专利名称：半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及半导体超大规模集成电路领域，具体是指一种半 导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构。
背景技术：
现代社会中，随着科学技术的不断进步，半导体技术不断发展，特别是对于现代的超大 规模集成电路芯片来说，各种各样的工艺方法和设计方式层出不穷。而对于半导体集成电路 芯片来说，有很多设计结构是非常常见的，而在这些结构中，决定其芯片工作性能和质量高 低的就是其中的金属硅化物的形成质量。在现有技术中，虽然金属硅化物的应用非常广泛，但是却缺乏一种行之有效的监控和检 测金属硅化物形成质量的结构和相应方法，这样就给半导体集成电路的质量带来了潜在的隐 患，同时也影响了集成电路芯片的成品率和使用过程中的稳定性和寿命，因而无法满足众多 对芯片质量和稳定性要求较高的场合，并使得半导体集成电路的使用范围受到了较大的影响， 给人们的工作和生活都带来了很大的不便。发明内容本发明的目的是克服了上述现有技术中的缺点，提供一种结构简单、监控方便有效、稳 定可靠、通用性较强、使用范围较为广泛的半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构。为了实现上述的目的，本发明的半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构具有 如下构成该半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，包括P型半导体衬底、该衬底表 面的N+注入区、多晶硅线和金属硅化物有源区，其主要特点是，所述的金属硅化物有源区设 置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。该半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构的相邻两根多晶硅线之间的距离为 最小设计准则的距离，且各多晶硅线与该金属硅化物有源区部分重叠。该半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构的连通引出结构设置于该金属硅化 物有源区的两端。该半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构的连通引出结构为设置于该金属硅 化物有源区上的通孔和穿设于通孔并与所迷的N+注入区相连通的金属线。该半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构的多晶硅线的边缘与相邻的金属硅 化物有源区的边缘之间的距离为最小设计准则的距离。该半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构的连通引出结构设置于该金属硅化 物有源区的横向宽区。该半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构的连通引出结构为设置于该金属硅 化物有源区上的通孔和穿设于通孔并与所述的N+注入区相连通的金属线。采用了该发明的半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，由于其将金属硅化 物有源区设置在相邻的两根多晶硅线之间，并在该有源区中设置有连通引出结构，从而可以 方便的测量有源区的电阻值，此时如果夹在两根多晶硅线之间的金属硅化物有源区形成质量 不好，则测量出的有源区电阻值就会相当大；同时由于浅沟隔离区产生的应力和两根多晶硅 线产生的应力对于金属硅化物的形成具有很大的影响，尤其是在有源区的拐角处区域，应力 更加显著，因而容易使金属硅化物穿通N+注入区，产生短路现象，而通过本发明的上述结构， 可以很容易的测量出N+注入区和P型衬底之间的漏电流，从而能够监控金属珪化物是否已经 穿通N+注入区，进而容易控制金属硅化物有源区的形成质量；另一方面，上述的结构非常简 单，监控方便有效，直接放置于划片槽中即可实现有效监测，很容易检测出目前半导体集成 电路中经常使用的两种常见结构中的金属硅化物的形成质量，大大提高了集成电路芯片的成 品率、稳定性和寿命，监控检测过程稳定可靠，通用性较强，使用范围较为广泛，为现代超 大规模集成电路工业的发展奠定了坚实的基础。
图1为本发明的半导体集成电路中第一种监控金属硅化物形成质量的结构。 图2为本发明的半导体集成电路中第二种监控金属硅化物形成质量的结构。
具体实施方式
为了能够更清楚地理解本发明的技术内容，特举以下实施例详细说明。 请参阅图1所示，其为该半导体集成电塔中第一种监控金属硅化物形成质量的结构，包 括P型半导体衬底1、该衬底表面的N+注入区2、多晶硅线3和金属硅化物有源区4，其中所述的金属硅化物有源区4设置于相邻的两根多晶硅线3之间，该相邻两根多晶硅线3之间 的距离为最小设计准则的距离，该最小设计准则的距离为现代半导体集成电路制造工艺中的 公知常识，且各多晶硅线3与该金属硅化物有源区4具有一定部分的重叠；同时，该全属硅化物有源区4中设置有连通引出结构，且该连通引出结构设置于该金属 硅化物有源区4的两端，其为设置于该金属硅化物有源区4上的通孔5和穿设于通孔5并与 所述的N+注入区2相连通的金属线。在实际使用当中，采用上述的结构，可以方便的测量有源区4的电阻值，如果夹在两根 多晶硅线3之间的金属硅化物有源区4形成质量不好，则测量出的有源区4的电阻值就会相 当大。再请参阅图2所示，其为该半导体集成电路中第二种监控金属珪化物形成质量的结构， 包括P型半导体衬底1、该衬底表面的N+注入区2、多晶硅线3和金属硅化物有源区4,其 中，所述的金属硅化物有源区4设置于相邻的两根多晶硅线3之间，该多晶硅线3的边缘与 相邻的金属珪化物有源区4的边缘之间的距离为最小设计准则的距离，该最小设计准则的距 离为现代半导体集成电路制造工艺中的公知常识。同时，所述的连通引出结构设置于该金属硅化物有源区4的横向宽区部分，其为设置于 该金属硅化物有源区4上的通孔5和穿设于通孔5并与所述的N+注入区2相连通的金属线。在实际使用当中，采用上述的结构，由于窄的金属硅化物有源区4夹在两根多晶硅线3 之间，其中将横向有源区部分做的相对较宽，从而能够在其上形成通孔5，并通过穿设于通 孔5中的金属线将N+注入区2引出；此时由于浅沟隔离区产生的应力和两根多晶硅线3产生 的应力对于金属硅化物的形成具有很大的影响，尤其是在有源区4的拐角处区域，应力更加 显著，因而容易使金属硅化物穿通N+注入区2,产生短路现象，而通过上述结构，可以很容 易的测量出N+注入区2和P型半导体衬底1之间的漏电流，从而能够监控金属硅化物是否已 经穿通N+注入区2,进而容易控制金属硅化物有源区4的形成质量。综上所述，采用了上述的半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，由于将金 属硅化物有源区4设置在相邻的两根多晶硅线3之间，并在该有源区4中设置有连通引出结 构，从而可以方便的测量有源区4的电阻值，如果夹在两根多晶硅线3之间的金属硅化物有 源区4形成质量不好，则测量出的有源区4电阻值就会相当大；同时由于浅沟隔离区产生的 应力和两根多晶硅线3产生的应力对于金属硅化物的形成具有很大的影响，尤其是在有源区 4的拐角处区域，应力更加显著，因而容易使金属硅化物穿通N+注入区2,产生短路现象， 而通过上述结构，可以很容易的测量出N+注入区2和P型半导体衬底1之间的漏电流，能够监控金属硅化物是否已经穿通N+注入区2,从而容易控制金属硅化物有源区4的形成质量； 而且本发明的上述结构非常简单，监控方便有效，直接放置于划片槽中即可实现有效监测， 很容易检测出目前半导体集成电路中经常使用的两种常见结构中的金属硅化物的形成质量， 大大提髙了集成电路芯片的成品率、穗定性和寿命，监控检测过程穗定可靠，通用性较强， 使用范围较为广泛，为现代超大规模集成电路工业的发展奠定了坚实的基础。在此说明书中，本发明已参照其特定的实施例作了描述。但是，很显然仍可以作出各种 修改和变换而不背离本发明的精神和范围。因此，说明书和附图应被认为是说明性的而非限 制性的。
权利要求
1. 一种半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，包括P型半导体衬底、该衬底表面的N+注入区、多晶硅线和金属硅化物有源区，其特征在于，所述的金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。
2、 根据权利要求1所述的半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在 于，所述的相邻两根多晶硅线之间的距离为最小设计准则的距离，且各多晶硅线与该金属硅 化物有源区部分重叠。
3、 根据权利要求2所述的半导体集成电路中监控金属珪化物形成质量的结构，其特征在 于，所述的连通引出结构^L置于该金属硅化物有源区的两端。
4、 根据权利要求3所述的半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在 于，所述的连通引出结构为设置于该金属硅化物有源区上的通孔和穿设于通孔并与所述的N+ 注入区相连通的金属线。
5、 根据权利要求l所述的半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在 于，所述的多晶硅线的边缘与相邻的金属硅化物有源区的边缘之间的距离为最小设计准则的 距离。
6、 根据权利要求5所述的半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，其特征在 于，所述的连通引出结构设置于该金属硅化物有源区的橫向宽区。
7、 根据权利要求6所述的半导体集成电路中监控金属珪化物形成质量的结构，其特征在 于，所述的连通引出结构为设置于该金属硅化物有源区上的通孔和穿设于通孔并与所述的N+ 注入区相连通的金属线。
全文摘要
本发明涉及一种半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，包括P型半导体衬底、该衬底表面的N+注入区、多晶硅线和金属硅化物有源区，其中金属硅化物有源区设置于相邻的两根多晶硅线之间，该金属硅化物有源区中设置有连通引出结构。采用该种半导体集成电路中监控金属硅化物形成质量的结构，不仅结构简单，监控方便有效，而且可以直接放置于划片槽中即可实现有效监测，很容易检测出目前半导体集成电路中经常使用的两种常见结构中的金属硅化物形成质量，大大提高了集成电路芯片的成品率、稳定性和寿命，同时监控检测过程稳定可靠，通用性较强，使用范围较为广泛，为现代超大规模集成电路工业的发展奠定了坚实的基础。
文档编号H01L21/66GK101261980SQ20071003795
公开日2008年9月10日 申请日期2007年3月9日 优先权日2007年3月9日
发明者军 何, 立 曹, 剑 胡, 萧维沧, 黄圣扬 申请人:上海宏力半导体制造有限公司