专利名称：绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体制造技术中的半导体晶片无水清洗技术领域， 尤其涉及一种绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备，利用超临界态二 氧化碳无表面张力的特点实现对半导体晶片的无水清洗。
背景技术：
随着微电子技术的进步，半导体电路的集成度不断提高，元器件 的尺度不断縮小，相应地对晶片洁净度的要求也越来越高。因为残留 在晶片表面的污染物和杂质会导致电路或器件结构失效，所以在制造 过程中需要大量的清洗工作。所谓清洗，是指在不破坏晶圆表面电特 性的前提下，有效去除各类污染。
在传统的清洗技术中，无论是湿法清洗还是干法清洗，最终都要 使用大量高纯水进行冲洗，再用异丙醇等干燥晶片表面。由此衍生出 的问题是水资源的大量消耗、化学试剂引起的芯片和环境的污染，以 及干燥过程引起的微结构粘连和颗粒吸附。而且受液体表面张力和粘 度的限制，传统清洗技术无法深入微小孔隙进行有效的清洗。随着半 导体技术向更小的工艺节点延伸，传统清洗渐渐变得力不从心。
超临界态二氧化碳具有低粘度、高扩散性、低表面张力、亲有机 性等特点，可以深入微小孔隙进行清洗，避免了大量纯水的消耗和传
统清洗技术所需的后续处理(包括废液的处理和干燥等)，满足新一代 晶片高深宽比结构的要求，也大大减小了对资源和环境的压力。
发明内容
(一)要解决的技术问题 有鉴于此，本发明的主要目的在于提供一种绿色二氧化碳超流体 半导体清洗设备，以克服传统清洗的困难，解决传统清洗大量耗水、污染环境、清洗后需要干燥以及无法深入微小孔隙进行清洗的问题， 满足新一代半导体工艺的要求。
(二)技术方案
为达到上述目的，本发明提供了一种绿色二氧化碳超流体半导体 清洗设备，该设备包括主工作腔l、分离腔3、清洗剂及助溶剂暂存腔
4、温度控制系统7和二氧化碳循环控制系统8，其中，
所述主工作腔1，用于半导体晶片的超流体清洗和干燥，固定在支
座6上，该主工作腔底部安装有温度控制系统7的温度传感器106和 压力传感器107，腔室内部的温度受温度控制系统7的控制；
分离腔3，用于二氧化碳与清洗废液的分离，固定在支座6上，通 过带电磁阀105的管道104与主工作腔1相连，通过分离腔排气管道9 和二氧化碳循环控制系统8相连；
清洗剂及助溶剂暂存腔4，用于存放辅助清洗的有机溶剂，通过带 电磁阀403的管道402与主工作腔1的二氧化碳入口管道103相连；
温度控制系统7，用于对主工作腔1腔室内部的温度进行控制；
二氧化碳循环控制系统8，用于实现整套设备的二氧化碳循环控制 工作，固定在支座6上，由液体二氧化碳储气罐和压縮机构成，对二 氧化碳进行压缩、散热和存储，同时完成主工作腔1的制冷任务。
上述方案中，所述主工作腔1的内部有盛放晶片的硅片架2，外部 由用于制冷的换热盘管5环绕，底部有加热丝。
上述方案中，所述主工作腔1上部设置有高压密封盖101，保证主 工作腔1具有良好的密闭性能。
上述方案中，所述二氧化碳循环控制系统8中的液体二氧化碳分 别在清洗工作回路和制冷工作回路中流动；
所述清洗工作回路自二氧化碳循环控制系统8的二氧化碳储气罐 开始，经由主工作腔进液管103、主工作腔l、主工作腔排液管104、 分离腔3、分离腔排气管9、 二氧化碳循环控制系统8的压縮机回到二 氧化碳循环控制系统8的储气罐；
所述制冷工作回路自二氧化碳循环控制系统8的二氧化碳储气罐开始，经由换热器盘管5和二氧化碳循环控制系统8的压缩机后回到 二氧化碳循环控制系统8的储气罐。
(三)有益效果 从上述技术方案可以看出，本发明具有以下有益效果
(1) 本发明提供的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备，属无水 清洗设备，避免了高纯水的大量消耗，克服了半导体工业大量耗水的 困难。
(2) 本发明提供的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备，采用超 临界态二氧化碳作为清洗媒体，避免了传统清洗过程中腐蚀性、易燃 性以及有机溶剂等化学药品的大量使用。 一方面，减少了处理清洗废 液的成本，另一方面减小了对环境的污染，同时增强了操作人员的安 全性。
(3) 本发明提供的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备，采用超 临界态二氧化碳作为清洗媒体，利用了超临界流体无表面张力的特点， 深入微小孔隙进行清洗，解决了传统清洗媒体由于表面张力而无法深 入至微小结构进行有效清洗的尴尬局面，因而更适合于新一代半导体 制造技术的要求。
(4) 本发明提供的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备，清洗完 成之后，使用超临界态二氧化碳作为漂洗液，与清洗液进行充分置换 后，对清洗后的晶片实施超临界干燥，避免了传统清洗技术最终干燥 时由于气——液界面极大的表面张力引起的结构粘连、图形变形和颗 粒物的致命吸附等问题。
(5) 本发明提供的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备，使用二 氧化碳进行制冷和清洗。二氧化碳无毒无味、不燃烧也不助燃，化学 性质稳定，而且它的临界温度比较低，满足对温度敏感的电路或结构 的技术需要。同时，本设备使用的二氧化碳并不外排，而是经过压縮 散热后循环使用，避免了温室气体的排放，不会对环境带来任何压力。
图1为本发明提供的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备结构示 意图2为本发明提供的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备中主工 作腔示意图3为本发明提供的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备中清洗 剂及助溶剂暂存腔结构示意图4为本发明提供的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备中硅片 架的结构示意图5为本发明提供的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备中主工 作腔高压密封盖示意图中，主工作腔l，硅片架2，分离腔3，清洗剂及助溶剂暂存腔 4，主工作腔换热盘管5，支座6，温度控制系统7， 二氧化碳循环控制 系统8，分离腔排气管道9，主工作腔高压密封盖101，主工作腔进气 管电磁阀102，主工作腔进气管道103，主工作腔排气管道104，主工 作腔排气管电磁阀105，温度传感器106，压力传感器107，清洗剂及 助溶剂暂存腔密封盖401，暂存腔排液管402，暂存腔排液管阀门403。
具体实施例方式
为使本发明的目的、技术方案和优点更加清楚明白，以下结合具 体实施例，并参照附图，对本发明进一步详细说明。
如图1所示，图1为本发明提供的绿色二氧化碳超流体半导体清 洗设备结构示意图，该设备主要由工作腔l、分离腔3、清洗剂及助溶 剂暂存腔4、温度控制系统7和二氧化碳循环控制系统8组成。其中， 主工作腔1、分离腔3和二氧化碳循环控制系统8均固定在支座6上。
主工作腔通过带进液电磁阀102的主腔进液管103与二氧化碳存 储罐相连，通过带排液电磁阀105的主腔排液管104与分离腔3相连； 暂存腔4通过带阀门403的排液管道402与主工作腔1的进液管道103 相连；主腔1内部有盛放待清洗硅片的硅片架2，外部盘绕制冷用的换 热盘管5，底部有加热用的电阻丝。主腔的温度由温度传感器106进行测量，并由温度控制系统决定是否需要加热或制冷，以保证合适的工 作温度；主腔的压力由压力传感器107进行测量。由于本设备在高压 条件下工作，必须保证整套装置良好的耐压性和密闭性，所以主腔1 带有高压密封盖101保证良好的密闭性能。
主工作腔1在清洗过程中始终保持液体环境，防止清洗时气—— 液界面的表面张力对微小的器件结构和图形造成损坏以及对杂质颗粒 的致命吸附。
分离腔3的进液管与主工作腔的排液管104相连，排气管道9与 二氧化碳循环控制系统8内的压縮机相连，废液排出通道带有手动常 闭开关。当清洗液排至分离腔后，通过降压使液体二氧化碳气化，气 相二氧化碳经由排气管9送至压縮机进行压縮散热，回到储气罐，而 有机溶剂和清洗产生的杂质等废液则通过上述手动开关排出本设备。
二氧化碳循环控制系统8包含二氧化碳存储罐和压縮机两部分， 它是本清洗设备实现二氧化碳循环使用的关键结构。 一方面，参与清
洗过程的二氧化碳通过分离腔的排气管道9进入压縮机进行压缩散热 后，回储气罐；另一方面输入换热盘管5内参与制冷的二氧化碳也由 压缩机压缩后回储气罐循环使用。这样做避免了现有的开放式系统中 二氧化碳的大量消耗，从而解决了温室气体排放对于环境的压力。
将本发明所涉及的设备应用于半导体晶片清洗时，主工作腔1内 硅片架2中的待清洗晶片在清洗过程中需要始终保持液体环境，防止 气——液界面的表面张力引起的颗粒吸附、结构粘连等不良后果。先 用含少量清洗剂和助溶剂的超临界态二氧化碳作为清洗液对晶片进行 清洗，再用超临界态二氧化碳进行深度漂洗，最后实施超临界干燥。 整个过程需要控制主工作腔1的温度和压力。清洗过程中产生的废液 送至分离腔3中进行处理，分离腔3降压后，气相二氧化碳与废液分 离，经分离腔排气管道9由压缩机压缩散热后，回到储气罐，而剩余 废液则经由手动排泄阀排出。
在使用本发明提供的设备进行清洗时的具体工作步骤如下-. (1)打开主工作腔1的高压密封盖101，取出硅片架2，将待清 洗的晶片在保持湿环境的条件下放置在硅片架上，送回工作腔l，关闭
8高压密封盖101。
(2) 打开主腔进液电磁阀102和清洗剂及助溶剂暂存腔排液阀门 403，令液体二氧化碳和清洗剂、助溶剂的混合物充满主工作腔，保持 主腔1的工作温度和压力大于二氧化碳的临界温度和临界压力，对晶 片初步实施超流体清洗。
(3) 初步清洗结束后，打开主腔排液电磁阀105，由主腔进液管 输入液体二氧化碳，对清洗液进行充分置换。清洗液由主腔排液管104 迸入分离腔。置换完成后，主腔内充满了液体二氧化碳。
(4) 关闭主腔排液电磁阀105。控制主腔温度和压力在二氧化碳 的临界温度和临界压力以上，即使用超临界态二氧化碳对清洗后的晶 片进行深度漂洗。与此同时，分离腔3降压，作为液态媒体的二氧化 碳转变为气相，与含杂质的有机废液分离，通过分离腔排气管9排出 分离腔，经由压缩机压缩散热后回储气罐循环使用；而废液则通过分 离腔的手动排泄阀排出设备。
(5) 步骤4中主工作腔1内以超流体为漂洗液的深度漂洗过程结 束后，打开主腔排液电磁阀，保持腔体温度在临界温度以上，缓慢降 低腔体压力，对晶片实施超临界干燥，腔内的二氧化碳直接气化。气 体二氧化碳同样由压縮机压缩散热后回储气罐循环使用。
(6) 至此，清洗过程结束。
以上所述的具体实施例，对本发明的目的、技术方案和有益效果 进行了进一步详细说明，所应理解的是，以上所述仅为本发明的具体 实施例而已，并不用于限制本发明，凡在本发明的精神和原则之内， 所做的任何修改、等同替换、改进等，均应包含在本发明的保护范围 之内。
权利要求
1、一种绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备，其特征在于，该设备包括主工作腔(1)、分离腔(3)、清洗剂及助溶剂暂存腔(4)、温度控制系统(7)和二氧化碳循环控制系统(8)，其中，所述主工作腔(1)，用于半导体晶片的超流体清洗和干燥，固定在支座(6)上，该主工作腔底部安装有温度控制系统(7)的温度传感器(106)和压力传感器(107)，腔室内部的温度受温度控制系统(7)的控制；分离腔(3)，用于二氧化碳与清洗废液的分离，固定在支座(6)上，通过带电磁阀(105)的管道(104)与主工作腔(1)相连，通过分离腔排气管道(9)和二氧化碳循环控制系统(8)相连；清洗剂及助溶剂暂存腔(4)，用于存放辅助清洗的有机溶剂，通过带电磁阀(403)的管道(402)与主工作腔(1)的二氧化碳入口管道(103)相连；温度控制系统(7)，用于对主工作腔(1)腔室内部的温度进行控制；二氧化碳循环控制系统(8)，用于实现整套设备的二氧化碳循环控制工作，固定在支座(6)上，由液体二氧化碳储气罐和压缩机构成，对二氧化碳进行压缩、散热和存储，同时完成主工作腔(1)的制冷任务。
2、 根据权利要求1所述的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备， 其特征在于，所述主工作腔(1)的内部有盛放晶片的硅片架(2)，外 部由用于制冷的换热盘管(5)环绕，底部有加热丝。
3、 根据权利要求1所述的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备， 其特征在于，所述主工作腔(1)上部设置有高压密封盖(101)，保证 主工作腔(1)具有良好的密闭性能。
4、 根据权利要求1所述的绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备， 其特征在于，所述二氧化碳循环控制系统(8)中的液体二氧化碳分别 在清洗工作回路和制冷工作回路中流动；所述清洗工作回路自二氧化碳循环控制系统(8)的二氧化碳储气 罐开始，经由主工作腔进液管(103)、主工作腔(1)、主工作腔排液管(104)、分离腔(3)、分离腔排气管(9)、 二氧化碳循环控制系统(8)的压縮机回到二氧化碳循环控制系统(8)的储气罐；所述制冷工作回路自二氧化碳循环控制系统(8)的二氧化碳储气 罐开始，经由换热器盘管(5)和二氧化碳循环控制系统(8)的压缩 机后回到二氧化碳循环控制系统(8)的储气罐。
全文摘要
本发明公开了一种绿色二氧化碳超流体半导体清洗设备，用于半导体晶片的无水清洗。该设备主要包括带温度和压力控制的主工作腔(进行超流体清洗和超临界干燥)、分离二氧化碳和清洗废液的分离腔、存放增强清洗效果的清洗剂及助溶剂的暂存腔和对二氧化碳进行压缩、散热和存储的二氧化碳循环控制系统等几大部分。各部分通过带阀门的管道进行连接。在少量有机溶剂的配合下，以无表面张力的二氧化碳超流体为清洗媒体和漂洗液，深入微小孔隙获得良好的清洗效果。利用本发明提供的清洗设备，避免了纯水的大量消耗和化学药剂带来的污染，解决了传统工艺中由于表面张力造成的结构变形和颗粒吸附等问题，而且二氧化碳循环使用减少了温室气体的大量排放。
文档编号H01L21/00GK101452820SQ20071017877
公开日2009年6月10日 申请日期2007年12月5日 优先权日2007年12月5日
发明者刘茂哲, 景玉鹏, 李全宝, 罗小光, 高超群 申请人:中国科学院微电子研究所