互作用，并且待抛光表面的静态蚀刻速率得以最小化。这种结合可以形成"智能的"颗粒，其中氧化剂、钝化剂和催化剂可以保持在两种分离的相中.当该集合在颗粒的表面之下包含试剂时，该衬底在抛光过程中不暴露在所保留的试剂下。然而，在抛光过程中该超分子集合能够根据需要向目标表面释放氧化官能度或试剂。该释放率可以通过压力和/或温度的变化来进行控制。在包含凸起的区域中，高的局部压力将"打开"(释放)氧化官能度并且产生高的MRR。在较低的或凹形的区域中，低的局部压力不足够高以释放所保留的试剂，这样该试剂对该衬底来说仍是"隐藏的"。最终结果是，凹形区域的MRR将被最小化，腐蚀度降低，这可能引起较低的凹陷和较长的平坦化距离。在选择用于形成该复合颗粒的合适的表面活性剂的过程中，遵循两个基本准则。第一是使表面活性剂的电荷与要保护的单一组分颗粒的电荷相配。例如，对于pH值-5的三聚氰胺颗粒，使要保护的颗粒带正电荷。为了完全有效地保护这些颗粒，带负电荷的表面活性剂是更适合的。在广泛使用的带负电荷的表面活性剂之中，十二烷1^克酸钠(SDS)和十二烷基^^酸钠(SDBS)是较小离子表面活性剂的极好的实例。在常用的聚合物表面活性剂之中，2-恭璜酸钠甲醛缩合物和聚苯乙烯磺酸盐是具有代表性的。第二个准则是它的覆盖有效性。更具体地说，被吸附的和自由溶解的表面活性剂之间的交换速率必须低。换言之，封包的化学物质通过直接溶解释放到溶液中的机率必须低。为此，具有低的水溶解度的聚合阴离子型表面活性剂是优选的。一个这样的实例是中等分子量的烷基萘磺酸钠，其能够以PetroLBA或PetroLBAF商购.该复合非聚合有机颗粒"基本上由本文描述的化合物和添加剂组成"。此处的短语"基本上由……组成"指的是该复合非聚合有机颗粒在预定的添加剂中的纯度大于80w/w。/。.该固体颗粒可包含杂质如作为晶格一部分结晶的溶剂基团。优选地，该非聚合有机颗粒具有大于卯w/w。/o的纯度，非常优选地，该非聚合有机颗粒具有大于95w/w。/。的纯度，该w/w。/。值基于所述颗粒的总重量.该复合非聚合有机颗粒的粒度和粒度分布可通过工业上标准的研磨技术控制。研磨可以在湿润或干燥条件下进行.颗粒的粒度可以用均化器减小，均化器是用于易碎颗粒的优选装置。在进行湿磨时，优选使用^:剂/表面活性剂。可以使用非离子、阴离子、阳离子和两性型^t剂/表面活性剂中的任何一种。阴离子^Ht剂/表面活性剂的实例;O旨肪酸盐如硬脂酸钠、油酸钠和月桂酸钠；烷基芳基磺酸盐如十二烷基M酸钠；烷基或链烯基琉酸酯盐如十二烷^IJP克酸钠；烷基磺基琥珀酸酯盐如单辛基磺基琥珀酸钠、二辛基磺基琥珀酸钠(CYTECOT-75)和聚氧乙烯月桂基磺基琥珀酸钠；特定芳族磺酸-甲醛缩合物的钠盐如P-萘磺酸与甲醛缩合产物的钠盐(DAXAD19);聚氧化烯烷基或链烯基醚硫酸酯盐如聚氧乙烯月桂基醚硫酸钠；聚氧化烯烷芳基醚硫酸酯盐如聚氧乙烯壬基酚醚硫酸钠；等等。此外，可用的非离子^fc剂/表面活性剂的实例是聚氧化烯烷基或链烯基醚如聚氧乙烯月桂基醚和聚氧乙烯硬脂基醚；聚氧化烯烷基芳基醚如聚氧乙烯辛基酚醚和聚氧乙烯壬基酚醚；失水山梨糖醇脂肪酸酯如失水山梨糖醇单月桂酸酯、失水山梨糖醇单硬脂酸酯和失水山梨糖醇三油酸酯；聚氧化烯失水山梨糖醇脂肪酸酯如聚氧乙烯失水山梨糖醇单月桂酸酯；聚氧化烯脂肪酸酯如聚氧乙烯单月桂酸酯和聚氧乙烯单硬脂酸酯；甘油脂肪酸酯如油酸单甘油酯和硬脂酸单甘油酯；聚环氧乙烷聚环氧丙烷嵌段共聚物；等等。此外，作为可用的阳离子分軟剂/表面活性剂，可提及烷基胺盐例如乙酸月桂基胺；季铵盐例如月桂基三甲基氯化铵和烷基苄基二甲基氯化铵；聚氧乙基烷基胺等。作为两性表面活性剂，可提及例如坑基甜菜碱如月桂基甜菜碱等。在这些分散剂/表面活性剂中，最优选使用饱和或不饱和的磺基琥珀酸二烷基酯如二辛基磺基琥珀酸钠或P-M酸与甲醛的缩合产物的钠盐，在湿磨过程中，优选不使温度升高至显著大量的晶体非聚合有机颗粒将溶解的点.优选地，在湿磨过程中温度是80C或更低。更优选，在湿磨过程中温度为15-651;，控制该非聚合有机颗粒的粒度和粒度分布的另一种方法是如Kozyuk的美国专利号5，931，771(以及其中所引用的文献)中描述的那样使用流体动力学气蚀作用。该技术基于蒸气气泡的受控破裂从而冲击波导致颗粒碰撞和破裂。本发明公开了制备这种用于CMP应用的组合物和浆料中的复合非聚合颗粒的方法。本发明还公开了在组合物、浆料中使用这种复合非聚合有机颗粒的优点、方法以及工艺。在本发明的一个实施方案中，该浆料可以进一步包含表面活性剂、氧化剂、螯合剂和钝化剂中的至少一种。在本发明的一个实施方案中，该浆料具有0.001-20w/w。/。的非聚合有机颗粒，优选地，该浆料具有0.005-15w/w。/。的非聚合有机颗粒。非常优选地，该浆料具有0.01-10w/w。/o的非聚合有机颗粒。该w/w。/。值基于所述浆料的总重量。在该浆料中使用的溶剂优选是"软"水。此处所用的术语"软"指的是该水具有小于500ppm的重金属杂质。优选地，该软水具有小于50ppm的重金属杂质。不必在其使用之前从所述水中除去不会显著影响所述磨料浆料抛光工艺的盐和其他杂质。当使用表面活性剂时，通常基于该浆料组合物的重量以0.05-10w/w%的浓度加入。优选地该表面活性剂以0.05-3w/wO/。的浓度加入。更优选地，该浓度为0.05-1w/w%。用于本发明磨料组合物中的氧化剂可以是任何合适的市售氧化剂，如过氧化物、氯酸盐、亚氯酸盐、高氯酸盐、溴酸盐、亚溴酸盐、过溴酸盐、硝酸盐、过硫酸盐、碘酸盐、高锰酸盐、和次氯酸盐或任何它们的混合物。实例包括11202、C103、Fe(N03)3、K2S2Os、KI03、K2Mn04、KMg04、过硫酸铵(APS)、过硫酸钾(KPS)以及CH3COOOH,氣化剂的浓度取决于该氧化剂的强度。当使用氧化剂时，基于该浆料组合物的重量，将其以0.01-10w/w。/o的浓度加入到该浆料中。优选地，该浓度为0.05-10w/w。/。。非常优选地，该浓度为0.1-5w/w。/0。非常期望尽可能地改进金属平坦化的选择性，通过将对所关注的金属构的CMP平坦化的进一步改进.这导致金属相的腐蚀率的进一步提高以及相对电介质相提高的金属去除的选择性，从而使得该平坦化工艺更加有效。本发明中所用的螯合剂是具有与金属离子形成螯合物的多齿配体的化合物。本发明中通常使用水溶性螯合剂，其优选是多胺、聚氨基羧酸和/或氨基酸。最优选的是氨基酸，多胺的实例包括乙二胺、2，2，-联吡啶和二亚乙基三胺，聚M羧酸的实例包括氨三乙酸、乙二胺四乙酸和二亚乙基三胺五乙酸、以及其钠盐或钾盐。甘氨酸是氣基酸螯合剂的一个实例。当使用所述螯合剂时，基于该浆料组合物的重量，将其以0.05-10w/wV。的量加入。优选地，该浓度为0.1-7w/w。/。。最优选地，该浓度为0.1-5w/wVo。如果用量过小，所述螯合剂不产生本发明预期的效果；而如果用量过大，螯合剂是浪费的，没有任何额外的有利效果。该CMP浆料可以进一步包含钝化剂。当使用所述钝化剂时，基于所述浆料组合物的重量，其通常以0.0001-10w/w。/o的量加入。优选地，钝化剂的浓度是0.001-5w/wV。。非常优选地，该浓度是0.001-lw/w。/0。钝化剂的目的在于控制至少一种形貌(feature)的蚀刻速率.对于铜的蚀刻而言，有效的钝化剂是磷酸化合物(phosphate)。该磷酸化合物可以例如是以足以钝化的有效量加入的稀磷酸或磷酸铵。该钝化剂也可以是含两个或多个杂元素如氮、硫、磷和氧的有机化合物。通常，所有苯并三唑(BTA)或苯并噻唑化合物均可用作铜膜钝化剂。一些代表性实例包括但不限于lH-苯并三唑乙腈、苯并三唑-5-羧酸、2(3H)-苯并噻唑酮、和lH-苯并三唑-l-甲醇。该CMP浆料也可以包含无机磨料粒.通常，基于该浆料组合物的重量，将无机磨料粒以0.01-10w/w。/o的浓度加入。优选地，该浓度是0,5-5w/w。/。。更优选地，该浓度是0.5-2w/w。/。，研磨剂可以由任何无机颗粒形成，只要其硬度在l，200-10，000kg/mm2的范围内(通过原子力显微镜测定)。所述无机研磨剂包括Si02、A1203、Zr02、ZrSi04、Ce02、SiC、Fe203、Ti02、SbN4和金刚石中的至少一种。该CMP浆料可以进一步包含聚合物磨料粒。这些聚合物由常规方法制备，如在美国专利号6，620，215、6，245，853和6，576，554中所述的那些方法，其全文参考引入。基于所述浆料组合物的重量，可以将聚合物磨料粒以0.1-20w/w。/o的浓度加入。优选地，所述聚合物磨料粒以l-15w/w。/o的浓度加入。更优选地，该浓度是l-5w/w。/。。该有机树脂颗粒具有0.05-5jmi的平均粒度.优选地，该平均粒度为0.05-lnm,非常优选地，该平均粒度为0.1-0.5nm。该CMP浆料的氬离子浓度为pHl-13，优选为2-12，最优选4-10。pH值用酸或碱调节。酸包括任何无机酸如硫酸、盐酸和硝酸，或有机酸如乙酸。碱是碱土金属氩氧化物、氨或有机胺。pH也可通过加入緩冲溶液而保持。件与下列添加剂合并.添加剂的实例包括水溶性醇类如曱醇、乙醇、丙醇和乙二醇；有机聚阴离子物质如木质素磺酸盐、羧甲基纤维素盐和聚丙烯酸盐；纤维素类如纤维素、羧甲基纤维素和羟乙基纤维素；以及无机盐类如硫酸铵、氯化铵、乙酸铵和硝酸镁。本发明的抛光组合物可以作为高浓度物料生产，其在使用时被稀释。上述浓度与即用型抛光组合物有关.本发明的抛光组合物被用于抛光金属、玻璃和塑料，由于其具有提供无缺陷的抛光表面的能力，因此特别适于抛光金属膜，根据待抛光衬底的复杂性，可使用选择性地从该衬底上除去一种组分的第一浆料，然后使用经调整以从衬底上除去另一种组分的第二浆料。通常，每一抛光步骤之后都有清洁步骤.CMP平坦化的技术和清洁操作以常规方式进行，如可在文献中找到的那样，就这一点而言，下列参考文献是代表性的"CMPGrowsinSophistication",SemiconductorInternational,1998年11月CoverStory，RuthDejule，副编辑；Sethuraman,"CMP-Past,PresentandFuture"，FutureFab，第5期(3/10/1999);以及"SlurriesandPadsFace2001Challenges"，SemiconductorInternational,AlexanderE.Braun，葛，j编辑，1998年11月。除非另外注明，此处所有y。指的是重量/重量(w/w)百分比，在本发明的组合物和浆料的情况下，其是指基于所述組合物和浆料总重量的w/wy。。提供下列实施例以说明本发明某些优选的实施方式。因此，下列实施例不构成将本发明限制在本文所阐明的、所属
技术领域：
的技术人员知道和理解的、并且对于本领域技术人员而言是显而易见的范围或其等价方案。实施例测试方法制备用于CMP浆料的三聚氰胺颗粒可通过多种技术如湿磨在使用和不使用分歉剂的条件下将三聚氰胺颗粒的粒度减小至小于lnm。下表示出了不同的样品，以及相应的加工条件<table>tableseeoriginaldocumentpage18</column></row><table>a-用流体动力学气蚀作用减小三聚氛胺的粒度b-^t剂A是磺基琥珀酸酯盐c-分散剂B是芳族磺酸-甲醛缩合物的钠盐使用过硫酸铵fAPS体系)制备浆料为了制备初级水性浆料，首先将指定量的三聚氰胺颗粒^:在含有预定量的聚硬脂基醚(表面活性剂)的去离子(DI)水中，并在超声的协助下形成均匀的^*体.然后把浆料容器放在磁性搅拌器板上并搅拌10分钟。然后再施加超声25分钟。然后把浆料容器放回到磁性搅拌器上并搅拌2分钟。在搅拌过程中将配制量的所有其他成分加入到该浆料中，如甘氨酸和APS。在5分钟内通过使用氢氧化钾溶液将该浆料pH值调节到所需范围.用以下组成配制典型的初级浆料0.1-lw/w%APS、0.1-lw/w。/。甘氨酸、0.1-2w/w。/。三聚氰胺、0.1w/w。/。表面活性剂和去离子(DI)水，该浆料也可以用过疏酸钾(KPS)与APS结合或用其代替APS来制备。用过氧化物(H2O2体系)制备浆料为了制备初级水性浆料，首先将指定量的甘氨酸和BTA^t在去离子(DI)水中。然后把浆料容器放在磁性搅拌器板上并搅拌10分钟。然后将根据配方所要求量的三聚氰胺颗粒加入到该溶液中并继续搅拌。最后向体系中加入所需量的11202，之后将pH值用浓HC1调节至5.00。用以下组成配制典型的初级浆料0.1-lw/w。/。甘氨酸、l-5mMBTA、1-5%三聚氰胺、和DI水。圆盘抛光将购自KamisInc.的l"直径x0.25"厚度的圆盘安装在单面抛光机(StmersLabopol5GrindingTable,序号#5200825和StruersLaboForce3ForceArm,序号#5210461，由StruersInc，Westlake,Ohio制造)上，该抛光机具有安装在其下面一侧上的软质聚氨酯抛光垫。采用6psi的压力以60ml/分钟的浆料流动速率进行抛光3分钟。圆盘与抛光垫具有150rpm的相对旋转速度。抛光后，从抛光机上取下该圆盘并进行超声清洗以清洁该圆盘的抛光表面。测量圆盘的重量损失并计算平均材料去除率(MRR).静态蚀刻试验将购自KamisInc的三片l"直径x0.25"厚度的铜盘放在玻璃烧杯中并将该烧杯放在磁力搅拌板上.之后将300ml浆料倒入所述装有三片铜盘的烧杯中，连续搅拌5分钟并且用电子跑表监控逝去的时间。5分钟后，将全部三片铜盘从烧杯中移出并通过超声清洗方法进行清洁。然后通过电子称量天平测量这些圆盘的重量损失并计算平均静态蚀刻速率(SER)。晶片抛光8"毛晶片的抛光将8英寸毛晶片(来自Montco)在下列抛光条件下于Westech372M上进行抛光向下作用力(4psi)、浆料流动速率(200ml/分钟)、平台速度和载体速度(最大值分别为75/65rpm)。通过在抛光前后测量晶片表面上不同点的电阻率(然后将电阻率转化成厚度)计算去除率。抛光后通过使用水平非接触式光学轮廓仪评价表面质量。8"图案化晶片的抛光用Westech372-M抛光8英寸图案化晶片(SeMaTech854)。抛光条件如下晶片压力(4psi);浆料流动速率(200m1/分钟)；平台速度和载体速度(最大值分别为75/65rpm)。抛光后，用高分辨率针式轮廓仪AmbiosXP-2测量凹陷和侵蚀。铜、钽和氧化物晶片的表面质量用水平非接触式光学轮廓仪进行评价。扫描尺寸为268800x268800nm。实施例l在这一实施例中，使用三聚氰胺形成包含A型颗粒的三个独立的样品。在样品(A)的制备中，使三聚氰胺结晶并且用均化器将其粒度减小至小于ljun。在均化器中将该样品的温度保持在40X:。在搅拌的同时，向800mL包含50.0g三聚氛胺颗粒的在DI水中的分散体中加入1.0g表面活性剂(BASFP103)。随后，向上述浆料中加入10.0mLBTA(0.1M)的原料溶液。然后将167.0g的30。/。过氧化氢添加到容器中。使用氢氧化钾或盐酸将该浆料的pH值调节至所需的pH-5。然后添加少量DI水以使总量达到1000mL,在样品(B)的制备中，使三聚氛胺结晶并且用均化器将其粒度减小至小于llim。在均化器中将该样品的温度保持在40X:。在搅拌的同时，向800mL包含40.0g三聚氛胺颗粒的在DI水中的^Hlt体中加入l.Og表面活性剂(BASFP103)和10g甘氨酸。随后，向上述浆料中加入10.0mLBTA(0.1M)的原料溶液.然后将167.0g的30。/。过氧化氢添加到容器中。使用氩氧化钾或盐酸将该浆料的pH值调节至所需的pH-5。然后添加少量DI水以使总量达到1000mL。在样品(C)的制备中，使4份三聚氰胺与1M氨酸共结晶，并且用均化器将共晶体的粒度减小至小于ljim。在均化器中将该样品的温度保持在40匸。在搅拌的同时，向800mL包含50.0g三聚氰胺-甘氨酸颗粒的在DI水中的分散体中加入1.0g表面活性剂(BASFP103)。随后，向上述浆料中加入10.0mLBTA(0.1M)的原料溶液。然后将167.0g的30。/。过氧化氢添加到容器中。使用氢氧化钾或盐酸将该浆料的pH值调节至所需的pH-5。然后添加到少量DI水以使总量达到1OOOmL。下表示出了不同的样品，以及相应的加工条件:样品组成固体的Wt%eSER(A/分钟)MRR(A/分钟)(A)三聚氰胺a+1%11202+1111]\1在去离子水中的BTA53541290(B)三聚氰胺8+1%11202+1%甘氨酸+1111]\1在去离子水中的BTA515876756(c)三聚氰胺/甘氨酸b十l。/。H202+lmM在去离子水中的BTA4505879a-使用均化器减小三聚氰胺的粒度b-使用均化器减小该三聚氛胺-甘氨酸共晶体的粒度<>重量％基于该浆料的总重量.所制备的有机颗粒具有小于800nm的平均粒度和相对较窄的粒度分布。在样品(A)中，在没有#剂的情况下将三聚氛胺颗粒作为磨料粒引入。静态蚀刻率(SER)和材料去除率(MRR)是低的.在样品(B)中，将络合剂引入该浆料。在此，当与样品(A)相比时SER和MRR均提高。然而，在样品(C)中当将^剂作为颗粒的一部分引入时，去除率提高，而SER没有任何显著的提高。这可能导致较低的腐蚀和较高的阶梯高度下降效率。样品(C)中描述的颗粒体系可能归类为A型；然而，由于粉剂X射线衍射技术的局限性，《艮难知道该颗粒准确的横截面.实施例2在这一实施例中，使氧化剂与三聚氰胺共结晶。更具体地说，将过硫酸铵(APS)包含在三聚氰胺颗粒中以形成三种包含A型颗粒的独立样品。在样品(D)的制备中，使三聚氰胺结晶并且用均化器将其粒度减小至小于lpm。在均化器中将该样品的温度保持在40t!。向800mL包含40.0g三聚氰胺颗粒的在DI水中的^L体中，将10.0g甘氨酸和10.0mLBTA(0.1M)的原料溶液加入到上述浆料中。使用氢氧化钾或盐酸将该浆料的pH值调节至所需的pH=8。然后添加少量DI水以使总量达到1000mL。在样品(E)的制备中，使三聚氰胺结晶并且用均化器将其粒度减小至小于lfim。在均化器中将该样品的温度保持在40X:.向800mL包含30.0g三聚氰胺颗粒的在DI水中的分散体中，将10g甘氨酸、10gAPS和10.0mLBTA(0.1M)的原料溶液加入到上述浆料中。使用氢氧化钾或盐酸将该浆料的pH值调节至所需的pH-8。然后添加少量DI水以使总量达到1000mL。在样品(F)的制备中，使3份三聚氛胺与1份APS共结晶，并且用均化器将该共晶体的粒度减小至小于lfim。在均化器中将该样品的温度保持在40X:。向800mL包含40.0g三聚氛胺-APS颗粒的在DI水中的分散体中，将10.0g甘氨酸和10.0mLBTA(0.1M)的原料溶液加入到上述浆料中。使用氢氧化钾或盐酸将该浆料的pH值调节至所需的pH-8。然后添加少量DI水以使总量达到1000mL,如下表所述，对比将显示在只存在磨料粒而没有氧化剂的情况下SER和MRR将比较低，如在样品D中，在氧化剂存在下，MRR和SER均比较高，如在样品E中。通过将氧化剂封包在颗粒中，SER将较低，而MRR较高，如在样品F中。下表包括对于组合物将如何表现的预计，还示出了这种组合物的潜在优点.<table>tableseeoriginaldocumentpage22</column></row><table><table>tableseeoriginaldocumentpage23</column></row><table>a-使用均化器减小三聚氰胺的粒度b-使用均化器减小三聚氰胺-APS共晶体的粒度c-wt。/。是基于该浆料的总重量。据信这一实施例中使用的颗粒将是A型，从而APS被分散在整个三聚氰胺晶格。实施例3这一实施例说明颗粒的形成，在该颗粒中，将过硫酸钾(KPS)、过硫酸铵(APS)和/或甘氨酸晶体引入到三聚氛胺基体中以形成B型复合颗粒。以下是用于形成被引入到三聚氛胺基体中以形成B型复合颗粒的APS晶体的方法的具体说明.在1000毫升三颈圆底烧瓶中，首先加入500mL，接着添加15.0g三聚氰胺。该圃底烧瓶安装有回流冷凝器、温度计和侧面添加漏斗.该烧瓶外面的加热軍将溶液加热至大约62-63X:，直到所有的三聚氛胺颗粒都溶解。将该溶液的pH值调节到大约5.5。通过该侧面添加漏斗，向这一溶液中引入30.0g固体粉末形式的APS。一旦该固体APS溶解，将全部溶液送入包含冰和盐的冷却浴中(大约4X:)。用DI水将沉淀的颗粒洗涤3次。基于洗涤溶液中APS的量，可以计算出封包在三聚氰胺基体中的APS的量为大约0.2-1.0%。所结合的量将取决于冷却速率和洗涤温度。较高的冷却速率和较低的洗涤温度导致封包的APS的较高收率。由于过硫酸盐热分解的可能性，将包含APS的浆料的温度保持在65X:以下。遵循相同的程序，但是没有APS，作为对照试验。此夕卜，制备既包含甘氨酸又包含APS的颗粒。在这个过程中，将30gAPS和30g甘氨酸添加到三聚氰胺溶液中。遵循相同的冷却和洗涤程序。对于甘氨酸来说，将观察到类似的封包效率。然后将洗涤后的固体颗粒再分散在去离子(DI)水中用于抛光测试。在样品(G)的制备中，用均化器将三聚氰胺晶体的粒度减小至小于lnm。在均化器中将该样品的温度保持在40t！.将3wt。/。的三聚氰胺晶体与lwt。/。的甘氨酸、lwt。/。的APS和lmM在去离子水中的BTA结合，在样品(H)的制备中，用均化器将三聚氛胺/APS共晶体的粒度减.小至小于lpm。在均化器中将该样品的温度保持在40X:。将4wt。/。的三聚氛胺/APS共晶体与lwt。/。的甘氨酸和lmM在去离子水中的BTA结合。在样品(I)的制备中，用均化器将三聚氛胺/APS/甘氨酸共晶体的粒度减小至小于ljim。在均化器中将该样品的温度保持在40C将5wt。/。的三聚氛胺/APS/甘氨酸共晶体与lmM在去离子水中的BTA结合。如下表所述，对比将显示在磨料粒和氧化剂存在下SER和MRR将较高，如在样品(G)中。样品(H)和(I)显示通过将氧化剂和任选地甘氨酸封包在复合颗粒中，SER将较低，而MRR较高。<table>tableseeoriginaldocumentpage24</column></row><table>a-使用均化器减小晶体的粒度b-wt。/。是基于该浆料的总重量。实施例4在这一实施例中，固体形式的过氧化氢可以连同三聚氰胺和P-氨基酸一起用作络合剂。在1000mL三颈圆底烧瓶中，首先加入500mL，接着添加15.0g三聚氛胺。该圆底烧瓶安装有回流冷凝器、温度计和侧面添加漏斗.该烧瓶外面的加热罩将溶液加热至大约62-63TC，直到所有的三聚氰胺颗粒都溶解.将该溶液的pH值调节到大约5.5。通过该侧面添加漏斗，向这一溶液中引入30.0g固体粉末形式的P氨基酸。一旦该固体M酸溶解，可以将全部溶液送入包含水和盐的冷却浴中(大约41C)。用DI水将沉淀的颗粒洗涤3次。根据洗涤溶液中P氨基酸的含量，可以计算出封包在三聚氛胺基体中的JL^酸的量。预期较高的冷却速率和较低的洗涤温度产生较高的M酸封包量。然后将洗涤后的固体颗粒再^t在去离子(DI)水中用于抛光测试。应该相信，一组对照试验将说明通过将每种组分(过氧化氢和^^剂)添加到该浆料中，SER和MRR将较高。通过将它们引入具有多晶相的单个颗粒(C型)中，MRR保持较高，而SER较低。实施例5在这一实施例中，将具有A型颗粒结构的三聚氰胺用化合物如BTA羧酸盐涂覆以将该颗粒的内核封包防止溶解。这将进一步降低SER,抛光时，该壳体将破裂，内核将释放各组分。这是D型颗粒的简单说明，其如下制备。在1000毫升三颈圆底烧瓶中，首先加入500mL水，接着添加15.0g三聚氰胺。该圆底烧瓶安装有回流冷凝器、温度计和侧面添加漏斗。该烧瓶外面的加热革将溶液加热至大约62-63C，直到所有的三聚氰胺颗粒都溶解，将该溶液的pH调节到大约5.5。将全部溶液送入包含水和盐的冷却浴中(大约4匸)。向该浆料中加入5.0gBTA羧酸。在充分混合之后，过滤该沉淀的颗粒并用DI水洗涤3次。根据洗涤溶液中BTA羧酸的含量，可以估算涂覆在三聚氰胺颗粒上的BTA羧酸的量。然后将洗涤后的固体颗粒再^:在DI水中用于抛光测试。实施例6在这一实施例中，实施例4中描述的颗粒将如实施例5中描述的程序用成膜剂涂敷或用不活泼的化学壳体涂敷，以防止该内核化学物质与水介质直接相互作用。这将进一步改进该浆料的化学稳定性并且在不牺牲MRR的情况下降低静态蚀刻率。这将;iF型颗粒的一个实例，其如下制备。在1000毫升三颈圆底烧瓶中，首先加入500mL水，接着添加15.0g三聚氛胺，该圆底烧瓶安装有回流冷凝器、温度计和侧面添加漏斗。该烧瓶外面的加热罩将溶液加热至大约62-63lC,直到所有的三聚氛胺颗粒都溶解，将该溶液的pH调节到大约5.5。将全部溶液送入包含水和盐的冷却浴中(大约4C)。向该浆料中加入5.0g聚苯乙烯磺酸盐。在充分混合之后，过滤该沉淀的颗粒并用DI水洗涤3次。根据洗涤溶液中聚苯乙烯磺酸盐的含量，可以估算涂覆在三聚氰胺颗粒上的聚苯乙烯磺酸盐的量。然后将洗涤后的固体颗粒再分散在DI水中用于抛光测试.实施例7在这一实施例中，该包含活性化学组分的颗粒可以首先用不活泼层的薄膜涂覆，然后用具有相反电荷的第二层涂覆。这种设计将进一步降低浆料中的化学物质与核心中的其它主要化学物质之间的直接相互作用，这可导致颗粒和浆料的高得多的化学稳定性.这将被归类为E型颗粒，其如下形成。向1000mL实施例6中获得的浆料中加入10g十二烷基三曱基溴化铵(DTAB)。聚苯乙烯磺酸盐和DTAB之间的电荷差异应该确保DTAB涂层充当保护剂，防止三聚氰胺和溶液中化学添加剂之间的直接相互作用。实施例8在这一实施例中使用三聚氰胺以形成包含A型颗粒的两种独立样品。在样品(J)的制备中，使三聚氰胺结晶并且用均化器将其粒度减小至小于lpn。在均化器中将该样品的温度保持在40r。在搅拌的同时，向包含三聚氰胺颗粒的在DI水中的分散体中加入表面活性剂(BASFP103),随后，将BTA的原料溶液添加到上述浆料中。然后将30。/。的过氧化氬加入到该容器中。^使用氢氧化钾或盐酸将该浆料的pH值调节至所需的pH-5。然后，如有必要，添加少量DI水以获得下表中描述的浓度。在样品(K)的制备中，进行与样品(J)相同的制备，不同在于将0.05%的氧化锆添加到该浆料中。<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>a-使用均化器减小三聚氛胺的粒度在样品(J)中，在络合剂和氧化剂存在下将三聚氛胺颗粒引入作为磨料粒。对于铜衬底来说，静态蚀刻速率(SER)较低，材料去除率(MRR)较高。在样品(K)中，将无机磨料粒添加到样品(J)的浆料中。在此，当与样品(J)相比时SER和MRR均提高。上文引用和/或涉及的每种出版物在此全文引入作为参考。本发明虽然如此描述，似艮显然本发明可以以许多方式进行改变。这种改变不应该认为是偏离本发明的精神和范围，并且所有这些对本领域技术人员来说显而易见的改进都将包含在本发明的范围之内。权利要求1.用于化学机械平坦化的复合颗粒，其中该复合颗粒单独地包含至少一种非聚合有机组分和至少一种不同于该至少一种非聚合有机组分的其它化学组分。2.根据权利要求l的复合颗粒，其中所述至少一种非聚合有机组分是可以与待抛光的金属形成络合物的化合物。3.根据权利要求2的复合颗粒，其中所述可以与待抛光的金属形成络合物的化合物是三聚氰胺或三聚氰胺衍生物。4.根据权利要求l的复合颗粒，其中所述不同于该至少一种非聚合有机组分的至少一种其它化学组分是可以将待抛光的金属薄膜转化的氧化剂，5.根据权利要求l的复合颗粒，其中所述不同于该至少一种非聚合有机组分的至少一种其它化学组分是可以在待抛光的金属表面上形成保护层的钝化剂。6.根据权利要求l的复合颗粒，其中一部分该颗粒具有至少A型颗粒构型.7.根据权利要求l的复合g,其中一部分该颗粒具有至少B型颗粒构型。8.根据权利要求l的复合颗粒，其中一部分该颗粒具有至少C型颗粒构型。9.根据权利要求l的复合颗粒，其中一部分该颗粒具有至少D型颗粒构型。10.根据权利要求l的复合颗粒，其中一部分该颗粒具有至少E型颗粒构型。11.根据权利要求l的复合颗粒，其中一部分该颗粒具有至少F型颗粒构型。12.—种化学机械平坦化磨料组合物，其包含呈浆料形式的作为磨料的根据权利要求l的复合颗粒和溶剂。13.根根据权利要求12的磨料组合物，其中该溶剂是软水，该复合颗粒以0.001-20w/w。/o的浓度存在，该浆料进一步包含0.1-10w/w。/。的氧化剂，0.05-10w/w。/o的螯合剂，0.01-10w/w。/o的表面活性剂和0.0001-10w/wn/o的钝化剂。14.根据权利要求13的磨料组合物，其中该氧化剂是选自由过氧化物、氯酸盐、亚氯酸盐、高氯酸盐、溴酸盐、亚溴酸盐、过溴酸盐、硝酸盐、it^t酸盐、橫酸盐、高锰酸盐或次氯酸盐组成的组中的至少一种。15.根据权利要求13的磨料組合物，其中该络合剂是选自由多胺、聚^J^羧酸或氨基酸组成的组中的至少一种。16.根据权利要求13的磨料组合物，其中该表面活性剂是非离子型表面活性剂。17.根据权利要求13的磨料组合物，其中该浆料进一步包含无机磨料粒，该无机磨料粒是选自由Si02、A1203、Zr02、ZrSK)4、Ce02、SiC、Fe203、Ti02、SbN4或金刚石组成的组中的至少一种，18.—种化学机械平坦化方法，其包括将权利要求13的化学机械平坦化磨料浆料组合物施涂到半导体表面上.19.权利要求18的化学机械平坦化方法，其进一步包括在该化学机械平坦化磨料浆料组合物中混入该复合颗粒之前，在阴离子型表面活性剂存在下减小该复合颗粒粒度的预备步骤。20.权利要求18的化学机械平坦化方法，其中该半导体表面的组成包含铜，并且该磨料浆料组合物进一步包含无机磨料粒.全文摘要一种包含复合非聚合有机颗粒的磨料组合物，其可用于化学机械平坦化(CMP)并且可以广泛地用于半导体工业。该复合颗粒单独地包含至少一种非聚合有机组分和至少一种不同于该至少一种非聚合有机组分的其它化学组分。如果将一种或多种组分引入磨料粒，该浆料组合物可以大大地简化。当在CMP应用中作为新的磨料组合物使用时，该磨料组合物提供有效的抛光速率、优异的选择性和良好的表面质量。文档编号H01L21/321GK101128555SQ200680006128公开日2008年2月20日申请日期2006年1月5日优先权日2005年1月7日发明者D·班迪,G·卞,H·边,K·唐,K·奇马拉帕迪,V·杜弗鲁,W·李,Y·李申请人:迪纳化学公司