专利名称：重叠标记及其形成方法与应用的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种IC制程所用的重叠标记(overlay mark)，且特别 是关于可用以检查一下晶圆层与定义一上晶圓层的微影制程之间的对准度 (alignment accuracy)的重叠标记，其形成方法，以及其在对准度检查上 的应用。
背景技术：
随着IC制程的线宽持续缩小，上下晶圆层之间的对准度也愈来愈重要。 因此， 一般会在晶圆上形成重叠标记，并利用其来检查对准度，其中最常 见的重叠标记即所谓的盒中盒(box-in-box, BIB)式重叠标记。传统的BIB重叠标记是应用于上下晶圆层各自以单一光罩定义的情形， 包括部分下晶圓层中围成矩形的4条沟渠，以及该部分下晶圓层上方亦围 成矩形的4条状光阻图形，其是在定义上晶圆层的微影制程中形成的，且 被前述4沟渠围绕。其中，4沟渠是以其上有对应图案的一光罩定义的，且 4条状光阻图形是以其上有对应图案的另一光罩定义的。量测该二矩形的中 心位置的差异，即可得知上下晶圆层之间的对准度。另一方面，当制程线宽缩小时，元件关4定尺寸(critical dimension, CD)的控制也更加重要。当制程需要在一晶圆层上形成图案配置型态不同的 两区域时，常会使用两个光罩分别对两区域的光阻层进行曝光条件不同的 两次曝光，谓之双重曝光制程，以使各区域皆具有预定的关键尺寸。当前 述下上晶圓层的二图案化制程中至少有一者包括使用两光罩的两次曝光步 骤时，前述重叠标记即不再适用。发明内容本发明提供一种重叠标记，用以检查经过一 图案化制程的 一下晶圆层 与定义一上晶圆层的 一微影制程之间的对准度，此图案化制程与微影制程 二者中至少有一者包括两次曝光步骤。本发明并提供一种上述重叠标记的形成方法。本发明并提供一种检查对准度的方法，其形成上述重叠标记，以在前 述图案化制程与微影制程二者中至少有一者包括一双重曝光制程的情形 下，检查下晶圆层和前述微影制程之间的对准度。本发明的重叠标记包括下晶圓层的一部分，其中有第一 X向、第一 Y5向、第二 X向及第二Y向下条状图形，并包括由前述微影制程所形成的第 一X向、第一Y向、第二X向及第二Y向条状光阻图形，位于该部分的下 晶圆层的上方，且被前述下条状图形所围绕。前述图案化制程与微影制程 二者中至少有一者包括两次曝光步骤，分别用以定义第 一元件区与第二元 件区。当前述图案化制程包括两次曝光步骤时，第一X向与第一Y向下条 状图形同时定义，且第二X向与第二Y向下条状图形同时定义。当前述微 影制程包括两次曝光步骤时，第一X向与第一Y向条状光阻图形同时定义， 且第二X向与第二Y向条状光阻图形同时定义。本发明的重叠标记的形成方法包括在前述图案化制程中形成前述各下 条状图形，并在前述微影制程中形成前述各条状光阻图形。本发明的检查 对准度的方法则是在形成前述重叠标记之后，量测各该条状光阻图形相对 于各该下条状图形的位置，以估算在该第 一元件区与该第二元件区各自之 中，下晶圓层与定义上晶圆层的微影制程之间的X方向对准度与Y方向对 准度，其即上下晶圆层之间的X方向对准度与Y方向对准度。在上述本发明的结构与各方法中，前述各下条状图形例如是下晶圓层 中的沟渠。在某些实施例中，前述下条状图形定义出第一矩形，且前述条状光阻 图形定义出第二矩形。当下晶圆层与前述微影制程完全对准时，第一第二X 向下条状图形的中线与第一第二 Y向下条状图形的中线的交点例如可与第 一第二 X向条状光阻图形的中线与第一第二 Y向条状光阻图形的中线的交 点重合。在此情形下，前述下条状图形与条状光阻图形例如是分别定义出 第一正方形与第二正方形。另外，在前述下条状图形与条状光阻图形分别定义出第一矩形与第二 矩形，第一X向与第一Y向下条状图形以第一曝光步骤定义，第二X向与 第二 Y向下条状图形以第二曝光步骤定义，第一 X向与第一 Y向条状光阻 图形以第三曝光步骤定义，第二 X向与第二 Y向条状光阻图形以第四曝光 步骤定义，第一第三曝光步骤用以定义第一元件区且第二第四曝光步骤用 以定义第二元件区的情形下，第一矩形的由第一 X向与第一 Y向下条状图 形所定义的两边较佳对应第二矩形的由第一 X向与第一 Y向条状光阻图形 所定义的两边，同时第一矩形的由第二 X向与第二 Y向下条状图形所定义 的两边对应第二矩形的由第二X向与第二Y向条状光阻图形所定义的两边。此外，前述两次曝光步骤例如是组成一双重曝光制程，其中两次曝光 步骤所定义的第一元件区与第二元件区例如分别为一图案密集区与一图案 稀疏区，其例如分别为一记忆胞阵列区与一周边电路区。利用上述本发明的重叠标记，即可在下晶圓层的图案化制程与定义上 晶圓层的微影制程二者中至少有一者包括两次曝光制程，且这两次曝光制程分别定义第 一元件区与第二元件区的情形下，^r查第 一元件区中上下晶 圓层在X及Y两方向上的对准度，并检查第二元件区中上下晶圆层在X及Y 两方向上的对准度。为让本发明的上述和其他目的、特征和优点更明显易懂，下文特举较 佳实施例并配合所附图式，详细说明如下。
图1A-1E绘示本发明第一实施例的重叠标记的形成方法，其中图1E 绘示该重叠标记及其使用情形的 一例。图2A-2D绘示本发明第二实施例的重叠标记的形成方法，其中图2D 绘示该重叠标记及其使用情形的一例。图3A-3D绘示本发明第三实施例的重叠标记的形成方法，其中图3D 绘示该重叠标记及其使用情形的一例。12、 14、 32、 34:光罩图案102/202/302、 104/204/304:第二元件区、第一元件区106、206、 306:预定区域108、208、 308:部分的下晶圓层110、116、 210、 310、316:正光阻层112a、212a、312a:第一 Y向条状曝光区112b、212b、312b:第一 X向条状曝光区112c、212c、312c:第二 Y向条状曝光区112d、212d、312d.第二X向条状曝光区114a、214a、314a第一 Y向沟渠114b、214b、314b第一 X向沟渠114c、214c、314c第二 Y向沟渠114d、214d、314d第二X向沟渠115、215、 315:第二矩形116a、216a、316a第一 Y向条状未曝光区116b、216b、316b第一 X向条状未曝光区116c、216c、316c第二 Y向条状未曝光区116d、216d、316d第二 X向条状未曝光区118a、218a、318a第一 Y向条状光阻图形118b、218b、318b第一 X向条状光阻图形118c、218c、318c第二 Y向条状光阻图形118d、218d、318d第二X向条状光阻图形119、 219、 319:第一矩形120、 130、 140、 150、 220、 230、 240、 250、 320、 330、 340、 350:距离 223、 225、 327、 329:中线I-I， 、 II-II，剖面线具体实施方式
虽然在以下各实施例中，下晶圓层的图案化制程或定义上晶圓层的微 影制程所包括的两次曝光步骤组成了定义同 一光阻层的双重曝光制程，但 本发明的应用并不仅限于这种情形，而亦可应用至同一晶圆层由先后形成 的二图案化光阻层所定义、此二图案化光阻层分别由该两次曝光步骤所定 义的情形。另外，虽然以下各实施例中各下条状图形皆是蚀刻形成的沟渠，但本 发明的下条状图形并非仅限于此，而可以是任何其他可以光学方式侦测到 的图形型态。第一实施例图1A-1E绘示本发明第一实施例的重叠标记的形成方法，其中图1E 绘示该重叠标记及其使用情形的一例。本实施例中下晶圆层的图案化制程 与定义上晶圆层的微影制程各自皆包括一双重曝光制程。请参照图1A,在对基底的第一元件区104进行第一曝光步骤时，即同 时在位于非元件区中的预定区域106中的部分下晶圆层108上的正光阻层 110中形成第一Y向条状曝光区112a与第一X向条状曝光区112b,其中非 元件区通常是切割道(scribe line)区。此第一曝光步骤所用的第一光罩上 具有第一元件区104的图案及对应第一Y向条状曝光区112a与第一X向条 状曝光区112b的图案，并可将第二元件区102遮住。下文中类似的曝光步 骤所用的光罩的图案设计皆可以此类推，故不再赘述。第一元件区104与第二元件区102例如有一者是图案密集区，另一者 是图案稀疏区。图案密集区例如是一记忆胞阵列区，图案稀疏区例如是一 周边电路区，而下晶圓层的图案例如是接触窗开口的图案，此时下晶圆层 即是一介电层。请参照图1B，接着使用第二光罩对第二元件区102进行第二曝光步骤 时，即同时于该部分下晶圆层108上的正光阻层110中形成第二 Y向条状 曝光区112c与第二X向条状曝光区112d。各条状曝光区112a-112d中的 光阻材料会在后续的显影制程中与第一第二元件区104、 102元件区中的曝 光区同时被除去，因此在其后用以形成第一第二元件区104、 102的下晶圆 层图案的蚀刻制程中，对应的第一Y向沟渠114a、第一X向沟渠114b、第二 Y向沟渠114c与第二X向沟渠114d会形成在该部分下晶圓层108中， 如图1E所示。其中，沟渠114a与114b由第一曝光步骤所定义，沟渠ll化 与114d则是由第二曝光步骤所定义，此第一第二曝光步骤皆属于下晶圆层 的图案化制程的一部分。另外，上述正光阻层110可换成负光阻层，不过， 此时所用的第一第二光罩的图案设计须可使112a - 112d成为未曝光区，预 定区域106的其他部分则变成曝光区。请参照图1C,于一上晶圆层(未绘示)之后，即进行下述包括双重曝光 制程的微影制程。首先形成正光阻层116,再使用第三光罩对第一元件区 104进行第三曝光步骤，以同时形成第一元件区104的曝光区与未曝光区， 并在预定区域106内一半的正光阻层116中形成第一Y向条状未曝光区116a 及第一 X向条状未曝光区116b，其中第三光罩上对应预定区域106的图案 如标号12者所示。请参照图1D，接着使用第四光罩对第二元件区102进行第四曝光步骤， 以同时形成第二元件区102的曝光区与未曝光区，并在预定区域106内另 一半的正光阻层116中形成第二 Y向条状未曝光区116c及第二 X向条状未 曝光区116d，其中第四光罩上对应预定区域106的图案如标号14者所示。 此时预定区域106的除条状未曝光区116a - 116d以外的部分皆为曝光区。另外，上述正光阻层116亦可换成负光阻层,.不过，此时所用的第三 第四光罩的图案设计须可使116a- 116d成为曝光区，预定区域106的其 他部分成为未曝光区。接着进行显影以形成第一第二元件区104、 102的光阻图案，并同时使 条状未曝光区116a-116d成为条状光阻图形118a、 118b、 118c、 118d,其 被前述各沟渠114a-114d所围绕，如图1E所示。这4条沟渠114a-114d 及4条状光阻图形118a - 118d即构成本第一实施例的重叠标记。请参照图^,在以上制程中，4条沟渠114&- 114d定义出第一矩形115, 且4条状光阻图形118a - 118d定义出第二矩形119。沟渠114a- 114d和条 状光阻图形118a-118d的位置安排例如满足以下条件当下晶圓层与该微 影制程完全对准时，第一第二 Y向沟渠114a、 114c的中线与第一第二X向 沟渠114b、 114d的中线的交点和第一第二 Y向条状光阻图形118a、 118c 的中线与第一第二X向条状光阻图形118b、 118d的中线的交点重合。在此 情形下，4条沟渠114a - 114d与4条状光阻图形118a - 118d例如是分别定 义出第一正方形与第二正方形。另外，上晶圆层例如是一金属层，此时沟渠114a-114d的位置即可藉 由此金属层的反射率变化来侦测。在一实施例中，下晶圆层为一介电层， 其中图案为接触窗开口的图案；上晶圆层则为一金属层，此金属层有部分 填入接触窗开口，且有部分将被定义成导线。请续参照图1E，以上述重叠标记推算第一第二元件区104、 102各自之 中下晶圓层图案与其上方光阻图案之间的对准度的方法例如为下述者。在 第一元件区104的对准度方面，量测第一 Y向条状光阻图形118a与第一 Y 向沟渠114a之间的距离120，再与预设的标准值比较，即可得知第一元件 区104的下晶圆层图案与其上方光阻图案在X方向上的对准度；量测第一X 向条状光阻图形118b与第一 X向沟渠114b之间的距离130，再与预设的标 准值比较，即可得知第一元件区104的下晶圓层图案与其上方光阻图案在Y 方向上的对准度。'在第二元件区102的对准度方面，量测第二Y向条状光阻图形118c与 第二Y向沟渠114c之间的距离140，再与预设的标准值比较，即可得知第 二元件区102的下晶圆层图案与其上方光阻图案在X方向上的对准度；量 测第二X向条状光阻图形118d与第二X向沟渠114d之间的距离150,再与 预设的标准值比较，即可得知第二元件区102的下晶圓层图案与其上方光 阻图案在Y方向上的对准度。这些对准度也就是第一第二元件区104、 102 中下晶圓层图案与前述微影制程所定义的上晶圆层图案之间的对准度。第二实施例图2A-2D绘示本发明第二实施例的重叠标记的形成方法，其中图2D 绘示该重叠标记及其使用情形的一例。本实施例中只有下晶圆层的图案化 制程包括一双重曝光制程，定义上晶圓层的微影制程的曝光步骤只有一次， 其定义第一与第二元件区。请参照图2A,在对基底的第一元件区204进行使用第一光罩的第一曝 光步骤时，即同时在位于非元件区的预定区域206中的部分下晶圆层208 上的正光阻层210中形成第一 Y向条状曝光区212a与第一 X向条状曝光区 212b。请参照图2B，接着使用第二光罩对第二元件区202进行第二曝光步骤 时，即同时于该部分下晶圆层208上的正光阻层210中形成第二 Y向条状 曝光区212c与第二X向条状曝光区212d。各曝光区212a-212d中的光阻 材料会在后续的显影制程中与第一第二元件区204、 202元件区中的曝光区 同时被除去，因此在其后用以形成第一第二元件区204、 202的下晶圓层图 案的蚀刻制程中，对应的第一Y向沟渠214a、第一X向沟渠214b、第二Y 向沟渠214c与第二 X向沟渠214d会形成在该部分下晶圆层208中，如图 2D所示。其中，沟渠214a与214b由第一曝光步骤所定义，沟渠214c与 214d则是由第二曝光步骤所定义，此第一第二曝光步骤皆属于下晶圆层的 图案化制程的一部分。另外，上述正光阻层210亦可换成负光阻层，其相 关的制程变化如第一实施例的情形。请参照图2C,于一上晶圓层(未绘示)形成之后，形成另一正光阻层， 再使用第三光罩对第一第二元件区204、 202进行第三曝光步骤，以同时形 成第一第二元件区204、 202的曝光区与未曝光区，并在预定区域206内的 正光阻层中形成第一Y向条状未曝光区216a、第一X向条状未曝光区216b、 第二 Y向条状未曝光区216c与第二 X向条状未曝光区216d。此时预定区域 206的除条状未曝光区216a-216d以外的部分皆为曝光区。另外，上述正 光阻层亦可换成负光阻层，不过，此时所用的光罩的图案须与前述第三光 罩的图案互补。接着进行显影以形成第一第二元件区204、 202的光阻图案，并同时使 条状未曝光区216a-216d成为条状光阻图形218a、 218b、 218c、 218d,其 被前述各沟渠214a-214d所围绕，如图2D所示。这4条沟渠214a - 214d 及4条状光阻图形218a - 218d即构成本第二实施例的重叠标记。请参照图2D，在以上制程中，4条沟渠214a-214d定义出第一矩形215， 且4条状光阻图形218a-218d定义出第二矩形219。沟渠214a-214d和条 状光阻图形218a - 218d的位置安排例如满足以下条件当下晶圓层与该微 影制程完全对准时，第一第二Y向沟渠214a、 214c的中线与第一第二X向 沟渠214b、 214d的中线的交点和第一第二 Y向条状光阻图形218a、 218c 的中线与第一第二X向条状光阻图形218b、 218d的中线的交点重合。在此 情形下，4条沟渠214a-214d与4条状光阻图形218a - 218d例如是分别定 义出第一正方形与第二正方形。请续参照图2D,以上述重叠标记推算第一第二元件区204、 202各自之 中下晶圓层图案与其上方光阻图案之间的对准度的方法例如为下述者。在 第一元件区204的对准度方面，量测第一第二Y向条状光阻图形218a、218c 的中线223与第一 Y向沟渠214a之间的距离220，再与预设的标准值比较， 即可得知第一元件区204的下晶圆层图案与其上方光阻图案在X方向上的 对准度；量测第一第二X向条状光阻图形218b、 218d的中线225与第一 X 向沟渠214b之间的距离230，再与预设的标准值比较，即可得知第一元件 区204的下晶圓层图案与其上方光阻图案在Y方向上的对准度。在第二元件区202的对准度方面，量测第一第二 Y向条状光阻图形 218a、 218c的中线223与第二Y向沟渠214c之间的距离240，再与预设的 标准值比较，即可得知第二元件区202的下晶圆层图案与其上方光阻图案 在X方向上的对准度；量测第一第二X向条状光阻图形218b、 218d的中线 225与第二 X向沟渠214d之间的距离250，再与预设的标准值比较，即可 得知第二元件区202的下晶圆层图案与其上方光阻图案在Y方向上的对准 度。这些对准度也就是第一第二元件区204、 202中下晶圆层图案与该微影 制程所定义的上晶圓层图案之间的对准度。ii第三实施例图3A-3D绘示本发明第三实施例的重叠标记的形成方法，其中图3D 绘示该重叠标记及其使用情形的一例。本实施例中只有定义上晶圓层的微 影制程包括一双重曝光制程，下晶圓层的图案化制程的曝光步骤只有一次， 其定义第一与第二元件区。请参照图3A,在对第一第二元件区304、 302进行使用第一光罩的曝光 步骤时，即同时在位于非元件区中的预定区域306中的部分下晶圓层308 上的正光阻层310中形成第一 Y向条状曝光区312a、第一 X向条状曝光区 312b、第二 Y向条状曝光区312c与第二 X向条状曝光区312d。各曝光区 312a-312d中的光阻材料会在后续的显影制程中与第一第二元件区304、 302元件区中的曝光区同时被除去，因此在其后用以形成第一第二元件区 304、 302的下晶圆层图案的蚀刻制程中，对应的第一Y向沟渠314a、第一 X向沟渠314b、第二 Y向沟渠314c与第二 X向沟渠314d会形成在该部分 下晶圆层308中，如图3D所示。另外，上述正光阻层310亦可换成负光阻 层，不过，此时所用的光罩的图案须与前述第一光罩的图案互补。请参照图3B,于一上晶圓层(未绘示)之后，即进行下述包括双重曝光 制程的微影制程。首先形成正光阻层316，再使用第二光罩对第一元件区 304进行第二曝光步骤，以同叶形成第一元件区304的曝光区与未曝光区， 并在预定区域306内一半的正光阻层316中形成第一Y向条状未曝光区316a 及第一 X向条状未曝光区316b，其中第二光罩上对应预定区域306的图案 如标号32者所示。请参照图3C，接着使用第三光罩对第二元件区302进行第三曝光步骤， 以同时形成第二元件区302的曝光区与未曝光区，并在预定区域306内另 一半的正光阻层316中形成第二Y向条状未曝光区316c及第二X向条状未 曝光区316d，其中第三光罩上对应预定区域306的图案如标号34者所示。 此时预定区域306的除条状未曝光区316a - 316d以外的部分皆为曝光区。接着进行显影以形成第一第二元件区304、 302的光阻图案，并同时使 条状未曝光区316a-316d成为条状光阻图形318a、 318b、 318c、 318d，其 被前述各沟渠314a-314d所围绕，如图3D所示。这4条沟渠314a - 314d 及4条状光阻图形318a- 318d即构成本第三实施例的重叠标记。请参照图3D,在以上制程中，4条沟渠314a- 314d定义出第一矩形315, 且4条状光阻图形318a - 318d定义出第二矩形319。沟渠314a - 314d和条 状光阻图形318a-318d的位置安排例如满足以下条件当下晶圆层与该微 影制程完全对准时，第一第二Y向沟渠314a、 314c的中线与第一第二X向 沟渠314b、 314d的中线的交点和第一第二 Y向条状光阻图形318a、 318c的中线与第一第二X向条状光阻图形318b、 318d的中线的交点重合。在此 情形下，4条沟渠314a- 314d与4条状光阻图形318a - 318d例如是分别定 义出第一正方形与第二正方形。请续参照图3D,以上述重叠标记推知第一第二元件区304、 302各自之 中下晶圆层图案与其上方光阻图案的对准度的方法例如为下述者。在第一 元件区304的对准度方面，量测第一Y向条状光阻图形318a与第一第二Y 向沟渠314a、 314c的中线327之间的距离320,再与预设的标准值比较， 即可得知第一元件区304的光阻图案与其下方下晶圓层图案在X方向上的 对准度；量测第一X向条状光阻图形318b与第一第二X向沟渠314b、 314d 的中线329之间的距离330,再与预设的标准值比较，即可得知第一元件区 304的光阻图案与其下方的下晶圆层图案在Y方向上的对准度。在第二元件区302的对准度方面，量测第二Y向条状光阻图形318c与 第一第二Y向沟渠314a、 314c的中线327之间的距离340，再与预设的标 准值比较，即可得知第二元件区302的光阻图案与其下方的下晶圆层图案 在X方向上的对准度；量测第二X向条状光阻图形318d与第一第二X向沟 渠314b、 314d的中线329之间的距离350，再与预设的标准值比较，即可 得知第二元件区302的光阻图案与其下方的下晶圓层图案在Y方向上的对 准度。这些对准度也就是第一第二元件区304、 302中下晶圓层图案与由前 述微影制程所定义的上晶圓层图案之间的对准度。由上述说明可知，利用本发明的重叠标记，即可在下晶圓层的图案化 制程与定义上晶圆层的微影制程二者中至少有一者包括两次曝光制程，且 这两次曝光制程分别定义第一元件区与第二元件区的情形下，检查第一元 件区中上下晶圆层在X及Y两方向上的对准度，并检查第二元件区中上下 晶圓层在X及Y两方向上的对准度。以上所述，仅是本发明的较佳实施例而已，并非对本发明作任何形式 上的限制，虽然本发明已以较佳实施例揭露如上，然而并非用以限定本发 明，任何熟悉本专业的技术人员，在不脱离本发明技术方案范围内，当可利 用上述揭示的技术内容作出些许更动或修饰为等同变化的等效实施例，但 凡是未脱离本发明技术方案的内容，依据本发明的技术实质对以上实施例 所作的任何简单修改、等同变化与修饰，均仍属于本发明技术方案的范围 内。
权利要求
1. 一种重叠标记，用以检查经过一图案化制程的一下晶圓层与定义一上晶圓层的一微影制程之间的对准度，其特征在于其包括该下晶圆层的一部分，其中有一第一X向下条状图形、 一第一Y向下 条状图形、 一第二X向下条状图形及一第二Y向下条状图形；以及由该微影制程所形成的一第一X向、 一第一Y向、 一第二X向及一第 二 Y向条状光阻图形，位于该部分的该下晶圆层的上方，且被该些下条状 图形所围绕，其中该图案化制程与该微影制程二者中至少有一者包括两次曝光步骤，分 别用以定义一第一元件区与一第二元件区；当该图案化制程包括两次曝光步骤时，该第一 X向下条状图形与该第 一 Y向下条状图形同时定义，且该第二 X向下条状图形与该第二 Y向下条 状图形同时定义；并且当该微影制程包括两次曝光步骤时，该第一 X向条状光阻图形与该第 一 Y向条状光阻图形同时定义，且该第二 X向条状光阻图形与该第二 Y向 条状光阻图形同时定义。 '
2. 根据权利要求1所述的重叠标记，其特征在于其中所述的下条状图 形定义出一第一矩形，且该些条状光阻图形定义出一第二矩形。
3. 根据权利要求2所述的重叠标记，其特征在于其中所述的第一第二 X 向下条状图形的中线与该第-一第二 Y向下条状图形的中线有第一交点，该 第一第二 X向条状光阻图形的中线与该第一第二 Y向条状光阻图形的中线 有第二交点，当该下晶圆层与该微影制程完全对准时，该第二交点与该第 一交点重合。
4. 根据权利要求2所述的重叠标记，其特征在于其中该第一 X向与第一 Y向下条状图形以第一曝光步骤定义，该第二 X向 与第二 Y向下条状图形以第二曝光步骤定义，该第一 X向与第一 Y向条状 光阻图形以第三曝光步骤定义，且该第二 X向与第二 Y向条状光阻图形以 第四曝光步骤定义；该第一与第三曝光步骤是用以定义该第一元件区，且该第二与第四曝 光步骤是用以定义该第二元件区；并且该第一矩形的由该第一 X向与第一 Y向下条状图形所定义的两边对应 该第二矩形的由该第一 X向与第一 Y向条状光阻图形所定义的两边，且该 第一矩形的由该第二 X向与第二 Y向下条状图形所定义的两边对应该第二 矩形的由该第二 X向与第二 Y向条状光阻图形所定义的两边。
5. 根据权利要求1所述的重叠标记，其特征在于其中所述的两次曝光步骤组成一双重曝光制程。
6. —种检查对准度的方法，用以检查经过一图案化制程的一下晶圓层和定义一上晶圓层的一微影制程之间的对准度，该图案化制程与该微影制 程二者中至少有一者包括一双重曝光制程，该双重曝光制程包括分别用以 定义一第一元件区与一第二元件区的两次曝光步骤，其特征在于该方法包 括形成一重叠标记，其步骤包括在该图案化制程中，于该下晶圆层的一部分中形成一第一X向下条 状图形、 一第一 Y向下条状图形、 一第二 X向下条状图形及一第二 Y 向下条状图形；及在该微影制程中，于该部分的该下晶圆层的上方形成一第一X向、 一第一Y向、 一第二 X向及一第二 Y向条状光阻图形，其被该些下条 状图形围绕，其中当该图案化制程包括一双重曝光制程时，该第一 X 向下条状图形与该第一 Y向下条状图形同时定义，且该第二 X向下条 状图形与该第二 Y向下条状图形同时定义，而当该微影制程包括一双 重曝光制程时，该第一 X向条状光阻图形与该第一 Y向条状光阻图形 同时定义，且该第二 X向条状光阻图形与该第二 Y向条状光阻图形同 时定义；以及量测各该条状光阻图形相对于各该下条状图形的位置，以估算在该第 一元件区与该第二元件区各自之中，该下晶圓层与该微影制程之间的X方 向对准度与Y方向对准度。
7. 根据权利要求6所述的检查对准度的方法，其特征在于其中所述的 下条状图形定义出一第一矩形，且该些条状光阻图形定义出一第二矩形。
8. 根据权利要求7所述的检查对准度的方法，其特征在于其中所述的 第一第二 X向下条状图形的中线与该第一第二 Y向下条状图形的中线有第 一交点，该第一第二 X向条状光阻图形的中线与该第一第二 Y向条状光阻 图形的中线有第二交点，当该下晶圓层与该微影制程完全对准时，该第二 交点与该第一交点重合。
9. 根据权利要求7所述的检查对准度的方法，其特征在于其中 该第一 X向与第一 Y向下条状图形以第一曝光步骤定义，该第二 X向与第二 Y向下条状图形以第二曝光步骤定义，该第一 X向与第一 Y向条状 光阻图形以第三曝光步骤定义，且该第二 X向与第二 Y向条状光阻图形以 第四曝光步骤定义；该第一与第三曝光步骤是用以定义该第一元件区，且该第二与第四曝 光步骤是用以定义该第二元件区；并且该第一矩形的由该第一 X向与第一 Y向下条状图形所定义的两边对应该第二矩形的由该第一 X向与第一 Y向条状光阻图形所定义的两边，且该 第一矩形的由该第二 X向与第二 Y向下条状图形所定义的两边对应该第二 矩形的由该第二 X向与第二 Y向条状光阻图形所定义的两边。
10.根据权利要求6所述的检查对准度的方法，其特征在于其中所述 的两次曝光步骤组成一双重曝光制程。
全文摘要
一种重叠标记，包括下晶圆层的一部分，其中有二X向与二Y向下条状图形，并包括由定义上晶圆层的微影制程所形成的二X向与二Y向条状光阻图形，其被前述下条状图形围绕。定义下晶圆层的图案化制程与前述微影制程二者中至少有一者包括两次曝光步骤，分别用以定义第一元件区与第二元件区。当前述图案化制程包括两次曝光步骤时，一X向与一Y向下条状图形同时定义，另一X向与另一Y向下条状图形同时定义。当前述微影制程包括两次曝光步骤时，一X向与一Y向条状光阻图形同时定义，另一X向条状光阻图形与另一向条状光阻图形同时定义。
文档编号H01L23/544GK101312180SQ20071010521
公开日2008年11月26日 申请日期2007年5月21日 优先权日2007年5月21日
发明者黄志豪 申请人:旺宏电子股份有限公司